專利名稱：：4-氨基芴化合物和有機(jī)發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及新型4-氨基芴化合物和有機(jī)發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：有機(jī)發(fā)光器件是包括薄膜的器件，該薄膜含有熒光性有機(jī)化合物或磷光性有機(jī)化合物并且插在陽極和陰極之間。另外，從各個(gè)電極注入空穴和電子，由此產(chǎn)生熒光性化合物或磷光性化合物的激子。當(dāng)該激子返回至其基態(tài)時(shí)發(fā)射光。有機(jī)發(fā)光器件的最近發(fā)展是顯著的，并且由于下述原因該器件顯示其用于廣泛用途的潛能。該器件在低外加電壓下顯示高亮度。此外，該器件具有各種發(fā)光波長。另外，該器件可以是具有高速響應(yīng)性的薄型輕質(zhì)發(fā)光器件。然而，目前，需要具有更高亮度的光輸出或者更高轉(zhuǎn)換效率。此外，該有機(jī)發(fā)光器件在耐久性方面仍有許多問題。例如，該器件由于長期使用而隨時(shí)間變化，并且由于含有氧、濕氣等的大氣氣體而劣化。另外，在假定將該器件用于例如全色顯示器的情形下，該器件必須發(fā)射各自具有良好色純度的藍(lán)光、綠光和紅光。然而，關(guān)于藍(lán)光、綠光和紅光各自的色純度的問題還沒有得到充分的解決。此外，在日本專利申請(qǐng)公開No.H11-144875、Hll-224779、H11-288783和2001-39933中公開了各自使用藥化合物的材料和有機(jī)發(fā)光器件的實(shí)例。然而，在那些文獻(xiàn)中描述的每個(gè)器件都具有低外部量子效率和不足的耐久壽命。此外，在日本專利申請(qǐng)公開No.,-220995、2002-324678、H05-234681和H05-009471中公開了各自使用芳族叔胺衍生物的材料和有機(jī)發(fā)光器件的實(shí)例。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供新型4-氨基藥化合物。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供使用4-氨基芴化合物并且具有極高的效率和高亮度的光輸出的有機(jī)發(fā)光器件。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供具有極高的耐久性的有機(jī)發(fā)光器件。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供能夠用相對(duì)低的成本容易地進(jìn)行生產(chǎn)的有機(jī)發(fā)光器件。即，本發(fā)明提供1)由以下通式(1)表示的4_氨基芴化合物其中Ai^表示與2或4位鍵接的取代或未取代的芴基，Ar2表示取代或未取代的芳基、或取代或未取代的雜環(huán)基，Ri至R9各自表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或卣素基團(tuán)，并且可以彼此相同或不同，或者可以彼此鍵接而形成環(huán)；2)根據(jù)段落(1)的4-氨基芴化合物，其中，在通式(1)中，A—表示與4位鍵接的取代或未取代的芴基，并且Ai"2表示取代或未取代的芴基；3)根據(jù)段落(1)的4-氨基芴化合物，其中，在通式(1)中，Ai表示與4位鍵接的取代或未取代的芴基，并且An表示取代或未取代的芴基；4)有機(jī)發(fā)光器件，包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和含有有機(jī)化合物并且插在該一對(duì)電極之間的層，其中該含有有機(jī)化合物的層含有至少一種根據(jù)段落l)的化合物；5)有機(jī)發(fā)光器件，包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和含有有機(jī)化合物并且插在該一對(duì)電極之間的層，其中該含有有機(jī)化合物的層是含有至少一種根據(jù)段落1)的化合物的空穴傳輸區(qū)；6)有機(jī)發(fā)光器件，包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和含有有機(jī)化合物并且插在該一對(duì)電極之間的層，其中該含有有機(jī)化合物的層是含有至少一種根據(jù)段落1)的化合物的發(fā)光層；7)有機(jī)發(fā)光器件，包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和各自含有有機(jī)化合物的多個(gè)層，該多個(gè)層插在該一對(duì)電極之間，其中該多個(gè)層包括發(fā)光層，在該發(fā)光層的陽極側(cè)上與該發(fā)光層相鄰的第二空穴傳輸層，和在該第二空穴傳輸層的陽極側(cè)上與該第二空穴傳輸層相鄰的第一空穴傳輸層，該第一空穴傳輸層含有至少一種具有胺的化合物；和該第二空穴傳輸層含有至少一種具有一個(gè)氮原子的叔胺化合物；8)根據(jù)段落7)的有機(jī)發(fā)光器件，其中該第一空穴傳輸層含有至少一種具有一個(gè)氮原子的叔胺化合物；9)根據(jù)段落7)的有機(jī)發(fā)光器件，其中該第一空穴傳輸層含有至少一種具有一個(gè)氮原子的非環(huán)狀叔胺化合物；10)根據(jù)段落(7)的有機(jī)發(fā)光器件，其中該第二空穴傳輸層含有至少一種具有一個(gè)氮原子的非環(huán)狀叔胺化合物；11)根據(jù)段落7)的有機(jī)發(fā)光器件，其中該具有胺的化合物包含由以下通式(1)表示的4-氨基藥化合物R9其中An表示與2或4位鍵接的取代或未取代的芴基，Ar2表示取代或未取代的芳基、或取代或未取代的雜環(huán)基，R!至R9各自表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或卣素基團(tuán)，并且可以彼此相同或不同，或者可以彼此鍵接而形成環(huán)；12)根據(jù)段落7)的有機(jī)發(fā)光器件，其中該第二空穴傳輸層含有至少一種由以下通式(1)表示的4-氨基芴化合物其中A^表示與2或4位鍵接的取代或未取代的芴基，An表示取代或未取代的芳基、或取代或未取代的雜環(huán)基，K至R,各自表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或卣素基團(tuán)，并且可以彼此相同或不同，或者可以彼此鍵接而形成環(huán)；13)根據(jù)段落7)的有機(jī)發(fā)光器件，其中具有一個(gè)氮原子并且存在于該第二空穴傳輸層中的叔胺化合物的帶隙比該發(fā)光層中含量最高的化合物的帶隙寬；和14)根據(jù)段落7)的有機(jī)發(fā)光器件，其中在該笫一空穴傳輸層中含量最高的化合物的電離電位Ipl、在該第二空穴傳輸層中含量最高的化合物的電離電位Ip2和在該發(fā)光層中含量最高的化合物的電離電位Ip3滿足如下關(guān)系Ipl<Ip2<Ip3。尺9本發(fā)明的由通式(1)表示的4-氨基芴化合物具有優(yōu)異的發(fā)光性能。此外，使用該4-氨基芴化合物的有機(jī)發(fā)光器件在低外加電壓下高效率地發(fā)光。此外，該器件提供優(yōu)異的耐久性。圖l是表示本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件的實(shí)例的截面圖。圖2是表示本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖3是表示本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖4是表示本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)實(shí)例的截面圖。具體實(shí)施例方式通式(1)中的化合物的取代基的具體實(shí)例將在以下示出。作為烷基，可以給出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、仲丁基、辛基、1-金剛烷基、2-金剛烷基等。作為芳烷基，可以給出爺基、苯乙基等。芳基的實(shí)例包括苯基、萘基、并環(huán)戊二烯基、茚基、莫基、蒽基、芘基、indacenyl、苊基、菲基、phenalenyl、熒蒽基、acephenanthyl、醋蒽基、苯并[9，10]菲基、篇基、并四苯基、茈基、并五苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和芴基。作為雜環(huán)基，可以給出噻吩基、吡咯基、吡啶基、噍唑基、喁二唑基、噻唑基、噻二唑基、三聯(lián)噻吩基、咔唑基、吖啶基、菲酚基等。作為卣素原子，可以給出氟、氯、溴、碘等。上述取代基可以具有的取代基的實(shí)例包括烷基例如甲基、乙基和丙基；芳烷基例如爺基和苯乙基；芳基例如苯基和聯(lián)苯基；雜環(huán)基例如噻吩基、吡咯基和吡啶基；氨基例如二甲基氨基、二乙基氨基、二芐基氨基、二苯基氨基、二(甲苯基)氨基和二苯甲醚基氨基；烷氧基例如甲氧基、乙氧基、丙氧基和苯氧基；和卣素原子例如氰基、芴、氯、溴和碟。本發(fā)明的芴化合物可以通過使用4-氨基芴衍生物或4-渙芴衍生物作為原材料來合成。此外，那些原材料中的每一種可以參照Bull.Chem.Soc.Jpn.，59，97-103(1986)進(jìn)行合成。通式(1)表示的4-氨基藥化合物可以用作有機(jī)發(fā)光器件的材料。在該有機(jī)發(fā)光器件中，由通式(l)表示的4-氨基芴化合物可用于空穴傳輸層和發(fā)光層中的每一個(gè)。因此，可以獲得具有高發(fā)光效率和長壽命的器件。此外，當(dāng)將由通式(l)表示的藥化合物用于發(fā)光層時(shí)，可以將該化合物單獨(dú)用于該發(fā)光層，并且可以用作摻雜劑(客體)材料、熒光性材料和磷光性材料中每一種的主體材料。因此，可以獲得具有高色純度、高發(fā)光效率和長壽命的器件。當(dāng)由通式(1)表示的4-氨基芴化合物的芴基的4位被氨基取代時(shí)，可以以非平面方式i殳計(jì)整個(gè)分子。因此，如實(shí)施例12至30和比較例中所示，與2-氨基芴化合物提供的分子相比，該4-氨基芴化合物提供具有更高無定形性能的分子，因此熱穩(wěn)定性高，并且可以獲得具有長壽命的器件。此外，取代該藥基的4位的氨基上的每個(gè)取代基(通式(1)中的Ai^和Ar2)是藥基的情形是更優(yōu)選的，因?yàn)闊岱€(wěn)定性進(jìn)一步提高。上述氨基上的取代基Ar!是芴基并且在該芴基的4位上與該氨基上的氮原子鍵接的情形是更加優(yōu)選的，因?yàn)檎麄€(gè)分子的非平面性得到提高，熱穩(wěn)定性進(jìn)一步提高，并且可以獲得具有長壽命的器件。此外，非平面分子設(shè)計(jì)提供具有寬帶隙的空穴傳輸材料，因此電子從發(fā)光層到空穴傳輸層的注入可以得到抑制，并且在該發(fā)光層中產(chǎn)生的激子的能量向該空穴傳輸層的轉(zhuǎn)移可以得到抑制。因此，可以獲得具有高效率的器件。因此:可以i易地設(shè)計(jì)ik傳:材料的分;，同時(shí)考慮到空穴從陽極到發(fā)光層的注入和傳輸之間的平衡。另外，可以將發(fā)光材料的發(fā)光顏色轉(zhuǎn)換為藍(lán)色、綠色或任何具有較長波長的顏色。此外，包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和含有有機(jī)化合物并且插在該一對(duì)電極之間的層的有機(jī)發(fā)光器件可以包括含有例如酞胥銅(CuPc)或氟化碳(CFx)的層，由該層可以預(yù)期從該陽極注入空穴的性能上的改進(jìn)。已經(jīng)基于上述論述通過分子設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明。在下文中，將詳細(xì)地描述本發(fā)明。上述通式(1)中的化合物的具體實(shí)例在以下示出。然而，本發(fā)明不限于這些實(shí)例。此外，示例性化合物1到69的任一組合可以用作Ar,和Ar2的組合。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>接下來，將詳細(xì)地描述本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件。本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和含有有機(jī)化合物并且插在該一對(duì)電極之間的層，其中該含有有機(jī)化合物的層含有至少一種由通式(1)表示的化合物。此外，在本發(fā)明中，在包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和各自含有有機(jī)化合物的多個(gè)層(該多個(gè)層插在該一對(duì)電極之間)的有機(jī)發(fā)光器件中，層合第二空穴傳輸層以使其在有機(jī)發(fā)光層的陽極側(cè)與該有機(jī)發(fā)光層相鄰，另外，作為另一層層合第一空穴傳輸層以與該第二空穴傳輸層相鄰。在此，第一和第二空穴傳輸層中的每一個(gè)都是具有優(yōu)異的將空穴從該陽極傳輸?shù)皆摪l(fā)光層的能力的層。一般而言，層合兩個(gè)空穴傳輸層，在與i陽極界面相鄰的第一空穴傳輸層中使用具有與陽極的電離電位接近的電離電位的材料，在與ii發(fā)光層相鄰的第二空穴傳輸層中使用具有寬帶隙的材料。上述層i和ii分別對(duì)下列項(xiàng)i'和ir產(chǎn)生效果，并且可以分別推導(dǎo)出下列器件特性i"并且ii"。i。將空穴從陽極注入有機(jī)層的性能的改進(jìn)載流子和激子在該發(fā)光層中的截留i":驅(qū)動(dòng)器件的電壓的降低ii":外部量子效率的提高在本發(fā)明中，該第二空穴傳輸層含有至少一種含一個(gè)叔胺骨架的化合物。首先，叔胺骨架的存在可以提高空穴遷移率。另外，將叔胺骨架的數(shù)目設(shè)定為l縮短共軛長度。這種縮短可用于在分子設(shè)計(jì)中擴(kuò)寬帶隙。在此，本發(fā)明的由上述通式(1)表示的4-氨基芴化合物構(gòu)成非平面分子形狀，因此可以容易地獲得具有更寬帶隙的材料。因此，可以在該發(fā)光層中有效地截留該發(fā)光層的載流子和激子。該截留對(duì)于該有機(jī)發(fā)光器件的外部量子效率的提高和對(duì)于驅(qū)動(dòng)該器件的電壓的降低是有效的。在此，該第二空穴傳輸層可以僅由含一個(gè)胺骨架的化合物構(gòu)成，或可以含有任何其它的化合物。此外，該第一空穴傳輸層含有至少一種含一個(gè)叔胺骨架的化合物。與具有2個(gè)或更多個(gè)叔胺骨架的化合物相比，將叔胺骨架的數(shù)目設(shè)定為l有助于設(shè)計(jì)具有低分子量的分子。這種幫助在提供具有良好的沉積性能的材料或具有寬帶隙的材料方面是有用的。具有寬帶隙的化合物的應(yīng)用不會(huì)抑制(再吸收)甚至是存在于該發(fā)光層并且發(fā)出具有短波長的光的摻雜劑(客體)的發(fā)光，也不會(huì)導(dǎo)致該摻雜劑發(fā)光的效率的降低。此外，該第一空穴傳輸層可以僅由含有一個(gè)非環(huán)狀叔胺骨架的化合物構(gòu)成，或可以含有任何其它的化合物。此外，該第一空穴傳輸層和該第二空穴傳輸層中的每一個(gè)優(yōu)選含有含至少一個(gè)非環(huán)狀叔胺骨架的化合物。本文所使用的術(shù)語"非環(huán)狀叔胺"是指其取代基不彼此鍵接并且不形成環(huán)的叔胺。該叔胺的取代基不彼此鍵接，因此分子結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)的自由度增加。這種增加在具有短共軛長度的分子的設(shè)計(jì)中是有用的。該第一空穴傳輸層的帶隙的擴(kuò)寬可以防止如上述情形下的再吸收。此外，該第二空穴傳輸層的帶隙的擴(kuò)寬使得栽流子和激子能夠有效地在該發(fā)光層中被截留。此外，本發(fā)明的由上述通式(1)表示的4-氨基芴化合物優(yōu)選作為形成該第一空穴傳輸層和該第二空穴傳輸層中的每一個(gè)的化合物引入。由于叔胺的4位被貧基取代，該4-氨基藥化合物具有比任何其它化合物更高的空間位阻和更短的共軛長度。因此，可以獲得具有更寬帶隙和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的空穴傳輸材料。另外，將具有高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的材料應(yīng)用于該第一空穴傳輸層和該第二空穴傳輸層中的每一個(gè)可以提高器件的耐久性。此外，具有一個(gè)氮原子并且存在于該第二空穴傳輸層中的叔胺化合物的帶隙優(yōu)選比該發(fā)光層中含量最高的化合物的帶隙寬。在此，含量最高的化合物的含量用wW表示。具體地說，當(dāng)該發(fā)光層含有主體和客體時(shí)，含量最高的化合物通常用作該主體。滿足帶隙的順序可以提高將空穴注入到該發(fā)光層的性能，并且可以有效地減少電子泄漏到該第二空穴傳輸層?？梢杂勺贤?可見光吸收光鐠測(cè)量帶隙。在本發(fā)明中，通過使用由Hitachi,Ltd.制造的分光光度計(jì)U-3010作為測(cè)量裝置從在玻璃基材上形成的薄膜的吸收端測(cè)定帶隙。此外，優(yōu)選的器件構(gòu)造使得在該第一空穴傳輸層中含量最高的化合物的電離電位Ipl、在該第二空穴傳輸層中含量最高的化合物的電離電位Ip2和在該發(fā)光層中含量最高的化合物的電離電位Ip3滿足關(guān)系Ipl<Ip2<Ip3。當(dāng)Ip2位于Ipl和Ip3之間時(shí)，將空穴從該陽極注入該發(fā)光層的性能可以得到改進(jìn)，而不會(huì)在一些界面處出現(xiàn)極其大量的注入障壁。鑒于上文所述，通過形成其中電離電位滿足上述關(guān)系的器件構(gòu)造可以有效地降低驅(qū)動(dòng)該器件的電壓。在此，通過在空氣中使用光電子光鐠學(xué)法(測(cè)量?jī)x器名稱由RIKENKIKICO.，LTD制造的AC-1)測(cè)量電離電位。圖1、2、3和4各自示出了本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的優(yōu)選實(shí)例。圖1是表示本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的實(shí)例的截面圖。圖l示出了其中將陽極2、發(fā)光層3和陰極4順序地提供到基材1上的構(gòu)造。在此使用的發(fā)光器件可用于其中該器件本身單獨(dú)具有例如空穴傳輸能力、電子傳輸能力和發(fā)光性能這樣的性能的情形或其中將具有各個(gè)性能的化合物作為混合物使用的情形。圖2是表示本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖2示出了其中將陽極2、空穴傳輸層5、電子傳輸層6和陰極4順序地提供到基材l上的構(gòu)造。在這種情況下，將具有空穴傳輸性能和電子傳輸性能中之一或兩者的材料用作每個(gè)層中的發(fā)光物質(zhì)。當(dāng)該器件與不具有發(fā)光性能的純粹的空穴傳輸物質(zhì)或電子傳輸物質(zhì)組合使用時(shí)，這種情況是有用的。此外，在這種情況下，發(fā)光層3由空穴傳輸層5和電子傳輸層6中的一個(gè)組成。圖3是表示本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖3示出了其中將陽極2、空穴傳輸層5、發(fā)光層3、電子傳輸層6和陰極4順序地提供到基材1上的構(gòu)造。這種構(gòu)造將栽流子傳輸功能和發(fā)光功能分離。此外，該器件可以適時(shí)地與具有各個(gè)性能例如空穴傳輸性能、電子傳輸性能和發(fā)光性能的化合物組合使用，因此材料選擇的自由度極度增加。此外，可以使用各種發(fā)光波長彼此不同的化合物。結(jié)果，發(fā)光顏色的范圍可以擴(kuò)大。另外，可以通過有效地在中心發(fā)光層3中截留每個(gè)栽流子或激子來提高發(fā)光效率。圖4是表示本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖4示出了與圖3中示出的不同的結(jié)構(gòu)，不同在于層合兩個(gè)層，即該第一空穴傳輸層5-1和該第二空穴傳輸層5-2，而不是單個(gè)空穴傳輸層。該結(jié)構(gòu)在空穴注入性能和將空穴傳輸?shù)皆摪l(fā)光層的性能方面是優(yōu)異的，并且可以有效地截留栽流子和激子的泄漏，從而可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率的提高和驅(qū)動(dòng)該器件的電壓的降低。本文中所使用的術(shù)語"含有由通式(1)表示的化合物的空穴傳輸區(qū)"是指用于主要注入/傳輸空穴的區(qū)域例如上述空穴傳輸層5。應(yīng)該指出的是，圖1、2、3和4中示出的器件構(gòu)造僅是非?；镜臉?gòu)造，并且使用本發(fā)明的化合物的有機(jī)發(fā)光器件的構(gòu)造并不限于這些構(gòu)造。該器件可以采用各種層構(gòu)造中的任一種。例如，可以將絕緣層提供到電極和有機(jī)層之間的界面上?；蛘?，可以提供粘合層或干涉層。用于本發(fā)明的由通式(1)表示的化合物可以以圖1、2、3和4中示出的任一種形式使用。具體來說，使用本發(fā)明的化合物的有機(jī)層可用作發(fā)光層或空穴注入/傳輸層。此外，通過例如真空沉積法或溶液涂覆法形成的層幾乎不經(jīng)歷例如結(jié)晶，并且在經(jīng)時(shí)穩(wěn)定性方面優(yōu)異。在本發(fā)明中，由通式(l)表示的化合物尤其用作發(fā)光層的組分；通常已知的、低分子量類或聚合物類空穴傳輸化合物、發(fā)光化合物、電子傳輸化合物或類似物可以根據(jù)需要與該化合物一起使用。用于本發(fā)明的基材不受特別限制；條件是使用不透明基材例如金屬基材或陶瓷基材，或透明基材例如玻璃、石英或塑性片材。此外，可以通過使用濾色膜、熒光彩色轉(zhuǎn)換濾光膜、介電體反射膜等作為基材來控制發(fā)光顏色?；蛘?，可以通過在基材上制備薄膜晶體管(TFT)并且將該TFT與該基材連接來制造器件。此外，對(duì)于從該器件中取出光的方向，底部發(fā)光構(gòu)造(從基材側(cè)取出光的構(gòu)造)和頂部發(fā)光構(gòu)造(從與基材相對(duì)的一側(cè)取出光的構(gòu)造)均是可使用的。在下文中，將通過實(shí)施例更具體地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。(實(shí)施例1)(示例性化合物3的合成)a)中間化合物1-1的合成通過使用2，7-二叔丁基芴(SIGMA-ALDRICH)作為原材料來制備中間體(Bull.Chem.Soc，Jpn.，59，97-103(1986))。然后，使該中間體經(jīng)歷二曱基化以制備中間體1-1。b)示例性化合物3的合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>準(zhǔn)備200ml的三頸燒瓶。將4.56g(12.O醒ol)的化合物1-1裝入該燒瓶。此外，將0.828g(4.OOmmol)的化合物1-2和0.96g(10.Ommol)的叔丁醇鈉裝入該燒瓶。此外，將100ml二甲苯裝入該燒瓶，然后添加34.4mg(0.17mmo1)的三叔丁基膦，同時(shí)在室溫下在氮?dú)鈿夥罩袛嚢柙摶旌衔铩＝酉聛?，添?8.9mg(0.085mmo1)的二亞節(jié)基丙酮鈀。將生成物的溫度增至125X:，然后攪拌該生成物3小時(shí)。反應(yīng)后，用甲苯萃取有機(jī)層，用無水硫酸鈉干燥，并用硅膠柱(庚烷和甲苯的混合展開溶劑)純化，從而獲得2.53g示例性化合物3(白色晶體)(78.0°/。收率)。質(zhì)鐠法證實(shí)了該化合物的M+為817.5。此外，差示掃描量熱法(DSC)證實(shí)了該化合物具有267匸的熔點(diǎn)和143C的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。(實(shí)施例2-11)(示例性化合物l、2、4、8、16、17、18、27、29和46的合成)該化合物的每一種用與實(shí)施例1中相同的方式來合成，不同在于使用以下表1中示出的溴體和氨基體以代替化合物1-1和l-2。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>(實(shí)施例12-15)(示例性化合物51、61、62和68的合成)該化合物的每一種用與實(shí)施例1中相同的方式來合成，不同在于使用以下表2中示出的溴體和氨基體以代替化合物1-1和1-2。質(zhì)譜法鑒定了每一化合物的結(jié)構(gòu)。此外，表2示出了通過差示掃描量熱法(DSC)測(cè)量的每一種化合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>(實(shí)施例16)通過以下方法制備具有圖3中示出的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件。通過濺射法將氧化銦錫(IT0)形成厚度為120nm的膜以用作作為基材1的玻璃基材上的陽極2，并將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。依次用丙酮和異丙醇(IPA)對(duì)該基材進(jìn)行超聲清洗。然后，用IPA對(duì)該基材進(jìn)行煮沸清洗，接著干燥。另外，對(duì)該基材進(jìn)行UV/臭氧清洗。將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。通過真空沉積法將示例性化合物3形成厚度為20nm的膜以用作空穴傳輸層5。形成該膜的條件包括沉積時(shí)1.0xi0—4pa的真空度；和0.lnm/秒的成膜速率。接下來，將以下示出的用作發(fā)光層的化合物2-1氣相沉積到該空穴傳輸層5上以提供厚度為20nm的發(fā)光層3。形成該層的條件包括沉積時(shí)1.0xio"Pa的真空度；和0.lnm/秒的成膜速率。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>2-1另外，通過真空沉積法將4，7-二苯基-l，10-菲繞啉(紅菲繞啉，BPhen)形成厚度為40nm的膜以用作電子傳輸層6。形成該膜的條件包括沉積時(shí)l.Gxl(TPa的真空度；和0.2-0.3nm/秒的成膜速率。接下來，通過使用由鋁-鋰合金(鋰濃度1原子°/。)組成的沉積材料，通過真空沉積法在上述有機(jī)層上形成厚度為0.5nm的金屬層膜。另外，通過真空沉積法提供厚度為150nm的鋁膜。從而制造了使用該鋁-鋰合金膜作為電子注入電極(陰極4)的有機(jī)發(fā)光器件。形成各膜的條件包括沉積時(shí)1.Oxi(r4pa的真空度；和1.0-1.2nm/秒的成膜速率。在干燥空氣氣氛中用保護(hù)性玻璃板覆蓋所得有機(jī)EL器件并用丙烯酸系樹脂基粘合劑密封以便可以防止該器件由于吸附水分而劣化。通過將該ITO電極(陽極2)用作正極和該鋁電極(陰極4)用作負(fù)極而向這樣獲得的器件施加4.OV的電壓。結(jié)果，觀察到該器件發(fā)出具有3，045cd/m2的發(fā)光亮度和462nm的中心波長的藍(lán)光。此外，在氮?dú)鈿夥障率┘与妷?，同時(shí)保持電流密度為30mA/cm2。結(jié)果，與初始亮度相比，在外加電壓100小時(shí)后亮度的劣化小。(實(shí)施例17-26)各自用與實(shí)施例16中相同的方式制造器件，不同在于使用表1或表2中示出的化合物而不是用作實(shí)施例16的空穴傳輸層3的示例性化合物3，并且各自用與實(shí)施例16中相同的方式進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果，觀察到各個(gè)器件發(fā)光。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>(比較例1和2)各自用與實(shí)施例16中相同的方式制造器件，不同在于使用以下示出的對(duì)比化合物4-1或4-2而不是示例性化合物3，并且各自用與實(shí)施例16中相同的方式進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果，均沒有觀察到器件發(fā)光。(實(shí)施例27)通過以下方法制造具有圖4中示出的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件。通過濺射法將氧化銦錫(IT0)形成厚度為120nm的膜以用作作為基材1的玻璃基材上的陽極2，并將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。依次用丙酮和異丙醇(IPA)對(duì)該基材進(jìn)行超聲清洗。然后，用IPA對(duì)該基材進(jìn)行煮沸清洗，接著干燥。此外，對(duì)該基材進(jìn)行UV/臭氧清洗。將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。在該第一空穴傳輸層5-1中使用示例性化合物1,制備氯仿溶液以使該化合物的濃度為0.lwt°/o。將該溶液滴到上述IT0電極上，并且起初在500RPM的轉(zhuǎn)數(shù)下對(duì)整體進(jìn)行旋涂10秒鐘，然后在1，000RPM的轉(zhuǎn)數(shù)下旋涂1分鐘，從而形成了膜。然后，在80C的真空烘箱中將所得物干燥10分鐘，從而將薄膜中的溶劑完全除去。這樣形成的第一空穴傳輸層5-1具有l(wèi)lnm的厚度。接下來，將示例性化合物3氣相沉積到該第一空穴傳輸層5-1上以提供厚度為20nm的電子空穴傳輸層5-2。形成該層的條件包括沉積時(shí)1.0xl(TPa的真空度；和0.lnm/秒的成膜速率。此外，發(fā)光層、電子傳輸層和Al電極各自用與實(shí)施例16中相同的方式來制備。通過將該ITO電極(陽極2)用作正極和該鋁電極(陰極4)用作負(fù)極向這樣獲得的器件施加4.OV的電壓。結(jié)果，觀察到該器件發(fā)出具有2，908cd/n^的發(fā)光亮度和464認(rèn)的中心波長的藍(lán)光。此外，在氮?dú)鈿夥障率┘与妷海瑫r(shí)保持電流密度為30mA/cm2。結(jié)果，與初始亮度相比，在外加電壓100小時(shí)后亮度的劣化小。(實(shí)施例28)通過以下方法制備具有圖3中示出的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件。通過賊射法將氧化銦錫(ITO)形成厚度為120認(rèn)的膜以用作作為基材1的玻璃基材上的陽極2，并將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。依次用丙酮和異丙醇(IPA)對(duì)該基材進(jìn)行超聲清洗。然后，用IPA對(duì)該基材進(jìn)行煮沸清洗，接著干燥。此外，對(duì)該基材進(jìn)行UV/臭氧清洗。將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。在該空穴傳輸層5中使用示例性化合物8，制備氯仿溶液以使該化合物的濃度為0.lwt%。將該溶液滴到上述ITO電極上，并且起初在500RPM的轉(zhuǎn)數(shù)下對(duì)整體進(jìn)行旋涂10秒鐘，然后在1，000RPM的轉(zhuǎn)數(shù)下旋涂1分鐘，從而形成了膜。然后，在801C的真空烘箱中將所得物千燥10分鐘，從而將薄膜中的溶劑完全除去。這樣形成的空穴傳輸層5具有12nm的厚度。接下來，以化合物5-1:化合物5-2為5wt。/。的比例將化合物5-1和化合物5-2共沉積，從而提供厚度為25nm的發(fā)光層4。此外，各自用與實(shí)施例16中相同的方式制備電子傳輸層和Al電極。通過將該IT0電極(陽極2)用作正極和該Al電極(陰極4)用作負(fù)極從而以3.9mA/cm'的電流密度向這樣獲得的器件施加4.0V的電壓。結(jié)果，觀察到該器件發(fā)出具有408cd/i^的發(fā)光亮度的藍(lán)光。此外，在氮?dú)鈿夥障率┘与妷?，同時(shí)保持電流密度為30mA/cm2。結(jié)果，與初始亮度相比，在外加電壓100小時(shí)后亮度的劣化小。(實(shí)施例29)通過以下方法制備具有圖3中示出的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件。通過濺射法將氧化銦錫(ITO)形成厚度為120nm的膜以用作作為基材1的玻璃基材上的陽極2，并將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。依次用丙酮和異丙醇(IPA)對(duì)該基材進(jìn)行超聲清洗。然后，用IPA對(duì)該基材進(jìn)行煮沸清洗，接著干燥。此外，對(duì)該基材進(jìn)行UV/臭氧清洗。將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。在該空穴傳輸層5中使用示例性化合物3，制備氯仿溶液以使該化合物的濃度為0.lwt%。將該溶液滴到上述ITO電極上，并且起初在500RPM的轉(zhuǎn)數(shù)下對(duì)整體進(jìn)行旋涂1Q秒鐘，然后在1，000RPM的轉(zhuǎn)數(shù)下旋涂1分鐘，從而形成了膜。然后，在80X:的真空烘箱中將所得物干燥10分鐘，從而將薄膜中的溶劑完全除去。這樣形成的空穴傳輸層5具有11nm的厚度。接下來，以化合物5-1:化合物5-2為5wty。的比例將化合物5-1和化合物5-2共沉積，從而提供厚度為25nm的發(fā)光層4。此外，各自用與實(shí)施例16中相同的方式制備電子傳輸層和Al電極。通過將該IT0電極(陽極2)用作正極和該Al電極(陰極4)用作負(fù)極從而以3.6mA/cn^的電流密度向這樣獲得的器件施加4.0V的電壓。結(jié)果，觀察到該器件發(fā)出具有425cd/m2的發(fā)光亮度的藍(lán)光。此外，在氮?dú)鈿夥障率┘与妷?，同時(shí)保持電流密度為30mA/cm2。結(jié)果，與初始亮度相比，在外加電壓100小時(shí)后亮度的劣化小。(實(shí)施例30)通過以下方法制造具有圖4中示出的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件。通過濺射法將氧化銦錫(IT0)形成厚度為120nm的膜以用作作為基材1的玻璃基材上的陽極2，并將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。依次用丙酮和異丙醇(IPA)對(duì)該基材進(jìn)行超聲清洗。然后，用IPA對(duì)該基材進(jìn)行煮沸清洗，接著干燥。此外，對(duì)該基材進(jìn)行UV/臭氧清洗。將所得物用作透明的導(dǎo)電性支持基材。在該第一空穴傳輸層5-1中使用示例性化合物3,制備氯仿溶液以使該化合物的濃度為0.lwt%。將該溶液滴到上述ITO電極上，并且起初在500RPM的轉(zhuǎn)數(shù)下對(duì)整體進(jìn)行旋涂10秒鐘，然后在1，000RPM的轉(zhuǎn)數(shù)下旋涂1分鐘，從而形成了膜。然后，在80t:的真空烘箱中將所得物干燥10分鐘，從而將薄膜中的溶劑完全除去。這樣形成的第一空穴傳輸層5-1具有12nm的厚度。接下來，將示例性化合物8氣相沉積到該第一空穴傳輸層5-1上以提供厚度為20nm的該第二空穴傳輸層5-2。形成該層的條件包括沉積時(shí)1.0x10-4pa的真空度；和0.lnm/秒的成膜速率。接下來，以化合物5-1:化合物5-2為5wt。/。的比例將化合物5-1和化合物5-2共沉積，從而提供厚度為25nm的發(fā)光層4。此外，各自用與實(shí)施例16中相同的方式制備電子傳輸層和Al電極。通過將該ITO電極(陽極2)用作正極和該Al電極(陰極4)用作負(fù)極從而以4.3mA/cn^的電流密度向這樣獲得的器件施加4.0V的電壓。結(jié)果，觀察到該器件發(fā)出具有523cd/m2的發(fā)光亮度的藍(lán)光。在此，化合物8的帶隙大于化合物5-2的帶隙。此外，示例性化合物3的電離電位低于示例性化合物8的電離電位，并且示例性化合物8的電離電位低于示例性化合物5-2的電離電位。此外，在氮?dú)鈿夥障率┘与妷?，同時(shí)保持電流密度為30mA/cm2。結(jié)果，與初始亮度相比，在外加電壓100小時(shí)后亮度的劣化小。本申請(qǐng)要求2005年12月20日提交的日本專利申請(qǐng)No.2005-366558、2006年6月15日提交的2006-166200和2006年11月22日提交的2006-315716的優(yōu)先權(quán)，它們由此整體通過參考而引入本文。權(quán)利要求1.由以下通式(1)表示的4-氨基芴化合物其中Ar1表示與2或4位鍵接的取代或未取代的芴基，Ar2表示取代或未取代的芳基、或取代或未取代的雜環(huán)基，R1至R9各自表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或鹵素基團(tuán)，并且可以彼此相同或不同，或者可以彼此鍵接而形成環(huán)。2.根據(jù)權(quán)利要求1的4-氨基芴化合物，其中在通式(1)中，Ar,表示與4位鍵接的取代或未取代的芴基。3.根據(jù)權(quán)利要求1的4-氨基貧化合物，其中在通式(1)中，Ari表示與4位鍵接的取代或未取代的芴基，并且Ar2表示取代或未取代的芴基。4.有機(jī)發(fā)光器件，其包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和含有有機(jī)化合物并且插在該一對(duì)電極之間的層，其中該含有有機(jī)化合物的層含有至少一種根據(jù)權(quán)利要求1的化合物。5.有機(jī)發(fā)光器件，其包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和含有有機(jī)化合物并且插在該一對(duì)電極之間的層，其中該含有有機(jī)化合物的層是含有至少一種根據(jù)權(quán)利要求1的化合物的空穴傳輸區(qū)。6.有才幾發(fā)光器件，其包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和含有有機(jī)化合物并且插在該一對(duì)電極之間的層，其中該含有有機(jī)化合物的層是含有至少一種根據(jù)權(quán)利要求1的化合物的發(fā)光層。7.有機(jī)發(fā)光器件，其包括由陽極和陰極組成的一對(duì)電極；和各自含有有機(jī)化合物的多個(gè)層，該多個(gè)層插在該一對(duì)電極之間，其中該多個(gè)層包括發(fā)光層，在該發(fā)光層的陽極側(cè)上與該發(fā)光層相鄰的第二空穴傳輸層，和在該第二空穴傳輸層的陽極側(cè)上與該第二空穴傳輸層相鄰的第一空穴傳輸層，該第一空穴傳輸層含有至少一種具有胺的化合物；和該第二空穴傳輸層含有至少一種具有一個(gè)氮原子的叔胺化合物。8.根據(jù)權(quán)利要求7的有機(jī)發(fā)光器件，其中該第一空穴傳輸層含有至少一種具有一個(gè)氮原子的叔胺化合物。9.根據(jù)權(quán)利要求7的有機(jī)發(fā)光器件，其中該第一空穴傳輸層含有至少一種具有一個(gè)氮原子的非環(huán)狀叔胺化合物。10.根據(jù)權(quán)利要求7的有機(jī)發(fā)光器件，其中該第二空穴傳輸層含有至少一種具有一個(gè)氮原子的非環(huán)狀叔胺化合物。11.根據(jù)權(quán)利要求7的有機(jī)發(fā)光器件，其中該具有胺的化合物包含由以下通式(1)表示的4-氨基芴化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中Ai表示與2或4位鍵接的取代或未取代的貧基，Ar2表示取代或未取代的芳基、或取代或未取代的雜環(huán)基，Ri至R9各自表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或卣素基團(tuán)，并且可以彼此相同或不同，或者可以彼此鍵接而形成環(huán)。12.根據(jù)權(quán)利要求7的有機(jī)發(fā)光器件，其中該第二空穴傳輸層含有至少一種由以下通式(1)表示的4-氨基芴化合物其中Ar,表示與2或4位鍵接的取代或未取代的芴基，Af2表示取代或未取代的芳基、或取代或未取代的雜環(huán)基，R!至R,各自表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或卣素基團(tuán)，并且可以彼此相同或不同，或者可以彼此鍵接而形成環(huán)。13.根據(jù)權(quán)利要求7的有機(jī)發(fā)光器件，其中具有一個(gè)氮原子并且存在于第二空穴傳輸層中的叔胺化合物的帶隙比該發(fā)光層中含量最高的化合物的帶隙寬。14.根據(jù)權(quán)利要求7的有機(jī)發(fā)光器件，其中在該第一空穴傳輸層中含量最高的化合物的電離電位Ipl、在該第二空穴傳輸層中含量最高的化合物的電離電位Ip2和在該發(fā)光層中含量最高的化合物的電離電位Ip3滿足以下關(guān)系Ipl<Ip2<Ip3。全文摘要本發(fā)明提供發(fā)光性能優(yōu)異的化合物和具有該化合物的有機(jī)發(fā)光器件。該化合物是由以下通式(1)表示的4-氨基芴化合物。文檔編號(hào)C09K11/06GK101341115SQ20068004810公開日2009年1月7日申請(qǐng)日期2006年12月15日優(yōu)先權(quán)日2005年12月20日發(fā)明者中須三奈子,沖中啟二,山田直樹,根岸千花申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社