專利名稱：：有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件，更詳細(xì)地說涉及壽命長(zhǎng)、高發(fā)光效率、可以獲得紅色發(fā)光的有機(jī)EL元件。
背景技術(shù)：
：有機(jī)EL元件是通過施加電場(chǎng)，利用熒光物質(zhì)通過從陽(yáng)極注入的空穴與從陰極注入的電子的再結(jié)合能量而發(fā)光的原理的自發(fā)光元件。自從EastmanKodak社的C.W.Tang等報(bào)告出利用層疊型元件的低電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件(非專利文獻(xiàn)l)以來，以有機(jī)材料為構(gòu)成材料的有機(jī)EL元件的相關(guān)研究盛行起來。Tang等人采用發(fā)光層中使用三(8-羥基喹啉)鋁、空穴輸送層中使用三苯基二胺衍生物的層疊結(jié)構(gòu)。層疊結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)例如可以舉出能夠提高空穴向發(fā)光層的注入效率、能夠阻斷從陰極注入的電子從而提高通過再結(jié)合所產(chǎn)生的激子的產(chǎn)生效率、能夠封閉在發(fā)光層內(nèi)所產(chǎn)生的激子等。如該例所示，作為有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)，眾所周知空穴輸送(注入)層、電子輸送發(fā)光層的2層型，或者空穴輸送(注入)層、發(fā)光層、電子輸送(注入)層的3層型結(jié)構(gòu)等。在這種層疊型結(jié)構(gòu)元件中，為了提高所注入的空穴與電子的再結(jié)合，在元件結(jié)構(gòu)和形成方法上作了各種努力。作為有機(jī)EL元件所使用的發(fā)光材料，已知有三(8-羥基喹啉)鋁絡(luò)合物等螯合絡(luò)合物、香豆素絡(luò)合物、四苯基丁二烯衍生物、雙苯乙烯亞芳基衍生物、隨二唑衍生物等發(fā)光材料，據(jù)報(bào)道這些材料可以獲得藍(lán)色紅色的可見光區(qū)域的發(fā)光，期待實(shí)現(xiàn)彩色顯示元件(例如專利文獻(xiàn)13等)。但是，其發(fā)光效率或壽命還無法達(dá)到能夠?qū)嵱玫乃?，不充分。另外，在全色顯示器中要求顏色的3原色(藍(lán)色、綠色、紅色)，其中要求高效率的紅色元件。最近，在專利文獻(xiàn)4中公開了在發(fā)光層中添加有并四苯、并五苯衍生物的紅色發(fā)光元件。但是，該發(fā)光元件雖然紅色純度優(yōu)異，但施加電壓高達(dá)11V，亮度的半衰減時(shí)間約為150小時(shí)，不充分。專利文獻(xiàn)5中公開了在發(fā)光層中添加有二氰基亞甲基(DCM)系化合物的元件，但紅色的純度并不充分。專利文獻(xiàn)6中公開了在發(fā)光層中添加有胺系芳香族化合物的紅色發(fā)光元件，該發(fā)光元件雖然CIE色度(0.64、0.33)和色純度很好，但驅(qū)動(dòng)電壓高。專利文獻(xiàn)7、8公開了在發(fā)光層中使用了胺系芳香族化合物和Alq的元件。但是，該元件雖然紅色發(fā)光，但效率低、壽命短。另外，專利文獻(xiàn)9中公開了在發(fā)光層中使用了胺系芳香族化合物和DPVDPAN的元件，但高效率元件的發(fā)光色為橙色，紅色發(fā)光的元件效率低。專利文獻(xiàn)10中公開了在發(fā)光層中使用二氰基蒽衍生物和茚并茈衍生物、在電子輸送層中使用金屬絡(luò)合物的元件，但發(fā)光色為紅橙色。專利文獻(xiàn)11中公開了在發(fā)光層中使用并四苯衍生物和茚并茈衍生物、在電子輸送層使用并四苯衍生物的元件，但并非具有實(shí)用的效率。專利文獻(xiàn)1:日本特開平8-239655號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開平7-138561號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開平3-200289號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開平8-311442號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:日本特開平3-162481號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6:日本特開2001-81451號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7:WO01/23497小冊(cè)子專利文獻(xiàn)8:日本特開2003-40845號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)9:日本特開2003-81924號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)10:日本特開2001-307885號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)11:日本特開2003-338377號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1:C.W.Tang，S.A.Vanslyke,AppliedPhysicsLetters,51巻、913頁(yè)、1987年
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于不使用復(fù)雜的元件構(gòu)成，提供具有實(shí)用效率和壽命的發(fā)光有機(jī)EL元件。本發(fā)明提供以下有機(jī)EL元件。1.有機(jī)電致發(fā)光元件，其在陰極和陽(yáng)極之間至少含有發(fā)光層和電子輸送層，所述電子輸送層含有下式(l)所示的化合物，所述發(fā)光層含有由能隙為2.8eV以下的下式(2)所示化合物所構(gòu)成的主體材料和由茚并茈衍生物構(gòu)成的摻雜材料，A-B(1)(在此，A為碳環(huán)3個(gè)以上的芳香族烴基、B為可被取代的雜環(huán)基。)X-(Y)n(2)(在此，X為碳環(huán)3個(gè)以上的稠合芳香族環(huán)基、Y為選自取代或未取代的芳基、取代或未取代的二芳基氨基、取代或未取代的芳基烷基及取代或未取代的烷基的基團(tuán)。n為16的整數(shù)，n為2以上時(shí)Y可以相同也可以不同。)2.上述l所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送層含有的式(l)所示化合物為分子中具有選自蒽、菲、并四苯、芘、窟、苯并蒽、并五苯、二苯并蒽、苯并芘、芴、苯并芴、螢蒽、苯并螢蒽、萘并螢蒽、二苯并芴、二苯并芘和二苯并螢蒽的1個(gè)以上的骨架的化合物。3.上述2所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送層含有的式(l)所示化合物為含氮雜環(huán)化合物。4.上述3所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述含氮雜環(huán)化合物為分子中具有選自吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、吖啶、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和菲咯啉的l個(gè)以上骨架的含氮雜環(huán)化合物。5.上述4所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述含氮雜環(huán)化合物為下式(3)或(4)所示的苯并咪唑衍生物。(R)rrTL、(式中，R為氫原子、可具有取代基的碳原子數(shù)660的芳基、可以具有取代基的吡啶基、可具有取代基的喹啉基、可具有取代基的碳原子數(shù)l20的垸基或可具有取代基的碳原子數(shù)120的垸氧基,m為04的整數(shù)，W為可具有取代基的碳數(shù)660的芳基、可具有取代基的吡啶基、可具有取代基的喹啉基、可具有取代基的碳原子數(shù)120的烷基或碳原子數(shù)l20的烷氧基，f為氫原子、可具有取代基的碳數(shù)660的芳基、可具有取代基的吡啶基、可具有取代基的喹啉基、可具有取代基的碳數(shù)120的烷基或可具有取代基的碳原子數(shù)120的烷氧基，L為可具有取代基的碳原子數(shù)660的亞芳基、可具有取代基的亞吡啶基、可具有取代基的亞喹啉基、可具有取代基的亞芴基，A^為可具有取代基的碳數(shù)660的芳基、可具有取代基的吡啶基或可以具有取代基的喹啉基。)6.上述15任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中式(2)中，X為含有選自并四苯、芘、蒽、茈、窟、苯并蒽、并五苯、二苯并蒽、苯并芘、苯并芴、螢蒽、苯并螢蒽、萘螢蒽、二苯并芴、二苯并芘、二苯并螢蒽和苊螢蒽的1種以上的骨架的稠合芳香族環(huán)基。7.上述16中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中上式(2)所示的化合物為并四苯衍生物、二氨基蒽衍生物、萘并螢蒽衍生物、二氨基芘衍生物、二氨基芘衍生物、氨基蒽衍生物、氨基芘衍生物或二苯并窟衍生物。8.上述17中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中作為上述發(fā)光層的摻雜材料的茚并茈衍生物為二苯并四苯基泊利夫蘭登(dibenzotetraphenylperiflanthene)貧f生物。9.上述18中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層含有的摻雜材料的摻雜濃度為0.110%。10.上述9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中發(fā)光層所含摻雜材料的摻雜濃度為0.52%。11.上述110中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中發(fā)光色為橙色紅色。這樣，本發(fā)明中通過選擇作為電子輸送層用和發(fā)光層用材料優(yōu)選的化合物，可以獲得高效的有機(jī)EL元件。g卩，通過本發(fā)明的構(gòu)成，可以獲得電子輸送層中的激子產(chǎn)生被抑制、將來自電子輸送層的微少發(fā)光抑制到更低水平的高色純度的有機(jī)EL元件。另外，從同樣的理由出發(fā)，期待元件的長(zhǎng)壽命化。本發(fā)明可以提供高效率、長(zhǎng)壽命、且色純度優(yōu)異的發(fā)光有機(jī)EL元件。圖1為表示本發(fā)明有機(jī)EL元件所涉一實(shí)施方式的圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明的有機(jī)EL元件在陰極和陽(yáng)極之間至少含有發(fā)光層和電子輸送層，電子輸送層含有下式(l)所示的化合物，發(fā)光層含有由能隙2.8eV以下的下式(2)所示化合物構(gòu)成的主體材料和由茚并茈衍生物構(gòu)成的摻雜材料。A-B(1)(在此，A為碳環(huán)3個(gè)以上的芳香族烴基、B為可被取代的雜環(huán)基。)X-(Y)n(2)(在此，X為碳環(huán)3個(gè)以上的稠合芳香族環(huán)基、Y為選自取代或未取代的芳基、取代或未取代的二芳基氨基、取代或未取代的芳基烷基及取代或未取代的烷基的基團(tuán)。n為16的整數(shù)，n為2以上時(shí)Y可以相同也可以不同。)圖1為顯示本發(fā)明有機(jī)EL元件的一例的截面圖。有機(jī)EL元件1在基板10上按順序?qū)盈B有陽(yáng)極20、空穴輸送層30、空穴輸送層40、發(fā)光層50、電子輸送層60、電子注入層70和陰極80而構(gòu)成。另外，有機(jī)EL元件可以成為各種構(gòu)成。本發(fā)明的有機(jī)EL元件中，電子輸送層含有的式(l)所示化合物優(yōu)選含有1種以上的分子中具有選自蒽、菲、并四苯、芘、葸、苯并蒽、并五苯、二苯并蒽、苯并芘、芴、苯并荷、螢蒽、苯并螢蒽、萘并螢蒽、二苯并芴、二苯并芘和二苯并螢蒽的1個(gè)以上的骨架的雜環(huán)化合物。更優(yōu)選為含氮雜環(huán)化合物。含氮雜環(huán)化合物更優(yōu)選含有1種以上的分子中具有選自吡啶、嘧啶、吡嗪、吡嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、吖啶、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶、菲咯啉的1個(gè)以上的骨架的含氮雜環(huán)化合物。含氮雜環(huán)化合物可以舉出下式(3)或(4)所示的苯并咪唑衍生物。(式中，R為氫原子、可以具有取代基的碳原子660的芳基、可以具有取代基的吡啶基、可以具有取代基的喹啉基、可以具有取代基的碳原子數(shù)120的烷基或可以具有取代基的碳原子數(shù)120的烷氧基，m為04的整數(shù)，R1為可以具有取代基的碳原子數(shù)660的芳基、可以具有取代基的吡啶基、可以具有取代基的喹啉基、可以具有取代基的碳原子數(shù)120的烷基或碳原子數(shù)120的垸氧基，W為氫原子、可以具有取代基的碳原子數(shù)660的芳基、可以具有取代基的吡啶基、可以具有取代基的喹啉基、可以具有取代基的碳原子數(shù)120的烷基或可以具有取代基的碳原子數(shù)120的烷氧基，L為可以具有取代基的碳原子數(shù)660的亞芳基、可以具有取代基的亞吡啶基(pyridinylene)、可以具有取代基的亞喹啉基(quinolinylene)、可以具有取代基的亞芴基(fluorenylene)，Ar1為可以具有取代基的碳原子數(shù)660的芳基、可以具有取代基的吡啶基或可以具有取代基的喹啉基。)式(4)所示的苯并咪唑衍生物優(yōu)選m為0、R2為芳基、L為碳原子數(shù)630(更優(yōu)選碳原子數(shù)620)的亞芳基和Ar1為碳原子數(shù)630的芳基。在發(fā)光層的主體材料的式(2)中，X優(yōu)選為含有選自并四苯、芘、蒽、茈、窟、苯并蒽、并五苯、二苯并蒽、苯并芘、苯并芴、螢蒽、苯并螢蒽、萘并螢蒽、二苯并芴、二苯并芘、二苯并螢蒽、苊螢蒽的1個(gè)以上的骨架的基團(tuán)。更優(yōu)選含有并四苯骨架或蒽骨架。Y優(yōu)選為碳原子數(shù)1260的芳基、二芳基氨基，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1222的芳基或碳原子數(shù)1240的二芳基氨基。n優(yōu)選為2。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的發(fā)光層優(yōu)選含有1種以上選自并四苯衍生物、二氨基蒽衍生物、萘并螢蒽衍生物、二氨基芘衍生物、二氨基茈衍生物、氨基蒽衍生物、氨基芘衍生物和二苯并窟衍生物的化合物作為式(2)所示的化合物。更優(yōu)選為含有并四苯衍生物或二氨基蒽衍生物。式(2)所示化合物的Eg為2.8eV以下。通常為2.51.0eV。作為發(fā)光層所含摻雜材料的茚并茈衍生物優(yōu)選為二苯并四苯基泊利夫蘭登(dibenzotetraphenylperiflanthene)存f生物。本發(fā)明發(fā)光層所含的摻雜材料的摻雜濃度優(yōu)選為0.110%、更優(yōu)選為0.52%。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的發(fā)光色優(yōu)選為橙色紅色。[有機(jī)EL元件的構(gòu)成]以下顯示本發(fā)明所用的有機(jī)EL元件的代表構(gòu)成例。當(dāng)然，本發(fā)明并非局限于這些。(1)陽(yáng)極撥光層/電子輸送層順極(2)陽(yáng)極/空穴輸送層/發(fā)光層池子輸送層順極(3)陽(yáng)極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層順極(4)陽(yáng)極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(5)陽(yáng)極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(6)陽(yáng)極/絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(7)陽(yáng)極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極(8)陽(yáng)極/絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極(9)陽(yáng)極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極(10)陽(yáng)極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(11)陽(yáng)極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層撥光層/電子輸送層/電子注入層/絕緣層/陰極等的結(jié)構(gòu)。其中通常優(yōu)選使用(2)、(3)、(4)、(5)、(8)、(9)、(ll)的構(gòu)成。[透光性基板]本發(fā)明的有機(jī)EL元件制作于基板上。從基板獲得光時(shí)，使用透光性基板。在此所說的透光性基板為支撐有機(jī)EL元件的基板，優(yōu)選400700nm的可見光區(qū)域的透光率為50%以上、平滑的基板。具體地可以舉出玻璃板、聚合物板。玻璃板特別可以舉出堿鈣玻璃、含有鋇.鍶的玻璃、鉛玻璃、硅酸鋁玻璃、硼硅酸玻璃、硼硅酸鋇玻璃、石英等。另外，聚合物板可以舉出聚碳酸酯、丙烯酸、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚硫醚、聚砜等。[陽(yáng)極]有機(jī)薄膜EL元件的陽(yáng)極起到將空穴注入空穴輸送層或發(fā)光層的作用，具有4.5eV以上功函數(shù)者有效。本發(fā)明中所用陽(yáng)極材料的具體例子可以適用氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、氧化銦鋅合金(IZO)、金、銀、鉑、銅等。這些材料可以單獨(dú)使用，還可以適當(dāng)選擇這些材料之間的合金或添加有其它元素的材料。陽(yáng)極可以通過用蒸鍍法或?yàn)R射法等方法將這些電極物質(zhì)形成薄膜而制作。從陽(yáng)極獲得來自發(fā)光層的發(fā)光時(shí)，相對(duì)于陽(yáng)極的發(fā)光的透射率優(yōu)選大于10%。另外，陽(yáng)極的片材電阻優(yōu)選為數(shù)百Q(mào)/c:以下。陽(yáng)極的膜厚隨材料而不同，通常在10nml|im、優(yōu)選10200nrn的范圍內(nèi)選擇。[發(fā)光層]有機(jī)EL元件的發(fā)光層兼具以下功能。即(i)注入功能在施加電場(chǎng)時(shí)，可以從陽(yáng)極或空穴注入，輸送層注入空穴的功能、可以從陰極或電子注入，輸送層注入電子的功能(ii)輸送功能利用電場(chǎng)力移動(dòng)所注入的電荷(電子或空穴)的功能(iii)發(fā)光功能提供電子與空穴的再結(jié)合場(chǎng)所，將其與發(fā)光相關(guān)聯(lián)的功能但是，空穴的注入容易性和電子的注入容易性可以有所不同，另外，空穴和電子的遷移率所示的輸送能也有所不同，但優(yōu)選可以移動(dòng)任何一方的電荷。作為形成該發(fā)光層的方法例如可以使用蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法。發(fā)光層特別優(yōu)選為分子堆積膜。在此，分子堆積膜是指由氣相狀態(tài)的材料化合物沉降而形成的薄膜、由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物固體化而形成的膜，通常該分子堆積膜可以通過凝聚結(jié)構(gòu)、高級(jí)結(jié)構(gòu)的不同、由此引起的功能不同與通過LB法形成的薄膜(分子累積膜)相區(qū)分。另外，如日本特開昭57-51781號(hào)公報(bào)所示，即便將樹脂等粘合劑和材料化合物溶解于溶劑中制成溶劑后，通過旋涂法等將其薄膜化，也可以形成發(fā)光層。[空穴注入、輸送層]空穴輸送層是輔助向發(fā)光層的空穴注入、直至輸送到發(fā)光區(qū)域的層，空穴遷移率大、離子化能量通常小達(dá)5.5eV。作為這種空穴注入、輸送層，優(yōu)選以更低的電場(chǎng)強(qiáng)度將空穴輸送至發(fā)光層的材料，空穴遷移率例如在施加1(fl(^V/cm的電場(chǎng)時(shí)，只要至少為1(rVr^/V秒鐘，即優(yōu)選。作為形成空穴輸送層的材料，只要是具有上述優(yōu)選性質(zhì)則無特別限定，可以選擇使用以往在光傳導(dǎo)材料中作為空穴的電荷輸送材料常用的材料、選自EL元件的空穴注入層中所用的公知材料。具體例子例如可以舉出三唑衍生物(參照美國(guó)專利3112197號(hào)說明書等)、隨二唑衍生物(參照美國(guó)專利3189447號(hào)說明書等)、咪唑衍生物(參照日本特公昭37-16096號(hào)公報(bào)等)、聚芳烷衍生物(參照美國(guó)專利3615402號(hào)說明書、美國(guó)專利第3820989號(hào)說明書、美國(guó)專利第3542544號(hào)說明書、日本特公昭45-555號(hào)公報(bào)、日本特公昭51-10983號(hào)公報(bào)、日本特開昭51-93224號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-17105號(hào)公報(bào)、日本特開昭56-4148號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-108667號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-156953號(hào)公報(bào)、曰本特開昭56-36656號(hào)公報(bào)等)、吡唑啉衍生物和吡唑酮衍生物(參照美國(guó)專利第3180729號(hào)說明書、美國(guó)專利第4278746號(hào)說明書、日本特開昭55-88064號(hào)公報(bào)、日本特幵昭55-88065號(hào)公報(bào)、日本特開昭49-105537號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-51086號(hào)公報(bào)、日本特開昭56-80051號(hào)公報(bào)、日本特開昭56-88141號(hào)公報(bào)、日本特開昭57-45545號(hào)公報(bào)、日本特開昭54-112637號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-74546號(hào)公報(bào)等)、苯二胺衍生物(參照美國(guó)專利第3615404號(hào)說明書、日本特公昭51-10105號(hào)公報(bào)、日本特公昭46-3712號(hào)公報(bào)、日本特公昭47-25336號(hào)公報(bào)、日本特開昭54-53435號(hào)公報(bào)、日本特開昭54-110536號(hào)公報(bào)、日本特開昭54-119925號(hào)公報(bào)等)、芳胺衍生物(參照美國(guó)專利第3567450號(hào)說明書、美國(guó)專利第3180703號(hào)說明書、美國(guó)專利第3240597號(hào)說明書、美國(guó)專利第3658520號(hào)說明書、美國(guó)專利第4232103號(hào)說明書、美國(guó)專利第4175961號(hào)說明書、美國(guó)專利第4012376號(hào)說明書、日本特公昭49-35702號(hào)公報(bào)、日本特公昭39-27577號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-144250號(hào)公報(bào)、日本特開昭56-119132號(hào)公報(bào)、日本特開昭56-22437號(hào)公報(bào)、西德專利第1110518號(hào)說明書等)、氨基取代查耳酮衍生物(參照美國(guó)專利第3526501號(hào)說明書等)、II惡唑衍生物(參照美國(guó)專利第3257203號(hào)說明書等所公開)、苯乙烯蒽衍生物(參照日本特開昭56-46234號(hào)公報(bào)等)、藥酮衍生物(參照日本特開昭54-110837號(hào)公報(bào)等)、腙衍生物(參照美國(guó)專利第3717462號(hào)說明書、日本特開昭54-59143號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-52063號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-52064號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-46760號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-85495號(hào)公報(bào)、日本特開昭57-11350號(hào)公報(bào)、日本特開昭57-148749號(hào)公報(bào)、日本特開平2-311591號(hào)公報(bào)等)、芪衍生物(參照日本特開昭61-210363號(hào)公報(bào)、日本特開昭第61-228451號(hào)公報(bào)、日本特開昭61-14642號(hào)公報(bào)、日本特開昭61-72255號(hào)公報(bào)、日本特開昭62-47646號(hào)公報(bào)、日本特開昭62-36674號(hào)公報(bào)、日本特開昭62-10652號(hào)公報(bào)、日本特開昭62-30255號(hào)公報(bào)、日本特開昭60-93455號(hào)公報(bào)、日本特開昭60-94462號(hào)公報(bào)、日本特開昭60-174749號(hào)公報(bào)、日本特開昭60-175052號(hào)公報(bào)等)、硅氨垸衍生物(美國(guó)專利第4950950號(hào)說明書)、聚硅垸系(日本特開平2-204996號(hào)公報(bào))、苯胺系共聚物(日本特開平2-282263號(hào)公報(bào))、日本特開平1-211399號(hào)公報(bào)所公開的導(dǎo)電性高分子寡聚物(特別是噻吩寡聚物)等。優(yōu)選使用下式(4)所示的材料。Ql-G-Q2(4)(式中，Ql和Q2為具有至少一個(gè)叔胺的部分，G為連接基團(tuán)。)更優(yōu)選下式(5)所示的胺衍生物。Ar,1Ar3(式(5)中，A一A^為取代或未取代的核碳原子數(shù)650的芳香環(huán)基、取代或未取代的核原子數(shù)550的雜芳香環(huán)。R1、W為取代基，s、t分別為04的整數(shù)。A—和Ar2、A—和A/可以分別連接形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。w和fe可以分別連接形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。)A—Ar4的取代基以及R1、R2為取代或未取代的核碳原子數(shù)650的芳香環(huán)、取代或未取代的核原子數(shù)550的雜芳香環(huán)、碳原子數(shù)150的烷基、碳原子數(shù)150的垸氧基、碳原子數(shù)150的垸基芳基、碳原子數(shù)150的芳垸基、苯乙烯基、被核碳原子數(shù)650的芳香環(huán)或核原子數(shù)550的雜芳香環(huán)取代的氨基、被核碳原子數(shù)650的芳香環(huán)或核原子數(shù)550的雜芳香環(huán)基取代的氨基所取代的核碳原子數(shù)650的芳香環(huán)或核原子數(shù)550的雜芳香環(huán)?？昭ㄝ斔蛯訛榱溯o助空穴的注入還可以另外設(shè)置空穴注入層。空穴注入層的材料可以使用與空穴輸送層相同的材料,優(yōu)選使用聚菲啉化合物(公開于特開昭63-2956965號(hào)公報(bào)等)、芳香族叔胺化合物及苯乙烯胺化合物(參照美國(guó)專利4127412號(hào)說明書、日本特開昭53-27033號(hào)公報(bào)、日本特開昭54-58445號(hào)公報(bào)、日本特開昭54-149634號(hào)公報(bào)、日本特開昭54-64299號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-79450號(hào)公報(bào)、日本特開昭55-144250號(hào)公報(bào)、日本特開昭56-119132號(hào)公報(bào)、日本特開昭61-295558號(hào)公報(bào)、日本特開昭61-98353號(hào)公報(bào)、日本特開昭63-295695號(hào)公報(bào)等)，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。另外，可以舉出分子內(nèi)具有美國(guó)專利第5061569號(hào)所記載的2個(gè)稠合芳香族環(huán)的例如4，4'-雙(N-(l-萘基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯(以下簡(jiǎn)稱作NPD)、曰本特開平4-308688號(hào)公報(bào)所記載的三苯胺單元連接成3個(gè)繁星型(star-burst)的4,4，，4"-三(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯胺(以下簡(jiǎn)稱為MTDATA)等。特別優(yōu)選式(4)或(5)所示的材料。另外，除了芳香族二次甲基系化合物之外，可以使用p型Si、p型SiC等無機(jī)化合物作為空穴注入層的材料?？昭ㄗ⑷搿⑤斔蛯涌梢匀缦滦纬赏ㄟ^真空蒸鍍法、旋涂法、鑄造法、LB法等公知的方法將上述化合物薄膜化，從而形成?？昭ㄗ⑷?、輸送層的膜厚并無特別限定，通常為5nm5pm。該空穴注入、輸送層可以由上述材料的1種或2種以上形成的層構(gòu)成，或者上述空穴注入、輸送層可以層疊由其它化合物形成的空穴注入、輸送層而成。另外，有機(jī)半導(dǎo)體層也是空穴輸送層的一部分，優(yōu)選其為輔助向發(fā)光層的空穴注入或電子注入的層、具有l(wèi)(T1QS/cm以上的電導(dǎo)率。作為這種有機(jī)半導(dǎo)體層的材料可以使用含噻吩的寡聚物、日本特開平8-193191號(hào)公報(bào)所公開的含芳胺的寡聚物等導(dǎo)電性寡聚物，含芳胺樹枝狀聚合物等導(dǎo)電性樹枝狀聚合物。[電子注入層]電子注入層為輔助向發(fā)光層的電子注入的層，電子遷移率高；另外，附著改善層為該電子注入層中與陰極的附著特別良好的材料所構(gòu)成的層。本發(fā)明的優(yōu)選方式中，在輸送電子的區(qū)域或陰極和有機(jī)層的界面區(qū)域中具有含有還原性摻雜劑的元件。在此，還原性摻雜劑定義為可以還原電子輸送性化合物的物質(zhì)。因此，只要具有一定的還原性則可以使用各種物質(zhì)，例如可以優(yōu)選使用選自堿金屬、堿土類金屬、稀土類金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土類金屬的氧化物、堿土類金屬的鹵化物、稀土類金屬的氧化物或稀土類金屬的鹵化物、堿金屬的有機(jī)絡(luò)合物、堿土類金屬的有機(jī)絡(luò)合物、稀土類金屬的有機(jī)絡(luò)合物的至少一種物質(zhì)。另外，更具體地說可以舉出選自Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28eV)、Rb(功函數(shù)2.16eV)、Cs(功函數(shù)1.95eV)的至少一個(gè)堿金屬，選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.02.5eV)和Ba(功函數(shù)2.52eV)的至少一個(gè)堿土類金屬，特別優(yōu)選功函數(shù)為2.9eV以下者。其中，更優(yōu)選的還原性摻雜劑為選自K、Rb和Cs的至少一個(gè)堿金屬，更優(yōu)選為Rb或Cs，最優(yōu)選為Cs。這些堿金屬還原能力特別高，通過在電子注入域中添加較少量，可以獲得有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度的提高或長(zhǎng)壽命化。另外，作為功函數(shù)2.9eV以下的還原性摻雜劑優(yōu)選這些2種以上的堿金屬的組合，特另iJ優(yōu)選含有Cs的組合，例如Cs禾口Na、Cs禾口K、Cs禾口Rb、Cs禾口Na和K的組合。通過組合含有Cs，可以高效地發(fā)揮還原能力，通過添加于電子注入域中，可以獲得有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度的提高或長(zhǎng)壽命化。本發(fā)明中，還可以在陰極和有機(jī)層之間設(shè)置由絕緣體或半導(dǎo)體構(gòu)成的電子注入層。此時(shí)，可以有效地防止電流的泄漏、提高電子注入性。作為這種絕緣體，優(yōu)選使用選自堿金屬硫?qū)僭鼗铩A土類金屬硫?qū)僭鼗?、堿金屬的鹵化物和堿土類金屬的鹵化物的至少一個(gè)金屬化合物。電子注入層如果由這些堿金屬硫?qū)僭鼗锏葮?gòu)成，則在可以提高電子注入層的方面優(yōu)選。具體地說，優(yōu)選的堿金屬硫?qū)僭鼗锢缈梢耘e出Li20、LiO、Na2S、Na2Se、NaO，優(yōu)選的堿土類金屬硫?qū)僭鼗锢缈梢耘e出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、CaSe。優(yōu)選的堿土類金屬的鹵化物例如可以舉出LiF、NaF、KF、LiCl、KCl和NaCl等。另外，優(yōu)選堿土類金屬的鹵化物例如可以舉出CaF2、BaF2、SrF2、MgF2和BeF2等氟化物，氟化物以外的鹵化物。另夕卜，作為構(gòu)成電子注入層的半導(dǎo)體可以舉出含有Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb和Zn的至少一個(gè)元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等的一種單獨(dú)或者兩種以上的組合。另外，構(gòu)成電子注入層的無機(jī)化合物優(yōu)選為微結(jié)晶或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。電子注入層由這些絕緣性薄膜構(gòu)成時(shí)，為了形成更均勻的薄膜，可以減少黑斑等像素缺陷。予以說明，這種無機(jī)化合物可以舉出上述堿金屬硫?qū)僭鼗?、堿土類金屬硫?qū)僭鼗铩A金屬的鹵化物和堿土類金屬的鹵化物等。[陰極〗作為陰極，使用以功函數(shù)小(4eV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物及它們的混合物為電極物質(zhì)。這種電極物質(zhì)的具體例子可以舉出鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂，銀合金、鋁/氧化鋁、鋁，鋰合金、銦、稀土類金屬等。該陰極可以通過利用蒸鍍或?yàn)R射等方法將這些電極物質(zhì)形成薄膜而制作。在此，在從陰極取出來自發(fā)光層的發(fā)光時(shí)，優(yōu)選相對(duì)于陰極發(fā)光的透射率大于10%。另外，作為陰極的片材電阻優(yōu)選為數(shù)百Q(mào)/口以下、膜厚通常為10nml拜、優(yōu)選為50200nrn。[絕緣層]有機(jī)EL由于在超薄膜上施加電場(chǎng)，因此易于發(fā)生泄漏或短路所導(dǎo)致的像素缺陷。為了防止該現(xiàn)象，優(yōu)選在一對(duì)電極間插入絕緣性的薄膜層。絕緣層中所用材料例如可以舉出氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氟化銫、碳酸銫、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等。還可以使用它們的混合物或?qū)盈B物。[有機(jī)EL元件的制作例]通過以上示例的材料和方法形成陽(yáng)極、發(fā)光層、電子輸送層、根據(jù)需要的空穴注入層、根據(jù)需要的電子注入層、陰極，可以制作有機(jī)EL元件。另外，還可以按照從陰極至陽(yáng)極的與上述相反的順序制作有機(jī)EL元件。以下記載在透光性基板上依次設(shè)置有陽(yáng)極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極的構(gòu)成的有機(jī)EL元件的制作例。首先，通過蒸鍍或?yàn)R射等方法在適當(dāng)?shù)耐腹庑曰迳弦赃_(dá)到lpm以下、優(yōu)選10200nm的范圍的方式形成陽(yáng)極材料所構(gòu)成的薄膜，制作陽(yáng)極。接著，在該陽(yáng)極上設(shè)置空穴輸送層?？昭ㄝ斔蛯拥男纬扇缟纤究梢酝ㄟ^真空蒸鍍法、旋涂法、鑄造法、LB法等方法進(jìn)行，從易于獲得均勻的膜、且難以產(chǎn)生針孔等方面出發(fā)，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。通過真空蒸鍍法形成空穴輸送層時(shí)，其蒸鍍條件隨所用化合物(空穴輸送層的材料)、目標(biāo)空穴輸送層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)或再結(jié)合結(jié)構(gòu)等而不同，一般優(yōu)選在蒸鍍?cè)?0450°C、真空度10-7l(r3torr、蒸鍍速度0.0150nm/秒鐘、基板溫度-50300°C、膜厚5nm5nm的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。接著，在空穴輸送層上設(shè)有發(fā)光層的發(fā)光層的形成也可以使用所需的有機(jī)發(fā)光材料通過真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、鑄造法等方法將有機(jī)發(fā)光材料薄膜化而形成，從易于獲得均勻的膜、且難以產(chǎn)生針孔等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。通過真空蒸鍍法形成發(fā)光層時(shí)，其蒸鍍條件隨所用化合物而不同，但一般可以在與空穴輸送層相同的條件范圍中選擇。接著，在該發(fā)光層上設(shè)置電子輸送層。優(yōu)選與空穴輸送層、發(fā)光層同樣，從獲得均勻膜的必要性出發(fā)，通過真空蒸鍍法形成。蒸鍍條件可以在與空穴輸送層、發(fā)光層相同的條件范圍內(nèi)選擇。最后，層疊陰極，可以獲得有機(jī)EL元件。陰極由金屬構(gòu)成，可以使用蒸鍍法、濺射法。但是，為了避免制膜時(shí)基底有機(jī)物層的損傷，優(yōu)選真空蒸鍍法。之前所記載的有機(jī)EL元件的制作優(yōu)選在一次的抽真空下，連續(xù)地從陽(yáng)極制作至陰極。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各層形成方法并無特別限定?？梢允褂美靡酝恼婵照翦兎ā⒎肿由渚€蒸鍍法、旋涂法、浸涂法、鑄造法、棒涂法、輥涂法等的形成方法。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各有機(jī)層的膜厚并無特別限定，一般來說，膜厚過薄時(shí)，易于產(chǎn)生針孔等缺陷，相反過厚時(shí)有必要施加高電壓，效率變差，因此通常優(yōu)選數(shù)nmlum。[實(shí)施例]實(shí)施例中使用的主體材料的能隙通過以下的方法測(cè)量。將化合物溶解于甲苯中，制成10'511101/升的溶液。使用分光光度計(jì)(日立社制U3410)測(cè)量吸收光譜，相對(duì)于紫外線吸收光譜的長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的豎起，連接切線，求得作為與橫軸交點(diǎn)的波長(zhǎng)(吸收端)。將該波長(zhǎng)換算為能量值，求得能隙。實(shí)施例1在25mmX75mmX0.7mm尺寸的玻璃基板上設(shè)置膜厚120nm的由銦錫化合物構(gòu)成的透明電極。在異丙醇中超聲波洗滌該玻璃基板5分鐘后，進(jìn)行UV臭氧洗滌30分鐘，該基板設(shè)置于真空蒸鍍裝置中。在該基板上首先蒸鍍厚度60nrn的N'，N"-雙[4-(二苯基氨基)苯基]-N，,N"-二苯基聯(lián)苯-4,4，-二胺作為空穴注入層后，在其上蒸鍍10nm厚度的四-N-(4-聯(lián)苯基)聯(lián)苯胺作為空穴輸送層。接著，作為發(fā)光層，以重量比40:0.4同時(shí)蒸鍍作為并四苯衍生物的下述化合物(A-1)和茚并茈衍生物的下述化合物(B)作為發(fā)光層，蒸鍍至40nm的厚度?；衔?A—1)化合物(B)接著，蒸鍍30nm厚度的下述化合物(C-l)作為電子輸送層?；衔?C一1)接著，蒸鍍0.3nm厚度的氟化鋰，接著蒸鍍150nm厚度的鋁。該鋁/氟化鋰作為陰極發(fā)揮功能。如此制作有機(jī)EL元件。對(duì)所得元件進(jìn)行通電試驗(yàn)時(shí)，在電流密度10mA/cm2T，獲得驅(qū)動(dòng)電壓4.1V、發(fā)光亮度1135cd/i^的紅色發(fā)光，色度坐標(biāo)為(0.67、0.33)、效率為U.35cd/A。另外，進(jìn)行初始亮度5000cd/n^下的直流連續(xù)通電試驗(yàn)時(shí)，達(dá)到初始亮度的80%時(shí)的驅(qū)動(dòng)時(shí)間為2100小時(shí)。實(shí)施例2在實(shí)施例1中，在形成發(fā)光層時(shí)，除了使用作為二氨基蒽衍生物的下述化合物(A-3)代替化合物(A-1)之外，同樣地制作有機(jī)EL元件。對(duì)所得元件進(jìn)行通電試驗(yàn)時(shí)，在電流密度10mA/cm2T，獲得驅(qū)動(dòng)電壓4.1V、發(fā)光亮度978cd/ii^的紅色發(fā)光，色度坐標(biāo)為(0.67、0.33)、效率為9.78cd/A。另外，進(jìn)行初始亮度5000cd/n^下的直流連續(xù)通電試驗(yàn)時(shí)，半衰減壽命為2000小時(shí)。比較例1在實(shí)施例1中，在形成電子輸送層時(shí)，除了蒸鍍25nm厚度的化合物(A-1)代替化合物(C-1)、進(jìn)而繼續(xù)蒸鍍5nm紅菲繞啉(以下BPhen)作為電子輸送層之外，同樣地制作有機(jī)EL元件。BPhen對(duì)所得元件進(jìn)行通電試驗(yàn)時(shí)，在電流密度10mA/Cm2T，獲得驅(qū)動(dòng)電壓3.9V、發(fā)光亮度730cd/i^的紅色發(fā)光，色度坐標(biāo)為(0.67、0.33)、效率為7.30cd/A。另外，進(jìn)行初始亮度5000cd/n^下的直流連續(xù)通電試驗(yàn)時(shí)，達(dá)到初始亮度的80%時(shí)的驅(qū)動(dòng)時(shí)間為2700小時(shí)。比較例2在實(shí)施例1中，在形成電子輸送層時(shí)，除了使用三(8-羥基喹啉)鋁(以下Alq》代替化合物(C-l)之外，同樣地制作有機(jī)EL元件。、對(duì)所得元件進(jìn)行通電試驗(yàn)時(shí)，在電流密度10mA/cm2T，獲得驅(qū)動(dòng)電壓4.9V、發(fā)光亮度703cd/r^的紅色發(fā)光，色度坐標(biāo)為(0.65、0.35)、效率為7.03cd/A。另外，進(jìn)行初始亮度5000cd/n^下的直流連續(xù)通電試驗(yàn)時(shí)，達(dá)到初始亮度的80%時(shí)的驅(qū)動(dòng)時(shí)間為360小時(shí)。比較例3在實(shí)施例1中，除了在形成發(fā)光層時(shí)使用作為具有能隙3.0eV的蒽衍生物的下述化合物(A-4)代替化合物(A-1)，在形成電子輸送層時(shí)使用Alq3代替化合物(C-1)之外，同樣地制作有機(jī)EL元件。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>化合物(A—4)對(duì)所得元件進(jìn)行通電試驗(yàn)時(shí)，在電流密度10mA/cm2下，獲得驅(qū)動(dòng)電壓6.1V、發(fā)光亮度149cd/mS的紅色發(fā)光，色度坐標(biāo)為(0.58、0.30)、效率為1.49cd/A。另外，進(jìn)行初始亮度5000cd/m2下的直流連續(xù)通電試驗(yàn)時(shí)，達(dá)到初始亮度的80%時(shí)的驅(qū)動(dòng)時(shí)間為30小時(shí)。比較例4在實(shí)施例2中，除了在形成電子輸送層時(shí)使用Alq3代替化合物(C-l)之外，同樣地制作有機(jī)EL元件。對(duì)所得元件進(jìn)行通電試驗(yàn)時(shí)，在電流密度10mA/ci^下，獲得驅(qū)動(dòng)電壓5.3V、發(fā)光亮度622cd/n^的紅色發(fā)光，色度坐標(biāo)為(0.65、0.35)、效率為6.22cd/A。另外，進(jìn)行初始亮度5000cd/i^下的直流連續(xù)通電試驗(yàn)時(shí)，達(dá)到初始亮度的80%時(shí)的驅(qū)動(dòng)時(shí)間為310小時(shí)。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>產(chǎn)業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的有機(jī)EL元件可以適用于各種顯示裝置、顯示器、背光、照明光源、標(biāo)識(shí)、招牌、室內(nèi)等領(lǐng)域，特別適合作為彩色顯示器的顯示元件。權(quán)利要求1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，在陰極和陽(yáng)極之間至少含有發(fā)光層和電子輸送層，所述電子輸送層含有下式(1)所示的化合物，所述發(fā)光層含有由能隙為2.8eV以下的下式(2)所示化合物所形成的主體材料和由茚并苝衍生物形成的摻雜材料，A-B(1)在此，A是碳環(huán)為3個(gè)以上的芳香族烴基，B為可被取代的雜環(huán)基，X-(Y)n(2)在此，X是碳環(huán)為3個(gè)以上的稠合芳香族環(huán)基，Y為選自取代或未取代的芳基、取代或未取代的二芳基氨基、取代或未取代的芳基烷基以及取代或未取代的烷基的基團(tuán)，n為1～6的整數(shù)，n為2以上時(shí)Y可以相同也可以不同。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述電子輸送層含有的式(l)所示化合物為分子中具有選自蒽、菲、并四苯、芘、窟、苯并蒽、并五苯、二苯并蒽、苯并芘、芴、苯并芴、螢蒽、苯并螢蒽、萘并螢蒽、二苯并芴、二苯并芘和二苯并螢蒽的l種以上的骨架的化合物。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述電子輸送層含有的式(l)所示化合物為含氮雜環(huán)化合物。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述含氮雜環(huán)化合物為分子中具有選自吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、吖啶、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和菲咯啉的l種以上的骨架的含氮雜環(huán)化合物。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述含氮雜環(huán)化合物為下式(3)或(4)所示的苯并咪唑衍生物，式中，R為氫原子、可具有取代基的碳數(shù)660的芳基、可具有取代基的吡啶基、可具有取代基的喹啉基、可具有取代基的碳數(shù)120的烷基或者可具有取代基的碳數(shù)120的烷氧基，m為04的整數(shù)，R1為可具有取代基的碳數(shù)660的芳基、可具有取代基的吡啶基、可具有取代基的喹啉基、可具有取代基的碳原子數(shù)120的烷基或者碳數(shù)120的浣氧基，R2為氫原子、可具有取代基的碳數(shù)660的芳基、可具有取代基的吡啶基、可具有取代基的喹啉基、可具有取代基的碳數(shù)120的烷基或者可具有取代基的碳數(shù)120的烷氧基，L為可具有取代基的碳數(shù)660的亞芳基、可具有取代基的亞吡啶基、可具有取代基的亞喹啉基、可具有取代基的亞芴基，Ai^為可具有取代基的碳數(shù)660的芳基、可具有取代基的吡啶基或可具有取代基的喹啉基。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，式(2)中，X為含有選自并四苯、芘、蒽、茈、窟、苯并蒽、并五苯、二苯并蒽、苯并芘、苯并芴、螢蒽、苯并螢蒽、萘并螢蒽、二苯并芴、二苯并芘、二苯并螢蒽和苊螢蒽的1種以上的骨架的稠合芳香族環(huán)基。7.根據(jù)權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述上式(2)所示的化合物為并四苯衍生物、二氨基蒽衍生物、萘并螢蒽衍生物、二氨基芘衍生物、二氨基茈衍生物、氨基蒽衍生物、氨基芘衍生物或二苯并窟衍生物。8.根據(jù)權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，作為所述發(fā)光層的摻雜材料的茚并茈衍生物為二苯并四苯基泊利夫蘭登衍生物。9.根據(jù)權(quán)利要求18中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層含有的摻雜材料的摻雜濃度為0.110%。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，發(fā)光層所含摻雜材料的摻雜濃度為0.52%。11.根據(jù)權(quán)利要求110中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，發(fā)光色為橙色紅色。全文摘要本發(fā)明提供有機(jī)電致發(fā)光元件1，其在陰極(80)和陽(yáng)極(20)之間至少含有發(fā)光層(50)和電子輸送層(60)，電子輸送層(60)含有下式(1)所示的化合物，發(fā)光層(50)含有由能隙2.8eV以下的下式(2)所示化合物構(gòu)成的主體材料和由茚并苝衍生物構(gòu)成的摻雜材料。A-B(1)(在此，A為碳環(huán)3個(gè)以上的芳香族烴基、B為可被取代的雜環(huán)基。)X-(Y)_n(2)(在此，X為碳環(huán)3個(gè)以上的稠合芳香族環(huán)基、Y為選自取代或未取代的芳基、取代或未取代的二芳基氨基、取代或未取代的芳基烷基及取代或未取代的烷基的基團(tuán)。n為1～6的整數(shù)，n為2以上時(shí)Y可以相同也可以不同。)文檔編號(hào)C09K11/06GK101331627SQ20068004754公開日2008年12月24日申請(qǐng)日期2006年11月2日優(yōu)先權(quán)日2005年11月7日發(fā)明者山本弘志,均熊,福岡賢一,細(xì)川地潮,荒金崇士申請(qǐng)人:出光興產(chǎn)株式會(huì)社