專利名稱：用于半導(dǎo)體淺溝隔離加工的化學(xué)機械拋光漿料組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個目的是提供一種化學(xué)機械拋光漿料，其可用于有選擇地除去化學(xué)機械拋光漿料中的氧化硅膜，該漿料用于器件的淺溝隔離加工。
背景技術(shù)：
近幾年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，器件尺寸的減小和高集成化正在加速發(fā)展。在記憶半導(dǎo)體的情形中，由于電容器的位置由CUB(位線下電容器)變成了COB(位線上電容器)并且電容器的形狀變成了圓柱形結(jié)構(gòu)，以便當(dāng)集成程度逐漸增加時增加電容器容量，而且當(dāng)多層電路用于邏輯集成電路時疊層工序是接著進行的，因此晶片表面是在那些工序之后層疊上的，其帶來了后續(xù)工序中的許多問題。為消除這類問題，提出了化學(xué)機械拋光(CMP)方法以使晶片平面化。
其中采用了化學(xué)機械拋光加工的一種方法是淺溝隔離方法，它是半導(dǎo)體器件制造中的一種有源元件隔離方法。這是一種固定所需有源元件的方法，通過在硅上設(shè)置氧化硅膜和氮化硅，由蝕刻形成硅溝，氧化硅膜填充裂縫，通過化學(xué)機械拋光使其平面化。然而，在用氧化硅膜來對溝進行裂縫填充并且進行化學(xué)機械拋光時，氧化硅膜和氮化硅膜是曝露的。如果使用去除選擇性低的漿料，氮化硅膜的去除量將是最大的，在此去除選擇性是指氧化硅膜與氮化硅膜的去除速度比，氮化硅膜的失去帶來了氧化區(qū)域膜厚度的變化并且減小了過拋幅度。
根據(jù)Hosali等的美國專利No.5,738,800，一種CMP漿料是由水介質(zhì)、磨粒、表面活性劑和一種化合物組成，該化合物與氧化硅膜和氮化硅膜絡(luò)合并且具有兩個或更多官能團，每個官能團具有可離解的質(zhì)子。根據(jù)上述專利，人們認為CMP漿料中的與絡(luò)合物一起使用的表面活性劑對于從絡(luò)合物表面除去氮化硅層的速度有影響，雖然它不完成表面活性劑的通常功能(例如穩(wěn)定微粒子分散體等)。表面活性劑和絡(luò)合物之間的化學(xué)作用沒有舉例說明。雖然與常規(guī)CMP漿料相比，根據(jù)上述專利的漿料組合物表現(xiàn)出更高的選擇性，但是僅僅是在窄pH值范圍內(nèi)(約6-7)。
Grover等的美國專利No.5,759,917中公開了一種CMP漿料，其用于在制造集成電路和半導(dǎo)體期間選擇性拋光溢出的氧化硅(優(yōu)先于氮化硅膜層)。根據(jù)上述專利，一種CMP漿料是由羧酸、鹽和可溶的鈰化合物組成，pH值約為3-11范圍內(nèi)。有可能得到的氮化硅/氧化硅去除選擇性約為5-100，但是在優(yōu)選實施例中記錄的最高選擇性是34.89，在大多數(shù)優(yōu)選實施例中實質(zhì)上僅得到小于20的選擇性。
韓國專利申請No.2000-074748中公開了一種含水漿料，其由具有羧酸官能團和選自胺和鹵化合物的第二官能團的有機化合物(氨基酸)和磨粒組成以便用于通過化學(xué)機械拋光將氧化硅膜優(yōu)先于氮化硅膜從產(chǎn)品表面上選擇性除去。但是這種漿料的選擇性往往容易降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明打算提供一種拋光漿料，含有含水拋光溶液，該溶液包含去離子水、拋光粒和拋光粒分散劑；用于增大去除選擇性并作為含水添加劑的多羧酸鹽；羧酸聚合物基化合物；含氮有機環(huán)化合物；胺基添加劑；以及還有pH控制劑等等。
本發(fā)明還打算提供一種去除選擇性高和平面化程度較高的化學(xué)機械拋光漿料，其可應(yīng)用于上述采用該漿料的淺溝隔離。
下面將更詳細地舉例說明本發(fā)明如上所述，根據(jù)本發(fā)明的化學(xué)機械拋光漿料包含含水磨料，該磨料包括去離子水、拋光粒、拋光粒分散劑；以及用于增大去除選擇性的含水添加劑，其包括羧酸聚合物基化合物作為添加劑且顯示為酸性，含氮有機環(huán)化合物作為堿性添加劑，以及胺基化合物。除了上述之外，鹽酸、硫酸、硝酸、氫氧化鈉、氨水的堿性溶液等等可用作pH控制劑。
本發(fā)明含水磨料的拋光粒進行機械拋光作用，在形成漿料期間所使用的上述拋光?？砂–MP漿料常規(guī)使用的各種拋光粒之中的一種或多種的任意混合物。通常所使用的拋光粒包括氧化鋁、二氧化鈰、氧化銅、氧化錫、氧化鎳、氧化鎂、二氧化硅、羰基化硅、氮化硅、二氧化鈦、羰基化鈦、氧化鎢、氧化釔、氧化鋯、以及上述的組合；并且優(yōu)選本發(fā)明拋光粒是選自二氧化鈰、氧化鋁、二氧化硅和二氧化鈦中的一種或多種化合物。
優(yōu)選上述拋光粒的平均粒度范圍約為0.02-1微米，最大粒度約為10微米。如果粒度太小，則漿料拋光速度可能太慢而不能采納；而如果粒度太大，則有可能在待拋光粒子表面上發(fā)生不能容許的刮擦，當(dāng)粒子凝結(jié)和沉積時，該溶液可能分離成兩層。
拋光粒與去離子水混合，該去離子水中大部分雜質(zhì)例如離子、微粒、有機物質(zhì)等已除去，并且優(yōu)選去離子作用顯示電阻率約為5～18MΩcm。待與去離子水混合的拋光粒量可以是0.01-30重量％，優(yōu)選0.5-10重量％。
將一種表面活性劑用于分散拋光粒的分散劑。表面活性劑的例子包括聚合物分散劑、含水陰離子表面活性劑、含水非離子型表面活性劑、含水陽離子表面活性劑等等。優(yōu)選將表面活性劑中的堿金屬例如鈉(Na)、鉀(K)等，以及鹵離子的量調(diào)節(jié)到小于10ppm。一種聚合物分散劑在本發(fā)明中用作分散劑，它是一種多羧酸銨鹽，選自聚丙烯酸銨鹽、聚甲基丙烯酸銨鹽、聚丙烯酸胺鹽、聚甲基丙烯酸胺鹽、聚(乙烯-共丙烯酸)銨鹽、聚(乙烯-共丙烯酸)胺鹽、聚(乙烯-共甲基丙烯酸)銨鹽、以及聚(乙烯-共甲基丙烯酸)胺鹽中的一種或多種化合物可用于聚合物分散劑。表面活性劑的量為0.1-10重量％，優(yōu)選為0.5-8重量％。
一種含水添加劑在其結(jié)合到氮化硅膜拋光表面時，通過誘發(fā)位阻效應(yīng)阻止拋光粒接近來起到選擇性抑制拋光速度的作用。例如，通過使用陰離子添加劑將一種添加劑吸附到氮化物膜層上有可能降低氮化物膜層的拋光速度，因為在pH值為6-8時氧化物膜的表面電荷是負的而氮化物膜的表面電荷是正的。上述添加劑組合物有選擇地包括多羧酸聚合物(其為酸性)，含氮有機環(huán)化合物(其為堿性)，以及胺基化合物。
上述多羧酸聚合物是聚(甲基)丙烯酸均聚物和共聚物以及對氮化物膜具有較高吸附能力的陰離子化合物，其中該氮化物膜的表面電荷是正的。優(yōu)選它們是選自聚(丙烯酸)、聚(甲基丙烯酸)、聚(乙烯-共丙烯酸)以及聚(乙烯-共甲基丙烯酸)中的一種或多種化合物。還優(yōu)選分子量為1,000-1,250,000以便化合物迅速溶解于水溶液中。如果分子量小于1,000，則位阻效應(yīng)減弱；而如果分子量超過1,250,000，則產(chǎn)生帶來了拋光粒聚沉的問題。優(yōu)選地，相對于由去離子水和添加劑組成的含水添加劑總重量，待加入的上述羧酸高分子化合物量為0.001-5重量％。如果添加量小于0.001重量％，則添加沒有效果；而如果添加量超過5重量％，則往往會造成羧酸高分子化合物沒有完全溶解。
含氮有機環(huán)化合物起降低氮化物膜拋光速度并且增大選擇性的作用，這是通過改善其在丙烯酸化合物和氮化物膜之間的吸附作用來達到的。
優(yōu)選本發(fā)明含氮有機環(huán)化合物是選自以下化合物的一種或多種化合物1，3，5-三嗪、1，3，5-三嗪-2，4，6-三醇(氰尿酸)、1，3，5-三嗪-2，4，6-三氯化物(氰尿酰氯)、1，3，5-三嗪-2，4，6-三硫醇(三硫氰尿酸)、1，3，5-三嗪-2，4，6-三硫醇鈉鹽、1，3，5-三嗪-2，4，7-三硫醇三鈉鹽九水合物、3，5，7-三氨基-s-三唑并[4，3-a]-s-三嗪、1，3，5-三丙烯?；鶜?1，3，5-三嗪、2，4，6-三芳氧基-1，3，5-三嗪、三烯丙基-1，3，5-三嗪-2，4，6-(1H，3H，5H)-三酮、5-氮雜胞苷、5-氮雜胞嘧啶、4-氨基-1-β-D-阿拉伯糖呋喃基(arabinofuracyl)-1，3，5-三嗪-2(1H)-酮、氰尿酰氟、2-氯-4，6-二甲氧基-1，3，5-三嗪、2，4，6-三烯丙氧基-1，3，5-三嗪、2，4，6-三苯基-1，3，5-三嗪、2-氯-4，6-二氨基-1，3，5-三嗪、三聚氰胺、2，4，6-三(2-吡啶基)-1，3，5-三嗪、2，4，6-三(1’-吖丙啶基)-1，3，5-三嗪、1，2，4-三嗪-3，5(2H，4H)-二酮(6-氮雜尿素酶基)、6-氮雜-2-胸腺嘧啶、6-氮雜-2-硫代胸腺嘧啶、6-氮雜-2-硫代尿苷、6-氮雜尿素酶基(azaurasyl)、3-氨基-5，6-二甲基-1，2，4-三嗪、3-(2-吡啶基)-5，6-二苯基-1，2，4-三嗪、3-(2-吡啶基)-5，6-二(5-磺基-2-呋喃基)-1，2，4-三嗪二鈉鹽三水合物、3-(2-吡啶基)-5，6-二苯基-1，2，4-三嗪p，p′-二磺酸一鈉水合物、以及5，6-二-2-呋喃基-3-(2-吡啶基)-1，2，4-三嗪。優(yōu)選地，相對于包括去離子水和添加劑的含水添加劑的添加量，含氮有機環(huán)化合物的添加量為0.001-4重量％。如果添加量小于0.001重量％，則添加物沒有效果；而如果添加量超過4重量％，則氧化硅膜的拋光速度同時下降并因此選擇性減小。
同樣地，根據(jù)本發(fā)明，在化學(xué)機械拋光期間，被去離子水水解的氧化硅膜和拋光粒之間形成了化學(xué)鍵合。然后，通過拋光墊的物理力將與拋光?；瘜W(xué)結(jié)合的水解了的氧化硅膜從表面上除去。通過加入胺基化合物(其是一種水解促進劑)，當(dāng)它被吸附到氧化硅膜表面上時，可提高上層氧化硅的水解速度。由于這個原因，氧化硅膜迅速地與拋光粒結(jié)合，其導(dǎo)致氧化硅膜的去除速度提高。
優(yōu)選用于本發(fā)明的胺基化合物是選自以下的一種或多種化合物羥化四甲銨、羥化四甲銨五水合物、氟化四甲銨、氟化四甲銨四水合物、氯化四甲銨、溴化四甲銨、碘化四甲銨、硝酸四甲銨、硫酸四甲銨水合物、醋酸四甲銨、碳酸四甲銨、甲酸四甲銨、硅酸四甲銨、四氟硼酸四甲銨、硫代乙酸四甲銨、四甲基銨三乙酸基硼水合物、四甲基銨硼氫化物、四甲基銨(1-羥基次乙基)五羰基鉻、四甲基六氟磷酸銨、四甲基氫化鄰苯二甲酸(phythalate)銨、以及四甲基硫酸氫銨。相對于含水添加劑的總重量，上述化合物的用量為0.001-3重量％。如果添加量小于0.001重量％，則添加沒有效果；而如果添加量超過3重量％，則難于賦予選擇拋光特性，因為含水添加劑變成堿性時，如果含水添加劑與含水磨料結(jié)合使用，則pH值偏離了6-8的范圍。由于如此制造的溶液的pH值在粒子分散中起非常重要的作用，因此建議使用鹽酸、硫酸、硝酸或堿性溶液例如氫氧化鉀、氨水等等，以便另外調(diào)節(jié)pH值。
在此期間，上述含水磨料和含水添加劑結(jié)合使用，根據(jù)拋光特性采用適量的去離子水，其中相對于100重量份的含水粘合劑，使用含水添加劑50-300重量份以及去離子水0-500重量份。
具體實施例方式
從以下本發(fā)明優(yōu)選實施例的詳細說明將更好地理解前述及其它目的、方面和優(yōu)點。
通過將5重量％的二氧化鈰粒子(平均粒徑為60nm)和2重量％的聚丙烯酸銨鹽分散劑與去離子水相混合制得二氧化鈰水溶液。還制得了一種含水添加劑溶液，其中在去離子水中加入了1.5重量％的聚丙烯酸聚合物。通過在由此制得的漿料中加入KOH(一種pH值控制劑)將pH值調(diào)節(jié)到7。將300重量份含水添加劑和300重量份去離子水與在使用之前制得的100重量份二氧化鈰水溶液相混合。在TEOS前體化學(xué)吸附方法中涂布了1.0微米氧化硅膜層的覆蓋硅晶片(直徑6英寸)是利用GNP公司制造的CMP拋光設(shè)備中的Rodel SUVA IV墊，用混合漿料來拋光。拋光條件為下降壓力3.5psi，工作臺速度60rpm，頂端速度60rpm，溫度20℃，漿料流量150cc/min，并且持續(xù)1分鐘。去除速度的測量是用光學(xué)干涉儀測量通過CMP從硅晶片表面上去除的氧化硅膜量，以每分鐘去除的氧化硅膜的以計的量來表示。
在此期間，在低壓化學(xué)吸附方法中涂布了0.3微米氮化硅膜層的覆蓋硅晶片(直徑6英寸)是在上述CMP拋光設(shè)備中采用相同的漿料來拋光。去除速度的測量是用光學(xué)干涉儀測量通過CMP從硅晶片表面上去除的氧化硅膜量，以每分鐘去除的氧化硅膜的以計的量來表示。拋光速度和氮化硅膜相對于氧化硅膜的選擇性示于下表1[優(yōu)選實施例2]通過將5重量％的二氧化鈰粒子(平均粒徑為60nm)和2重量％的聚丙烯酸銨鹽分散劑與去離子水相混合制得二氧化鈰水溶液。還制得了一種含水添加劑溶液，其中在去離子水中加入了1.5重量％的聚丙烯酸聚合物。加入2重量％的三嗪，它是一種含氮有機環(huán)化合物。如此制得的二氧化鈰水溶液和含水添加劑水溶液的混合及拋光條件與優(yōu)選實施例1相同，并且其結(jié)果示于下表1[優(yōu)選實施例3]通過將5重量％的二氧化鈰粒子(平均粒徑為60nm)和2重量％的聚丙烯酸銨鹽分散劑與去離子水相混合制得二氧化鈰水溶液。在去離子水中加入1.5重量％的聚丙烯酸聚合物、2重量％的三嗪化合物(作為含氮有機環(huán)化合物)、1重量％的羥化四甲銨(作為胺基化合物)。利用鹽酸將pH值調(diào)節(jié)到7。如此制得的二氧化鈰水溶液和含水添加劑水溶液的混合及拋光條件與優(yōu)選實施例1相同，并且其結(jié)果示于下表1[對比例]通過將5重量％的二氧化鈰粒子(平均粒徑為60nm)和2重量％的聚丙烯酸銨鹽分散劑與去離子水相混合制得二氧化鈰水溶液。通過在由此所得的漿料中加入KOH(一種pH值控制劑)將pH值調(diào)節(jié)到7。將600重量份去離子水與制得的100重量份二氧化鈰水溶液相混合，然后在與實施例1相同的條件下拋光。其結(jié)果示于下表1[表1]

如上表1所示，與對比例相比，優(yōu)選實施例1中的漿料(其中聚丙烯酸聚合物是一種添加劑)具有去除選擇性改善的拋光效果。然而，通過僅加入聚丙烯酸高分子化合 物不可能得到理想的選擇性。此外，已表明當(dāng)氧化硅膜去除速度小而氮化硅膜去除速度大時，選擇性往往也會小。
在優(yōu)選實施例2中，與優(yōu)選實施例1相比，通過加入含氮有機環(huán)化合物有可能降低氮化物的拋光速度和提高選擇性。
在優(yōu)選實施例3中，通過在漿料中加入胺基化合物提高了上層氧化硅膜的水解速度，該胺基化合物是一種水解促進劑。由于這個原因，氧化硅膜迅速地與拋光粒結(jié)合，這導(dǎo)致氧化硅膜的去除速度得到了提高。
工業(yè)實用性如以上評述，在本發(fā)明的化學(xué)機械拋光漿料中，使用了一種含氮化合物以便降低氮化物膜的拋光速度，在包含聚丙烯酸高分子化合物來增大去除選擇性的情況下，該氮化物膜對于選擇性有最大的影響。并且通過加入胺基化合物，氧化硅膜相對于氮化硅膜的去除選擇性得到了顯著改善，該胺基化合物是一種氧化硅膜的水解促進劑。
雖然已經(jīng)根據(jù)一些優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認識到，本發(fā)明在所附權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)進行修改也可實施。
權(quán)利要求
1.一種用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其包含含水磨料溶液，該含水磨料溶液是一種去離子水、拋光粒和拋光粒分散劑的混合物；以及用于增大去除選擇性的含水添加劑溶液，其特征在于100重量份所述含水磨料溶液與50-300重量份所述含水添加劑溶液相混合。
2.權(quán)利要求1所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于所述含水磨料溶液是由所述去離子水、0.01-30重量％的所述拋光粒和0.1-10重量％的表面活性劑組成。
3.權(quán)利要求2所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于所述含水添加劑溶液是由所述去離子水、0.001-5重量％的聚(甲基)丙烯酸聚合物、0.001-4重量％的含氮有機環(huán)化合物、和0.001-3重量％的胺基化合物組成。
4.權(quán)利要求3所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于所述拋光粒是選自二氧化鈰、氧化鋁、二氧化硅和二氧化鈦中的一種或多種化合物。
5.權(quán)利要求4所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于所述拋光粒的粒度為0.002-10微米。
6.權(quán)利要求3所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于所述表面活性劑是選自聚丙烯酸銨鹽、聚甲基丙烯酸銨鹽、聚丙烯酸胺鹽、聚甲基丙烯酸胺鹽、聚(乙烯-共丙烯酸)銨鹽、聚(乙烯-共丙烯酸)胺鹽、聚(乙烯-共甲基丙烯酸)銨鹽、以及聚(乙烯-共甲基丙烯酸)胺鹽中的一種或多種化合物。
7.權(quán)利要求6所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于所述表面活性劑的分子量為1,000-1,250,000。
8.權(quán)利要求3所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于所述聚(甲基)丙烯酸聚合物是選自聚(丙烯酸)、聚(甲基丙烯酸)、聚(乙烯-共丙烯酸)、以及聚(乙烯-共甲基丙烯酸)中的一種或多種化合物。
9.權(quán)利要求3所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于所述含氮有機環(huán)化合物是選自以下化合物的一種或多種化合物1，3，5-三嗪、1，3，5-三嗪-2，4，6-三醇(氰尿酸)、1，3，5-三嗪-2，4，6-三氯化物(氰尿酰氯)、1，3，5-三嗪-2，4，6-三硫醇(三硫氰尿酸)、1，3，5-三嗪-2，4，6-三硫醇鈉鹽、1，3，5-三嗪-2，4，7-三硫醇三鈉鹽九水合物、3，5，7-三氨基-s-三唑并[4，3-a]-s-三嗪、1，3，5-三丙烯?；鶜?1，3，5-三嗪、2，4，6-三芳氧基-1，3，5-三嗪、三烯丙基-1，3，5-三嗪-2，4，6-(1H，3H，5H)-三酮、5-氮雜胞苷、5-氮雜胞嘧啶、4-氨基-1-β-D-阿拉伯糖呋喃基-1，3，5-三嗪-2(1H)-酮、氰尿酰氟、2-氯-4，6-二甲氧基-1，3，5-三嗪、2，4，6-三烯丙氧基-1，3，5-三嗪、2，4，6-三苯基-1，3，5-三嗪、2-氯-4，6-二氨基-1，3，5-三嗪、三聚氰胺、2，4，6-三(2-吡啶基)-1，3，5-三嗪、2，4，6-三(1’-吖丙啶基)-1，3，5-三嗪、1，2，4-三嗪-3，5(2H，4H)-二酮(6-氮雜尿素酶基)、6-氮雜-2-胸腺嘧啶、6-氮雜-2-硫代胸腺嘧啶、6-氮雜-2-硫代尿苷、6-氮雜尿素酶基、3-氨基-5，6-二甲基-1，2，4-三嗪、3-(2-吡啶基)-5，6-二苯基-1，2，4-三嗪、3-(2-吡啶基)-5，6-二(5-磺基-2-呋喃基)-1，2，4-三嗪二鈉鹽三水合物、3-(2-吡啶基)-5，6-二苯基-1，2，4-三嗪p，p′-二磺酸一鈉水合物、以及5，6-二-2-呋喃基-3-(2-吡啶基)-1，2，4-三嗪。
10.權(quán)利要求3所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于所述胺基化合物是選自以下化合物的一種或多種化合物羥化四甲銨、羥化四甲銨五水合物、氟化四甲銨、氟化四甲銨四水合物、氯化四甲銨、溴化四甲銨、碘化四甲銨、硝酸四甲銨、硫酸四甲銨水合物、醋酸四甲銨、碳酸四甲銨、甲酸四甲銨、硅酸四甲銨、四氟硼酸四甲銨、硫代乙酸四甲銨、四甲基銨三乙酸基硼水合物、四甲基銨硼氫化物、四甲基銨(1-羥基次乙基)五羰基鉻、四甲基六氟磷酸銨、四甲基氫化鄰苯二甲酸銨、以及四甲基硫酸氫銨。
11.權(quán)利要求1-10中任一項所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于相對于所述含水磨料溶液的量，添加至多500重量份的所述去離子水。
12.權(quán)利要求1-10中所述的用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，其特征在于通過使用選自鹽酸、硫酸、硝酸、氫氧化鉀和氨水中的一種或多種化合物將所述化學(xué)機械拋光漿料的pH值調(diào)節(jié)到6-8的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于淺溝隔離的化學(xué)機械拋光漿料，更具體地，涉及一種如下組成的化學(xué)機械拋光漿料，其包含由去離子水、拋光粒和拋光粒分散劑組成的含水磨料溶液；由羧酸高分子化合物、含氮有機環(huán)化合物和胺基化合物組成的含水添加劑溶液。通過在丙烯酸高分子化合物中加入含氮有機環(huán)化合物顯著地降低氮化物膜的拋光速度，并且通過添加胺基化合物增大氧化硅膜的去除速度，從而可改善該漿料的去除選擇性，其中該胺基化合物是一種氧化硅膜的水解促進劑。
文檔編號C09K3/14GK1938394SQ200580009957
公開日2007年3月28日 申請日期2005年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者南浩成, 李鎮(zhèn)瑞, 安貴龍 申請人:韓華石油化學(xué)株式會社