技術(shù)編號：3731332
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的一個目的是提供一種化學機械拋光漿料，其可用于有選擇地除去化學機械拋光漿料中的氧化硅膜，該漿料用于器件的淺溝隔離加工。背景技術(shù) 近幾年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，器件尺寸的減小和高集成化正在加速發(fā)展。在記憶半導(dǎo)體的情形中，由于電容器的位置由CUB(位線下電容器)變成了COB(位線上電容器)并且電容器的形狀變成了圓柱形結(jié)構(gòu)，以便當集成程度逐漸增加時增加電容器容量，而且當多層電路用于邏輯集成電路時疊層工序是接著進行的，因此晶片表面是在那些工序之后層疊上的，...
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