~70g/10 分鐘，進(jìn)一步優(yōu)選為19~60g/10分鐘，從能夠抑制火花的產(chǎn)生、提高發(fā)泡率的方面出發(fā)，進(jìn) 一步更優(yōu)選為34~50g/10分鐘，特別優(yōu)選為34~42g/10分鐘。
[0066] 上述MFR為依據(jù)ASTM D-1238利用直徑2. 1_、長度8mm的模具在負(fù)荷5kg、372°C 的條件下測(cè)定的值。
[0067] 氟樹脂可以通過使用通常的聚合方法例如乳液聚合、懸浮聚合、溶液聚合、本體聚 合、氣相聚合等各方法將單體成分進(jìn)行聚合來合成。上述聚合反應(yīng)中，有時(shí)也使用甲醇等鏈 轉(zhuǎn)移劑。也可以不使用含有金屬離子的試劑而通過聚合且分離來制造氟樹脂。
[0068] 氟樹脂可以為在聚合物主鏈和聚合物側(cè)鏈中的至少一者的部位具有_CF3、-CF 2H 等末端基團(tuán)的氟樹脂，雖然沒有特別限制，但優(yōu)選為進(jìn)行了氟化處理的氟樹脂。未進(jìn)行氟化 處理的氟樹脂有時(shí)具有-COOH、-CH 2OH、-COF、-〇)順2等對(duì)熱特性和電特性不穩(wěn)定的末端基 團(tuán)（以下，將這樣的末端基團(tuán)也稱為"不穩(wěn)定末端基團(tuán)"）。通過上述氟化處理，能夠降低這 樣的不穩(wěn)定末端基團(tuán)。
[0069] 氟樹脂優(yōu)選上述不穩(wěn)定末端基團(tuán)少或者不含有上述不穩(wěn)定末端基團(tuán)，更優(yōu)選上述 4種不穩(wěn)定末端基團(tuán)與-CF 2H末端基團(tuán)的合計(jì)數(shù)相對(duì)于I X IO6個(gè)碳原子數(shù)為50個(gè)以下。超 過50個(gè)時(shí)，可能產(chǎn)生成型不良。上述不穩(wěn)定末端基團(tuán)更優(yōu)選為20個(gè)以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10 個(gè)以下。本說明書中，上述不穩(wěn)定末端基團(tuán)數(shù)為由紅外吸收光譜測(cè)定得到的值。也可以不 存在上述不穩(wěn)定末端基團(tuán)和-CF 2H末端基團(tuán)而全部為-CF3末端基團(tuán)。
[0070] 上述氟化處理可以通過使未進(jìn)行氟化處理的氟樹脂與含氟化合物接觸來進(jìn)行。
[0071] 作為上述含氟化合物，沒有特別限定，可以舉出在氟化處理?xiàng)l件下產(chǎn)生氟自由基 的氟自由基源。作為上述氟自由基源，可以舉出：F 2氣體、CoF3、AgF2、UF6、OF2、N 2F2、CF3OF& 及氟化鹵素（例如IF5、ClF 3)等。
[0072] 上述F2氣體等氟自由基源可以是濃度為100%的物質(zhì)，但從安全性的方面出發(fā)，優(yōu) 選與惰性氣體混合而稀釋至5~50質(zhì)量％、優(yōu)選15~30質(zhì)量％來使用。作為上述惰性氣 體，可以舉出氮?dú)狻⒑狻鍤獾?，從?jīng)濟(jì)方面出發(fā)，優(yōu)選氮?dú)狻?br>[0073] 上述氟化處理的條件沒有特別限定，可以使熔融狀態(tài)的氟樹脂與含氟化合物接 觸，通?？梢栽诜鷺渲娜埸c(diǎn)以下、優(yōu)選20~220°C、更優(yōu)選100~200°C的溫度下進(jìn)行。上 述氟化處理一般進(jìn)行1~30小時(shí)，優(yōu)選進(jìn)行5~20小時(shí)。
[0074] 上述氟化處理優(yōu)選使未進(jìn)行氟化處理的氟樹脂與氟氣（F2氣體）接觸。
[0075] 化合物（B)為下式（1)或下式（2)表示的磺酸或者這些磺酸的鹽。
[0076] F(CF2)nSO3H (1)
[0077] (式中，η為4或5)
[0078] F(CF2)nCH2CH2SO3H (2)
[0079] (式中，η為4或5)
[0080] 化合物（B)的η為4或5,因此，能夠制造平均氣泡直徑小且發(fā)泡率高、火花產(chǎn)生少 的發(fā)泡成型體和發(fā)泡電線。另外，通過使用上述化合物（Β)，能夠應(yīng)對(duì)PF0S(全氟辛烷磺酸 鹽）問題這樣的環(huán)境問題。
[0081] 式⑴或式⑵表示的磺酸或其鹽中，η為3以下時(shí)，在進(jìn)行了包覆成型的情況下， 所形成的包覆材料中的氣泡的平均氣泡直徑增大。η為6以上時(shí)，火花的產(chǎn)生容易增多。
[0082] 從平均氣泡直徑的大小與火花產(chǎn)生的難易性的平衡的方面出發(fā)，優(yōu)選化合物（B) 的上述η為4。
[0083] 從由本發(fā)明的組合物得到的包覆材料的平均氣泡直徑與發(fā)泡率的平衡良好的方 面出發(fā)，優(yōu)選化合物（B)為式（1)或式（2)表示的磺酸、或者這些磺酸的堿金屬鹽或堿土金 屬鹽。從耐熱性優(yōu)異的方面出發(fā)，更優(yōu)選為堿金屬鹽或堿土金屬鹽。
[0084] 從由本發(fā)明的組合物得到的包覆材料的平均氣泡直徑與發(fā)泡率的平衡良好的方 面出發(fā)，進(jìn)一步優(yōu)選為式（1)或式（2)表示的磺酸的鋇鹽、鉀鹽、鈉鹽或銣鹽。
[0085] 從即使上述化合物（B)的含量少也能夠制造平均氣泡直徑小且發(fā)泡率高、火花產(chǎn) 生少的包覆材料的方面出發(fā)，特別優(yōu)選鈉鹽或銣鹽。
[0086] 本發(fā)明的組合物中，化合物⑶的含量相對(duì)于氟樹脂⑷優(yōu)選為2000ppm以下，更 優(yōu)選為1500ppm以下。進(jìn)一步優(yōu)選為1000 ppm以下，進(jìn)一步更優(yōu)選為500ppm以下，特別優(yōu) 選為250ppm以下。
[0087] 本發(fā)明的組合物中，化合物（B)的含量相對(duì)于氟樹脂（A)優(yōu)選為0.0 lppm以上。更 優(yōu)選為〇. Ippm以上。
[0088] 化合物⑶的含量過少時(shí)，所得到的包覆材料中難以得到微細(xì)的氣泡，過多時(shí)，可 能大量產(chǎn)生火花。
[0089] 在化合物（B)為鋇鹽的情況下，本發(fā)明的組合物中，化合物（B)的含量相對(duì)于氟樹 脂（A)優(yōu)選為1500ppm以下。更優(yōu)選為1000 ppm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為500ppm以下。
[0090] 在化合物（B)為鋇鹽的情況下，本發(fā)明的組合物中，化合物（B)的含量相對(duì)于氟樹 脂⑷優(yōu)選為〇. Olppm以上。更優(yōu)選為0.1 ppm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為Ippm以上，進(jìn)一步更優(yōu) 選為4ppm以上，特別優(yōu)選為IOppm以上。
[0091] 化合物（B)的含量過少時(shí)，難以得到微細(xì)的氣泡，過多時(shí)，可能大量產(chǎn)生火花。
[0092] 在化合物（B)為鉀鹽的情況下，本發(fā)明的組合物中，化合物（B)的含量相對(duì)于氟樹 脂⑷優(yōu)選為2000ppm以下。更優(yōu)選為1500ppm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1000 ppm以下，特別優(yōu) 選為500ppm以下。
[0093] 在化合物（B)為鉀鹽的情況下，本發(fā)明的組合物中，化合物（B)的含量相對(duì)于氟樹 脂⑷優(yōu)選為〇. Olppm以上。更優(yōu)選為0.1 ppm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為Ippm以上，進(jìn)一步更優(yōu) 選為4ppm以上，特別優(yōu)選為IOppm以上。
[0094] 化合物（B)的含量過少時(shí)，難以得到微細(xì)的氣泡，過多時(shí)，可能大量產(chǎn)生火花。
[0095] 化合物（B)優(yōu)選為鈉鹽。在化合物（B)為鈉鹽的情況下，本發(fā)明的組合物中，化合 物（B)的含量相對(duì)于氟樹脂（A)優(yōu)選為250ppm以下。更優(yōu)選為IOOppm以下。
[0096] 在化合物（B)為鈉鹽的情況下，本發(fā)明的組合物中，化合物（B)的含量相對(duì)于氟樹 脂⑷優(yōu)選為〇. Olppm以上。更優(yōu)選為0.1 ppm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為Ippm以上，進(jìn)一步更優(yōu) 選為4ppm以上，特別優(yōu)選為IOppm以上。
[0097] 化合物（B)的含量過少時(shí)，難以得到微細(xì)的氣泡，過多時(shí)，可能大量產(chǎn)生火花。
[0098] 從極其容易控制發(fā)泡率的方面出發(fā)，優(yōu)選化合物（B)為銣鹽。在化合物（B)為銣 鹽的情況下，本發(fā)明的組合物中，化合物（B)的含量相對(duì)于氟樹脂（A)優(yōu)選為500ppm以下。 更優(yōu)選為250ppm以下。
[0099] 在化合物（B)為銣鹽的情況下，本發(fā)明的組合物中，化合物（B)的含量相對(duì)于氟樹 脂⑷優(yōu)選為〇. Olppm以上。更優(yōu)選為0.1 ppm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為Ippm以上，進(jìn)一步更優(yōu) 選為4ppm以上，特別優(yōu)選為IOppm以上。
[0100] 化合物（B)的含量過少時(shí)，難以得到微細(xì)的氣泡，過多時(shí)，可能大量產(chǎn)生火花。
[0101] 一般而言，與C-H鍵相比，C-F鍵的鍵能更大，在化學(xué)性質(zhì)上為更牢固的結(jié)構(gòu)，因 此，更優(yōu)選化合物（B)為不含有C-H鍵的式（1)表示的磺酸或其鹽。
[0102] 本發(fā)明的組合物優(yōu)選還含有氮化硼。通過含有氮化硼，能夠得到具有平均氣泡直 徑更小、更微細(xì)且更均勻的氣泡的包覆材料。
[0103] 氮化硼優(yōu)選平均粒徑為8. 0 μπι以上。以往，存在使氮化硼的平均粒徑小的傾向， 未具體研宄過使用平均粒徑較大的氮化硼的方案。
[0104] 本發(fā)明的組合物含有具有上述特定范圍的平均粒徑的氮化硼，由此能夠形成具備 平均氣泡直徑更小、發(fā)泡率更高的包覆材料的發(fā)泡電線。
[0105] 更優(yōu)選氮化硼的平均粒徑為9.0 μπι以上，進(jìn)一步優(yōu)選為10.0 μπι以上，進(jìn)一步更 優(yōu)選為10. 5 μπι以上，特別優(yōu)選為11. 0 μπι以上，更特別優(yōu)選為12. 0 μπι以上，最優(yōu)選為 13·0μπι 以上。
[0106] 另外，氮化硼的平均粒徑過大時(shí)，平均氣泡直徑可能增大，可能大量產(chǎn)生火花。氮 化硼的平均粒徑優(yōu)選為25 μπι以下，更優(yōu)選為20 μπι以下。
[0107] 通過使氮化硼的平均粒徑為上述范圍，能夠形成具有微細(xì)且均勻的氣泡的包覆材 料。
[0108] 氮化硼的平均粒徑為使用激光衍射-散射式粒度分布分析裝置求出的值。在使用 濕式法的情況下，適當(dāng)選擇介質(zhì)即可，例如使用甲醇等即可。
[0109] 氮化硼的由（D84-D16)/D50表示的粒度分布優(yōu)選為1. 2以下
[0110] D84、D50和D16表示在將氮化硼的粉體集團(tuán)的總體積設(shè)為100%來求出累積曲線 時(shí)該累積曲線達(dá)到84%的點(diǎn)的粒徑（μ m)、達(dá)到50%的點(diǎn)的粒徑（μ m)、達(dá)到16%的點(diǎn)的粒 徑（ym)。需要說明的是，粒度分布的累積自小粒徑側(cè)進(jìn)行。上述粉體集團(tuán)的總體積通過制 備使氮化硼的粉體分散到甲醇等介質(zhì)中而成的樣品并使用激光衍射-散射式粒度分布分 析裝置（例如，日機(jī)裝株式會(huì)社制造的Microtrack MT3300)來得到。
[0111] 通過使氮化硼的粒度分布為上述范圍，能夠形成具有微細(xì)且均勻的氣泡的包覆材 料，并且能夠進(jìn)一步抑制火花的產(chǎn)生。
[0112] 上述粒度分布更優(yōu)選為I. 1以下，進(jìn)一步優(yōu)選為I. 0以下。粒度分布的下限沒有 特別限定，例如可以為0. 1。
[0113] 上述粒度分布（體積粒度分布）的累積曲線為使用激光衍射-散射式粒度分布分 析裝置（例如，日機(jī)裝株式會(huì)社制造的Microtrack MT3300)得到的累積曲線。在使用濕式 法的情況下，適當(dāng)選擇介質(zhì)即可，例如使用甲醇等即可。
[0114] 氮化硼優(yōu)選為粉碎后的氮化硼。氮化硼為粉碎后的氮化硼時(shí)，能夠進(jìn)一步抑制火 花的產(chǎn)生。
[0115] 上述粉碎可以利用能夠使氮化硼的平均粒徑、粒度分布在上述范圍內(nèi)的方法和條 件來進(jìn)行。例如，適當(dāng)選擇粉碎機(jī)的種類、條件來進(jìn)行。作為上述粉碎機(jī)