本發(fā)明屬于半導體電子清洗技術領域，尤其涉及一種清洗徹底且效率高的半導體硅片清洗劑及生產方法。

背景技術：

半導體硅片質量的優(yōu)劣直接關系到終極產品的品質。由于經過切割后的硅片表面附著油污、指紋、金屬雜質和粉塵等臟污，為保證半導體硅片質量，需要進行有效的清洗。目前，半導體硅片清洗液主要包含乳化劑、絡合劑、有機堿、無機堿、溶劑、分散劑和助劑等成分，對于長碳鏈油污的處理能力有限，在實際清洗過程中只能延長清洗時間（單槽清洗時間通常大于3分鐘）以保證清洗合格率，存在著清洗效率低的問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有技術所存在的上述技術問題，提供一種清洗徹底且效率高的半導體硅片清洗劑及生產方法。

本發(fā)明的技術解決方案是：一種半導體硅片清洗液，其特征在于由A組分和B組份按體積比為1~4：1~4混合組成，所述A組分的原料及質量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）3~10%、乙二胺四乙酸鈉鹽0.5~5%、氫氧化鉀1~10%、磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5-15%和純水余量；所述B組分為質量百分比濃度0.5~2%的二氧化氯水溶液。

最佳配比為：A組分所用原料及質量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚7%、乙二胺四乙酸鈉鹽3%、氫氧化鉀5%、磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽0.2%、二乙二醇丁醚10%和純水余量；B組分為質量百分比濃度1%的二氧化氯水溶液； A組分和B組分的體積比為2:1。

一種上述半導體硅片清洗液的生產方法，其特征在于所述A組分按照如下步驟進行：先將計算量的氫氧化鉀和乙二胺四乙酸鈉鹽溶解在定量的純水中，再依次注入計算量的磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽和脂肪醇聚氧乙烯醚，攪拌15分鐘后添加計算量的二乙二醇丁醚，繼續(xù)攪拌20分鐘。

本發(fā)明原料來源廣泛，制備方法簡單，各組分相互作用，不但具有較好的乳化、潤濕、滲透和穩(wěn)定性能，而且能夠氧化硅片表面的長碳鏈油污，使難清洗的長碳鏈油污改性或分解成易清洗的短碳鏈油污，從而加速清洗進程，具有清洗徹底且效率高的顯著特點。

具體實施方式

實施例1：

所用原料及質量百分比如下：A組分為脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）7%、乙二胺四乙酸鈉鹽3%、氫氧化鉀5%、磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽0.2%、二乙二醇丁醚10%和純水74.8%；B組分為1%二氧化氯水溶液。

生產方法如下：A組分按照如下步驟進行：先將計算量的氫氧化鉀和乙二胺四乙酸鈉鹽溶解在定量的純水中，再依次注入計算量的磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽和脂肪醇聚氧乙烯醚，攪拌速度為200轉/分鐘攪拌15分鐘后添加計算量的二乙二醇丁醚，200轉/分鐘繼續(xù)攪拌20分鐘；B組分是將計算量的二氧化氯溶于純水中即可。

以實施例1的清洗液采用加熱超聲的清洗方式，兩槽工藝；單槽的溫度設定為55℃，添加實施例1的清洗液6L，組分A和B體積比例為2:1。清洗時間為2.3分鐘，清洗合格率高達99.85%。

實施例2：

所用原料及質量百分比如下：A組分為脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）3%、乙二胺四乙酸鈉鹽5%、氫氧化鉀1%、磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽0.5%、二乙二醇丁醚5%和純水85.5%；B組分為2%二氧化氯水溶液。

生產方法同實施例1。

以實施例2的清洗液采用加熱超聲的清洗方式，兩槽工藝；單槽的溫度設定為55℃，添加實施例2的清洗液6L，組分A和B體積比例為4:1。清洗時間為2.5分鐘，清洗合格率高達99.40%。

實施例3：

所用原料及質量百分比如下：A組分為脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）10%、乙二胺四乙酸鈉鹽0.5%、氫氧化鉀2%、磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽0.1%、二乙二醇丁醚10%和純水77.4%；B組分為0.5%二氧化氯水溶液；A組分和B組分的質量比為2:1。

生產方法同實施例1。

以實施例3的清洗液采用加熱超聲的清洗方式，兩槽工藝；單槽的溫度設定為55℃，添加實施例3的清洗液6L，組分A和B體積比例為1:4。清洗時間為2分鐘，清洗合格率高達99.55%。

實施例4：

所用原料及質量百分比如下：A組分為脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）4%、乙二胺四乙酸鈉鹽3%、氫氧化鉀10%、磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽0.2%、二乙二醇丁醚15%和純水67.8%；B組分為0.5%二氧化氯水溶液；A組分和B組分的質量比為2:1。

生產方法同實施例1。

以實施例4的清洗液采用加熱超聲的清洗方式，兩槽工藝；單槽的溫度設定為55℃，添加實施例4的清洗液6L，組分A和B體積比例為1:1。清洗時間為2.5分鐘，清洗合格率高達99.60%。