技術特征：

1.化合物，其包含至少一個選自式(I-a)和式(I-b)的結構單元M

其中

X¹和X²彼此獨立地為S或Se；

Ar¹、Ar²、Ar³和Ar⁴彼此獨立地為具有5至30個芳香族環(huán)原子的雜芳基，所述雜芳基未被取代或被一個或多個基團R^S取代；

a為0或1至10的整數(shù)；

Ar⁵在每次出現(xiàn)時獨立地選自以下：-CR^S＝CR^S-、-C≡C-，具有6至30個芳香族碳原子的亞芳基和具有5至30個芳香族環(huán)原子的亞雜芳基，其中所述亞芳基或亞雜芳基可未被取代或被一個或多個基團R^S取代；

R^S在每次出現(xiàn)時獨立地選自以下：如本文所定義的任意基團R^T，具有1至40個碳原子的烴基，其中該烴基可進一步被一個或多個基團R^T取代，和具有1至40個碳原子、包含一個或多個雜原子的烴基，該一個或多個雜原子選自N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge，其中N、O和S是優(yōu)選的雜原子，其中該烴基可進一步被一個或多個基團R^T取代；

R^T在每次出現(xiàn)時獨立地選自以下：F、Br、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(O)NR⁰R⁰⁰、-C(O)X⁰、-C(O)R⁰、-NH₂、-NR⁰R⁰⁰、-SH、-SR⁰、-SO₃H、-SO₂R⁰、-OH、-OR⁰、-NO₂、-SF₅和-SiR⁰R⁰⁰R⁰⁰⁰；

R⁰、R⁰⁰和R⁰⁰⁰在每次出現(xiàn)時彼此獨立地選自以下：H、F、具有1至40個碳原子的烴基；且

X⁰是鹵素。

2.根據(jù)權利要求1的化合物，其中X¹和X²都是S。

3.根據(jù)前述權利要求中任一項或多項的化合物，其中所述結構單元M具有式(I-a)。

4.根據(jù)前述權利要求中任一項的化合物，其中Ar¹、Ar²、Ar³和Ar⁴彼此獨立地選自式(H-1)至(H-34)

其中

V在每次出現(xiàn)時獨立地為CR⁷或N，

W在每次出現(xiàn)時獨立地選自O、S和Se，

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶和所存在的任意R⁷彼此獨立地選自H和R^S。

5.根據(jù)前述權利要求中任一項或多項的化合物，其中a不為0，以及Ar⁵在每次出現(xiàn)時獨立地選自以下：具有電子供體性質的亞芳基或亞雜芳基和具有電子受體性質的亞芳基或亞雜芳基。

6.根據(jù)前述權利要求中任一項或多項的化合物，其中a為1。

7.根據(jù)前述權利要求中任一項或多項的化合物，其中所述化合物包含至少兩個結構單元M。

8.根據(jù)前述權利要求中任一項或多項的化合物，其中所述化合物是低聚物或聚合物。

9.根據(jù)前述權利要求中任一項或多項的化合物，所述化合物具有式(III-a)

其中m為至少10。

10.混合物或共混物，其包含一種或多種權利要求1至9中任一項或多項的化合物和一種或多種選自以下的化合物或聚合物：粘合劑和具有半導體、電荷傳輸、空穴傳輸、電子傳輸、空穴阻擋、電子阻擋、導電、光導或發(fā)光性質的化合物或聚合物。

11.調配物，其包含權利要求1至9中任一項或多項的化合物和有機溶劑。

12.權利要求1至9中任一項或多項的化合物的用途，其作為電荷傳輸、半導體、導電、光導或發(fā)光材料用于光學、電光學、電子、電致發(fā)光或光致發(fā)光組件或器件中。

13.電荷傳輸、半導體、導電、光導或發(fā)光材料，其包含權利要求1至9中任一項或多項的化合物。

14.組件或器件，其包含權利要求1至9中任一項或多項的化合物，所述組件或器件選自以下：有機場效應晶體管(OFET)、薄膜晶體管(TFT)、集成電路(IC)、邏輯電路、電容器、射頻識別(RFID)標簽、器件或組件、有機發(fā)光二極管(OLED)、有機發(fā)光晶體管(OLET)、平板顯示器、顯示器的背光、有機光伏器件(OPV)、有機太陽能電池(O-SC)、光電二極管、激光二極管、光電導體、有機光電探測器(OPD)、電子照相器件、電子照相記錄器件、有機存儲器件、傳感器器件、聚合物發(fā)光二極管(PLED)中的電荷注入層、電荷傳輸層或中間層、肖特基二極管、平坦化層、抗靜電膜、聚合物電解質膜(PEM)、導電基板、導電圖案、電池中的電極材料、配向層、生物傳感器、生物芯片、安全標記、安全器件和用于檢測和辨別DNA序列的組件或器件。

15.根據(jù)權利要求14的組件或器件，所述組件或器件選自以下：有機場效應晶體管(OFET)、薄膜晶體管(TFT)、集成電路(IC)、射頻識別(RFID)標簽、有機發(fā)光器件(OLED)、有機發(fā)光晶體管(OLET)和顯示器的背光。