本發(fā)明涉及包含基于四-雜芳基引達(dá)省并(indaceno)二噻吩的結(jié)構(gòu)單元的化合物、這樣的化合物的合成以及它們?cè)谟袡C(jī)電子器件中的用途。本發(fā)明進(jìn)一步涉及包含這樣的化合物的有機(jī)電子器件?，F(xiàn)有技術(shù)的背景和描述近年來，已經(jīng)做出重大努力來研發(fā)有機(jī)半導(dǎo)體(OSC)材料以能夠制造更通用、更低成本的電子器件。這樣的材料可應(yīng)用于寬范圍的器件或裝置中，例如有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、光電探測(cè)器、有機(jī)光伏(OPV)電池、傳感器、存儲(chǔ)元件和邏輯電路(僅舉幾例)。有機(jī)半導(dǎo)電材料通常以例如厚度介于50nm與300nm之間的薄層形式存在于電子器件中。呈“小分子”形式(例如并五苯)或呈聚合物形式(例如聚(己基噻吩))的多環(huán)芳香族化合物因?yàn)樗鼈兊牧己玫陌雽?dǎo)體性質(zhì)而廣泛用于有機(jī)電子器件中，然而，這些材料具有許多缺點(diǎn)，其妨礙大規(guī)模商業(yè)制造。通常，這些多環(huán)芳香族化合物的特征在于低溶解度，且因此通常僅可通過氣相沉積方法來處理。此外，它們也難以合成且在一些情形下(例如并五苯)對(duì)氧化極其敏感。除此以外，它們的電荷-載子遷移率和開/關(guān)比仍有改良的空間。一類有前途的共軛聚合物是基于茚并芴單元，且首次在S.Setayesh等人，Macromolecules2000，33，2016-2020(DOI:10.1021/ma9914366)中經(jīng)報(bào)導(dǎo)作為電致發(fā)光應(yīng)用中的藍(lán)光發(fā)射的候選材料。已于WO2007/131582中公開了茚并芴共聚物作為有機(jī)半導(dǎo)體材料應(yīng)用于晶體管器件中。包含引達(dá)省并二噻吩單元的聚合物已公開于例如WO2012/174561；WO2012/088698；EP2075274A1；W.Wen等人，Chem.Commun.,2013,49,7192(DOI:10.1039/c3cc43229g)；C.Y.Yu等人,Chem.Mater.2009,21,3262–3269(DOI:10.1021/cm9007798)；C.P.Chen等人,J.Am.Chem.Soc.2008,130,12828–12833；Y.Sun等人,J.Mater.Chem.,2011,21,13247(DOI:10.1039/c1jm11564b)；J.H.Tsai等人,JournalofPolymerScience:部分A:PolymerChemistry,第48卷,2351–2360(2010)(DOI:10.1002/pola.24002)；Y.Zhang等人,Macromolecules2011,44,4752-4758(DOI:10.1021/ma2008699)；S.H.Chan等人,Macromolecules2008,41,5519-5526(DOI:10.1021/ma800494k)；I.McCulloch等人,NatureMaterials,第5卷,2006年4月,第328-333頁(DOI:10.1038/nmat1612)；和Y.C.Chen等人,J.Sol.EnergyEng.132(2),021103(2010年5月3日)(DOI:10.1115/1.4001150)。然而，所報(bào)導(dǎo)的電荷-載子遷移率最多達(dá)到0.2cm2/Vs，而大部分所報(bào)導(dǎo)的值遠(yuǎn)低于0.1cm2/Vs。因此，本發(fā)明的目的是提供新的有機(jī)半導(dǎo)體材料用于電子器件中。優(yōu)選地，這樣的新的有機(jī)半導(dǎo)體材料的特征在于在電子器件中良好的可加工性、高的電荷-載子遷移率、高的開/關(guān)比、良好的氧化穩(wěn)定性和長壽命中的一種或多種的有利性質(zhì)。此外，本發(fā)明的目的是擴(kuò)大本領(lǐng)域技術(shù)人員可獲得的半導(dǎo)體材料庫。本領(lǐng)域技術(shù)人員可從以下詳細(xì)描述和實(shí)例立即明了本發(fā)明的其他目的。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明人已令人驚奇地發(fā)現(xiàn)上述目的可通過本申請(qǐng)的化合物單獨(dú)地或以任何組合的形式實(shí)現(xiàn)。因此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝税辽僖粋€(gè)選自式(I-a)和式(I-b)的結(jié)構(gòu)單元M的化合物其中X1和X2彼此獨(dú)立地為S或Se；Ar1、Ar2、Ar3和Ar4彼此獨(dú)立地為具有5至30個(gè)芳香族環(huán)原子的雜芳基，所述雜芳基未被取代或被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RS取代；a為0或1至10的整數(shù)；Ar5在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自以下：-CRS＝CRS-、-C≡C-，具有6至30個(gè)芳香族碳原子的亞芳基和具有5至30個(gè)芳香族環(huán)原子的亞雜芳基，其中所述亞芳基或亞雜芳基可未被取代或被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RS取代；RS在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自以下：如本文所定義的任意基團(tuán)RT，具有1至40個(gè)碳原子的烴基，其中該烴基可進(jìn)一步被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RT取代，和具有1至40個(gè)碳原子、包含一個(gè)或多個(gè)雜原子的烴基，該一個(gè)或多個(gè)雜原子選自N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge，其中N、O和S是優(yōu)選的雜原子，其中該烴基可進(jìn)一步被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RT取代；RT在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自以下：F、Br、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(O)NR0R00、-C(O)X0、-C(O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-OR0、-NO2、-SF5和-SiR0R00R000；R0、R00和R000在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地選自以下：H、F、具有1至40個(gè)碳原子的烴基；且X0是鹵素。本申請(qǐng)還提供了共混物或混合物，其包含所述化合物和一種或多種選自粘合劑和具有半導(dǎo)體、電荷傳輸、電荷阻擋、光導(dǎo)或發(fā)光性質(zhì)的化合物或聚合物的化合物。此外，本申請(qǐng)?zhí)峁┝税龌衔锖椭辽僖环N有機(jī)溶劑的調(diào)配物。此外，本申請(qǐng)?zhí)峁┝税陔娮悠骷械牟牧匣驅(qū)?，所述材料或?qū)影旧暾?qǐng)的化合物且所述材料或?qū)泳哂须姾蓚鬏敗雽?dǎo)體、導(dǎo)電、光導(dǎo)或發(fā)光性質(zhì)。此外，本申請(qǐng)?zhí)峁┝税旧暾?qǐng)的化合物的電子器件。附圖說明圖1顯示了使用聚合物1制備的實(shí)施例1的頂柵有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)的轉(zhuǎn)移特征和電荷載子遷移率。具體實(shí)施方式出于本申請(qǐng)的目的，星號(hào)(“*”)表示至相鄰單元或基團(tuán)的連接，或在聚合物的情形下至相鄰重復(fù)單元或任何其他基團(tuán)(例如末端基團(tuán)或封端基團(tuán))的連接。在本申請(qǐng)中，術(shù)語“亞芳基”用于表示通過從兩個(gè)環(huán)碳原子移除氫原子的得自芳烴的二價(jià)基團(tuán)(InternationalUnionofPureandAppliedChemistry,CompendiumofChemicalTechnology,GoldBook，2.3.2版，2012-08-19，第115頁)。在本申請(qǐng)中，術(shù)語“亞雜芳基”相應(yīng)地用于表示通過從兩個(gè)環(huán)碳原子移除氫的得自雜芳烴的二價(jià)基團(tuán)。如本文中所使用，術(shù)語“共軛”應(yīng)理解為意指主要含有具有sp2-雜化(或任選地也是sp-雜化)的C原子且其中這些C原子也可經(jīng)雜原子替代的化合物(例如聚合物)。在最簡(jiǎn)單的情形下，這是例如具有交替C-C單鍵和雙鍵(或三鍵)的化合物，但也包括具有如例如1,4-亞苯基的芳香族單元的化合物。在這方面，術(shù)語“主要”應(yīng)理解為意指具有天然(自發(fā))發(fā)生的缺陷或具有故意包括的缺陷(其可導(dǎo)致共軛中斷)的化合物仍視為共軛化合物。也參見InternationalUnionofPureandAppliedChemistry,CompendiumofChemicalTechnology,GoldBook，2.3.2版，2012年8月19日，第322-323頁。如本文中所使用，除非另有說明，否則分子量是以數(shù)均分子量Mn或重均分子量Mw給出，其是通過凝膠滲透色譜法(GPC)針對(duì)聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)在洗脫液溶劑(例如四氫呋喃、三氯甲烷(TCM，氯仿)、氯苯或1,2,4-三氯苯)中測(cè)定。除非另有說明，否則使用氯苯作為溶劑。聚合物的分子量分布(“MWD”)(其也可稱為多分散性指數(shù)(“PDI”))定義為比率Mw/Mn。聚合度(也稱為重復(fù)單元的總數(shù))m應(yīng)理解為意指以m＝Mn/MU給出的數(shù)均聚合度，其中Mn是聚合物的數(shù)均分子量且MU是單個(gè)重復(fù)單元的分子量；參見J.M.G.Cowie,Polymers:Chemistry&PhysicsofModernMaterials,Blackie,Glasgow,1991。如本文中所使用，術(shù)語“有機(jī)基”或“有機(jī)基團(tuán)”欲表示在碳原子處具有一個(gè)或多個(gè)自由價(jià)的任何有機(jī)取代基而與官能類型無關(guān)(也參見InternationalUnionofPureandAppliedChemistry,CompendiumofChemicalTechnology,GoldBook，2.3.2版，2012-08-09，第1040頁)。如本文中所使用，術(shù)語“有機(jī)雜基”或“有機(jī)雜基基團(tuán)”用于表示包含碳的任何單價(jià)或多價(jià)基團(tuán)，其因此是有機(jī)基團(tuán)，但其在除碳之外的原子處具有它們的自由價(jià)(也參見InternationalUnionofPureandAppliedChemistry,CompendiumofChemicalTechnology,GoldBook,2.3.2版,2012-08-09,第1038頁)。除非另有說明，否則如本文中所使用，術(shù)語“雜原子”應(yīng)理解為意指有機(jī)化合物中不為H或C原子的原子，且優(yōu)選地應(yīng)理解為意指N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge。結(jié)構(gòu)單元M本發(fā)明人已令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，可通過特定選擇引達(dá)省并二噻吩單元上的取代基顯著改良引達(dá)省并二噻吩化合物的性質(zhì)。因此，本發(fā)明的化合物包含至少一個(gè)選自式(I-a)和式(I-b)的結(jié)構(gòu)(constitutional)(或結(jié)構(gòu)(structural))單元M其中X1、X2、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5和a如下文中所定義。X1和X2彼此獨(dú)立地為S或Se。優(yōu)選地，X1和X2都是S。優(yōu)選地，所述結(jié)構(gòu)單元M具有式(I-a)。更優(yōu)選地，所述結(jié)構(gòu)單元M具有式(I-a)，其中X1和X2都是S。Ar1、Ar2、Ar3和Ar4彼此獨(dú)立地為具有5至30個(gè)、優(yōu)選5至18個(gè)芳香族環(huán)原子的雜芳基，所述雜芳基未被取代或被一個(gè)或多個(gè)如本文所定義的基團(tuán)RS取代。Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的優(yōu)選實(shí)例可選自下式(H-1)至(H-34)其中V、W、R1、R2、R3、R4、R5和R6如本文所定義。在式(H-l)至(H-34)中，式(H-l)、(H-2)和(H-31)是優(yōu)選的，且(H-l)和(H-2)是更優(yōu)選的。V在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為CR7或N。W在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自0、S和Se。優(yōu)選地，W在每次出現(xiàn)時(shí)是S。R1、R2、R3、R4、R5、R6和所存在的任意R7彼此獨(dú)立地選自H和RS。RS在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自以下：如本文所定義的任意基團(tuán)RT；具有1至40個(gè)碳原子的烴基，其中烴基可進(jìn)一步被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RT取代；和具有1至40個(gè)碳原子、包含一個(gè)或多個(gè)雜原子的烴基，該一個(gè)或多個(gè)雜原子選自N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge，且N、O和S是優(yōu)選的雜原子，其中烴基可進(jìn)一步被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RT取代。適宜作為RS的烴基的優(yōu)選實(shí)例在每次出現(xiàn)時(shí)可獨(dú)立地選自苯基、被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RT取代的苯基、烷基和被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RT取代的烷基，其中烷基具有至少1個(gè)、優(yōu)選至少5個(gè)、更優(yōu)選至少10個(gè)且最優(yōu)選至少15個(gè)碳原子和/或具有至多40個(gè)、更優(yōu)選至多30個(gè)、甚至更優(yōu)選至多25個(gè)且最優(yōu)選至多20個(gè)碳原子。應(yīng)注意例如適宜作為RS的烷基也包括氟化烷基，即其中一個(gè)或多個(gè)氫經(jīng)氟替代的烷基；和全氟化烷基，即其中所有氫都經(jīng)氟替代的烷基。RT在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自以下：F、Br、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(O)NR0R00、-C(O)X0、-C(O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-OR0、-NO2、-SF5和-SiR0R00R000。優(yōu)選的RT選自以下：F、Br、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(O)NR0R00、-C(O)X0、-C(O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-OH、-OR0和-SiR0R00R000。最優(yōu)選的RT是F。R0、R00和R000在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地選自H、F、具有1至40個(gè)碳原子的烴基。所述烴基優(yōu)選具有至少5個(gè)、更優(yōu)選至少10個(gè)且最優(yōu)選至少15個(gè)碳原子。所述烴基優(yōu)選具有至多30個(gè)、甚至更優(yōu)選至多25個(gè)且最優(yōu)選至多20個(gè)碳原子。優(yōu)選地，R0、R00和R000在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地選自以下：H、F、烷基、氟化烷基、烯基、炔基、苯基和氟化苯基。更優(yōu)選地，R0、R00和R000在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地選自以下：H、F、烷基、氟化、優(yōu)選全氟化烷基、苯基和氟化、優(yōu)選全氟化苯基。應(yīng)注意例如適宜作為R0、R00和R000的烷基也包括全氟化烷基，即其中所有氫都經(jīng)氟替代的烷基。烷基的實(shí)例可選自以下：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基(tert-butyl)(或“叔丁基(t-butyl)”)、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基和二十烷基(-C20H41)。X0是鹵素。優(yōu)選地，X0選自F、Cl和Br。包含3個(gè)或更多個(gè)碳原子和雜原子的組合的鏈的烴基可為直鏈、支鏈和/或環(huán)狀(包括螺環(huán)和/或稠合環(huán))。適宜作為RS、R0、R00和/或R000的烴基可以是飽和或不飽和的。飽和烴基的實(shí)例包括烷基。不飽和烴基的實(shí)例可選自以下：烯基(包括非環(huán)狀和環(huán)狀烯基)、炔基、烯丙基、烷基二烯基、多烯基、芳基和雜芳基。適宜作為RS、R0、R00和/或R000的優(yōu)選烴基包括包含一個(gè)或多個(gè)雜原子的烴基且可例如選自以下：烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基和烷氧基羰基氧基、烷基芳基氧基、芳基羰基、芳基氧基羰基、芳基羰基氧基和芳基氧基羰基氧基。芳基和雜芳基的優(yōu)選實(shí)例包括單環(huán)、雙環(huán)或三環(huán)芳香族或雜芳香族基團(tuán)(其也可包含稠合環(huán))。尤其優(yōu)選的芳基和雜芳基可選自以下：苯基、其中一個(gè)或多個(gè)CH基團(tuán)經(jīng)N替代的苯基、萘、芴、噻吩、吡咯(優(yōu)選N-吡咯)、呋喃、吡啶(優(yōu)選2-或3-吡啶)、嘧啶、噠嗪、吡嗪、三唑、四唑、吡唑、咪唑、異噻唑、噻唑、噻二唑、異噁唑、噁唑、噁二唑、噻吩(優(yōu)選2-噻吩)、硒吩(優(yōu)選2-硒吩)、噻吩并[3,2-b]噻吩、噻吩并[2,3-b]噻吩、二噻吩并噻吩、呋喃并[3,2-b]呋喃、呋喃并[2,3-b]呋喃、硒吩并[3,2-b]硒吩、硒吩并[2,3-b]硒吩、噻吩并[3,2-b]硒吩、噻吩并[3,2-b]呋喃、吲哚、異吲哚、苯并[b]呋喃、苯并[b]噻吩、苯并[1,2-b；4,5-b']二噻吩、苯并[2,1-b；3,4-b']二噻吩、醌醇(quinole)、2-甲基醌醇(2-methylquinole)、異醌醇(isoquinole)、喹喔啉、喹唑啉、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、苯并異噻唑、苯并異噁唑、苯并噁二唑、苯并噁唑和苯并噻二唑。烷氧基(即其中末端CH2基團(tuán)經(jīng)-O-替代的相應(yīng)烷基)的優(yōu)選實(shí)例可以是直鏈或支鏈，優(yōu)選直鏈(或線性)。這樣的烷氧基的適宜實(shí)例可選自以下：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一氧基、十二氧基、十三氧基、十四氧基、十五氧基、十六氧基、十七氧基和十八氧基。烯基(即其中兩個(gè)相鄰CH2基團(tuán)經(jīng)-CH＝CH-替代的相應(yīng)烷基)的優(yōu)選實(shí)例可為直鏈或支鏈。其優(yōu)選為直鏈。所述烯基優(yōu)選具有2至10個(gè)碳原子。烯基的優(yōu)選實(shí)例可選自以下：乙烯基、丙-1-烯基或丙-2-烯基、丁-1-烯基、丁-2-烯基或丁-3-烯基、戊-1-烯基、戊-2-烯基、戊-3-烯基或戊-4-烯基、己-1-烯基、己-2-烯基、己-3-烯基、己-4-烯基或己-5-烯基、庚-1-烯基、庚-2-烯基、庚-3-烯基、庚-4-烯基、庚-5-烯基或庚-6-烯基、辛-1-烯基、辛-2-烯基、辛-3-烯基、辛-4-烯基、辛-5-烯基、辛-6-烯基或辛-7-烯基、壬-1-烯基、壬-2-烯基、壬-3-烯基、壬-4-烯基、壬-5-烯基、壬-6-烯基、壬-7-烯基、壬-8-烯基、癸-1-烯基、癸-2-烯基、癸-3-烯基、癸-4-烯基、癸-5-烯基、癸-6-烯基、癸-7-烯基、癸-8-烯基和癸-9-烯基。尤其優(yōu)選的烯基為C2-C7-1E-烯基、C4-C7-3E-烯基、C5-C7-4-烯基、C6-C7-5-烯基和C7-6-烯基，特別是C2-C7-1E-烯基、C4-C7-3E-烯基和C5-C7-4-烯基。特別優(yōu)選的烯基的實(shí)例為乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基等。具有至多5個(gè)C原子的烯基通常是優(yōu)選的。氧雜烷基(即其中一個(gè)非末端CH2基團(tuán)經(jīng)-O-替代的相應(yīng)烷基)的優(yōu)選實(shí)例可為直鏈或支鏈，優(yōu)選直鏈。氧雜烷基的特定實(shí)例可選自以下：2-氧雜丙基(＝甲氧基甲基)；2-氧雜丁基(＝乙氧基甲基)或3-氧雜丁基(＝2-甲氧基乙基)；2-氧雜戊基、3-氧雜戊基或4-氧雜戊基；2-氧雜己基、3-氧雜己基、4-氧雜己基或5-氧雜己基；2-氧雜庚基、3-氧雜庚基、4-氧雜庚基、5-氧雜庚基或6-氧雜庚基；2-氧雜辛基、3-氧雜辛基、4-氧雜辛基、5-氧雜辛基、6-氧雜辛基或7-氧雜辛基；2-氧雜壬基、3-氧雜壬基、4-氧雜壬基、5-氧雜壬基、6-氧雜壬基、7-氧雜壬基和8-氧雜壬基；或2-氧雜癸基、3-氧雜癸基、4-氧雜癸基、5-氧雜癸基、6-氧雜癸基、7-氧雜癸基、8-氧雜癸基或9-氧雜癸基。羰基氧基和氧基羰基(即其中一個(gè)CH2基團(tuán)經(jīng)-O-替代且一個(gè)其相鄰CH2基團(tuán)經(jīng)-C(O)-替代的相應(yīng)烷基)的優(yōu)選實(shí)例可選自以下：乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、戊酰氧基、己酰氧基、乙酰氧基甲基、丙酰氧基甲基、丁酰氧基甲基、戊酰氧基甲基、2-乙酰氧基乙基、2-丙酰氧基乙基、2-丁酰氧基乙基、3-乙酰氧基丙基、3-丙酰氧基丙基、4-乙酰氧基丁基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、甲氧基羰基甲基、乙氧基羰基甲基、丙氧基羰基甲基、丁氧基羰基甲基、2-(甲氧基羰基)乙基、2-(乙氧基羰基)乙基、2-(丙氧基羰基)乙基、3-(甲氧基羰基)丙基、3-(乙氧基羰基)丙基、和4-(甲氧基羰基)-丁基。硫代烷基(即其中一個(gè)CH2基團(tuán)經(jīng)-S-替代)的優(yōu)選實(shí)例可為直鏈或支鏈，優(yōu)選直鏈。適宜的實(shí)例可選自以下：硫代甲基(-SCH3)、1-硫代乙基(-SCH2CH3)、1-硫代丙基(-SCH2CH2CH3)、1-(硫代丁基)、1-(硫代戊基)、1-(硫代己基)、1-(硫代庚基)、1-(硫代辛基)、1-(硫代壬基)、1-(硫代癸基)、1-(硫代十一烷基)和1-(硫代十二烷基)。氟烷基優(yōu)選是全氟烷基CiF2i+1,其中i為1至15的整數(shù)，特別是CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15或C8F17，非常優(yōu)選是C6F13，或部分氟化烷基、特別是1,1-二氟烷基，其都是直鏈或支鏈的。烷基、烷氧基、烯基、氧雜烷基、硫代烷基、羰基和羰氧基可為非手性或手性基團(tuán)。尤其優(yōu)選的手性基團(tuán)是例如2-丁基(＝1-甲基丙基)、2-甲基丁基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基己基、2-丙基戊基、2-丁基辛基、2-己基癸基、2-辛基十二烷基、7-癸基十九烷基，特別是2-甲基丁基、2-甲基丁氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、2-乙基-己氧基、1-甲基己氧基、2-辛基氧基、2-氧雜-3-甲基丁基、3-氧雜-4-甲基-戊基、4-甲基己基、2-丁基辛基、2-己基癸基、2-辛基十二烷基、7-癸基十九烷基、2-己基、2-辛基、2-壬基、2-癸基、2-十二烷基、6-甲氧基辛氧基、6-甲基辛氧基、6-甲基辛酰氧基、5-甲基庚氧基-羰基、2-甲基丁酰氧基、3-甲基戊酰氧基、4-甲基己酰氧基、2-氯-丙酰氧基、2-氯-3-甲基丁酰氧基、2-氯-4-甲基戊酰氧基、2-氯-3-甲基戊酰氧基、2-甲基-3-氧雜戊基、2-甲基-3-氧雜-己基、1-甲氧基丙基-2-氧基、1-乙氧基丙基-2-氧基、1-丙氧基丙基-2-氧基、1-丁氧基丙基-2-氧基、2-氟辛氧基、2-氟癸氧基、1,1,1-三氟-2-辛氧基、1,1,1-三氟-2-辛基、2-氟甲基辛氧基。非常優(yōu)選的是2-己基、2-辛基、2-辛氧基、1,1,1-三氟-2-己基、1,1,1-三氟-2-辛基和1,1,1-三氟-2-辛氧基。優(yōu)選的非手性支鏈基團(tuán)是異丙基、異丁基(＝甲基丙基)、異戊基(＝3-甲基丁基)、叔丁基、異丙氧基、2-甲基-丙氧基和3-甲基丁氧基。在優(yōu)選實(shí)施方式中，有機(jī)基彼此獨(dú)立地選自具有1至30個(gè)C原子的伯、仲或叔烷基或烷氧基，其中一個(gè)或多個(gè)H原子任選被F替代，或任選被烷基化或烷氧基化且具有4至30個(gè)環(huán)原子的芳基、芳氧基、雜芳基或雜芳氧基。非常優(yōu)選的此類基團(tuán)選自下式：其中“ALK”表示具有1至20個(gè)、優(yōu)選1至12個(gè)C原子(在叔基團(tuán)(tertiarygroup)的情況下非常優(yōu)選具有1至9個(gè)C原子)的任選被氟化的優(yōu)選直鏈烷基或烷氧基，且虛線表示與這些基團(tuán)連接的環(huán)的鍵聯(lián)。在這些中尤其優(yōu)選的是其中所有ALK子基均相同的那些。如本文中所使用，-CO-、-C(＝O)-和-C(O)-應(yīng)理解為意指羰基，即具有以下結(jié)構(gòu)的基團(tuán)應(yīng)注意若Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的兩者或更多者是式(H-1)至(H-34)中的任一者，則就各個(gè)基團(tuán)R1至R6和(若存在的)R7而言，這些也可彼此不同。a為0或1至10的整數(shù)(即1、2、3、4、5、6、7、8、9或10)。優(yōu)選地，a為1至10的整數(shù)。更優(yōu)選地，a為1至6的整數(shù)。最優(yōu)選地，a為1至3的整數(shù)。Ar5在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自以下：-CRS＝CRS-、-C≡C-、具有6至30個(gè)芳香族碳原子的亞芳基和具有5至30個(gè)芳香族環(huán)原子的亞雜芳基，其中所述亞芳基或亞雜芳基可未被取代或被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RS取代。適宜作為Ar5的優(yōu)選亞雜芳基包含一個(gè)或多個(gè)選自O(shè)、S、Se、N和N-R0的雜原子，且O、S、N和N-R0是優(yōu)選的。優(yōu)選地，Ar5可選自以下：具有電子供體性質(zhì)的亞芳基或亞雜芳基和具有電子受體性質(zhì)的亞芳基或亞雜芳基，所述亞芳基或亞雜芳基未被取代或被一個(gè)或多個(gè)如本文所定義的基團(tuán)RS取代。Ar5的優(yōu)選實(shí)例可選自式(A1)至(A96)和(D1)至(D140)。具有電子供體性質(zhì)的芳基和雜芳基的適宜實(shí)例可選自下式(D1)至(D140)其中R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17和R18彼此獨(dú)立地選自H和如先前所定義的RS。具有電子受體性質(zhì)的芳基和雜芳基的適宜實(shí)例可選自下式(A1)至(A96)其中R11、R12、R13、R14、R15和R16彼此獨(dú)立地選自H和如先前所定義的RS。本發(fā)明的四-芳基引達(dá)省并二噻吩可使用標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)來合成。示例性的合成顯示于方案1中，其中O-R'用于表示離去基團(tuán)，例如甲氧基或乙氧基，且為簡(jiǎn)單起見Ar分別用于表示Ar1、Ar2、Ar3和Ar4。方案1作為通式(I-a)和(I-b)的化合物的具體實(shí)例，可提及下式(Ex-A)、(Ex-B)和(Ex-C)的化合物，其中R1和Ar5如本文所定義。在式(Ex-A)、(Ex-B)和(Ex-C)中，以下的那些是優(yōu)選的：其中R1是具有至少1個(gè)、優(yōu)選至少5個(gè)、更優(yōu)選至少10個(gè)且最優(yōu)選至少15個(gè)和/或具有至多40個(gè)、更優(yōu)選至多30個(gè)、甚至更優(yōu)選至多25個(gè)且最優(yōu)選至多20個(gè)碳原子的烷基，且Ar5選自式(D10)(優(yōu)選其中R11＝R12＝H的(D10))、(A1)(優(yōu)選R11＝R12＝H的(A1))和(D19)(優(yōu)選R11＝R12＝H的(D19))。特定優(yōu)選的實(shí)例是如實(shí)例中所顯示的聚合物1、聚合物2和聚合物3。包含如上文所定義的式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元的化合物優(yōu)選可選自小分子、單體和聚合物。如本文中所使用，術(shù)語“小分子”將用于表示包含式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元和兩個(gè)惰性化學(xué)基團(tuán)的化合物，其在使用條件下是惰性的且因此抑制這樣的小分子的進(jìn)一步反應(yīng)、特別是抑制聚合。與此相反，術(shù)語“單體”用于表示包含式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元和至少一個(gè)反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)的化合物，該至少一個(gè)反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)允許這樣的單體反應(yīng)以形成例如聚合物的一部分。小分子和單體在一個(gè)方面中，本申請(qǐng)?zhí)峁┝诵》肿?，即包含?I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元和兩個(gè)惰性化學(xué)基團(tuán)Ra和Rb的化合物。這樣的小分子可由例如式(IV-a)表示Ra-M0-Rb(IV-a)其中M0包含式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元M且Ra和Rb是惰性化學(xué)基團(tuán)。這樣的惰性化學(xué)基團(tuán)Ra和Rb可彼此獨(dú)立地選自例如以下：氫、氟、具有1至10個(gè)碳原子的烷基、具有1至10個(gè)碳原子的氟烷基、5至30個(gè)碳原子的芳香族環(huán)體系和其中一個(gè)或多個(gè)氫原子可彼此獨(dú)立地經(jīng)氟或具有1至10個(gè)碳原子的烷基替代的5至30個(gè)碳原子的芳香族環(huán)體系。在另一方面中，本申請(qǐng)?zhí)峁┝藛误w，即包含式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元和至少一個(gè)反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)Rc的化合物，該至少一個(gè)反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)Rc可選自以下：Cl、Br、I、O-甲苯磺酸酯基、O-三氟甲磺酸酯基、O-甲磺酸酯基、O-全氟丁磺酸酯基、-SiMe2F、-SiMeF2、-O-SO2Z1、-B(OZ2)2、-CZ3＝C(Z3)2、-C≡CH、-C≡CSi(Z1)3、-ZnX0和-Sn(Z4)3，優(yōu)選-B(OZ2)2或-Sn(Z4)3，其中X0如上文所定義，且Z1、Z2、Z3和Z4選自以下：烷基和芳基，優(yōu)選具有1至10個(gè)碳原子的烷基，其各自任選地經(jīng)如上文所定義的R0取代，且兩個(gè)基團(tuán)Z2也可一起形成環(huán)狀基團(tuán)。另一選擇為，這樣的單體可包含兩個(gè)反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)且由例如式(IV-b)表示Rc-M0-Rd(IV-b)其中M0包含式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元M，且Rc和Rd是如上文針對(duì)Rc所定義的反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)。優(yōu)選地，式(IV-a)和(IV-b)中的M0可進(jìn)一步包含一個(gè)或多個(gè)(例如2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)、5個(gè)、6個(gè)、7個(gè)、8個(gè)、9個(gè)或10個(gè))如上文所定義的芳基或雜芳基。M0的優(yōu)選實(shí)例可包含以下、優(yōu)選由以下組成：*-Uam1-Aram2-Ubm3-Arbm4-Arcm5-*(V)其中Ua和Ub彼此獨(dú)立地選自如上文所定義的式(I-a)、(I-b)和其任意子式的結(jié)構(gòu)單元M；Ara、Arb和Arc彼此獨(dú)立地如針對(duì)Ar5所定義來選擇；ml、m2、m3和m4彼此獨(dú)立地選自0、1和2，前提是ml和m3中的至少一者不為0；且m5是0或1至10的整數(shù)(例如1、2、3、4、5、6、7、8、9或10)。優(yōu)選的小分子和單體是M0選自下式(V-a-1)和(V-a-2)中的一者的那些*-Aram2-Ub-Arbm4-*(V-a-1)*-Uam1-Aram2-Ubm3-*(V-a-2)其中Ara、Arb、Ua、Ub、m1、m2、m3和m4如上文所定義。尤其優(yōu)選的小分子和單體是M0選自下式(V-b-1)至(V-b-5)中的一者的那些*-Ara-Ua-Arb-*(V-b-1)*-Ua-*(V-b-2)*-Ara-Ua-*(V-b-3)*-Ua-Arb-*(V-b-4)*-Ua-Ara-Ub-*(V-b-5)其中Ara、Arb、Ua和Ub如上文所定義。式(V)、(V-a-1)、(V-a-2)和(V-b-1)至(V-b-5)的M0的尤其優(yōu)選的實(shí)例是其中Ara、Arb和Arc中的一者或多者選自以下的那些：如針對(duì)Ar5所定義的具有電子供體性質(zhì)的亞芳基或亞雜芳基和具有電子受體性質(zhì)的亞芳基或亞雜芳基。本發(fā)明的單體可通過通常已知的反應(yīng)來合成，例如鋰化，然后與供應(yīng)各個(gè)官能團(tuán)的試劑反應(yīng)。這樣的反應(yīng)的實(shí)例指示于方案2中，其中O-R'用于表示離去基團(tuán)，例如甲氧基或乙氧基，R'相應(yīng)地表示例如烷基，例如甲基或乙基，且為簡(jiǎn)單起見Ar分別用于表示Ar1、Ar2、Ar3和Ar4。方案2聚合物在另一方面中，本申請(qǐng)?zhí)峁┝说途畚锘蚓酆衔?，即包含多于一個(gè)式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元的化合物。優(yōu)選地，這樣的低聚物或聚合物包含多于一個(gè)如式(V)、(V-a-1)、(V-a-2)和(V-b-1)至(V-b-5)中的任一者中所定義的基團(tuán)M0。在每次出現(xiàn)時(shí)，M0可相同或不同。任選地，這樣的低聚物或聚合物可進(jìn)一步包含含有選自未被取代或被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RS取代的單環(huán)或多環(huán)芳基或雜芳基的基團(tuán)的重復(fù)單元。優(yōu)選地，這樣的其他重復(fù)單元選自以下中的一者*-[-Ardm6-Aram2-Arem7-Arbm4-Arcm5]-*(VI)其中Ara、Arb、Arc、Ard和Are彼此獨(dú)立地如針對(duì)Ar5所定義來選擇；且m2、m4、m5、m6和m7彼此獨(dú)立地為0、1或2，前提是m6和m7中的至少一者不為0(例如m6為0且m7為1,或m6為1且m7為0，或m6為1且m7為1)。優(yōu)選的低聚物和聚合物可包含例如式(VII)的聚合物鏈其中m是>1的整數(shù)；M1、M2和M3彼此獨(dú)立地為如下文所定義的單體單元，前提是M1、M2和M3中的至少一者包含式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元M；mx>0且≤1；my≥0且<1；且mz≥0且<1,前提是mx+my+mz＝1,以及前提是M1、M2或M3中的無論哪個(gè)包含式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元M，各個(gè)mx、my或mz是>0。因此，若M包含在M2中，則my>0，以及若M包含在M3中，則mz>0。優(yōu)選地，式(VII)的聚合物鏈的每一單元*-(M1)mx-(M2)my-(M3)mz-*包含式(I-a)或式(I-b)的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)式M單元的單元。優(yōu)選地，M1、M2和M3彼此獨(dú)立地選自如在上式(V)、(V-a-1)、(V-a-2)和(V-b-1)至(V-b-5)中和針對(duì)上式(V)、(V-a-1)、(V-a-2)和(V-b-1)至(V-b-5)所定義的M0。適宜的式(VI)的聚合物鏈的實(shí)例可選自下式(VII-1)至(VII-10)*-[(Ara-Ua-Arb)mx-(Arc)my]m-*(VII-1)*-[(Ara-Ua-Arb)mx-(Arc-Arc)my]m-*(VII-2)*-[(Ara-Ua-Arb)mx-(Arc-Arc-Arc)my]m-*(VII-3)*-[(Ara)m2-(Ua)m1-(Arb)m4-(Arc)m5]m-*(VII-4)*-([(Ara)m2-(Ua)m1-(Arb)m4-(Arc)m5]mx-[(Ara)m2-(Ard)m6-(Arb)m4-(Arc)m5]my)m-*(VII-5)*-[(Ua-Ara-Ub)mx-(Arb-Arc)my]m-*(VII-6)*-[(Ua-Ara-Ub)mx-(Arb-Arc-Arb)my]m-*(VII-7)*-[(Ua)m1-(Ara)m2-(Ub)m3-(Arb)m4]m-*(VII-8)*-([(Ua)m1-(Ara)m2-(Ub)m3-(Arb)m4]mx-[(Ard)m6-(Ara)m2-(Are)m7-(Arb)m4]my)m-*(VII-9)*-[(Ua-Ara)mx-(Ub-Arb)my-(Uc-Arc)mz]m-*(VII-10)其中Ara、Arb、Arc、Ard、Are、Ua、Ub、m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m、mx、my和mz如上文所定義，且Uc如上文針對(duì)Ua和Ub所定義。本發(fā)明的低聚物和聚合物包括均聚物和共聚物，例如統(tǒng)計(jì)或無規(guī)共聚物、交替共聚物和嵌段共聚物以及這些的任何組合。這樣的聚合物可以是交替或無規(guī)共聚物。對(duì)于式(VII-4)和(VII-6)，優(yōu)選的是，在重復(fù)單元[(Ara)m2-(Ua)m1-(Arb)m4-(Arc)m5]中的至少一個(gè)中，和-如果存在-在重復(fù)單元[(Ara)m2-(Ard)m6-(Arb)m4-(Arc)m5]中的至少一個(gè)中，m1至少是1并且m4至少是1。對(duì)于式(VII-8)和(VII-9)，優(yōu)選的是，在重復(fù)單元[(Ua)m1-(Ara)m2-(Ub)m3-(Arb)m4]中的至少一個(gè)中，和-如果存在-在重復(fù)單元[(Ard)m6-(Ara)m2-(Are)m7-(Arb)m4]中的至少一個(gè)中，m1至少是1并且m6至少是1。對(duì)于本發(fā)明的低聚物和聚合物，重復(fù)單元的總數(shù)m優(yōu)選是2至10000。對(duì)于聚合物，重復(fù)單元的總數(shù)m優(yōu)選至少是10，并且最優(yōu)選至少是50。對(duì)于聚合物，重復(fù)單元的總數(shù)m優(yōu)選至多是2000，更優(yōu)選至多是1000，并且最優(yōu)選至多是500。這些值的任意組合都是可能的。特別優(yōu)選的是選自下列組的聚合物a)由單元Ua或(Ara-Ua)或(Ara-Ua-Arb)或(Ara-Ua-Arc)或(Ua-Arb-Arc)或(Ara-Ua-Arb-Arc)或(Ua-Ara-Ua)的均聚物(也就是其中所有重復(fù)單元都是相同)組成的組1，其中應(yīng)注意由單元(Ara-Ua)組成的聚合物也可取決于單體單元的各個(gè)角度視為交替共聚物，b)由通過相同單元(Ara-Ua-Arb)或(Ua-Ara-Ua)和相同單元(Arc)形成的無規(guī)或交替共聚物組成的組2，c)由通過相同單元(Ara-Ua-Arb)或(Ua-Ara-Ub)和相同單元(Ara)形成的無規(guī)或交替共聚物組成的組3，d)由通過相同單元(Ara-Ua-Arb)或(Ua-Ara-Ub)和相同單元(Ara-Ard-Arb)或(Ard-Ara-Are)形成的無規(guī)或交替共聚物組成的組4，其中，在所有這些組中，Ara、Arb、Arc、Ard、Are、Ua和Ub是如之前和之后所定義的，在組1、2和3中，Ara、Arb和Arc不同于單鍵，和在組4中，Ara和Arb中的一個(gè)也可以表示單鍵。優(yōu)選的式(VII)和(VII-1)至(VII-10)的聚合物可以是式(VIII)的那些Re-鏈-Rf(VIII)其中“鏈”表示式(VII)或(VII-1)至(VII-10)中的任一者的聚合物鏈，且Re和Rf彼此獨(dú)立地具有如上文所定義的RS的含義之一，或彼此獨(dú)立地表示H、F、Br、Cl、I、-CH2Cl、-CHO、-CR0＝CR002、-SiR0R00R000、-SiR0X”X"’、-SiR0R00X”、-SnR0R00R000、-BR0R00、-B(OR0)(OR0)、-B(OH)2、-O-SO2-R0、-C≡CH、-C≡C-SiR03、-ZnX”或封端基團(tuán)，X”和X"’表示鹵素，R0、R00和R000如先前所定義，且R0、R00和R000中的兩者也可與它們所連接的原子一起形成環(huán)。優(yōu)選的封端基團(tuán)Re和Rf可選自以下：H、具有1至20個(gè)碳原子的烷基、具有6至12個(gè)碳原子的芳基和具有5至10個(gè)芳香族環(huán)原子的雜芳基，所述芳基和雜芳基未被取代或被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RS取代。更優(yōu)選的封端基團(tuán)Re和Rf可選自H、具有1至10個(gè)碳原子的烷基和苯基。在式(VII)和(VII-1)至(VII-10)的聚合物鏈中，mx、my和mz分別表示單元M1、M2和M3的摩爾分?jǐn)?shù)，并且m表示聚合度。這些式旨在包括M1、M2和M3的嵌段共聚物、無規(guī)或統(tǒng)計(jì)共聚物和交替共聚物，以及在mx>0且my＝mz＝0的情況下M1的均聚物。更優(yōu)選的是式(IV-a)、(IV-b)、(V)、(V-a-1)、(V-a-2)、(V-b-1)至(V-b-5)、(VI)、(VII)、(VII-1)至(VII-10)和(VIII)的重復(fù)單元、單體、低聚物和聚合物，其特征在于，一個(gè)或多個(gè)下列優(yōu)選的或選擇性的方面，條件是這類方面不互相排斥：–0<my<1且mz＝0；–0<my<1且0<mz<1；–Mw至少是5000，優(yōu)選至少是8000，更優(yōu)選至少是10000；–Mw至多是300000，優(yōu)選至多是100000；–Re和Rf彼此獨(dú)立地選自H、鹵素、-CH2Cl、-CHO、-CH＝CH2-SiR0R00R000、-SnR0R00R000、-BR0R0、-B(OR0)(OR0)、-B(OH)2、C1-C20-烷基、C1-C20-烷氧基、C2-C20-烯基、C1-C20-氟烷基、芳基(優(yōu)選苯基)和雜芳基，所述芳基和雜芳基未被取代或被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RS取代。-Rc和Rd彼此獨(dú)立地選自Cl、Br、I、O-甲苯磺酸酯基、O-三氟甲磺酸酯基、O-甲磺酸酯基、O-全氟丁磺酸酯基、-SiMe2F、-SiMeF2、-O-SO2Z1、-B(OZ2)2、-CZ3＝C(Z4)2、-C≡CH、C≡CSi(Z1)3、-ZnX0和-Sn(Z4)3，其中X0是鹵素，且Z1、Z2、Z3和Z4選自烷基和芳基，其各自未被取代或被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)RS取代，且兩個(gè)基團(tuán)Z2也可形成環(huán)狀基團(tuán)。尤其優(yōu)選的聚合物具有下式(III-a)其中X1、X2、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5和m如上文所定義。本發(fā)明的化合物可以根據(jù)或類似于本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的并在文獻(xiàn)中描述的方法合成。其他的制備方法可以由實(shí)施例中選取。例如，所述聚合物可以通過芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)合適地制備，所述偶聯(lián)反應(yīng)如Yamamoto偶聯(lián)、Suzuki偶聯(lián)、Stille偶聯(lián)、Sonogashira偶聯(lián)、Heck偶聯(lián)、Negish偶聯(lián)、C-H活化偶聯(lián)或Buchwald偶聯(lián)。Suzuki偶聯(lián)、Stille偶聯(lián)和Yamamoto偶聯(lián)是特別優(yōu)選的。聚合形成聚合物的重復(fù)單元的單體可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法制備。因此，制備本發(fā)明的聚合物的方法包括偶聯(lián)單體的步驟，其中包含包含式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元的單體，所述單體包含至少一個(gè)或者備選地兩個(gè)選自Cl、Br、I、O-甲苯磺酸酯基、O-三氟甲磺酸酯基、O-甲磺酸酯基、O-全氟丁磺酸酯基、-SiMe2F、-SiMeF2、-O-SO2Z1、-B(OZ2)2、-CZ3＝C(Z3)2、-C≡CH、-C≡CSi(Z1)3、-ZnX0和-Sn(Z4)3的官能單價(jià)基團(tuán)，其中X0是鹵素，且Z1、Z2、Z3和Z4彼此獨(dú)立地選自每個(gè)是任選地被一個(gè)或多個(gè)如上所定義的R0取代的烷基和芳基，并且兩個(gè)基團(tuán)Z2也可以共同形成環(huán)狀基團(tuán)。優(yōu)選地，所述聚合物由通式(IV-b)或如上文和下文描述的它們的優(yōu)選的子式制備。本發(fā)明的另一方面是通過在聚合反應(yīng)中使一種或多種相同或不同的包含式(I-a)或(I-b)的結(jié)構(gòu)單元的單體單元或通式(IV-a)的單體彼此偶聯(lián)和/或與一種或多種共聚單體偶聯(lián)制備聚合物的方法，優(yōu)選在芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)中。合適的和優(yōu)選的共聚單體可以選自下列式Rc-(Ara)m2-Ard-(Arb)m4-Rd(IX-1)Rc-Ara-Rd(IX-2)Rc-Ard-Rd(IX-3)其中Ara、Arb、Ard、m2、m4、Rc和Rd是如本文定義的。非常優(yōu)選的是通過在芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)中使一種或多種選自式(V-a-1)或(V-a-2)的單體與一種或多種式(IX-1)的單體，和任選地與一種或多種選自式(IX-2)和(IX-3)的單體偶聯(lián)制備聚合物的方法，其中優(yōu)選地Rc和Rd選自Cl、Br、I、-B(OZ2)2和-Sn(Z4)3。例如，本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式涉及a)通過在芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)中使式(IX-1)的單體Rc-Ara-Ua-Arb-Rd與式(IX-2)的單體Rc-Ara-Rd(IX-2)偶聯(lián)制備聚合物的方法；或b)通過在芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)中使下式的單體Rc-Ua-Rd與式(IX-1)的單體Rc-Ara-Ard-Arb-Rd(IX-1)偶聯(lián)制備聚合物的方法；或c)通過在芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)中使下式的單體Rc-Ua-Rd與式(IX-3)的單體Rc-Ard-Rd(IX-3)偶聯(lián)制備聚合物的方法；或d)通過在芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)中使下式的單體Rc-Ua-Rd與式(IX-3)的單體Rc-Ard-Rd(IX-3)和式(IX-2)的單體Rc-Ara-Rd(IX-2)偶聯(lián)制備聚合物的方法；或e)通過在芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)中使下式的單體Rc-Ua-Ara-Ub-Rd與式(IX-2)的單體Rc-Ara-Rd(IX-2)偶聯(lián)制備聚合物的方法；或f)通過在芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)中使下式的單體Rc-Ua-Rd與式(IX-2)的單體Rc-Ara-Rd(IX-2)和式(IX-3)的單體Rc-Ard-Rd(IX-3)偶聯(lián)制備聚合物的方法，其中Ara、Arb、Ard、Ua、Ub、Rc和Rd是如本文定義的，其中Rc和Rd優(yōu)選選自Cl、Br、I、-B(OZ2)2和-Sn(Z4)3，如在式(VI-a)和(IV-b)中定義。優(yōu)選的在以上和以下描述的方法中使用的芳基-芳基偶聯(lián)和聚合方法是Yamamoto偶聯(lián)、Kumada偶聯(lián)、Negishi偶聯(lián)、Suzuki偶聯(lián)、Stille偶聯(lián)、Sonogashira偶聯(lián)、Heck偶聯(lián)、C-H活化偶聯(lián)、Ullmann偶聯(lián)或Buchwald偶聯(lián)。特別優(yōu)選的是Suzuki偶聯(lián)、Negishi偶聯(lián)、Stille偶聯(lián)和Yamamoto偶聯(lián)。Suzuki偶聯(lián)在例如WO00/53656A1中描述。Negishi偶聯(lián)在例如J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,1977,683-684中描述。Yamamoto偶聯(lián)在例如T.Yamamoto等人，Prog.Polym.Sci.,1993,17,1153-1205，或WO2004/022626A1中描述，和Stille偶聯(lián)在例如Z.Bao等人，J.Am.Chem.Soc.,1995,117,12426–12435中描述。例如，在使用Yamamoto偶聯(lián)時(shí)，具有兩個(gè)反應(yīng)性鹵化物基團(tuán)的單體是優(yōu)選使用的。在使用Suzuki偶聯(lián)時(shí)，具有兩個(gè)反應(yīng)性硼烷酸或硼烷酸酯基團(tuán)或兩個(gè)反應(yīng)性鹵化物基團(tuán)的式(IV-b)的化合物是優(yōu)選使用的。在使用Stille偶聯(lián)時(shí)，具有兩個(gè)反應(yīng)性錫烷基團(tuán)或兩個(gè)反應(yīng)性鹵化物基團(tuán)的單體是優(yōu)選使用的。在使用Negishi偶聯(lián)時(shí)，具有兩個(gè)反應(yīng)性有機(jī)鋅基團(tuán)或兩個(gè)反應(yīng)性鹵化物基團(tuán)的單體是優(yōu)選使用的。優(yōu)選的催化劑，特別是對(duì)于Suzuki、Negishi或Stille偶聯(lián)，選自Pd(0)絡(luò)合物或Pd(II)鹽。優(yōu)選的Pd(0)絡(luò)合物是具有至少一個(gè)膦配體，例如Pd(Ph3P)4的那些。另一個(gè)優(yōu)選的膦配體是三(鄰-甲苯基)膦，例如Pd(o-Tol3P)4。優(yōu)選的Pd(II)鹽包括乙酸鈀，例如Pd(OAc)2。備選地，所述Pd(0)絡(luò)合物可以通過將Pd(0)二亞芐基丙酮絡(luò)合物(例如三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)、雙(二亞芐基丙酮)-鈀(0))或Pd(II)鹽(例如乙酸鈀)與膦配體(例如三苯基膦、三(鄰-甲苯基)膦或三(叔丁基)膦)混合制備。Suzuki聚合反應(yīng)在堿(例如碳酸鈉、碳酸鉀、氫氧化鋰、磷酸鉀)或有機(jī)堿(如碳酸四乙基銨或氫氧化四乙基銨)存在的情況下進(jìn)行。Yamamoto聚合反應(yīng)使用Ni(0)絡(luò)合物，例如雙(1,5-環(huán)辛二烯基)鎳(0)。Suzuki和Stille聚合可以用于制備均聚物以及統(tǒng)計(jì)、交替和嵌段無規(guī)共聚物。統(tǒng)計(jì)或嵌段共聚物可以例如由以上的式(VI)或其子式的單體制備，其中反應(yīng)性基團(tuán)之一是鹵素并且其他反應(yīng)性基團(tuán)是硼烷酸、硼烷酸衍生物基團(tuán)或和烷基錫烷。統(tǒng)計(jì)、交替和嵌段共聚物詳細(xì)地在例如WO03/048225A2或WO2005/014688A2中描述。作為上述鹵素的代替物，可以使用式-O-SO2Z1的離去基團(tuán)，其中Z1是如上描述的。這類離去基團(tuán)的特別的例子是甲苯磺酸酯基、甲磺酸酯基和三氟甲磺酸酯基。用于制造(均)聚合物的實(shí)例的示意性代表顯示于方案3中，其中為簡(jiǎn)單起見Ar分別用于表示Ar1、Ar2、Ar3和Ar4。方案3共混物、調(diào)配物和器件根據(jù)本發(fā)明的化合物和聚合物也可以以混合物或聚合物共混物使用，例如與小分子或單體化合物一起或與其他具有電荷傳輸、半導(dǎo)體、導(dǎo)電、光導(dǎo)和/或發(fā)光半導(dǎo)體性質(zhì)的聚合物一起，或者例如與具有空穴阻擋或電子阻擋性質(zhì)的聚合物一起在OLED器件中作為中間層或電荷阻擋層使用。因此，本發(fā)明的另一方面涉及包含一種或多種根據(jù)本發(fā)明的聚合物和一種和多種具有一種或多種上述性質(zhì)的其他聚合物的聚合物共混物。這些共混物可以通過在現(xiàn)有技術(shù)中描述的并對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的常規(guī)方法制備。典型地，所述聚合物彼此混合或溶解在合適的溶劑和組合的溶液中。本發(fā)明的另一方面涉及包含一種或多種以上和以下描述的小分子、聚合物、混合物或聚合物共混物和一種或多種有機(jī)溶劑的調(diào)配物。優(yōu)選的溶劑為脂族烴、氯化烴、芳族烴、酮、醚及其混合物。可使用的額外溶劑包括1,2,4-三甲基苯、1,2,3,4-四甲基苯、戊基苯、均三甲苯、枯烯、傘花烴、環(huán)己基苯、二乙基苯、四氫萘、十氫萘、2,6-二甲基吡啶、2-氟-間二甲苯、3-氟-鄰二甲苯、2-氯三氟甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、2-氯-6-氟甲苯、2-氟苯甲醚、苯甲醚、2,3-二甲基吡嗪、4-氟苯甲醚、3-氟苯甲醚、3-三氟-甲基苯甲醚、2-甲基苯甲醚、苯乙醚、4-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-氟-3-甲基苯甲醚、2-氟苯甲腈、4-氟鄰二甲氧基苯(4-fluoroveratrol)、2,6-二甲基苯甲醚、3-氟苯甲腈、2,5-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、苯甲腈、3,5-二甲基-苯甲醚、N,N-二甲基苯胺、苯甲酸乙酯、1-氟-3,5-二甲氧基-苯、1-甲基萘、N-甲基吡咯烷酮、3-氟三氟甲苯、三氟甲苯、二噁烷、三氟甲氧基-苯、4-氟三氟甲苯、3-氟吡啶、甲苯、2-氟-甲苯、2-氟三氟甲苯、3-氟甲苯、4-異丙基聯(lián)二苯、苯醚、吡啶、4-氟甲苯、2,5-二氟甲苯、1-氯-2,4-二氟苯、2-氟吡啶、3-氯氟-苯、1-氯-2,5-二氟苯、4-氯氟苯、氯苯、鄰二氯苯、2-氯氟苯、對(duì)二甲苯、間二甲苯、鄰二甲苯或鄰、間和對(duì)異構(gòu)體的混合物。具有相對(duì)低極性的溶劑通常是優(yōu)選的。就噴墨印刷而言，具有高沸點(diǎn)溫度的溶劑和溶劑混合物是優(yōu)選的。就旋涂而言，如二甲苯和甲苯的烷基化苯是優(yōu)選的。尤其優(yōu)選的溶劑的例子包括但不限于二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、鄰二氯苯、四氫呋喃、苯甲醚、嗎啉、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對(duì)二甲苯、1,4-二噁烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亞砜、四氫萘、十氫萘、茚滿、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、均三甲苯和/或其混合物。優(yōu)選地，在溶液中的化合物或聚合物的濃度是0.1至10重量％，更優(yōu)選0.5至5重量％，其中相對(duì)于溶液的總重量給出重量％。任選地，所述溶液也可以包含一種或多種粘合劑以調(diào)整流變性質(zhì)，例如在WO2005/055248A1中描述的。在合適的混合與老化后，將溶液評(píng)價(jià)為下列種類中的一種：完全溶液、邊界溶液(borderlinesolution)或不溶物(insoluble)。繪制輪廓線以概述溶解度參數(shù)-劃分可溶性和不溶性的氫鍵限制。落入可溶區(qū)域內(nèi)的“完全”溶劑可選自諸如公開于J.D.Crowley等人,JournalofPaintTechnology,1966,38(496),296中的文獻(xiàn)值。也可使用溶劑共混物且可如Solvents，W.H.Ellis，F(xiàn)ederationofSocietiesforCoatingsTechnology，第9-10頁，1986中所描述加以識(shí)別。這樣的程序可產(chǎn)生將溶解兩種本發(fā)明的聚合物的“非”溶劑的共混物，但共混物中具有至少一種真溶劑是期望的。根據(jù)本發(fā)明的化合物和聚合物也可用于如上文及下文所述的器件中的圖案化OSC層中。就現(xiàn)代微電子學(xué)中的應(yīng)用而言，通常需要產(chǎn)生小結(jié)構(gòu)或圖案以降低成本(每單位面積更多器件)和功率消耗。包含根據(jù)本發(fā)明的聚合物的薄層的圖案化可例如通過光刻法、電子束曝光或激光圖案化進(jìn)行。就用作電子或電光學(xué)器件中的薄層而言，本發(fā)明的化合物、聚合物、聚合物共混物或調(diào)配物可通過任何適合的方法沉積。器件的液體涂布比真空沉積技術(shù)更令人期望。溶液沉積法是尤其優(yōu)選的。本發(fā)明的調(diào)配物能夠使用許多液體涂布技術(shù)。優(yōu)選的沉積技術(shù)包括但不限于浸涂、旋涂、噴墨印刷、噴嘴印刷、凸版印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、刮刀涂布、滾筒印刷、反向滾筒印刷、平版膠印、干式平版膠印、柔性版印刷、卷筒紙印刷、噴涂、幕涂、刷涂、狹縫型染料涂布(slotdyecoating)或移印。當(dāng)需要制備高分辨率層和器件時(shí)，噴墨印刷是尤其優(yōu)選的。可通過噴墨印刷或微分配將所選的本發(fā)明調(diào)配物涂覆于預(yù)先制造的器件基板上。優(yōu)選可使用工業(yè)壓電打印頭，諸如但不限于由Aprion、Hitachi-Koki、InkJetTechnology、OnTargetTechnology、Picojet、Spectra、Trident、Xaar所供應(yīng)的那些，將有機(jī)半導(dǎo)體層涂覆至基板。另外可使用半工業(yè)用頭，諸如由Brother、Epson、Konica、SeikoInstrumentsToshibaTEC制造的那些；或單噴嘴微分配器，諸如由Microdrop和Microfab制造的那些。為了通過噴墨印刷或微分配涂覆，首先應(yīng)使化合物或聚合物溶解于適合的溶劑中。溶劑必須滿足上述要求且必須對(duì)所選打印頭無任何有害影響。另外，溶劑的沸點(diǎn)應(yīng)>l00℃，優(yōu)選>140℃，且更優(yōu)選>150℃以防止由打印頭內(nèi)變干的溶液所導(dǎo)致的可操作性問題。除上述溶劑之外，適合的溶劑還包括被取代和未被取代的二甲苯衍生物、二-C1-2-烷基甲酰胺、被取代和未被取代的苯甲醚及其他酚-醚衍生物、被取代的雜環(huán)(諸如被取代的吡啶、吡嗪、嘧啶、吡咯烷酮)、被取代和未被取代的N,N-二-C1-2-烷基苯胺及其他氟化或氯化芳族化合物。用于通過噴墨印刷沉積根據(jù)本發(fā)明的化合物或聚合物的優(yōu)選溶劑包括具有被一個(gè)或多個(gè)取代基取代的苯環(huán)的苯衍生物，其中一個(gè)或多個(gè)取代基中的碳原子總數(shù)為至少3。例如，苯衍生物可被丙基或3個(gè)甲基取代，在任一情況下均總計(jì)存在至少3個(gè)碳原子。這樣的溶劑使得能夠形成包含溶劑與化合物或聚合物的噴墨流體，其減少或防止在噴射期間噴口堵塞和組分分離。溶劑可包括選自下列例子的那些：十二烷基苯、1-甲基-4-叔丁基苯、萜品醇、檸檬烯、異杜烯、萜品油烯、傘花烴、二乙基苯。溶劑可為溶劑混合物，即兩種或更多種溶劑的組合，各溶劑的沸點(diǎn)優(yōu)選>l00℃，更優(yōu)選>140℃。這樣的溶劑也增強(qiáng)所沉積的層中的膜形成且減少層中的缺陷。噴墨流體(即溶劑、粘合劑和半導(dǎo)體化合物的混合物)的黏度在20℃優(yōu)選為1-100mPa.s，更優(yōu)選1-50mPa.s且最優(yōu)選1-30mPa.s。根據(jù)本發(fā)明的聚合物共混物和調(diào)配物可另外包含一種或多種選自例如以下的其他組分或添加劑：表面活性化合物、潤滑劑、潤濕劑、分散劑、疏水劑、粘合劑、流動(dòng)改進(jìn)劑、消泡劑、除氣劑、稀釋劑(其可為反應(yīng)性或非反應(yīng)性的)、助劑、著色劑、染料或顏料、敏化劑、穩(wěn)定劑、納米粒子或抑制劑。本發(fā)明的化合物和聚合物在光學(xué)、光電、電子、電致發(fā)光或光致發(fā)光組件或器件中可用作電荷傳輸、半導(dǎo)體、導(dǎo)電、光導(dǎo)或發(fā)光材料。在這些器件中，本發(fā)明的聚合物通常作為薄層或膜施加。因此，本發(fā)明還提供了半導(dǎo)體化合物、聚合物、聚合物共混物、調(diào)配物或?qū)釉陔娮悠骷械挠猛尽Ｕ{(diào)配物可在各種器件和設(shè)備中用作高遷移率半導(dǎo)體材料。調(diào)配物可例如以半導(dǎo)體層或膜的形式使用。因此，在另一方面中，本發(fā)明提供了一種用于電子器件中的半導(dǎo)體層，該層包含根據(jù)本發(fā)明的化合物、聚合物共混物或調(diào)配物。層或膜可小于約30微米。就各種電子器件應(yīng)用而言，厚度可小于約1微米厚。該層可通過任何前述溶液涂布或印刷技術(shù)沉積于例如電子器件的一部分上。此外，本發(fā)明提供了包含根據(jù)本發(fā)明的化合物、聚合物、聚合物共混物、調(diào)配物或有機(jī)半導(dǎo)電層的電子器件。優(yōu)選的器件是OFET、TFT、IC、邏輯電路、電容器、RFID標(biāo)簽、OLED、OLET、OPED、OPV、OPD、太陽能電池、激光二極管、光電導(dǎo)體、光電探測(cè)器、電子照相器件、電子照相記錄器件、有機(jī)存儲(chǔ)器件、傳感器器件、電荷注入層、肖特基二極管、平坦化層、抗靜電膜、導(dǎo)電基板和導(dǎo)電圖案。特別優(yōu)選的器件是OLED。特別優(yōu)選的電子器件為OFET、OLED、OPV和OPD器件，特別是本體異質(zhì)結(jié)(BHJ)OPV器件。例如，在OFET中，漏極與源極之間的有源(active)半導(dǎo)體溝道可包含本發(fā)明的層。作為另一例子，在OLED器件中，電荷(空穴或電子)注入或傳輸層可包含本發(fā)明的層。為用于OPV或OPD器件中，根據(jù)本發(fā)明的聚合物優(yōu)選以包含或含有p型(電子供體)半導(dǎo)體和n型(電子受體)半導(dǎo)體，更優(yōu)選基本上由p型(電子供體)半導(dǎo)體和n型(電子受體)半導(dǎo)體組成，非常優(yōu)選僅由p型(電子供體)半導(dǎo)體和n型(電子受體)半導(dǎo)體組成的調(diào)配物形式使用。p型半導(dǎo)體由根據(jù)本發(fā)明的聚合物構(gòu)成。n型半導(dǎo)體可為無機(jī)材料，諸如鋅氧化物(ZnOx)、鋅錫氧化物(ZTO)、鈦氧化物(TiOx)、鉬氧化物(MoOx)、鎳氧化物(NiOx)或硒化鎘(CdSe)；或有機(jī)材料，諸如石墨烯或富勒烯或被取代的富勒烯，例如茚-C60-富勒烯雙加合物(如ICBA)或(6,6)-苯基-丁酸甲酯衍生的橋亞甲基C60富勒烯(也稱為“PCBM-C60”或“C60PCBM”)，其如例如G.Yu,J.Gao,J.C.Hummelen，F(xiàn).Wudl，A.J.Heeger，Science1995,第270卷，第1789頁及其后內(nèi)容中所公開且具有以下所顯示的結(jié)構(gòu)，或具有例如C61富勒烯基、C70富勒烯基或C71富勒烯基的結(jié)構(gòu)類似的化合物，或有機(jī)聚合物(參見例如Coakley，K.M.和McGehee，M.D.Chem.Mater.2004，16，4533)。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的聚合物與n型半導(dǎo)體如富勒烯或取代的富勒烯(例如PCBM-C60、PCBM-C70、PCBM-C61、PCBM-C71、雙-PCBM-C61、雙-PCBM-C71、ICMA-c60(1′,4′-二氫-萘并[2′,3′:1,2][5,6]富勒烯-C60)、ICBA-C60、oQDM-C60(1',4'-二氫-萘并[2',3':1,9][5,6]富勒烯-C60-Ih)、雙-oQDM-C60)、石墨烯或金屬氧化物(例如，ZnOx、TiOx、ZTO、MoOx、NiOx)、或量子點(diǎn)(例如，CdSe或CdS)共混以在OPV或OPD器件中形成活性層(activelayer)。所述器件優(yōu)選進(jìn)一步包含在活性層的一側(cè)上的透明或半透明基板上的第一透明或半透明電極，和在活性層的另一側(cè)上的第二金屬或半透明電極。OPV或OPD器件進(jìn)一步優(yōu)選在活性層與第一或第二電極之間包含一個(gè)或多個(gè)額外緩沖層，其充當(dāng)空穴傳輸層和/或電子阻擋層，其包含諸如以下的材料：金屬氧化物(如例如ZTO、MoOx、NiOx)、共軛聚合物電解質(zhì)(如例如PEDOT:PSS)、共軛聚合物(如例如聚三芳基胺(PTAA))、有機(jī)化合物(如例如N,N′-二苯基-N,N′-雙(1-萘基)(1,1′-聯(lián)二苯)-4,4′二胺(NPB)、N,N′-二苯基-N,N′-(3-甲基苯基)(1,1′-聯(lián)二苯-4,4′-二胺(TPD))，或者備選地充當(dāng)空穴阻擋層和/或電子傳輸層，其包含諸如以下的材料：金屬氧化物(如例如ZnOx、TiOx)、鹽(如例如LiF、NaF、CsF)、共軛聚合物電解質(zhì)(如例如聚[3-(6-三甲基銨己基)噻吩]、聚(9,9-雙(2-乙基己基)-芴]-嵌段(b)-聚[3-(6-三甲基銨己基)噻吩]或聚[(9,9-雙(3′-(N,N-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-交替-2,7-(9,9-二辛基芴)])或有機(jī)化合物(如例如三(8-羥基喹啉(quinolinolato))-鋁(III)(Alq3)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)。在根據(jù)本發(fā)明的聚合物與富勒烯或經(jīng)改性富勒烯的共混物或混合物中，聚合物:富勒烯的比率優(yōu)選為按重量計(jì)5:1至1:5，更優(yōu)選為按重量計(jì)1:1至1:3，最優(yōu)選為按重量計(jì)1:1至1:2。也可包括5重量％至95重量％的聚合粘合劑。粘合劑的例子包括聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。為在BHJOPV器件中產(chǎn)生薄層，可通過任何適合的方法沉積本發(fā)明的化合物、聚合物、聚合物共混物或調(diào)配物。器件的液體涂布比真空沉積技術(shù)更令人期望。溶液沉積法是尤其優(yōu)選的。本發(fā)明的調(diào)配物能夠使用許多液體涂布技術(shù)。優(yōu)選的沉積技術(shù)包括但不限于浸涂、旋涂、噴墨印刷、噴嘴印刷、凸版印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、刮刀涂布、滾筒印刷、反向滾筒印刷、平版印刷、干式平版印刷、柔性版印刷、卷筒紙印刷、噴涂、幕涂、刷涂、狹縫型染料涂布或移印。就OPV器件和模塊的制造而言，與可撓性基板兼容的區(qū)域印刷方法是優(yōu)選的，例如狹縫型染料涂布、噴涂等。必須制備含有根據(jù)本發(fā)明的聚合物與C60或C70富勒烯或經(jīng)改性的富勒烯(如PCBM)的共混物或混合物的適合溶液或調(diào)配物。在制備調(diào)配物中，必須選擇適合的溶劑以確保兩種組分(p型和n型)充分溶解且考慮由所選印刷方法引入的邊界條件(例如流變特性)。為此目的通常使用有機(jī)溶劑。典型的溶劑可為芳族溶劑、鹵化溶劑或氯化溶劑，其包括氯化芳族溶劑。例子包括但不限于氯苯、1,2-二氯苯、氯仿、1,2-二氯乙烷、二氯甲烷、四氯化碳、甲苯、環(huán)己酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、苯甲醚、嗎啉、鄰二甲苯、間二甲苯、對(duì)二甲苯、1,4-二噁烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亞砜、四氫滿、十氫萘、茚滿、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、均三甲苯及其組合。OPV器件可例如為從文獻(xiàn)已知的任何類型(例如參見Waldauf等人,Appl.Phys.Lett.,2006,89,233517)。根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選OPV器件包含以下層(從下至上的順序)：-任選的基板，-高功函數(shù)電極，優(yōu)選包含金屬氧化物如ITO，作為陽極，-任選的導(dǎo)電聚合物層或者空穴傳輸層，優(yōu)選包含有機(jī)聚合物或者聚合物共混物，例如PEDOT：PSS(聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸酯))，或TBD(N,N’-二苯基-N-N’-雙(3-甲基苯基)-1,1’聯(lián)二苯基-4,4’-二胺)或NBD(N,N’-二苯基-N-N’-雙(1-萘基苯基)-1,1’聯(lián)二苯基-4,4’-二胺)，-層，也稱為“活性層”，包含p-型和n-型有機(jī)半導(dǎo)體，其可例如作為p-型/n-型雙層或作為不同的p-型和n-型層，或者作為共混物或p-型和n-型半導(dǎo)體而存在，形成BHJ，-任選具有電子傳輸性質(zhì)的層，例如包含LiF，-低功函數(shù)電極，優(yōu)選包含金屬例如鋁，作為陰極其中電極的至少一個(gè)，優(yōu)選陽極，是對(duì)可見光透明的，并且，其中p-型半導(dǎo)體是根據(jù)本發(fā)明的聚合物。根據(jù)本發(fā)明的第二種優(yōu)選的OPV器件是倒置型OPV器件，并且包含下列層(從下至上的順序)：-任選的基板，-高功函數(shù)金屬或金屬氧化物電極，包含例如ITO，作為陰極，-具有空穴阻擋性質(zhì)的層，優(yōu)選包含金屬氧化物如TiOx或者Znx，-包含p-型和n-型有機(jī)半導(dǎo)體的活性層，其位于電極之間，其可例如作為p-型/n-型雙層或作為不同的p-型和n-型層，或者作為共混物或p-型和n-型半導(dǎo)體而存在，形成BHJ，-任選的導(dǎo)電聚合物層或者空穴傳輸層，優(yōu)選包含有機(jī)聚合物或者聚合物共混物，例如PEDOT:PSS或TBD或NBD，-包含高功函數(shù)金屬例如銀的電極，作為陽極，其中電極的至少一個(gè)，優(yōu)選陰極，是對(duì)可見光透明的，并且其中p-型半導(dǎo)體是根據(jù)本發(fā)明的聚合物。在本發(fā)明的OPV器件中，p型和n型半導(dǎo)體材料優(yōu)選選自例如如上文所述的聚合物/富勒烯體系的材料。當(dāng)活性層沉積在基底上時(shí)，它形成了以納米尺度水平相分離的BHJ。關(guān)于納米尺度相分離的討論，參見Dennler等人,ProceedingsoftheIEEE,2005,93(8),1429或Hoppe等人,Adv.Func.Mater,2004,14(10),1005。隨后任選的退火步驟可以是必須的以優(yōu)化共混物形態(tài)和最終OPV器件的性能。另一種優(yōu)化器件性能的方法是制備用于制造OPV(BHJ)器件的調(diào)配物，其可以包括高沸點(diǎn)添加劑以以正確的方式促進(jìn)相分離。已經(jīng)使用了1,8-辛二硫醇、1,8-二碘辛烷、硝基苯、氯萘和其它添加劑以獲得高效率的太陽能電池。例子公開于J.Peet等人,Nat.Mater.,2007,6,497或Fréchet等人，J.Am.Chem.Soc.,2010,132,7595-7597中。本發(fā)明的化合物、聚合物、調(diào)配物和層也適用于在OFET中作為半導(dǎo)體溝道。因此，本發(fā)明也提供包含柵電極、絕緣(或柵絕緣體)層、源電極、漏電極和連接源和漏電極的有機(jī)半導(dǎo)體溝道的OFET，其中該有機(jī)半導(dǎo)體溝道包含根據(jù)本發(fā)明的化合物、聚合物、聚合物共混物、調(diào)配物或有機(jī)半導(dǎo)體層。OFET的其它特征對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是熟知的。其中OSC材料作為薄膜布置在柵電介質(zhì)與漏和源電極之間的OFET是通常已知的且描述于例如US5,892,244、US5,998,804、US6,723,394中以及在背景部分中引用的參考文獻(xiàn)中。由于這些優(yōu)點(diǎn)，如利用根據(jù)本發(fā)明的化合物的溶解性質(zhì)的低成本生產(chǎn)以及由此的大表面的加工性，這些FET的優(yōu)選應(yīng)用是如集成電路、TFT顯示器和安全應(yīng)用。在OFET器件中柵、源和漏電極以及絕緣和半導(dǎo)體層可以任何順序布置，條件是源電極和漏電極通過絕緣層與柵電極隔開，柵電極和半導(dǎo)體層均與絕緣層接觸，以及源電極和漏電極二者均與半導(dǎo)體層接觸。根據(jù)本發(fā)明的OFET器件優(yōu)選包含：-源電極,-漏電極,-柵電極,-半導(dǎo)體層，-一個(gè)或多個(gè)柵絕緣層，和-任選的基板，其中該半導(dǎo)體層優(yōu)選包含如上下文所述的化合物、聚合物、聚合物共混物或者調(diào)配物。OFET器件可以是頂柵器件或底柵器件。OFET器件的合適結(jié)構(gòu)和制造方法對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的且描述于文獻(xiàn)，例如US2007/0102696A1中。柵絕緣層優(yōu)選包含含氟聚合物，例如可商購獲得的Cytop或Cytop(來自AsahiGlass)。優(yōu)選將柵絕緣層沉積，例如通過旋涂、刮刀涂覆、繞線棒涂覆、噴涂或浸涂或其它已知方法，由包含絕緣材料和一種或多種具有一個(gè)或多個(gè)氟原子的溶劑(含氟溶劑)、優(yōu)選全氟溶劑的調(diào)配物進(jìn)行沉積。合適的全氟溶劑是例如(可從Acros獲得，產(chǎn)品目錄號(hào)12380)。其它合適的含氟聚合物和含氟溶劑在現(xiàn)有技術(shù)中是已知的，如例如全氟聚合物Teflon1600或2400(來自DuPont)或(來自Cytonix)或全氟溶劑FC(Acros,No.12377)。特別優(yōu)選的是具有1.0－5.0、非常優(yōu)選1.8－4.0的低電容率(或介電常數(shù))的有機(jī)介電材料(“低k材料”)，例如US2007/0102696A1或US7,095,044中所公開的。在安全應(yīng)用中，具有根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體材料的OFET和其它器件，如晶體管或二極管，可用于RFID標(biāo)簽或安全標(biāo)記以鑒定和防止有價(jià)證券如鈔票、信用卡或ID卡、國家ID文件、執(zhí)照或任何具有貨幣價(jià)值的產(chǎn)品如郵票、票、股票、支票等的偽造。備選地，根據(jù)本發(fā)明的材料可用于OLED中，例如在平板顯示器應(yīng)用中作為有源顯示器材料、或作為例如液晶顯示器的平板顯示器的背光。普通的OLED采用多層結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。發(fā)射層通常夾在一個(gè)或多個(gè)電子傳輸和/或空穴傳輸層之間。通過施加電壓，電子和空穴作為載流子向發(fā)射層移動(dòng)，在那里它們的再組合導(dǎo)致包含在發(fā)射層中的發(fā)光團(tuán)(lumophor)單元的激發(fā)并因此發(fā)光。本發(fā)明的化合物、材料和膜可對(duì)應(yīng)于它們的電學(xué)和/或光學(xué)性質(zhì)而用于一個(gè)或多個(gè)電荷傳輸層和/或發(fā)射層中。此外，它們?cè)诎l(fā)射層內(nèi)的用途是特別有利的，如果根據(jù)本發(fā)明的化合物、材料和膜本身顯示出電致發(fā)光性質(zhì)或包含電致發(fā)光的基團(tuán)或化合物的話。用于OLED中的合適的單體、低聚和聚合化合物或材料的選擇、表征以及加工是本領(lǐng)域技術(shù)人員通常已知的，參見例如Müller等人,Synth.Metals,2000,111-112,31-34,Alcala,J.Appl.Phys.,2000,88,7124-7128和其中所引用的文獻(xiàn)。根據(jù)另一種用途，根據(jù)本發(fā)明的材料，特別是顯示出光致發(fā)光性質(zhì)的那些可用作光源的材料，例如在顯示器件中，如EP0889350A1或C.Weder等人,Science,1998,279,835-837中所描述的。本發(fā)明的其它方面涉及根據(jù)本發(fā)明的化合物的氧化和還原形式兩者。失去或得到電子導(dǎo)致形成高度離域的離子形式，其具有高導(dǎo)電性。這可以在暴露于常規(guī)的摻雜劑時(shí)發(fā)生。合適的摻雜劑和摻雜方法對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的，例如由EP0528662、US5,198,153或WO96/21659獲知。摻雜工藝典型地意味著用氧化或還原劑在氧化還原反應(yīng)中處理半導(dǎo)體材料，以在材料中形成具有衍生自所用摻雜劑的相應(yīng)反離子的離域的離子中心。合適的摻雜方法包括例如在大氣壓或在減壓下暴露于摻雜蒸氣中、在含有摻雜劑的溶液中電化學(xué)摻雜、使摻雜劑與要熱擴(kuò)散的半導(dǎo)體材料接觸以及摻雜劑離子植入(implantation)半導(dǎo)體材料中。當(dāng)將電子用作載流子時(shí)，合適的摻雜劑例如為鹵素(例如I2、Cl2、Br2、ICl、ICl3、IBr和IF)、路易斯酸(例如PF5、AsF5、SbF5、BF3、BCl3、SbCl5、BBr3和SO3)、質(zhì)子酸、有機(jī)酸或氨基酸(例如HF、HCl、HNO3、H2SO4、HClO4、FSO3H和ClSO3H)、過渡金屬化合物(例如FeCl3、FeOCl、Fe(ClO4)3、Fe(4-CH3C6H4SO3)3、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、NbF5、NbCl5、TaCl5、MoF5、MoCl5、WF5、WCl6、UF6和LnCl3(其中Ln是鑭系元素)、陰離子(例如Cl-、Br-、I-、I3-、HSO4-、SO42-、NO3-、ClO4-、BF4-、PF6-、AsF6-、SbF6-、FeCl4-、Fe(CN)63-，和各種磺酸陰離子，例如芳基-SO3-)。當(dāng)將空穴用作載流子時(shí)，摻雜劑的例子是陽離子(例如H+、Li+、Na+、K+、Rb+和Cs+)、堿金屬(例如Li、Na、K、Rb和Cs)、堿土金屬(例如Ca、Sr和Ba)、O2、XeOF4、(NO2+)(SbF6-)、(NO2+)(SbCl6-)、(NO2+)(BF4-)、AgClO4、H2IrCl6、La(NO3)3·6H2O、FSO2OOSO2F、Eu、乙酰膽堿、R4N+(R是烷基)、R4P+(R是烷基)、R6As+(R是烷基)，和R3S+(R是烷基)。本發(fā)明的化合物的導(dǎo)電形式可在包括但不限于在OLED應(yīng)用中的電荷注入層和TO平坦化層、用于平板顯示器和觸屏的膜、抗靜電膜、印刷的傳導(dǎo)基底、電子應(yīng)用如印刷電路板和聚光器中的圖案或區(qū)域(tract)的應(yīng)用中用作有機(jī)“金屬”。根據(jù)本發(fā)明的化合物和調(diào)配物也可適用于有機(jī)等離子體激元發(fā)射二極管(OPED)，如例如Koller等人,Nat.Photonics,2008,2,684中所描述的。根據(jù)另一種用途，根據(jù)本發(fā)明的材料可單獨(dú)使用或與其它材料一起使用，用于LCD或OLED器件中的配向?qū)又谢蛴米髋湎驅(qū)?，如例如描述于US2003/0021913中的。根據(jù)本發(fā)明的電荷傳輸化合物的使用可以增加配向?qū)拥膶?dǎo)電性。當(dāng)用于LCD中時(shí)，該增加的導(dǎo)電性可以降低在可轉(zhuǎn)換的LCD盒中的不利的殘余dc影響和抑制圖像粘滯，或例如在鐵電LCD中降低由鐵電LC的自發(fā)極化電荷的轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的殘余電荷。當(dāng)用于包含提供在配向?qū)由系陌l(fā)光材料的OLED器件中時(shí)，該提高的導(dǎo)電性可以提高發(fā)光材料的電致發(fā)光性。根據(jù)本發(fā)明的具有介晶或液晶性質(zhì)的化合物或材料可形成如上所述的經(jīng)取向的各向異性膜，它特別用作配向?qū)右哉T發(fā)或提高提供在所述各向異性膜上的液晶介質(zhì)中的配向。根據(jù)本發(fā)明的材料還可以與可光異構(gòu)化的化合物和/或生色團(tuán)結(jié)合用于或者用作光配向?qū)樱鏤S2003/0021913A1中所描述的。根據(jù)另一種用途，根據(jù)本發(fā)明的材料，特別是它們的水溶性衍生物(例如具有極性或離子側(cè)基的)或離子摻雜形式，可用作用于檢測(cè)和區(qū)別DNA序列的化學(xué)傳感器或材料。這樣的用途例如描述于L.Chen,D.W.McBranch,H.Wang,R.Helgeson,F.Wudl和D.G.Whitten,Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.,1999,96,12287；D.Wang,X.Gong,P.S.Heeger,F.Rininsland,G.C.Bazan和A.J.Heeger,Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.,2002,99,49；N.DiCesare,M.R.Pinot,K.S.Schanze和J.R.Lakowicz,Langmuir,2002,18,7785；D.T.McQuade,A.E.Pullen,T.M.Swager,Chem.Rev.,2000,100,2537中。除非上下文另有明確說明，本文所用的本文中的術(shù)語的復(fù)數(shù)形式將被理解為包括單數(shù)形式，并且反之亦然。貫穿本申請(qǐng)的說明書和權(quán)利要求書，措辭“包含(comprise)”和“含有”以及該詞的變形例如“包含著(comprising)”和“包括(comprises)”指的是“包括但不限于”，并不旨在(以及不)排除其它組分。將理解的是可以對(duì)前述本發(fā)明的實(shí)施方案做出更改，而仍然落入本發(fā)明的范圍。除非另有說明，公開在本說明書的每個(gè)特征可由起到相同、等同或類似目的的備選特征所替代。因此，除非另有說明，所公開的每個(gè)特征只是一般系列等同或類似特征的一個(gè)例子。在本說明書中公開的所有特征可以任何組合結(jié)合，除了其中至少一些這樣的特征和/或步驟是互相排斥的組合之外。特別地，本發(fā)明的優(yōu)選特征適用于本發(fā)明的所有方面且可以任何組合使用。同樣地，非必要的組合中描述的特征可單獨(dú)使用(不以組合形式)。上下文中，除非另有說明，百分?jǐn)?shù)是重量百分?jǐn)?shù)和溫度以攝氏度給出。介電常數(shù)ε(“電容率”)指的是在20℃和1000Hz下獲得的值。實(shí)施例以下非限制性實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。實(shí)施例12-溴-5-十六烷基-噻吩在-78℃下經(jīng)60分鐘，向(5-溴噻吩-2-基)三甲基硅烷(10.0g，42.5mmol)在無水四氫呋喃(150cm3)中的溶液中逐滴添加叔丁基鋰(51.0cm3,86.7mmol,1.7M在戊烷中)。然后一次性添加1-溴十六烷(13.0g,42.5mmol)。然后經(jīng)17小時(shí)使混合物升溫至23℃。在真空中移除溶劑，添加40-60石油醚(400cm3)，并在23℃下將混合物攪拌30分鐘，過濾并在真空中移除溶劑。將殘余物溶解于N，N-二甲基甲酰胺(150cm3)和二乙醚(50cm3)中，隨后經(jīng)15分鐘逐份添加1-溴-吡咯烷-2,5-二酮(9.1g，51mmol)。在23℃下將所得反應(yīng)混合物攪拌17小時(shí)。添加輕質(zhì)石油醚(200cm3)和水(200cm3)，并在23℃下將混合物攪拌30分鐘。用40-60石油醚(3x100cm3)萃取產(chǎn)物。經(jīng)無水硫酸鎂干燥合并的有機(jī)物，過濾并在真空中移除溶劑。使用硅膠柱色譜法(40-60石油醚)純化粗材料，以獲得澄清油狀的2-溴-5-十六烷基噻吩(12.1g,70％)。1H-NMR(300MHz,CDCl3)0.85-0.96(9H,s,CH3),1.23-1.34(27H,m,CH2),1.60-1.69(2H,m,CH2),2.70-2.78(2H,m,CH2),6.54(1H,d,ArH,J3.6),6.85(1H,d,ArH,J3.7)。2,5-雙-(5-三甲基硅烷基-噻吩-2-基)-對(duì)苯二甲酸二乙酯用氮將2,5-二溴-對(duì)苯二甲酸二乙酯(6.8g,18.0mmol)、三甲基-(5-三丁基錫烷基-噻吩-2-基)-硅烷(18.4g，41.4mmol)、三-鄰-甲苯基-磷烷(438mg；1.44mmol)和無水甲苯(150cm3)的混合物脫氣25分鐘。向混合物中添加三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(330mg，0.36mmol)，并將混合物再脫氣15分鐘。在100℃下將混合物攪拌17小時(shí)，在冷卻至23℃后，在真空中移除溶劑。使用硅膠柱色譜法(梯度為40-60石油醚至40-60石油醚:二氯甲烷4:6)純化粗制物，以獲得白色固體狀的2,5-雙-(5-三甲基硅烷基-噻吩-2-基)-對(duì)苯二甲酸二乙酯(5.9g，61％)。1H-NMR(300MHz,CDCl3)0.32-0.36(18H,s,CH3),1.13(6H,t,CH3,J7.2),4.21(4H,q,CH2,J7.2),7.14(2H,d,ArH,J3.3),7.20(2H,d,ArH,J3.3),7.81(2H,s,ArH)。4,9-二氫-4,4,9,9-四[5-(十六烷基)噻吩]-s-5,10-二氫-引達(dá)省并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩在-78℃下經(jīng)35分鐘，向2-溴-5-十六烷基噻吩(7.9g，20mmol)在無水四氫呋喃(150cm3)中的懸浮液中逐滴添加叔丁基鋰(24.0cm3,41.0mmol，1.7M在戊烷中)。添加后，在-78℃下將反應(yīng)混合物攪拌45分鐘。一次性添加2,5-雙-(5-三甲基硅烷基-噻吩-2-基)-對(duì)苯二甲酸二乙酯(1.8mg，3.4mmol)。然后經(jīng)17小時(shí)使混合物升溫至23℃。添加水(200cm3)并將混合物攪拌45分鐘。用二乙醚(3x150cm3)萃取產(chǎn)物。經(jīng)無水硫酸鎂干燥合并的有機(jī)物，過濾并在真空中移除溶劑。使用硅膠柱色譜法(梯度為40-60石油醚至40-60石油醚:二氯甲烷4:6)純化殘余物，以獲得中間體二醇。向二醇在無水甲苯(150cm3)中的溶液中添加對(duì)甲苯磺酸(1.2g，6.8mmol)。在70℃下將所得溶液攪拌3小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻至23℃并在真空中移除溶劑。使用硅膠柱色譜法(40-60石油醚)純化粗制物，以獲得奶油固體狀4,9-二氫-4,4,9,9-四[5-(十六烷基)噻吩]-s-5,10-二氫-引達(dá)省并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(720mg,14％)。1H-NMR(300MHz,CDCl3)0.82-0.95(12H,m,CH3),1.16-1.34(104H,m,CH2),1.53-1.63(8H,m,CH2),2.45-2.69(8H,m,CH2),6.52(2H,d,ArH,J3.6),6.70–6.78(4H,m,ArH),7.18(2H,d,ArH,J4.9),7.29(2H,d,ArH,J5.0),7.64(2H,s,ArH)。2,7-二溴-4,9-二氫-4,4,9,9-四[5-(十六烷基)噻吩]-s-5,10-二氫-引達(dá)省并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩在氮?dú)夥諊?，?℃下，在不存在光的情況下，將1-溴-吡咯烷-2,5-二酮(183mg,1.0mmol)逐份添加至4,9-二氫-4,4,9,9-四[5-(十六烷基)噻吩]-s-5,10-二氫-引達(dá)省并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(700mg,0.47mmol)在無水四氫呋喃(30cm3)中的溶液中。添加后，在23℃下將反應(yīng)混合物攪拌3小時(shí)，并然后在真空中濃縮反應(yīng)混合物。在50℃下將殘余物溶解于40-60石油醚(20cm3)中并使用硅膠柱色譜法(40-60石油醚)純化，以獲得淡黃色(palecream)結(jié)晶固體狀的2,7-二溴-4,9-二氫-4,4,9,9-四[5-(十六烷基)噻吩]-s-5,10-二氫-引達(dá)省并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(425mg，54.9％)。1HNMR(300MHz,CDCl3)0.83-0.94(12H,m,CH3),1.15-1.41(104H,m,CH2),1.56-1.64(8H,m,CH2),2.65-2.75(8H,m,CH2),6.50-6.58(4H,m,ArH),6.65-6.70(4H,m,ArH),7.17(2H,s,ArH),7.53(2H,s,ArH)。聚合物1使氮?dú)夤呐萃ㄟ^2,7-二溴-4,9-二氫-4,4,9,9-四[5-(十六烷基)噻吩]-s-5,10-二氫-引達(dá)省并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(121mg,0.073mmol)、2,5-噻吩并[3,2-b]噻吩(34.2mg,0.073mmol)、三-鄰-甲苯基-膦(7.4mg,0.024mmol)和無水甲苯(4cm3)的混合物30分鐘。添加三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(4.6mg,0.007mmol)，并在100℃下在預(yù)加熱塊(block)中將反應(yīng)混合物加熱30分鐘。添加溴苯(0.03cm3)并在100℃下將混合物加熱30分鐘，然后添加三丁基-苯基-錫烷(0.08cm3)。然后在100℃下將混合物加熱1小時(shí)。使混合物稍微冷卻并傾倒至攪拌的甲醇(200cm3)中，并通過過濾收集聚合物沉淀。用丙酮、40-60石油醚和環(huán)己烷使粗聚合物經(jīng)受連續(xù)索氏萃取(soxhletextraction)。將環(huán)己烷萃取物傾倒至甲醇(400cm3)中并通過過濾收集聚合物沉淀，以獲得深紅色固體狀的聚合物1(106mg,89％)。GPC(氯苯，50℃)Mn＝76,000g/mol，Mw＝282,000g/mol。實(shí)施例2聚合物2使氮?dú)夤呐萃ㄟ^2,7-二溴-4,9-二氫-4,4,9,9-四[5-(十六烷基)噻吩]-s-5，10-二氫-引達(dá)省并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(164mg,0.099mmol)、4,7-雙-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧雜環(huán)戊硼烷-2-基)-苯并[1,2,5]噻二唑(38.7mg,0.099mmol)、aliquat336(100mg)、2-二環(huán)己基膦基-2’，6’-二甲氧基聯(lián)苯(18.6mg，0.045mmol)和碳酸鈉溶液(2M水溶液，1.0cm3)在四氫呋喃(5cm3)中的混合物30分鐘。添加三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(10.4mg，0.011mmol)和甲苯(5cm3)，并然后在100℃下在預(yù)加熱油浴中將反應(yīng)混合物加熱4小時(shí)。添加溴苯(0.02cm3)并在100℃下將混合物加熱30分鐘，然后添加苯基硼酸(19mg)。然后在100℃下將混合物加熱1小時(shí)。使混合物稍微冷卻并傾倒至攪拌的甲醇(200cm3)中，并通過過濾收集聚合物沉淀。用丙酮、40-60石油醚和環(huán)己烷使粗聚合物經(jīng)受連續(xù)索氏萃取。將環(huán)己烷萃取物傾倒至甲醇(400cm3)中并通過過濾收集聚合物沉淀，以獲得深藍(lán)色固體狀的聚合物2(124mg,77％)。GPC(氯苯，5℃)Mn＝25,000g/mol，Mw＝54,000g/mol實(shí)施例3聚合物3使氮?dú)夤呐萃ㄟ^2,7-二溴-4,9-二氫-4,4,9,9-四[5-(十六烷基)噻吩]-s-5,10-二氫-引達(dá)省并[1,2-b:5,6-b’]二噻吩(129mg,0.078mmol)、5,5'-雙-三甲基錫烷基-[2,2’]聯(lián)噻吩(38.4mg,0.078mmol)、三-鄰-甲苯基-膦(18.6mg，0.061mmol)和無水甲苯(5cm3)的混合物30分鐘。添加三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(10.4mg，0.011mmol)并在100℃下在預(yù)加熱油浴中將反應(yīng)混合物加熱30分鐘。添加溴苯(0.03cm3)并在100℃下將混合物加熱30分鐘，然后添加三丁基-苯基-錫烷(0.08cm3)。然后在100℃下將混合物加熱1小時(shí)。使混合物稍微冷卻并傾倒至攪拌的甲醇(200cm3)中，并通過過濾收集聚合物沉淀。用丙酮、40-60石油醚和環(huán)己烷使粗聚合物經(jīng)受連續(xù)索氏萃取。將環(huán)己烷萃取物傾倒至甲醇(400cm3)中并通過過濾收集聚合物沉淀，以獲得深紅色固體狀的聚合物3(90mg,70％)。GPC(氯苯，50℃)Mn＝35,000g/mol,Mw＝84,000g/mol實(shí)施例4-晶體管制造和測(cè)量在玻璃基板上制造具有光刻限定的Au源電極-漏電極的頂柵薄膜有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)。將7mg/cm3的有機(jī)半導(dǎo)體在二氯苯中的溶液旋涂在頂部上(任選的膜的退火在100℃、150℃或200℃進(jìn)行1至5分鐘)隨后是旋涂的氟聚合物介電材料(D139來自Merck，德國)。最后沉積光刻限定的Au柵電極。晶體管器件的電學(xué)表征在環(huán)境空氣氣氛中使用電腦控制的Agilent4155C半導(dǎo)體參數(shù)分析儀進(jìn)行。計(jì)算化合物的在飽和區(qū)中的載流子遷移率(μsat)。使用等式(eq.1)計(jì)算在飽和區(qū)(Vd>(Vg-V0))中的場(chǎng)效應(yīng)遷移率：其中W為溝道寬度，L表示溝道長度，Ci表示絕緣層的電容，Vg表示柵電壓，V0表示開啟電壓，且μsat表示在飽和區(qū)中的載流子遷移率。開啟電壓(V0)在源極-漏極電流的起始時(shí)測(cè)量。在頂柵OFET中，聚合物1和3的遷移率(μsat)歸納在表1中。表1聚合物μsat[cm2/Vs]10.0630.03當(dāng)前第1頁1 2 3