專利名稱：含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高分子光電材料領(lǐng)域，具體涉及一類含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料及其應(yīng)用。
背景技術(shù)：
自從1990年第一個(gè)聚合物電致發(fā)光二極管發(fā)明以來，聚合物電光電材料得到了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注。為了實(shí)現(xiàn)高效的聚合物電致發(fā)光器件，電子和空穴分別從陰極和陽極高效的注入是其中的關(guān)鍵。因此，很多高效的聚合物電致發(fā)光器件都是采用多層器件結(jié)構(gòu)，即除了發(fā)光層外，還含有一層或多層空穴傳輸/注入層或電子傳輸/注入層。因此，除了開發(fā)優(yōu)異的發(fā)光材料，開發(fā)優(yōu)異的電子傳輸/注入材料和空穴傳輸/注入材料也是實(shí)現(xiàn)高效聚合物電致發(fā)光器件的關(guān)鍵。此前的研究發(fā)現(xiàn)共軛聚電解質(zhì)及其中性前驅(qū)體是一類非常優(yōu)異的電子注入/傳輸材料，這類材料在極性溶劑中有很好的溶解性，同時(shí)具有優(yōu)異的電子傳輸性能，從而使得制備高效多層結(jié)構(gòu)的聚合物電致發(fā)光器件成為可能。此外，這類材料還能有效的增加從高功函數(shù)的金屬(如鋁，銀，金)向聚合物半導(dǎo)體的電子注入，更有利于以印刷的方式實(shí)現(xiàn)高分子多層器件(Adv. Mater. 2007，19，810.)。后續(xù)的研究表明，這類共軛聚電解質(zhì)材料不但可用于發(fā)光器件，還可作為界面修飾層大幅提高有機(jī)太陽能電池、場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。然而，絕大多數(shù)的共軛聚電解質(zhì)都有可自由移動(dòng)的對(duì)離子，對(duì)離子有可能能夠擴(kuò)散到發(fā)光層從而影響器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。此外，器件的響應(yīng)速度與共軛聚電解質(zhì)的電荷遷移率都受到對(duì)離子很大影響。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)與不足，本發(fā)明提供了一類含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料及其應(yīng)用；本發(fā)明提供了一類具有優(yōu)異的醇/水溶性和高效的電子傳輸/注入性能的含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料，這類聚合物不僅具有非常優(yōu)異的醇/水溶性，并且沒有可自由移動(dòng)的離子；可以作為電子傳輸/注入材料或界面修飾材料應(yīng)用于有機(jī)光電器件中 (例如有機(jī)發(fā)光二極管，有機(jī)太陽能電池，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。本發(fā)明采用如下技術(shù)方案本發(fā)明所述含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物，具有如下結(jié)構(gòu)
權(quán)利要求
1.一類含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料，其特征在于其結(jié)構(gòu)為
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料，其特征在于所述結(jié)構(gòu) R1-R4中一個(gè)以上的碳原子被氧原子、羥基、氨基、砜基、烯基、炔基、芳基、酯基或羰基取代， 氫原子被氟原子、羥基、氨基、砜基、烯基、炔基、芳基、酯基或羰基取代。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料，其中A、B為共軛的主鏈單元，具有如下結(jié)構(gòu)的一種以上
4.權(quán)利要求I至3任一項(xiàng)所述的含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料在有機(jī)光器件中應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明涉及一類含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料及其應(yīng)用。所述的含氧化胺基團(tuán)的共軛聚合物光電材料由共軛的主鏈及含有氧化胺單元的側(cè)鏈組成，應(yīng)用在有機(jī)光電器件中。本發(fā)明的材料具有良好的醇/水溶性以及光電性能，適合做多層溶液加工器件，同時(shí)可避免常見聚電解質(zhì)中可自由移動(dòng)的反離子對(duì)器件的不利影響，可以作為陰極界面修飾層應(yīng)用在發(fā)光、光伏等有機(jī)光電器件中，改善器件性能。
文檔編號(hào)C08G61/12GK102604048SQ20121005065
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年2月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月29日
發(fā)明者張凱, 曹鏞, 管星, 黃飛 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)