專利名稱：：有機(jī)硅烷聚合物和含有該聚合物的硬掩模組合物以及使用有機(jī)硅烷硬掩模組合物制造半...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機(jī)硅烷聚合物和含有有機(jī)硅烷聚合物的硬掩模組合物。本發(fā)明還涉及使用硬掩模組合物制造半導(dǎo)體裝置的方法，并特別涉及使用含有有機(jī)硅垸聚合物的硬掩模組合物制造半導(dǎo)體裝置的方法。
背景技術(shù)：
：為了在光刻工藝(lkhographicprocesses)中具有更好的分辨率，可以使用抗反射涂覆(ARC)材料來(lái)使如光敏抗蝕劑層的成像層與基片之間的反射率最小化。然而，由于抗蝕劑層通常具有與ARC材料相似的組成，因此ARC材料會(huì)提供比成像層差的蝕刻選擇性。因此，由于大部分成像層在圖案化后蝕刻ARC材料的過(guò)程中可以除去，因此在隨后的蝕刻步驟中會(huì)需要額外的圖案化。
發(fā)明內(nèi)容然而，在一些光刻成像工藝中，抗蝕劑材料不會(huì)提供充分的耐蝕刻性以有效地將需要的圖案轉(zhuǎn)移至抗蝕劑材料下部的層。在實(shí)際應(yīng)用中，用于抗蝕劑下層膜的所謂硬掩模可以用作圖案化的抗蝕劑與將要圖案化的基片之間的中間層。例如，當(dāng)使用超薄膜抗蝕劑材料，將要蝕刻的基片很厚，需要基本上的蝕刻深度，和/或需要使用特別的蝕刻劑用于特定的基片時(shí)，會(huì)需要用于抗蝕劑下層的硬掩模。用于抗蝕劑下層膜的硬掩?？梢詮膱D案化的抗蝕劑層接受圖案，并將圖案轉(zhuǎn)移至基片。用于抗蝕劑下層膜的硬掩模應(yīng)該能經(jīng)受將圖案轉(zhuǎn)移至下部材料所需的蝕刻過(guò)程。例如，當(dāng)加工諸如硅的基片時(shí)，可以使用抗蝕劑圖案作為掩模。此時(shí)，抗蝕劑可以被微圖案化，但厚度減小。因此，由于抗蝕劑的掩模性能不夠，基片的加工會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞基片。因此，可以采用如下過(guò)程，首先將抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)移至下層膜(例如硬掩模)用于加工基片，接著使用下層膜作為掩模來(lái)干蝕刻基片。用于加工基片的下層膜是指可以在抗反射膜下面形成的、且還可以用作抗反射層的膜。在此過(guò)程中，抗蝕劑的蝕刻速率可以與用于加工基片的下層膜的相似。因此，可能需要形成硬掩模，該硬掩模還可以是抗反射的，用于加工抗蝕劑與下層膜之間的下層膜。因而，可以在基片上形成由用于加工基片的下層膜、用于加工下層膜的硬掩模和抗蝕劑組成的多層膜。己經(jīng)研究了各種硬掩模材料。例如，韓國(guó)專利公開(kāi)文本No.2000-0077018描述了通式RaSi(OR)4.a的硅垸化合物的縮聚產(chǎn)物在抗蝕劑下層膜中的應(yīng)用。因此，需要識(shí)別可形成具有改善的膜性能的硬掩模層的硬掩模組合物。還需要識(shí)別可以形成硬掩模層的硬掩模組合物，該硬掩模層允許在與硬掩模層接觸的光致抗蝕劑中形成需要的圖案。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，提供了通過(guò)使含有(a)至少一種式I的化合物和(b)至少一種式II的化合物的有機(jī)硅垸化合物反應(yīng)而制備的有機(jī)硅烷聚合物，Si(OR!)(OR2)(OR3)R4(I)其中，RnR2和R3可以各自獨(dú)立地為垸基，且R4可以為(CH2)Jl5，其中Rs可以為芳基或取代的芳基，且n為0或正整數(shù)；Si(OR6)(OR7)(OR8)R9(II)其中，R6、R7和Rs可以各自獨(dú)立地為烷基或芳基；且R9可以為烷基。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，有機(jī)硅烷化合物可以含有至少一種式I的化合物、至少一種式II的化合物和至少一種式III的化合物，Si(OR10)(OR)(OR12)H(III)其中，R1Q、Ru和R,2可以各自獨(dú)立地為垸基。該有機(jī)硅烷聚合物的硅含量可以根據(jù)至少一種式III的化合物的量來(lái)改變。通過(guò)控制有機(jī)硅烷聚合物的硅含量，可以優(yōu)化硬掩模層與下面的抗蝕劑之間的蝕刻選擇性。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，有機(jī)硅垸化合物可以含有(a)至少一種式I的化合物；(b)至少一種式II的化合物；至少一種式III的化合物；和至少一種式V的化合物，Si(OR!)(OR2)(OR3)R4(I)其中，R4、R2和R3可以各自獨(dú)立地為垸基，且R4可以為-(CH2)nR5，其中R5可以為芳基或取代的芳基，且n為0或正整數(shù)；Si(OR6)(OR7)(OR8)R9(II)其中，R6、R7和R8可以各自獨(dú)立地為烷基或芳基，且R9可以為烷基；Si(OR10)(OR)(OR12)H(III)其中，R1()、Rn和R^可以各自獨(dú)立地為烷基；Si(OR13)(OR14)(OR15)R16(V)其中，R13、RM和R!5可以各自獨(dú)立地為院基，且Ri6可以為-(CH2)mRn，其中Rn可以為-c(K))cH3、-0<:(=0)(:((:113)=(^2或-01=012，且m可以為正整數(shù)。另外，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，有機(jī)硅烷化合物的反應(yīng)可以在酸催化劑的存在下發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，還提供了形成半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括在基片上形成材料層；在該材料層上形成有機(jī)硬掩模層；在所述有機(jī)硬掩模層上由根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的抗反射硬掩模組合物來(lái)形成抗反射硬掩模層；在所述抗反射硬掩模層上形成光敏成像層-，以形成圖案的方式將成像層暴露在輻射下，以在成像層中形成輻射曝光區(qū)域的圖案；選擇性地除去部分成像層、部分抗反射硬掩模和部分有機(jī)硬掩模層，以暴露部分材料層；和蝕刻材料層的暴露部分以形成圖案化的材料層。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，本文還提供了通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施方式的方法所制成的半導(dǎo)體集成電路裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，抗反射硬掩模組合物可以顯示較高的蝕刻選擇性、足夠的耐多重蝕刻性能和抗蝕劑與下層之間最小的反射率。另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，由抗反射硬掩模組合物形成的抗反射硬掩模層可以提供合適的光刻膠圖案再現(xiàn)性，可以具有需要的對(duì)抗蝕劑的附著性，可以具有對(duì)抗蝕劑曝光后所使用的顯影液的足夠的抗耐性，并可以使由于等離子蝕刻而產(chǎn)生的膜損失最小化。因此，本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)硅垸聚合物，和含有該有機(jī)硅烷聚合物的硬掩模組合物，或該有機(jī)硅烷聚合物的水解產(chǎn)物可以適用于光刻工藝。具體實(shí)施例方式下面更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以用許多不同的形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)被認(rèn)為是限制于本文所陳述的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)很透徹很完整，并完全地向本領(lǐng)域的技術(shù)人員轉(zhuǎn)達(dá)本發(fā)明的范圍。可以理解，當(dāng)一個(gè)部件或?qū)颖硎境墒窃诹硪粋€(gè)部件或?qū)?上面"時(shí)，可以是直接在其它部件或?qū)由?、與其它部件或?qū)舆B接、或者結(jié)合在其它部件或?qū)由希蛘呖梢源嬖谥虚g的部件或?qū)?。相反，?dāng)一個(gè)部件表示成是"直接在"另一個(gè)部件或?qū)?上"、與另一個(gè)部件或?qū)?直接連接"、或者"直接與"另一個(gè)部件或?qū)?結(jié)合"時(shí)，則沒(méi)有中間的部件或?qū)哟嬖凇Ｈ闹邢嗤臄?shù)字表示相同的部件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一種或多種有關(guān)列出的項(xiàng)目的任何所有組合。本文所使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定的實(shí)施例而并不是為了限制本發(fā)明。除非上下文中明確表示別的意思，本文所使用的單數(shù)形式"一種(a)"、"一個(gè)(an)"意欲包括復(fù)數(shù)形式?？梢岳斫猓g(shù)語(yǔ)"含有"用于此說(shuō)明書時(shí)表示存在陳述的特征、整體、步驟、操作、部件和/或組分，但不排除一種或多種其它特征、整體、步驟、操作、部件、組分和/或它們的組。除非另有定義，本文使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))都具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還可以理解，諸如常用的詞典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的背景中一致的含義，而且不可以理想化的或者過(guò)度正式的含義來(lái)理解，除非本文中明確地如此定義。本文所使用的，術(shù)語(yǔ)"垸基"是指具有l(wèi)-12個(gè)碳原子的一價(jià)直鏈、支鏈或環(huán)狀的烴基。在一些實(shí)施方式中，烷基可以為"低級(jí)烷基"，其中烷基具有1-4個(gè)碳。例如，低級(jí)垸基可以包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基和異丁基。術(shù)語(yǔ)Cx表示x個(gè)碳原子的烷基，因此，術(shù)語(yǔ)d-C4垸基表示具有l(wèi)-4個(gè)碳原子的任何烷基。術(shù)語(yǔ)"芳基"是指一價(jià)的芳香族基團(tuán)，該芳基可以任選地含有與其稠合的1-3個(gè)額外的環(huán)(例如環(huán)烷基)。芳環(huán)可以為未取代的或者鹵素、垸基、芳基等取代的(例如具有一個(gè)或多個(gè)(如一個(gè)、二個(gè)或三個(gè))的"取代的芳基")。示例的芳基基團(tuán)可以包括苯基(Ph)、萘基等。如本文所定義的，術(shù)語(yǔ)芳烷基是指用芳基取代的垸基。示例的芳烷基包括苯甲基、苯乙基、苯丙基、萘甲基等。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，提供了通過(guò)使含有(a)至少一種式I的化合物和(b)至少一種式II的化合物的有機(jī)硅烷化合物而制備的有機(jī)硅垸聚合物，Si(OR!)(OR2)(OR3)R4(I)其中，RpR2和R3可以各自獨(dú)立地為烷基，且R4可以為-(CH2)nR5，其中Rs可以為芳基或取代的芳基，且n為0或正整數(shù)；Si(OR6)(OR7)(OR8)R9(II)其中，R6、R7和R8可以各自獨(dú)立地為垸基或芳基；且R9可以為垸基。在本發(fā)明特別的實(shí)施方式中，R,、R2、尺3和R9可以各自獨(dú)立地為甲基或乙基；&、R7和R8可以各自獨(dú)立地為CrC4烷基或苯基；且n可以為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)。另外，在一些實(shí)施方式中，有機(jī)硅烷化合物可以含有約5-90重量份的至少一種式I的化合物和約5-90重量份的至少一種式II的化合物。此外，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，由至少一種式I的化合物和至少一種式II的化合物反應(yīng)形成的有機(jī)硅垸聚合物可以具有式IV的結(jié)構(gòu)其中，R'、R"、R"'和R""可以各自獨(dú)立地為垸基、芳基、取代的芳基或芳垸基；且x可以為正整數(shù)。在特定的實(shí)施方式中，R'、R"、R"'和R""可以各自獨(dú)立地為甲基、乙基、苯基或-(CH^Ph，其中n可以為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)。在特定的實(shí)施方式中，R'、R"、R"'和R'"'可以各自獨(dú)立地為甲基或苯基。存在于本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)硅烷化合物中的芳基或取代的芳基可以提供在電磁波頻譜的深紫外線(DUV)區(qū)域中的吸光度。因此，可以提供抗反射硬掩模組合物。此外，通過(guò)控制存在于組合物中的芳香族基團(tuán)和/或取代的芳香族基團(tuán)的量，可以獲得需要的對(duì)于特定波長(zhǎng)的吸光度和折射率。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，有機(jī)硅垸化合物可以含有至少一種式I的化合物、至少一種式II的化合物和至少一種式III的化合物，Si(OR10)(OR)(OR12)H(III)其中，R1C、Ru和R。可以各自獨(dú)立地為垸基。有機(jī)硅垸聚合物的硅含量可以根據(jù)至少一種式III的化合物的量來(lái)改變。通過(guò)控制有機(jī)硅烷聚合物的硅含量，可以優(yōu)化硬掩模層和下面的抗蝕劑之間的蝕刻選擇性。在特定的實(shí)施方式中，Rk)、Ru和Ri2可以各自獨(dú)立地為甲基或乙基。另外，在一些實(shí)施方式中，有機(jī)硅垸化合物可以含有總共約ioo重量份的至少一種式I的化合物和至少一種式II的化合物，且至少一種式III的化合物的量為約5-90重量份。在特定的實(shí)施方式中，有機(jī)硅烷化合物可以含有約10重量份的至少一種式I的化合物，在一些實(shí)施方式中，它可以提供在193nm的吸光度為約0.2的有機(jī)硅垸聚合物。需要的有機(jī)硅垸聚合物的抗反射性質(zhì)可以通過(guò)改變至少一種式i化合物和/或至少一種式n化合物的含量來(lái)獲得。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，由至少一種式I的化合物、至少一種式n的化合物和至少一種式III的化合物反應(yīng)所形成的有機(jī)硅垸聚合物可以具有式IV的結(jié)構(gòu)，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>其中，R'、R"、R"'和R""可以各自獨(dú)立地為氫、垸基、芳基、取代的芳基和芳垸基；且x可以為正整數(shù)。在特定的實(shí)施方式中，R'、R"、R'"和R""可以各自獨(dú)立地為氫、甲基、乙基、苯基和-(CH2)nPh，其中n可以為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)。在特定的實(shí)施方式中，R'、R"、R'"和R""可以各自獨(dú)立地為氫、甲基或苯基。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，有機(jī)硅烷化合物含有(a)至少一種式I的化合物(b)至少一種式II的化合物；至少一種式III的化合物；和至少一種式V的化合物，Si(OR!)(OR2)(OR3)R4(I)其中，P^、R2和R3可以各自獨(dú)立地為烷基，且R4可以為-(CH2)nRs，其中Rs可以為芳基或取代的芳基，且n為0或正整數(shù)；Si(OR6)(OR7)(OR8)R9(II)其中，R6、R7和R8可以各自獨(dú)立地為垸基或芳基，且R9可以為烷基；Si(OR10)(OR)(OR12)H(III)其中，R1Q、Ru和R^可以各自獨(dú)立地為垸基；Si(OR13)(OR14)(OR15)R16(V)其中，R13、Rw和Ri5可以各自獨(dú)立地為垸基，且Ri6可以為-(CH2)mRn，其中Rn可以為-C(-0)CH3、-0(:(=0)(:((:&)<^2或-01=012，且m可以為正整數(shù)。在特定的實(shí)施方式中，R,、R2、R3、R9、R1()、Rn、R12、R13、R14和Ri5可以各自獨(dú)立地為甲基或乙基，R6、R7和Rs可以各自獨(dú)立地為CVC4垸基或苯基，R16可以為-(CH2)mC(-0)CH3、-(CH2)mOC(=0)C(CH3)=CH2或-CH2CH=CH2，n可以為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且m可以為l-5范圍內(nèi)的整數(shù)。在至少一個(gè)式V的化合物中的酯基與硅醇基例如在高溫下可以進(jìn)行酯交換反應(yīng)，形成交聯(lián)，如反應(yīng)式l(Rl)所表示Si-OH+Si-(CH2)nC(=0)OCH3—Si-(CH2)nC(=0)OSi(Rl)另外，至少一個(gè)式III的化合物的Si-H基與式V的化合物的芳基例如在高溫下可以進(jìn)行氫化硅烷化，形成交聯(lián)，如反應(yīng)式2(R2)所表示Si隱H+Si-(CH2)nOC(=0)C(CH3)=CH2—Si-(CH2)nOC(=0)CH(CH3)CH2-Si(R2)在一些實(shí)施方式中，有機(jī)硅烷化合物可以含有約5-90重量份的至少一種式I的化合物；約5-90重量份的至少一種式II的化合物；約5-90重量傷、的至少一種式III的化合物；和約5-90重量份的至少一種式V的化合物。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，由至少一種式I的化合物、至少一種式II的化合物、至少一種式III的化合物和至少一種式V的化合物反應(yīng)形成的有機(jī)硅烷聚合物可以具有式IV的結(jié)構(gòu)其中，R'、R"、R'"和R""可以各自獨(dú)立地為氫、烷基、芳基、取代的芳基、芳烷基和-(CH2)m-C(=0)CH3、-(CH2)mOC(=0)C(CH3)=CH2或-(CH2)mCH=CH2，其中x可以為正整數(shù)。在特定的實(shí)施方式中，R'、R"、R'"和R""可以各自獨(dú)立地為氫、甲基、乙基、苯基、-(CH2)nPh、-(CH2)mC(=0)CH3、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>-(012)1110(:(=0)(:(013)=012或-0^2(:^1=012，其中n可以為o-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且m可以為1-5范圍內(nèi)的整數(shù)。在特定的實(shí)施方式中，R'、R"、R'"和R""可以各自獨(dú)立地為氫、甲基、苯基、-(CH2)mC(=0)CH3、-(CH2)mOC(=0)C(CH3)=CH2，其中m可以為1-5的整數(shù)。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，有機(jī)硅烷化合物的反應(yīng)可以在酸催化劑的存在下發(fā)生?？梢允褂萌魏魏线m的酸催化劑，或者酸催化劑的組合。然而，在一些實(shí)施方式中，酸催化劑可以包括選自由硝酸、硫酸、對(duì)甲苯磺酸一水合物、硫酸二乙酯、2，4，4,6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯和有機(jī)磺酸的垸基酯所組成的組中的至少一種酸?？梢酝ㄟ^(guò)改變酸的種類、量和添加方法來(lái)適當(dāng)?shù)乜刂品磻?yīng)。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，有機(jī)硅烷聚合物的分子量(Mw)可以為約1000-300000g/mol;在特定的實(shí)施方式中為約3000-100000g/mol。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，還提供了抗反射硬掩模組合物，該組合物含有本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)硅烷聚合物和/或至少一種其水解產(chǎn)物。在一些實(shí)施方式中，至少一種水解產(chǎn)物可以包括Ph(CH2)nSi(OH)3、SiH(OH)3;Si(CH3)(OH)3和SiR"OH)3中的一種或多種；其中n可以為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且Ri可以為烷基(如甲基或乙基)。在一些實(shí)施方式中，該水解產(chǎn)物可以包括Ph(CH2)nSi(OH)3、SiH(OH)3、Si(CH3)(OH)3和(OH)3Si(CH2)m(C=0)OCH3中的一種或多禾中，其中n可以為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且m可以為1-5范圍內(nèi)的整數(shù)。在一些實(shí)施方式中，該水解產(chǎn)物可以包括Ph(CH2)nSi(OH)3、SiH(OH)3、Si(CH3)(OH)3和(OH)3Si(CH2)mO(C=0)C(CH3)=CH2中的一種或多種，其中n可以為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且m可以為l-5范圍內(nèi)的整數(shù)。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，在硬掩模組合物中可以含有諸如有機(jī)溶劑的溶劑?？梢允褂脝为?dú)的溶劑或溶劑混合物。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)使用兩種或更多種溶劑的混合物時(shí)，其中一種溶劑為高沸點(diǎn)溶劑。高沸點(diǎn)溶劑可以降低或防止形成孔穴，并可以使膜以較慢的速度干燥，這可以改善膜的平坦度。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"高沸點(diǎn)溶劑"是指可以在低于本發(fā)明的硬掩模組合物的涂覆、干燥和固化溫度的溫度下蒸發(fā)的溶劑。在一些實(shí)施方式中，溶劑包括丙二醇單甲基醚、乳酸乙酯、環(huán)己酮和丙二醇甲醚中的至少一種。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，基于100重量份硬掩模組合物，硬掩模組合物中有機(jī)硅烷聚合物和/或其水解產(chǎn)物的含量可以為約1-50重量份，在1f定的實(shí)施方式中，為約l-30重量份。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，硬掩模組合物還可以含有其它合適的組分。例如，在一些實(shí)施方式中，硬掩模組合物可以含有交聯(lián)劑、自由基穩(wěn)定劑(mdicalstabilizer)和表面活性劑中的至少一種。另外，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，硬掩模組合物可以含有吡啶對(duì)甲苯磺酸、2,4,4,6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯和有機(jī)磺酸的烷基酯中的至少一種。這些化合物可以促進(jìn)有機(jī)硅垸聚合物的交聯(lián)，從而可以改善組合物的耐蝕刻性。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，還提供了形成半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括在基片上形成材料層；在該材料層上形成有機(jī)硬掩模層；在該有機(jī)硬掩模層上由本發(fā)明實(shí)施方式的抗反射硬掩模組合物形成抗反射硬掩模層；在該抗反射硬掩模層上形成光敏成像層；以形成圖案的方式將該成像層暴露到輻射下，以在所述成像層中形成輻射曝光區(qū)域的圖案；選擇性地除去部分所述成像層、部分抗反射硬掩模層和部分有機(jī)硬掩模層，以暴露部分材料層；和蝕刻材料層的暴露部分以形成圖案化的材料層。在特定的實(shí)施方式中，所述選擇性地除去部分成像層、部分抗反射硬掩模層和部分有機(jī)硬掩模層包括選擇性地除去部分成像層以暴露部分抗反射硬掩模層，選擇性地除去部分抗反射硬掩模層以暴露部分有機(jī)硬掩模層，和選擇性地除去部分有機(jī)硬掩模層以暴露部分材料層。例如，在形成圖案化的材料層結(jié)構(gòu)如金屬配線、接觸孔和偏置(bias)，絕緣部分如大馬士革槽(damascenetrenche)和淺槽隔離(shallowtrenchisolation),以及用于電容器結(jié)構(gòu)的槽如用于設(shè)計(jì)集成電路裝置的槽中，可以使用本發(fā)明的組合物和方法。本發(fā)明的組合物和方法可以特別用于形成圖案化的氧化物、氮化物、多晶硅和氧化鉻。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，還提供了通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施方式所制成的半導(dǎo)體集成電路裝置。下文中，將參考下列實(shí)施例更具體地說(shuō)明本發(fā)明。然而，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明的目的，而不應(yīng)認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明范圍的限制。實(shí)施例實(shí)施例1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>在裝有機(jī)械攪拌器、冷凝器、滴液漏斗和氮?dú)廨斔凸艿?0升四頸燒瓶中，將2100g甲基三甲氧基硅垸和340g苯基三甲氧基硅垸溶解在5600gPGMEA中，并加入925g硝酸(1000ppm)水溶液。將得到的溶液在60。C下反應(yīng)一小時(shí)后，在減壓下除去形成的甲醇。反應(yīng)持續(xù)一周，同時(shí)保持反應(yīng)》顯度在5(TC。反應(yīng)完成后，將己烷加入到反應(yīng)溶液中得到沉淀。分離沉淀得到需要的固體聚合物(Mw=15000，多分散性=4)。將10g該聚合物溶解在100gPGMEA和100g乳酸乙酯中以制備樣品溶液。將樣品溶液旋涂在硅晶片上，并在20(TC下烘烤60秒以制成600A厚的膜.實(shí)施例2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>采用實(shí)施例1的方式制備上面的化合物，不同的是，使用1750g甲基三甲氧基硅垸、340g苯基三甲氧基硅垸和313g三甲氧基硅烷。通過(guò)實(shí)施例1中描述的步驟使用該化合物制成膜。實(shí)施例3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>200780002634.9說(shuō)明書第14/18頁(yè)在裝有機(jī)械攪拌器、冷凝器、滴液漏斗和氮?dú)廨斔凸艿?0升四頸燒瓶中，將1279g甲基三甲氧基硅烷、310g苯基三甲氧基硅垸、288g三甲氧基硅烷和523g甲基三甲氧基甲硅烷基丁酸酯(methylmethoxysilylbutyrate)溶解在S600gPGMEA中，并加入SBg硝酸(1000ppm)水溶液。將得到的溶液在6(TC下反應(yīng)一小時(shí)后，在減壓下除去形成的甲醇。反應(yīng)持續(xù)一周，并保持反應(yīng)溫度在5(TC。反應(yīng)完成后，將己烷加入到反應(yīng)溶液中得到沉淀。分離沉淀得到需要的固體聚合物(Mw=23000，多分散性=4.6)。將10g該聚合物溶解在100gPGMEA和100g乳酸乙酯中以制備樣品溶液。將樣品溶液旋涂在硅晶片上，并在200'C下烘烤60秒以制成600A厚的膜。實(shí)施例4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>在裝有機(jī)械攪拌器、冷凝器、滴液漏斗和氮?dú)廨斔凸艿?0升四頸燒瓶中，將1248g甲基三甲氧基硅烷、303g苯基三甲氧基硅烷、280g三甲氧基硅烷和569g(三甲氧基甲硅烷基)丙基甲基丙烯酸酯溶解在5600gPGMEA中，并加入826g硝酸(1000ppm)水溶液。將得到的溶液在6(TC下反應(yīng)一小時(shí)后，在減壓下除去形成的甲醇。反應(yīng)持續(xù)一周，并保持反應(yīng)溫度在50°C。反應(yīng)完成后，將己垸加入到反應(yīng)溶液中得到沉淀。分離沉淀得到需要的固體聚合物(Mw=18000，多分散性=4.5)。將10g該聚合物溶解在100gPGMEA和100g乳酸乙酯中以制備樣品溶液。將樣品溶液旋涂在硅晶片上，并在20(TC下烘烤60秒以制成600A厚的膜。對(duì)比例1在裝有機(jī)械攪拌器、冷凝器、300ml滴液漏斗和氮?dú)廨斔凸艿膌升四頸燒瓶中，將8.31g(0.05mol)的1,4-雙(甲氧基甲基)苯、0.154g(O.OOlmol)的硫酸二乙酯和200g的Y-丁內(nèi)酯攪拌10分鐘，同時(shí)將氮?dú)夤┙o燒瓶中。緩慢滴加28.02g(0.08mol)4，4'-(9-亞芴基)二酚在200g，丁內(nèi)酯中的溶液30分鐘。將混合物反應(yīng)12小時(shí)。反應(yīng)完成后，用水除去酸，接著用蒸發(fā)器濃縮。下面，用甲基正戊基酮(MAK)和甲醇稀釋該濃縮物，得到在MAK/MeOH(重量比為4:1)中的15重量％的溶液。將由此得到的溶液移入3升的分液漏斗中，再加入正庚烷以除去含有未反應(yīng)單體的低分子量化合物，產(chǎn)生需要的樹脂(Mw二12000，多分散性=2.0，n=23)。將0.8g的該樹脂、0.2g由下面所示的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元組成的低聚交聯(lián)劑(Powderlink1174)、禾卩2mg對(duì)甲苯磺酸吡啶鐵(pyridiniump-toluenesulfonate)溶解于9g的PGMEA中，過(guò)濾，制備樣品溶液。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>CH3OCH2CH2OCH3Powderlink1174的結(jié)構(gòu)將樣品溶液旋涂在硅晶片并在20(TC下烘烤60秒，制成1500A厚的膜。使用橢圓光度計(jì)(ellipsometer)(J.A.Woolam)來(lái)測(cè)量實(shí)施例l-4和對(duì)比例1中制成的膜的折射率(n)和消光系數(shù)(k)。結(jié)果示于表1中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>實(shí)施例5-7將用于ArF的光致抗蝕劑涂覆在實(shí)施例1、3和4制成的各晶片上，在110。C下烘烤60秒，使用ArF曝光系統(tǒng)(ASML1250，F(xiàn)N705.0活性的，NA0.82)曝光，并用TMAH水溶液(2.38重量％)顯影，形成80nm線寬和間距的圖案。用FE-SEM觀察80nm的線寬和間距的圖案，所得結(jié)果示于表2中。測(cè)量根據(jù)曝光能量變化的曝光寬容度(EL)邊界和根據(jù)離光源的距離變化的焦點(diǎn)深度(DoF)邊界。結(jié)果示于表2中。實(shí)施例8重復(fù)實(shí)施例5的步驟，不同的是，使用實(shí)施例2中制成的膜。對(duì)比例2重復(fù)實(shí)施例5的步驟，不同的是，使用對(duì)比例1中制成的膜。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>從以上描述可見(jiàn)，本發(fā)明的實(shí)施方式的抗反射硬掩模組合物可以顯示較高的蝕刻選擇性、足夠的耐多重蝕刻性能和抗蝕劑與下層之間的最小反射率。另外，由本發(fā)明的實(shí)施方式的抗反射硬掩模組合物形成的抗反射硬掩模層可以提供合適的光致抗蝕劑圖案的再現(xiàn)性，可以對(duì)抗蝕劑具有需要的附著性，對(duì)抗蝕劑曝光后所使用的顯影溶液可以具有足夠的抗耐性，并可以將由于等離子蝕刻產(chǎn)生的膜損失最小化。因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)硅院聚合物，和含有該有機(jī)硅烷聚合物的硬掩模組合物，或者有機(jī)硅垸聚合物的水解產(chǎn)物可以適用于光刻工藝。另外，由于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的硬掩模組合物可以顯示在193nm的吸光度，且該吸光度可以通過(guò)改變組合物中芳香族基團(tuán)或取代的芳香族基團(tuán)的含量來(lái)適當(dāng)?shù)乜刂?，可以獲得在特定頻帶的需要的吸光度和/或折射率。盡管為了說(shuō)明的目的公開(kāi)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)理解在不背離所附的權(quán)利要求書所公幵的本發(fā)明的范圍和實(shí)質(zhì)的情況下，可以作出各種修改、添加和取代。工業(yè)實(shí)用性從以上描述可見(jiàn)，本發(fā)明的實(shí)施方式的抗反射硬掩模組合物可以顯示較高的蝕刻選擇性、足夠的耐多重蝕刻性能、和抗蝕劑與下層之間最小的反射率。另外，由根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的抗反射硬掩模組合物形成的抗反射硬掩模層可以提供合適的光致抗蝕劑圖案的再現(xiàn)性，可以對(duì)抗蝕劑具有需要的附著性，對(duì)抗蝕劑曝光后所使用的顯影溶液可以具有足夠的抗耐性，并可以使由于等離子蝕刻產(chǎn)生的膜損失最小化。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)硅烷聚合物，和含有該有機(jī)硅烷聚合物的硬掩模組合物，或者有機(jī)硅烷聚合物的水解產(chǎn)物可以適用于光刻工藝。另外，由于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的硬掩模組合物可以顯示在193nm的吸光度，且該吸光度可以通過(guò)改變組合物中芳香族基團(tuán)或取代的芳香族基團(tuán)的含量來(lái)適當(dāng)?shù)乜刂?，因此可以獲得在特定頻帶的需要的吸光度和/或折射率。盡管為了說(shuō)明的目的公開(kāi)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)理解在不背離所附的權(quán)利要求書所公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和實(shí)質(zhì)的情況下，可以作出各種修改、添加和取代。權(quán)利要求1.一種有機(jī)硅烷聚合物，該有機(jī)硅烷聚合物是通過(guò)使含有(a)至少一種式I的化合物和(b)至少一種式II的化合物的有機(jī)硅烷化合物反應(yīng)而制備得到的，Si(OR1)(OR2)(OR3)R4(I)其中，R1、R2和R3各自獨(dú)立地為烷基，且R4為(CH2)nR5，其中R5為芳基或取代的芳基，且n為0或正整數(shù)；Si(OR6)(OR7)(OR8)R9(II)其中，R6、R7和R8各自獨(dú)立地為烷基或芳基；且R9為烷基。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，R,、R2、R3和R9各自獨(dú)立地為甲基或乙基；R6、R7和R8各自獨(dú)立地為CrQ烷基或苯基；且n為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，所述有機(jī)硅烷化合物含有至少一種式I的化合物、至少一種式II的化合物和至少一種式III的化合物，Si(OR10)(OR)(OR12)H(III)其中，R10、Ru和R^各自獨(dú)立地為烷基。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，Ru)、Rn和R,2各自獨(dú)立地為甲基或乙基。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，所述有機(jī)硅垸化合物的反應(yīng)在酸催化劑的存在下發(fā)生。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)硅垸聚合物，其中，所述酸催化劑含有選自由硝酸、硫酸、對(duì)甲苯磺酸一水合物、硫酸二乙酯、2，4，4,6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯和有機(jī)磺酸的垸基酯所組成的組中的至少一種酸。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，所述至少一種式I的化合物的含量為約5-90重量份，且所述至少一種式II的化合物的含量為約5-90重量份。8、根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，所述至少一種式I的化合物和所述至少一種式II的化合物的總含量為約100重量份，且所述至少一種式III的化合物的含量為約5-90重量份。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，該有機(jī)硅垸聚合物還含有式IV的結(jié)構(gòu)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>IV其中，R'、R"、R"'和R""各自獨(dú)立地選自由烷基、芳基、取代的芳基和芳烷基所組成的組中；且x為正整數(shù)。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)硅垸聚合物，其中，R'、R"、R'"和R""各自獨(dú)立地選自由甲基、乙基、苯基和-(CH2)nPh所組成的組中，其中n為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)。11、根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)硅垸聚合物，其中，所述有機(jī)硅垸聚合物含有式iv的結(jié)構(gòu)其中，R'、R"、R'"和R""各自獨(dú)立地選自由氫、垸基、芳基、取代的芳基和芳烷基所組成的組中；且x為正整數(shù)。12、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，R'、R"、R'"和R""各自獨(dú)立地選自由氫、甲基、乙基、苯基和-(CH2)nPh所組成的組中，其中n為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)。13、一種抗反射硬掩模組合物，該組合物含有權(quán)利要求1所述的有機(jī)硅烷聚合物和溶劑。14、一種抗反射硬掩模組合物，該組合物含有權(quán)利要求9所述的有機(jī)硅垸聚合物和溶劑。15、一種抗反射硬掩模組合物，該組合物含有權(quán)利要求11所述的有機(jī)硅垸聚合物和溶劑。16、根據(jù)權(quán)利要求13所述的抗反射硬掩模組合物，其中，所述溶劑含有選自由丙二醇單甲基醚、乳酸乙酯、環(huán)己酮和丙二醇甲醚所組成的組中的至少一種溶劑。17、根據(jù)權(quán)利要求13所述的抗反射硬掩模組合物，其中，該組合物還含有交聯(lián)劑、自由基穩(wěn)定劑和表面活性劑中的至少一種。18、根據(jù)權(quán)利要求13所述的硬掩模組合物，其中，該組合物還含有選自由吡啶對(duì)甲苯磺酸、2，4，4，6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯和有機(jī)磺酸的烷基酯所組成的組中的至少一種化合物。19、一種有機(jī)硅烷聚合物，該聚合物是通過(guò)(a)至少一種式I的化合物、(b)至少一種式II的化合物、(c)至少一種式m的化合物和(d)至少一種式V的化合物的反應(yīng)而制備得到的，Si(OR,)(OR2)(OR3)R4(I)其中，R,、R2和R3各自獨(dú)立地為垸基，且R4為-(CH2)nR5，其中Rs為芳基或取代的芳基，且n為0或正整數(shù)；Si(OR6)(OR7)(OR8)R9(II)其中，R6、R7和R8各自獨(dú)立地為烷基或芳基，且R9為垸基；Si(OR4o)(ORn)(ORu)H(III)其中，R10、Ru和Ru各自獨(dú)立地為烷基；Si(OR13)(OR14)(OR15)R16(V)其中，R13、R,4和Ri5各自獨(dú)立地為烷基，且R,6為-(CH2)mRn，其中R17選自由-C(0)CH3、-0(:(=0)0;013)<^2和-01=012所組成的組中，且m為正整數(shù)。20、根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，R,、R2、R3、R9、R10、R、R12、R13、1114和1115各自獨(dú)立地為甲基或乙基，R6、117和118各自獨(dú)立地為d-C4烷基或苯基，Rw選自由-(CH2)mC(=0)CH3、-(012)10<:(=0)0;(:113)=012和-012(:11=(^2所組成的組中，n為o-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且m為l-5范圍內(nèi)的整數(shù)。21、根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，所述有機(jī)硅烷化合物的反應(yīng)在酸催化劑的存在下發(fā)生。22、根據(jù)權(quán)利要求21所述的有機(jī)硅垸聚合物，其中，所述酸催化劑含有選自由硝酸、硫酸、對(duì)甲苯磺酸一水合物、硫酸二乙酯、2，4,4，6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯和有機(jī)磺酸的烷基酯所組成的組中的至少一種酸。23、根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)硅垸聚合物，其中，所述至少一種式I的化合物的含量為約5-90重量份，所述至少一種式II的化合物的含量為約5-90重量份，所述至少一種式III的化合物的含量為約5-90重量份，所述至少一種式V的化合物的含量為約5-90重量份。24、根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，該有機(jī)硅垸聚合物含有式IV的結(jié)構(gòu)其中，R'、R"、R"'和R""各自獨(dú)立地選自由氫、烷基、芳基、取代的芳基、芳烷基、-(CH2)mC(=0)CH3、-(CH2)mOC(=0)C(CH3)=CH2和-(CH2)mCH=CH2所組成的組中；且x和m為正整數(shù)。25、根據(jù)權(quán)利要求24所述的有機(jī)硅烷聚合物，其中，R'、R"、R'"和R""各自獨(dú)立地選自由氫、甲基、乙基、苯基、-(CH2)nPh、-(CH2)mC(=0)CH3、-(012)1110(:(=0)(:(0"13)=012和-(^1201=012所組成的組中，其中n為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且m為l-5范圍內(nèi)的整數(shù)。26、一種硬掩模組合物，該組合物含有權(quán)利要求19所述的有機(jī)硅垸聚合物和溶劑。27、一種硬掩模組合物，該組合物含有權(quán)利要求24所述的有機(jī)硅垸聚合物和溶劑。28、根據(jù)權(quán)利要求19所述的硬掩模組合物，其中，該組合物還含有交聯(lián)劑、自由基穩(wěn)定劑和表面活性劑中的至少一種。29、根據(jù)權(quán)利要求19所述的硬掩模組合物，其中，該組合物還含有選自由吡啶對(duì)甲苯磺酸、2,4,4,6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯和有機(jī)磺酸的烷基酯所組成的組中的至少一種化合物。30、一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括在基片上形成材料層；在所述材料層上形成有機(jī)硬掩模層；在所述有機(jī)硬掩模層上由抗反射硬掩模組合物形成抗反射硬掩模層；在所述抗反射硬掩模層上形成光敏成像層；以形成圖案的方式將所述成像層暴露到輻射下，以在所述成像層中形成輻射曝光區(qū)域的圖案；選擇性地除去部分所述成像層、部分所述抗反射硬掩模層和部分所述有機(jī)硬掩模層，以暴露部分所述材料層；并蝕刻所述材料層的暴露部分以形成圖案化的材料層；其中，所述抗反射硬掩模組合物含有有機(jī)硅烷聚合物或其水解產(chǎn)物，該有機(jī)硅烷聚合物是通過(guò)使含有(a)至少一種式I的化合物和(b)至少一種式II的化合物的有機(jī)硅垸化合物反應(yīng)而制備得到的，Si(OR0(OR2)(OR3)R4(I)其中，R卜R2和R3各自獨(dú)立地為烷基，且R4可以為(CH2)nRs，其中R5為芳基或取代的芳基，且n為0或正整數(shù)；Si(OR6)(OR7)(OR8)R9(II)其中，R6、R7和Rs各自獨(dú)立地為烷基或芳基；且R9為垸基。31、根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，選擇性地除去部分所述成像層、部分所述抗反射硬掩模層和部分所述有機(jī)硬掩模層包括選擇性地除去部分所述成像層，以暴露部分所述抗反射硬掩模層，選擇性地除去部分所述抗反射硬掩模層，以暴露部分所述有機(jī)硬掩模層，和選擇性地除去部分所述有機(jī)硬掩模層，以暴露部分所述材料層。32、根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，所述水解產(chǎn)物包括選自由Ph(CH2)nSi(OH)3、SiH(OH)3、Si(CH3)(OH)3和SiR!(OH)3所組成的組中的至少一種化合物；其中n為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且R,為甲基或乙基。33、一種半導(dǎo)體集成電路裝置，該裝置由權(quán)利要求30所述的方法制成。34、一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括在基片上形成材料層；在所述材料層上形成有機(jī)硬掩模層；在所述有機(jī)硬掩模層上由抗反射硬掩模組合物形成抗反射硬掩模層；在所述抗反射硬掩模層上形成光敏成像層；以形成圖案的方式將所述成像層暴露到輻射下，以在所述成像層中形成輻射曝光區(qū)域的圖案；選擇性地除去部分所述成像層、部分所述抗反射硬掩模層和部分所述有機(jī)硬掩模層，以暴露部分所述材料層；并蝕刻所述材料層的暴露部分以形成圖案化的材料層；其中，所述抗反射硬掩模組合物含有有機(jī)硅垸聚合物或其水解產(chǎn)物，該有機(jī)硅烷聚合物是通過(guò)(a)至少一種式I的化合物、(b)至少一種式II的化合物、至少一種式III的化合物和至少一種式V的化合物的反應(yīng)而制備得到的，Si(OR!)(OR2)(OR3)R4(I)其中，RpR2和R3各自獨(dú)立地為烷基，且R4為-(CH2)nR5，其中Rs為芳基或取代的芳基，且n為0或正整數(shù)；Si(OR6)(OR7)(OR8)R9(II)其中，R6、R7和Rs各自獨(dú)立地為垸基或芳基，且R9為烷基；Si(ORK))(ORn)(OR42)H(III)其中，R10、Rn和R,2各自獨(dú)立地為烷基；Si(OR13)(OR14)(OR15)R16(V)其中，R13、1114和1115各自獨(dú)立地為垸基，且Rw為-(CH2)mRn，其中R17選自i-C(=0)CH3、-OC(=0)C(CH3)=CH2和-01=012所組成的組中，且m為正整數(shù)。35、根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中，選擇性地除去部分所述成像層、部分所述抗反射硬掩模層和部分所述有機(jī)硬掩模層包括選擇性地除去部分所述成像層，以暴露部分所述抗反射硬掩模層，選擇性地除去部分所述抗反射硬掩模層，以暴露部分所述有機(jī)硬掩模層，禾口選擇性地除去部分所述有機(jī)硬掩模層，以暴露部分所述材料層。36、根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中，所述水解產(chǎn)物包括選自由Ph(CH2)nSi(OH)3、SiH(OH)3、Si(CH3)(OH)3和(OH)3Si(CH2)m(00)OCH3所組成的組中的至少一種化合物，其中n為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且m為l-5范圍內(nèi)的整數(shù)。37、根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中，所述水解產(chǎn)物包括選自由Ph(CH2)nSi(OH)3、SiH(OH)3、Si(CH3)(OH)3和(OH)3Si(CH2)mO(CK))C(CH3)二CH2所組成的組中的至少一種化合物，其中n為0-5范圍內(nèi)的整數(shù)，且m為l-5范圍內(nèi)的整數(shù)。38、一種半導(dǎo)體集成電路裝置，該裝置由權(quán)利要求34所述的方法制成。全文摘要根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，本發(fā)明提供了有機(jī)硅烷聚合物，該有機(jī)硅烷聚合物是通過(guò)使含有(a)至少一種式(I)的化合物Si(OR₁)(OR₂)(OR₃)R₄，其中R₁、R₂和R₃可以各自獨(dú)立地為烷基，且R₄可以為-(CH₂)_nR₅，其中R₅為芳基或取代的芳基，且n可以為0或正整數(shù)；和(b)至少一種式(II)的化合物Si(OR₆)(OR₇)(OR₈)R₉，其中R₆、R₇和R₈可以各自獨(dú)立地為烷基或芳基，且R₉可以為烷基的有機(jī)硅烷化合物反應(yīng)而制備得到的。還提供了含有本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)硅烷化合物或其水解產(chǎn)物的硬掩模組合物。還提供了使用本發(fā)明實(shí)施方式的硬掩模組合物制備半導(dǎo)體裝置的方法，和由該硬掩模組合物制成的半導(dǎo)體裝置。文檔編號(hào)C08G77/02GK101370854SQ200780002634公開(kāi)日2009年2月18日申請(qǐng)日期2007年1月15日優(yōu)先權(quán)日2006年3月13日發(fā)明者南伊納,吳昌一,尹敬皓,尹熙燦,李鎮(zhèn)國(guó),林相學(xué),金旼秀,金相均,金鐘涉,魚東善申請(qǐng)人:第一毛織株式會(huì)社