專利名稱：用于電子器件的化合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉 及通式(I)的化合物，和其在電子器件中的用途，和包括這些化合物的電子器件。
背景技術(shù)：
正在開發(fā)許多不同的電子器件應(yīng)用的有機半導(dǎo)體材料，例如本發(fā)明的化合物。例如在US 4539507, US 5151629, EP 0676461 和 WO 98/27136 中描述了其中本發(fā)明的化合物可以用作功能材料的有機電致發(fā)光器件(OLED)的結(jié)構(gòu)。關(guān)于有機電致發(fā)光器件的性能數(shù)據(jù)，仍有進一步改進的必要，特別是廣泛的商業(yè)用途。在這一點上特別重要的是壽命，有機電致發(fā)光器件的效率和工作電壓，和實現(xiàn)的色值。特別是在發(fā)藍色光的電致發(fā)光器件的情況下，這對于器件壽命的改進是可能的。另外，希望用作有機半導(dǎo)體材料的化合物具有高的熱穩(wěn)定性和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，而且在不分解的情況下可升華。此外，現(xiàn)有技術(shù)中空穴傳輸材料情況中的電壓通常隨著空穴傳輸層的層厚度增加。在實踐中，通常希望空穴傳輸層具有更大的層厚度，但這通常產(chǎn)生更高的工作電壓和更差的性能數(shù)據(jù)的后果。在這一點上，需要新穎的具有高電荷載流子遷移率的空穴傳輸材料，能夠使較厚的空穴傳輸層實現(xiàn)略微的工作電壓增加?，F(xiàn)有技術(shù)中芳基胺衍生物已知作為空穴傳輸和空穴注入材料。該類型基于茚并芴的材料例如公開在WO 06/100896和WO 06/122630中。上面描述的茚并芴胺存在加工性方面的缺點在氣相沉積或涂覆過程期間，會發(fā)生過早的沉積，因此使工業(yè)過程復(fù)雜化。另外，已知的空穴傳輸材料通常具有低的電子穩(wěn)定性，這導(dǎo)致包括該化合物電子器件短的壽命。在這一點上需要進一步改進。此外，需要用于電子器件的可選的基質(zhì)材料。特別是，需要同時導(dǎo)致良好效率、長壽命和低工作電壓的磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料。正是基質(zhì)材料的性能通常限制有機電致發(fā)光器件的壽命和效率。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，咔唑衍生物，例如雙(咔唑基)聯(lián)苯通常用作基質(zhì)材料。在這一點上仍有改進的可能，特別是在材料的壽命和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度方面。此外，需要改進包括所討論材料的電子器件的工作電壓。此外，酮(W0 04/093207)，氧化膦，砜(W0 05/003253)和三嗪化合物，例如三嗪基螺二芴(參看申請WO 05/053055和申請W010/015306和WO 10/072300)，用作磷光發(fā)光體的
基質(zhì)材料。特別是對于酮可實現(xiàn)低工作電壓和長壽命。在這一點上仍有改進的可能，特別是在包括二酮化物配體例如乙酰丙酮化物的金屬絡(luò)合物的效率和相容性方面。此外，金屬絡(luò)合物，例如BAlq或雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(II)，用作磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料。在這一點上仍需要改進，特別是在工作電壓及化學(xué)穩(wěn)定性方面的改進。純粹地有機化合物通常比這些金屬絡(luò)合物更加穩(wěn)定。因此，一些金屬絡(luò)合物對水解敏感，使得處理所述絡(luò)合物更加困難。
同樣，特別使人感興趣的是提供作為混合基質(zhì)體系的基質(zhì)組分的替代材料。在本申請意義上的混合基質(zhì)體系被認為是指其中兩種或更多種不同的基質(zhì)化合物與一種或多種摻雜劑化合物混合在一起用作發(fā)光層的體系。這些體系在有機電致磷光器件情況中是特別使人感興趣的。對于更詳細的信息，參見未公開的申請DE 102009014513.3。作為混合基質(zhì)體系中的基質(zhì)組分的可被提及的現(xiàn)有技術(shù)的化合物，尤其是CBP (二咔唑基聯(lián)苯)和TCTA (三咔唑基三苯基胺)(參考實施例部分表4)。然而，仍需要用作混合基質(zhì)體系的基質(zhì)組分的替代化合物。特別是，需要能實現(xiàn)電子器件工作電壓和壽命改進的化合物。對于熒光0LED，現(xiàn)有技術(shù)中使用的尤其是用于發(fā)藍色光電致發(fā)光器件的基質(zhì)材料，尤其是稠合芳族化合物，特別是蒽衍生物，例如9，10-雙(2-萘基)蒽(US 5935721)。WO 03/095445和CN 1362464公開了 9，10-雙(I-萘基)蒽衍生物用于OLED中。其它的蒽衍生物公開在 W001/076323、TO 01/021729, WO 04/013073, WO 04/018588、TO03/087023 或WO 04/018587中?；诜蓟〈能藕洼诘幕|(zhì)材料公開在WO 04/016575中。基于苯并 蒽衍生物的基質(zhì)材料公開在W008/145239中。對于高質(zhì)量的應(yīng)用，希望具有可利用的其它基質(zhì)材料，其優(yōu)選具有改進的性能。在發(fā)藍色光化合物情況下，可以提及的現(xiàn)有技術(shù)是使用芳基乙烯基胺(例如WO04/013073.W0 04/016575.W0 04/018587)。然而，這些化合物是熱不穩(wěn)定的，不能在沒有分解的情況下蒸發(fā)，對于OLED制造這需要高的技術(shù)復(fù)雜性，因此代表一種技術(shù)上的缺點。對于高質(zhì)量的應(yīng)用，因此，希望得到改進的特別是在器件和升華穩(wěn)定性和發(fā)光顏色方面改進的發(fā)光體?？偟恼f來，在電子器件的功能材料的領(lǐng)域中需要優(yōu)選具有改進性能的替代材料。申請WO 2006/033563和US 2009/0136779特別是公開了其中單個芳基基團彼此橋接的三芳基胺衍生物。該化合物用作電子器件中的空穴傳輸材料和/或發(fā)光材料。申請WO 10/083871公開了其中芳基基團稠合在哌啶環(huán)上的化合物。該化合物用作電子器件中的空穴傳輸材料和/或發(fā)光材料。此外，未公開的申請DE 102009048791. 3公開了含有三嗪基基團的橋接咔唑衍生物。所述化合物優(yōu)選用作磷光摻雜劑的基質(zhì)材料和用作電子傳輸材料。然而，仍需要改進器件的壽命、效率和工作電壓。另外，對于化合物有利的是具有高熱穩(wěn)定性和高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，并在不分解情況下可升華。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及通式⑴的化合物
權(quán)利要求
1.通式⑴的化合物
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的化合物，其特征在于對于P=I和ml=m3=0,基團T2不能代表單鍵。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的化合物，其特征在于η值的總和等于I。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中的一項或多項所述的化合物，其特征在于確切地一個基團Y代表單鍵，和確切地ー個另外的基團Y選自BR2、C(R2)2、Si(R2)2, C=O, C=NR2, O、S、SO、SO2,PR2、POR2 和 NR2。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中的一項或多項所述的化合物，其特征在于R1在毎次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si (R3)3，或具有I至20個C原子的直鏈烷基或烷氧基基團或具有3至20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團，它們每個可被一個或多個基團R3取代，其中一個或多個相鄰的或非相鄰的CH2基團可被-C ^ C-、R3C=CR3, Si (R3)2、C=0、C=NR3、NR3、0、S、C00或CONR3代替，或具有5至30個芳族環(huán)原子的芳基或雜芳基基團，它們在每種情況下可被一個或多個基團R3取代。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中的一項或多項所述的化合物，其特征在于R2在毎次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，具有I至8個碳原子的直鏈烷基基團，具有3至8個碳原子的支鏈烷基基團或具有6至18個碳原子的芳基基團，其中所述基團每ー個可被一個或多個基團R3取代。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中的一項或多項所述的化合物，其特征在于必須存在至少ー個代表被一個或多個基團R3取代的具有6至10個碳原子芳基基團的基團R2。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中的一項或多項所述的化合物，其特征在于基團Ph符合通式(Ph-I)和(Ph-2)之一
9.根據(jù)權(quán)利要求I至8中的一項或多項所述的化合物，其特征在于所述化合物符合以
10.低聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其包括一種或多種根據(jù)權(quán)利要求I至9中的一項或多項所述的化合物，其中與所述聚合物、低聚物或樹枝狀聚合物結(jié)合的鍵可以位于通式(I)中被R1或R2取代的任何希望的位置。
11.制劑，其包括至少一種權(quán)利要求I至9中的一項或多項所述的化合物或至少一種根據(jù)權(quán)利要求10所述的聚合物、低聚物或樹枝狀聚合物，和至少一種溶劑。
12.制備根據(jù)權(quán)利要求I至9中的一項或多項所述的化合物的方法，其特征在于至少進行一種閉環(huán)反應(yīng)以引入橋連基團Y、T1、T2、T3或L。
13.根據(jù)權(quán)利要求I至9中的一項或多項所述的化合物或根據(jù)權(quán)利要求10所述的聚合物、低聚物或樹枝狀聚合物在電子器件中、優(yōu)選在有機電致發(fā)光器件(OLED)中的用途。
14.電子器件，其包括至少一種根據(jù)權(quán)利要求I至9中的一項或多項所述的化合物，或至少一種根據(jù)權(quán)利要求10所述的聚合物、低聚物或樹枝狀聚合物，其特別是選自有機集成電路(O-IC)、有機場效應(yīng)晶體管(O-FET )、有機薄膜晶體管(O-TFT )、有機發(fā)光晶體管(0-LET)、有機太陽能電池(0-SC)、有機光學(xué)探測器、有機光感受器、有機場猝熄器件(O-FQD)、發(fā)光電化學(xué)電池(LEC)、有機激光二極管(O-Iaser)和有機電致發(fā)光器件(OLED)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于根據(jù)權(quán)利要求I至9中的一項或多項所述的化合物或根據(jù)權(quán)利要求10所述的聚合物、低聚物或樹枝狀聚合物用作空穴傳輸層或空穴注入層中的空穴傳輸材料和/或在發(fā)光層中優(yōu)選與一種或多種另外的基質(zhì)材料結(jié)合用作基質(zhì)材料。
全文摘要
本發(fā)明涉及通式(I)的化合物和其在有機電子器件中的用途，以及包括優(yōu)選作為空穴傳輸材料和/或特別是與另外的基質(zhì)材料結(jié)合作為基質(zhì)材料的通式(I)化合物的有機電子器件。
文檔編號C07D403/14GK102725268SQ201080062377
公開日2012年10月10日 申請日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月25日
發(fā)明者克里斯托夫·普夫盧姆, 埃米爾·侯賽因·帕勒姆, 康斯坦策·布羅克 申請人:默克專利有限公司