一種除雜裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅領(lǐng)域，尤其涉及一種除雜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體和太陽能電池行業(yè)的發(fā)展，使得原料多晶硅的生產(chǎn)成為熱點(diǎn)行業(yè)，同時(shí)對(duì)多晶硅的純度要求也越來越高，如何有效地去除多晶硅中的雜質(zhì)成為我國多晶硅行業(yè)的難題，目前的除雜裝置往往很難將雜質(zhì)的含量降到符合要求的范圍，從而使得多晶硅的品質(zhì)降低，影響發(fā)電效率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型提出一種除雜裝置，該除雜裝置能夠有效除去雜質(zhì)，提高金屬硅的純度。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：
[0005]—種除雜裝置，包括加熱分離裝置、吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔；
[0006]所述加熱分離裝置、所述吸附塔、所述造渣劑塔和所述樹脂填料塔通過管道串聯(lián)連接。
[0007]優(yōu)選地，所述加熱分離裝置為密閉的真空環(huán)境。
[0008]優(yōu)選地，所述加熱分離裝置內(nèi)設(shè)置有水平交錯(cuò)的折流板，底部設(shè)有出料孔。
[0009]優(yōu)選地，所述吸附塔內(nèi)的吸附物質(zhì)為離子交換樹脂。
[0010]優(yōu)選地，所述造渣劑塔內(nèi)的造渣劑為偏硅酸鈉。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述樹脂填料塔內(nèi)的樹脂填料為螯合樹脂。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果為：
[0013]本實(shí)用新型中通過同時(shí)設(shè)置加熱分離裝置、吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔，能夠有效除去氯硅烷中的雜質(zhì)，從而提高多晶硅的純度。另外，本實(shí)用新型通過采用串聯(lián)連接的方式將加熱分離裝置、吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔連接，提高了多晶硅的純度，使得多晶娃中硼雜質(zhì)在O. 3ppm以下，磷雜質(zhì)在O. 5ppm以下。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖I為本實(shí)用新型除雜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖中：
[0017]1、加熱分離裝置；2、吸附塔；3、造渣劑塔；4、樹脂填料塔；5、管道。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0019]如圖I所示，本實(shí)用新型提供的除雜裝置，包括加熱分離裝置1、吸附塔2、造渣劑塔3和樹脂填料塔4。
[0020]加熱分離裝置I通過加熱蒸發(fā)除去氯硅烷中的磷、硼等雜質(zhì)，具體實(shí)施時(shí)，還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置與所述加熱分離裝置I連接，使得加熱分離裝置I內(nèi)為真空環(huán)境，當(dāng)磷、硼等雜質(zhì)在加熱蒸發(fā)時(shí)，能夠被真空裝置抽走；為了更有效地除去氯硅烷中的磷、硼等雜質(zhì)，加熱分離裝置I內(nèi)還設(shè)有若干水平折流板，該水平折流板的設(shè)置提高了除雜效率；加熱分離裝置I底部設(shè)有出料孔，利于將提純后的硅液引入吸附塔內(nèi)。
[0021]吸附塔2用于吸附氯硅烷中的磷、硼等雜質(zhì)，具體實(shí)施時(shí)，吸附塔2內(nèi)填裝有離子交換樹脂，離子交換樹脂通過靜電作用將磷、硼等雜質(zhì)吸附，從而降低氯硅烷中的雜質(zhì)。
[0022]造渣劑塔3通過將雜質(zhì)氧化成渣的方式除去雜質(zhì)，具體實(shí)施時(shí)，造渣劑塔3內(nèi)的造渣劑為偏硅酸鈉，偏硅酸鈉在氧化、除去雜質(zhì)的同時(shí)，沒有其他雜質(zhì)形成。
[0023]樹脂填料塔4用于進(jìn)一步吸附雜質(zhì)，提高多晶硅的純度，具體實(shí)施時(shí)，所述樹脂填料塔4內(nèi)的樹脂填料為螯合樹脂，該樹脂通過與雜質(zhì)形成螯合物，將硼雜質(zhì)從氯硅烷中去除。
[0024]本實(shí)用新型通過采用串聯(lián)連接的方式將加熱分離裝置1、吸附塔2、造渣劑塔3和樹脂填料塔4連接，提高了多晶硅的純度，使得多晶硅中硼雜質(zhì)在O. 3ppm以下，磷雜質(zhì)在O. 5ppm 以下。
[0025]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種除雜裝置，其特征在于:包括加熱分離裝置、吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔； 所述加熱分離裝置、所述吸附塔、所述造渣劑塔和所述樹脂填料塔通過管道串聯(lián)連接。2.如權(quán)利要求1所述的除雜裝置，其特征在于:還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置與所述加熱分離裝置連接。3.如權(quán)利要求2所述的除雜裝置，其特征在于:所述加熱分離裝置內(nèi)設(shè)置有水平交錯(cuò)的折流板。4.如權(quán)利要求1所述的除雜裝置，其特征在于:所述吸附塔內(nèi)的吸附物質(zhì)為離子交換樹脂。5.如權(quán)利要求1所述的除雜裝置，其特征在于:所述造渣劑塔內(nèi)的造渣劑為偏硅酸鈉。6.如權(quán)利要求1所述的除雜裝置，其特征在于:所述樹脂填料塔內(nèi)的樹脂填料為螯合樹脂。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種除雜裝置，包括加熱分離裝置、吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔；所述加熱分離裝置、所述吸附塔、所述造渣劑塔和所述樹脂填料塔通過管道串聯(lián)連接。本實(shí)用新型中通過同時(shí)設(shè)置加熱分離裝置、吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔，能夠有效除去氯硅烷中的雜質(zhì)，從而提高多晶硅的純度。另外，本實(shí)用新型通過采用串聯(lián)連接的方式將加熱分離裝置、吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔連接，提高了多晶硅的純度，使得多晶硅中硼雜質(zhì)在0.3ppm以下，磷雜質(zhì)在0.5ppm以下。
【IPC分類】C01B33/107
【公開號(hào)】CN204917994
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520654374
【發(fā)明人】王增林
【申請(qǐng)人】寧夏金海金晶光電產(chǎn)業(yè)有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年8月27日