技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種高長徑比NiS單晶納米線陣列的制備方法，屬于功能納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法以硫脲為硫源，以吡啶為反應(yīng)溶劑，采用溶劑熱法制備具有良好電化學(xué)性能的高長徑比NiS單晶納米線陣列。方法簡單、效率高、成本低，制備的高長徑比NiS單晶納米線陣列，其直徑約30納米，長度約2微米，長徑比為67:1，具有較好的超電容性能。

技術(shù)研發(fā)人員：杜衛(wèi)民;張有娟;徐亞利;魏少紅;魏成振
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安陽師范學(xué)院
文檔號(hào)碼：201710003161
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.04
技術(shù)公布日：2017.05.31