1.一種可有效防止?fàn)t內(nèi)污染的提拉法晶體生長爐，包括爐架（1）和爐體（5），所述爐體（5）上設(shè)置測溫裝置（8），所述爐體（5）底部密封設(shè)置爐體座（4），爐體座（4）固定設(shè)置于爐架（1）上，所述爐體座（4）上設(shè)置有熔融鍋支撐桿（2），熔融鍋支撐桿（2）上設(shè)置熔融鍋（3）；所述爐體（5）頂部密封設(shè)置的爐體蓋（6）上，設(shè)置有與熔融鍋支撐桿（2）相對且同軸的提晶桿（7），所述提晶桿（7）下端設(shè)置籽晶夾持裝置（16）；其特征是：所述爐體（5）外部對應(yīng)于熔融鍋（3）區(qū)域設(shè)置加熱爐套（14），加熱爐套（14）上方設(shè)置保溫套（13），保溫套（13）外部設(shè)置絕熱套（15）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述有效防止?fàn)t內(nèi)污染的提拉法晶體生長爐，其特征是：所述爐體（5）為高純石英管式爐體，所述爐體（5）為高純石英管式爐體，其兩端設(shè)置法蘭盤式結(jié)構(gòu)的爐體蓋（6）和爐體座（5），通過密封圈與爐體（5）構(gòu)成密封腔式的爐膛，爐膛連接抽真空系統(tǒng)；石英管外部對應(yīng)于熔融鍋（3）設(shè)置加熱爐套（14），所述加熱爐套（14）為感應(yīng)式加熱環(huán)套，其外設(shè)置保溫套（13）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述有效防止?fàn)t內(nèi)污染的提拉法晶體生長爐，其特征是：所述保溫套（13）本體內(nèi)部設(shè)置加熱絲，其外部包敷絕熱材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述有效防止?fàn)t內(nèi)污染的提拉法晶體生長爐，其特征是：所述熔融鍋（3）為高純石墨坩堝，其表面包敷石英質(zhì)護殼。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述有效防止?fàn)t內(nèi)污染的提拉法晶體生長爐，其特征是：所述爐體座（4）、爐體蓋（6）為不銹鋼材料制作，分別與爐體（5）底部或頂端密封配合；所述爐體座（4）和/或爐體蓋（6）之本體內(nèi)分別設(shè)置循環(huán)水冷裝置，連接爐體蓋水冷管接口（6a）。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述有效防止?fàn)t內(nèi)污染的提拉法晶體生長爐，其特征是：所述的爐體座（4）上部連接法蘭上設(shè)置爐體座水冷管接口（4c），連通其內(nèi)部的水循環(huán)管路；爐體座（4）下部設(shè)置氣控裝置，包括排氣管（4a）和真空管路接口（4b）。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述有效防止?fàn)t內(nèi)污染的提拉法晶體生長爐，其特征是：所述熔融鍋支撐桿（2）與爐體座（4）底端罩蓋密封動配合；熔融鍋支撐桿（2）頂段中心孔與熔融鍋（3）底部支桿靜配合，熔融鍋支撐桿（2）底端連接驅(qū)動機構(gòu)；所述提晶桿（7）與爐體蓋（6）上的中心孔密封動配合，提晶桿（7）頂部聯(lián)接提拉裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述有效防止?fàn)t內(nèi)污染的提拉法晶體生長爐，其特征是：所述爐體（5）兩端通過密封卡槽和密封連接件（11）分別與爐體座（4）和爐體蓋（6）密封連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述有效防止?fàn)t內(nèi)污染的提拉法晶體生長爐，其特征是：所述密封連接件（11）為耐高溫密封圈。