本實(shí)用新型涉及一種帶有托碗的坩堝，屬于碳化硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的液相法生長(zhǎng)碳化硅晶體技術(shù)，都是通過加熱的方式將硅在高純石墨坩堝中融化，形成碳在硅中的溶液，再將頭部貼付有籽晶的石墨軸伸入到溶液中進(jìn)行生長(zhǎng)。

由于石墨坩堝為開放式設(shè)計(jì)，所以在高溫狀態(tài)下，硅會(huì)揮發(fā)形成硅蒸汽，在石墨坩堝頂部有保溫材料，硅蒸汽會(huì)和多孔的石墨纖維保溫材料反應(yīng)，生成碳化硅晶須，晶須會(huì)逐漸長(zhǎng)大，并會(huì)和籽晶軸碰撞、折斷進(jìn)入溶液，隨著溶液的流動(dòng)，在上保溫生成的晶須可能會(huì)帶入晶體生長(zhǎng)前沿，形成雜晶，干擾正常的晶體生長(zhǎng)進(jìn)程，使晶體質(zhì)量變差，甚至使整塊晶體報(bào)廢，所以必須防止生成的晶須回落到溶液中去。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)液相法生長(zhǎng)碳化硅晶體過程中晶須回落到溶液中的問題，本實(shí)用新型提出了一種帶有托碗的坩堝設(shè)計(jì)方案。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案是：

一種帶有托碗的坩堝，包括坩堝體、坩堝蓋和石墨托碗，其中坩堝蓋厚6mm,在坩堝蓋內(nèi)壁上設(shè)置寬度為3mm，深度為3mm的環(huán)形凹槽，在環(huán)形凹槽外徑設(shè)有螺紋，石墨托碗在碗壁外沿上端設(shè)置與環(huán)形凹槽相匹配的螺紋,石墨托碗開口向上，石墨托碗通過螺紋連接在坩堝蓋 上，石墨托碗中心設(shè)置通孔，籽晶軸通過石墨托碗的通孔伸入坩堝中。

進(jìn)一步地，石墨托碗的通孔直徑比籽晶軸直徑大4mm。

進(jìn)一步地，石墨托碗為薄壁結(jié)構(gòu)，碗壁厚度3mm，底部厚度為2mm。

石墨托碗強(qiáng)度相對(duì)脆弱，在晶體生長(zhǎng)結(jié)束直徑變大的情況下，可以通過破壞石墨托碗的形式將晶體提拉出坩堝，保證生長(zhǎng)晶體正常的提出坩堝又不損壞晶體和長(zhǎng)晶爐提拉裝置。

由于石墨托碗的存在，硅蒸汽的揮發(fā)受到阻擋，可減少對(duì)上保溫的侵蝕和晶須的生成，并且即使晶須長(zhǎng)大后碰到石墨軸斷裂，也會(huì)被托碗接住，防止晶須對(duì)溶液的污染，保證晶體生長(zhǎng)質(zhì)量。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型一種帶有托碗的坩堝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中A的局部放大圖；

圖3是石墨托碗剖視圖；

圖4是石墨托碗俯視圖；

圖中，1為籽晶軸，2為坩堝蓋，3為石墨托碗，4為通孔。

具體實(shí)施方式

如圖所示，一種帶有托碗的坩堝，包括籽晶軸1，坩堝蓋2，石墨托碗3，通孔4。

坩堝蓋2厚6mm,在坩堝蓋2內(nèi)壁上設(shè)置寬度為3mm，深度為3mm的環(huán)形凹槽，在環(huán)形凹槽外徑設(shè)有螺紋，石墨托碗3在碗壁外沿上端設(shè)置與環(huán)形凹槽相匹配的螺紋,石墨托碗3開口向上，石墨托碗3通過螺紋連接在坩堝蓋2上，石墨托碗3中心設(shè)置通孔4，籽晶軸1通 過石墨托碗3的通孔4伸入坩堝中。

所述石墨托碗3的通孔4直徑比籽晶軸直徑1大4mm。

所述石墨托碗3為薄壁結(jié)構(gòu)，碗壁厚度3mm，底部厚度為2mm。