本實(shí)用新型屬于碳化硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種帶有定位銷的石墨坩堝。

背景技術(shù)：

碳化硅(SiC)單晶具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)點(diǎn)，是現(xiàn)代電子技術(shù)使用的重要材料。液相法是一種生長(zhǎng)碳化硅晶體的方法，通過加熱的方式將硅在高純石墨坩堝中融化，形成碳在硅中的溶液，再將頭部貼付有籽晶的石墨軸伸入到溶液中進(jìn)行生長(zhǎng)。

為了滿足生產(chǎn)需求在生產(chǎn)過程中通常采用加速坩堝旋轉(zhuǎn)技術(shù)(ACRT)，在產(chǎn)業(yè)化的要求下，生長(zhǎng)速率高要求高，這種情況下，通常會(huì)采用高轉(zhuǎn)速的方案，加速溶質(zhì)的傳輸，從而提高生長(zhǎng)速率，但是在高速旋轉(zhuǎn)的過程中上保溫、上端蓋與坩堝本體易發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，造成相對(duì)之間的磨損，更容易造成上保溫材料的損壞，由于上保溫材料為高溫石墨纖維，價(jià)格昂貴，更容易造成生產(chǎn)加工成本的增加，同時(shí)不利于提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，對(duì)生長(zhǎng)過程也帶來(lái)了隱患。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問題，本實(shí)用新型提供一種帶有定位銷的石墨坩堝，可以防止上保溫、上端蓋和坩堝發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案是：

一種帶有定位銷的石墨坩堝，包括上保溫、上端蓋和坩堝，在上保溫、上端蓋和坩堝設(shè)置有彼此聯(lián)通的定位孔，在定位孔內(nèi)安裝有定位銷；所述定位銷為內(nèi)側(cè)金屬棒外側(cè)涂有石墨的夾芯棒；所述上保溫、上端蓋和坩堝通過定位銷固定在一起。

所述的定位孔對(duì)稱設(shè)置，一般設(shè)置有2個(gè)或4個(gè)；對(duì)應(yīng)的定位銷也為同樣數(shù)目，且定位銷的長(zhǎng)度長(zhǎng)于定位孔的深度；

采用這種結(jié)構(gòu)后在生產(chǎn)碳化硅時(shí)，首先將原料放入石墨坩堝中，然后分別蓋上端蓋和上保溫，調(diào)整三者之間的位置，使三者上的定位孔對(duì)齊，然后安裝定位銷，定位銷為內(nèi)側(cè)金屬棒外側(cè)涂有石墨的夾芯棒，安裝定位銷后可對(duì)坩堝實(shí)施加速坩堝旋轉(zhuǎn)技術(shù)，這樣可以防止上保溫、上端蓋和坩堝在旋轉(zhuǎn)過程中發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，防止造成上保溫的損壞，解除了對(duì)碳化硅生長(zhǎng)帶來(lái)的隱患，提高生產(chǎn)效率和質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。

根據(jù)坩堝壁厚的不同，定位孔的直徑為1-8mm,為了保溫的需要，在保證結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的前提下，定位孔的直徑優(yōu)選3mm。

綜上所述，采用本實(shí)用新型所提供的帶有定位銷的石墨坩堝，可對(duì)坩堝實(shí)施加速坩堝旋轉(zhuǎn)技術(shù)，防止上保溫、上端蓋和坩堝在旋轉(zhuǎn)過程中發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，防止造成上保溫的損壞，解除了對(duì)碳化硅生長(zhǎng)帶來(lái)的隱患，提高生產(chǎn)效率和質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型所述帶有定位銷的石墨坩堝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型所述帶有定位銷的石墨坩堝外形示意圖；

圖中1為上保溫，2為上端蓋，3為坩堝，4為定位銷，5為定位孔。

具體實(shí)施方式

如圖1和2所示，一種帶有定位銷的石墨坩堝，包括上保溫1、上端蓋2和坩堝3，在上保溫1、上端蓋2和坩堝3設(shè)置有彼此聯(lián)通的定位孔5，在定位孔5內(nèi)安裝有定位銷4；

所述定位銷4為內(nèi)側(cè)金屬棒外側(cè)涂有石墨的夾芯棒；所述上保溫1、上端蓋2和坩堝3通過定位銷4固定在一起；

所述的定位孔5對(duì)稱設(shè)置，一般設(shè)置有2個(gè)或4個(gè)；對(duì)應(yīng)的定位銷也為同樣數(shù)目，且定位銷4的長(zhǎng)度長(zhǎng)于定位孔5的深度；

所述定位孔5的直徑為1-8mm，優(yōu)選為3mm。