技術(shù)總結(jié)
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種用于碳化硅單晶生長的籽晶處理方法，通過一步法使籽晶背面獲得兩層致密石墨層，石墨層在高溫下能夠保持穩(wěn)定，從而抑制了籽晶背面升華的發(fā)生，從而消除了晶體生長過程中由背面升華導(dǎo)致的平面六方空洞缺陷，極大地提高了碳化硅晶體質(zhì)量。該方法且易于實(shí)現(xiàn)、成本可控，具有突出的規(guī)?；瘧?yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：喬松;楊繼勝;楊昆;高宇;鄭清超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河北同光晶體有限公司
文檔號(hào)碼：201611125985
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.09
技術(shù)公布日：2017.05.31