技術(shù)編號：12416663
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于高頻器件應(yīng)用領(lǐng)域，主要涉及一種用于碳化硅單晶生長的籽晶處理方法。背景技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體單晶材料的代表，SiC具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度以及極好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點，這些優(yōu)異的性能使SiC晶體在高溫、高壓、強輻射的工作環(huán)境下具有廣闊的應(yīng)用前景，并對未來電子信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。大直徑SiC晶體制備的常用方法是物理氣相傳輸法（PhysicalVaporTransport）。將碳化硅粉料放在密閉的石墨組成的坩堝底部，坩堝上蓋上通過籽晶托固定一個籽晶，...
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