本發(fā)明涉及液晶電視背光模組領(lǐng)域，尤其涉及一種CsPbX3量子點(diǎn)、CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)及制備方法和背光模組。
背景技術(shù)：
：液晶顯示裝置中的背光模組通常包括光源及光學(xué)膜片組，可為本身不發(fā)光的液晶模組提供亮度充分的平面光，以實(shí)現(xiàn)液晶顯示裝置的顯示功能。目前常用的光源為L(zhǎng)ED(英文全稱：LightEmittingDiode，發(fā)光二極管)，LED發(fā)出的白光透過(guò)彩色濾光片可獲得NTSC(英文全稱：NationalTelevisionStandardsCommittee，國(guó)家電視標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì))色域約為60-80％的色彩顯示。然而，隨著畫(huà)面質(zhì)量要求的不斷提升，現(xiàn)有的低色域顯示范圍已無(wú)法滿足實(shí)際需求。量子點(diǎn)具有熒光效率高、發(fā)光光譜的半峰窄以及波長(zhǎng)可控等優(yōu)點(diǎn)，發(fā)光光譜窄有利于提高三基色的顏色純度，從而實(shí)現(xiàn)更高的色域；波長(zhǎng)可控有利于調(diào)節(jié)白光組成，以便更好的匹配彩色濾光片透過(guò)光譜和人眼視覺(jué)函數(shù)，實(shí)現(xiàn)更好的顯示亮度。因而，量子點(diǎn)作為發(fā)光材料，可實(shí)現(xiàn)高色域背光模組的應(yīng)用需求。目前，常見(jiàn)的量子點(diǎn)多為II-VI族半導(dǎo)體材料量子點(diǎn)，尤其是鎘硫族化物半導(dǎo)體材料量子點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)100％左右NTSC的高色域顯示。量子點(diǎn)的典型結(jié)構(gòu)式如圖1所示。由圖1可見(jiàn)，常見(jiàn)的量子點(diǎn)為核殼結(jié)構(gòu)，包括內(nèi)核和殼層兩部分，殼層由內(nèi)向外又包括殼層1和殼層2(殼層也可以為三層結(jié)構(gòu))，其中，內(nèi)核為半導(dǎo)體材料，殼層為包覆在內(nèi)核表面的致密的無(wú)機(jī)材料(如ZnS、CdS)。殼層結(jié)構(gòu)可修飾內(nèi)核的表面缺陷，從而降低半導(dǎo)體材料產(chǎn)生的激發(fā)電子在躍遷過(guò)程中進(jìn)入缺陷而湮滅的幾率，以及量子點(diǎn)之間的無(wú)效躍遷，進(jìn)而提高量子點(diǎn)的發(fā)光效率。然而，致密的殼層結(jié)構(gòu)同時(shí)也提高了量子點(diǎn)的制備成本。另外，制備現(xiàn)有量子點(diǎn)的原材料成本較高，進(jìn)一步增加量子點(diǎn)的制作成本，如制備現(xiàn)有量子點(diǎn)多使用制備工藝復(fù)雜、售價(jià)較高的有機(jī)鎘(如二甲基隔)以及有機(jī)雙配體(如三辛基氧化膦)，以實(shí)現(xiàn)內(nèi)核和殼層有效配合。此外，常見(jiàn)的鎘硫族化物半導(dǎo)體量子點(diǎn)在較高的工作溫度下，穩(wěn)定性較差，容易發(fā)生電子躍遷淬滅等現(xiàn)象，導(dǎo)致量子點(diǎn)的量子效率大幅降低，影響背光模組的顯示效果。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種CsPbX3量子點(diǎn)、CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)及制備方法和背光模組，以解決現(xiàn)有技術(shù)中量子點(diǎn)成本高、高溫條件下穩(wěn)定性差的技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明提供一種CsPbX3量子點(diǎn)的制備方法，所述方法包括：將摩爾比為1∶(2.5-4)的碳酸銫和油酸溶解于有機(jī)非配位溶劑中，在150-200℃、惰性氣氛保護(hù)的條件下反應(yīng)1h，制得含有銫離子的油酸鹽；將鹵化鉛鹽加入所述有機(jī)非配位溶劑中溶解，制得鹵化鉛鹽溶液，其中，鹵化鉛鹽為氯化鉛、溴化鉛和碘化鉛中的一種或多種；將所述鹵化鉛鹽溶液加入所述含有銫離子的油酸鹽中混合，獲得反應(yīng)混合物；在所述反應(yīng)混合物反應(yīng)5-10秒后，將所述反應(yīng)混合物放入冰浴中冷卻，冷卻后離心、干燥，制得CsPbX3量子點(diǎn)。本發(fā)明還提供一種CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法，所述方法包括：將摩爾比為1∶(2.5-4)的碳酸銫和油酸溶解于有機(jī)非配位溶劑中，在150-200℃、惰性氣氛保護(hù)的條件下反應(yīng)1-2h，制得含有銫離子的油酸鹽；將鹵化鉛鹽加入有機(jī)非配位溶劑中溶解，制得鹵化鉛鹽溶液，其中，鹵化鉛鹽為氯化鉛、溴化鉛和碘化鉛中的一種或多種；將所述鹵化鉛鹽溶液加入所述含有銫離子的油酸鹽中混合，制得反應(yīng)混合物；在所述反應(yīng)混合物反應(yīng)5-10秒后，將所述反應(yīng)混合物放入冰浴中冷卻，獲取CsPbX3量子點(diǎn)的油酸分散液；在所述CsPbX3量子點(diǎn)的油酸分散液中加入三氨丙基三乙氧基硅烷，緩慢水解后離心、干燥，制得CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)。本發(fā)明還提供一種CsPbX3量子點(diǎn)，所述CsPbX3量子點(diǎn)由以上CsPbX3量子點(diǎn)的制備方法制得。本發(fā)明還提供一種CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)，所述CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)由以上CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法制得。本發(fā)明還提供一種背光模組，所述背光模組中包括以上CsPbX3量子點(diǎn)或以上CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)。本發(fā)明的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：本發(fā)明提供一種CsPbX3量子點(diǎn)、CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)及制備方法和背光模組，CsPbX3量子點(diǎn)的制備方法以碳酸銫和鹵化鉛鹽為前驅(qū)物，油酸作為配體，通過(guò)配體輔助再沉淀技術(shù)制備CsPbX3量子點(diǎn)。無(wú)機(jī)材料作為前驅(qū)物有利于減少量子點(diǎn)的表面缺陷，提高量子點(diǎn)發(fā)光效率和高溫條件下的穩(wěn)定性；另外，前驅(qū)物中不含鎘元素，有利于降低對(duì)環(huán)境的危害以及制備成本的降低。此外，本發(fā)明反應(yīng)溫度較低(140-200℃)，反應(yīng)條件溫和，有利于降低量子點(diǎn)的表面缺陷和制備成本。在CsPbX3量子點(diǎn)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明提供的CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法以3-APTES(英文全稱：3-Aminopropyltriethoxysilane，三氨丙基三乙氧基硅烷)作為CsPbX3量子點(diǎn)的覆蓋劑，對(duì)不同的CsPbX3量子點(diǎn)進(jìn)行隔離封裝，阻止不同鹵化物量子點(diǎn)之間的陰離子交換，從而進(jìn)一步提高量子點(diǎn)的量子效率，以及高溫條件下的穩(wěn)定性。應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本發(fā)明。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明提供的一種量子點(diǎn)的典型結(jié)構(gòu)式示意圖；圖2是本發(fā)明提供的一種CsPbX3量子點(diǎn)的制備方法的方法流程圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例1提供的一種CsPbBr3量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法的方法流程圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例9中提供的一種CsPbBr3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明提供的一種CsPbBr3量子點(diǎn)和CsPbBr3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的光致發(fā)光對(duì)比圖。具體實(shí)施方式這里將詳細(xì)地對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時(shí)，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實(shí)施例中所描述的實(shí)施方式并不代表與本發(fā)明相一致的所有實(shí)施方式。相反，它們僅是與如所附權(quán)利要求書(shū)中所詳述的、本發(fā)明的一些方面相一致的裝置的例子。本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其它實(shí)施例的不同之處。請(qǐng)參考圖2，所示為本發(fā)明提供的一種CsPbX3量子點(diǎn)的制備方法的方法流程圖，實(shí)施例1-8均以圖2所示的方法流程圖為基礎(chǔ)。實(shí)施例1步驟S111：將摩爾比為1∶2.5的碳酸銫和油酸溶解于1-十八碳烯中，在150℃、氮?dú)鈿夥毡Ｗo(hù)的條件下反應(yīng)1-2h，制得含有銫離子的油酸鹽。本發(fā)明提供的CsPbX3量子點(diǎn)的制備方法為基于有機(jī)相的量子點(diǎn)制備方法。有機(jī)相量子點(diǎn)的制備方法主要通過(guò)前驅(qū)物在高沸點(diǎn)有機(jī)溶劑中熱解，從而制得量子點(diǎn)。本實(shí)施例中，由于前驅(qū)物碳酸銫極易溶于水，在空氣中放置可迅速吸濕而變質(zhì)，因而采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)的保護(hù)氣體，從而去除環(huán)境中的水分。當(dāng)然，本發(fā)明其他實(shí)施例中也可以采用氦氣、氬氣等稀有氣體作為反應(yīng)的保護(hù)氣體。氮?dú)馀c其他非惰性氣體相比，在非高溫放電條件下，具有相對(duì)較低的反應(yīng)活性；與稀有氣體相比，氮?dú)獾某杀据^低。因而，本實(shí)施例中采用氮?dú)庾鳛樘妓徜C反應(yīng)的保護(hù)氣體。此外，與1-十八碳烯相對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明其他實(shí)施例中也可以采用二苯醚、石蠟油、橄欖油、甲基吡絡(luò)烷酮等其他有機(jī)非配位溶劑。步驟S112：將溴化鉛(碳酸銫與氯化鉛的摩爾比為1∶10)加入所述1-十八碳烯中形成混合物，將所述混合物加熱至120℃，制得預(yù)溶解的鹵化鉛鹽。本實(shí)施例選用碳酸銫和溴化鉛作為量子點(diǎn)制備的前驅(qū)物，無(wú)機(jī)材料作為前驅(qū)物制備的無(wú)機(jī)量子點(diǎn)的表面缺陷少，有利于提高量子點(diǎn)發(fā)光效率和高溫條件下的穩(wěn)定性。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，也可使用氯化鉛和碘化鉛代替溴化鉛作為量子點(diǎn)制備的前驅(qū)物。步驟S113：向所述預(yù)溶解的溴化鉛中加入適量的油胺和油酸，繼續(xù)升高溫度至140℃，制得鹵化鉛鹽溶液。改變升高的溫度可控制合成CsPbX3量子點(diǎn)的尺寸，溫度越高，CsPbX3量子點(diǎn)的粒徑尺寸越大，能級(jí)間隙越小，發(fā)光顏色越偏紅；晶粒越小，能級(jí)間隙越大，發(fā)光顏色越偏藍(lán)。本發(fā)明以油酸和/或油酸作為前驅(qū)物的反應(yīng)配體，可通過(guò)自身的吸附作用阻滯前驅(qū)物晶核在高溫下的快速生長(zhǎng)，使得前驅(qū)物晶核穩(wěn)定存在于在1-十八碳烯等有機(jī)非配位溶劑中。另外，油酸和油酸較常用的有機(jī)雙配體來(lái)說(shuō)，價(jià)格低廉，從而節(jié)約本CsPbX3量子點(diǎn)的制備成本。步驟S114：在140℃下，將所述鹵化鉛鹽溶液加入所述含有銫離子的油酸鹽中混合，制得反應(yīng)混合物。步驟S115：在所述反應(yīng)混合物反應(yīng)5-10秒后，將所述反應(yīng)混合物放入冰浴中冷卻，冷卻后離心、60-80℃下干燥后，制得CsPbBr3量子點(diǎn)。所述反應(yīng)混合物反應(yīng)5-10秒即可獲取所需粒徑尺寸，將反應(yīng)混合物放入冰浴中冷卻可阻止CsPbX3量子點(diǎn)晶核的繼續(xù)生長(zhǎng)，通過(guò)將冷卻后的混合物在不溶解CsPbX3量子點(diǎn)的離心液(如甲醇)中離心、并干燥后即可制得CsPbBr3量子點(diǎn)。請(qǐng)參考圖3，所示為本發(fā)明實(shí)施例1提供的一種CsPbBr3量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖。由圖3可見(jiàn)，CsPbBr3量子點(diǎn)屬于為立方體結(jié)構(gòu)，其中，Cs+分布于立方體結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)和楞上；立方體結(jié)構(gòu)內(nèi)部又包含有多個(gè)小立方體結(jié)構(gòu)，Pb2+分布于多個(gè)小立方體結(jié)構(gòu)的中心，Br-分布于多個(gè)小立方體結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)。通過(guò)本方法制備的CsPbX3量子點(diǎn)為一種鈣鈦礦型量子點(diǎn)。鈣鈦礦量子點(diǎn)理論上具有很高的發(fā)光效率，但鈣鈦礦量子點(diǎn)通常難以加工，需要通過(guò)有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化來(lái)制備可溶液加工的CH3NH3PbX3(X＝Cl、Br、I)。由于有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化結(jié)構(gòu)具有不穩(wěn)定性，使得現(xiàn)有鈣鈦礦量子點(diǎn)表面缺陷的數(shù)量大幅增加，穩(wěn)定性降低，導(dǎo)致其外量子效率降低至20％左右。因而，現(xiàn)有鈣鈦礦量子點(diǎn)的研究和應(yīng)用仍主要集在太陽(yáng)能電池方面(利用其載流子遷移率高、吸收效率高等特點(diǎn))。本CsPbX3量子點(diǎn)的制備方法以碳酸銫和鹵化鉛鹽為前驅(qū)物，油酸作為配體，通過(guò)配體輔助再沉淀技術(shù)制備CsPbX3量子點(diǎn)。相對(duì)于有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化結(jié)構(gòu)，無(wú)機(jī)材料作為前驅(qū)物制備的無(wú)機(jī)CsPbX3量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，有利于減少量子點(diǎn)的表面缺陷，以及提高量子點(diǎn)發(fā)光效率，從而，本方法制備的CsPbX3量子點(diǎn)可作為背光模組光源材料應(yīng)用于屏幕顯示領(lǐng)域。實(shí)施例2其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S113和步驟S114中的140℃改變?yōu)?60℃。實(shí)施例3其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S113和步驟S114中的140℃改變?yōu)?80℃。實(shí)施例4其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S113和步驟S114中的140℃改變?yōu)?00℃。實(shí)施例5其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S111中碳酸銫和油酸的摩爾比改為1∶3。實(shí)施例6其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S111中碳酸銫和油酸的摩爾比改為1∶4。實(shí)施例7其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S111中含有銫離子的油酸鹽的制備溫度改為170℃。實(shí)施例8其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S111中含有銫離子的油酸鹽的制備溫度改為200℃。表1：實(shí)施例1-8制備的CsPbX3量子點(diǎn)的粒徑分布、發(fā)射光譜范圍以及熒光量子產(chǎn)率。實(shí)施例CsPbX3量子點(diǎn)粒徑(nm)發(fā)射光譜范圍(nm)熒光量子產(chǎn)率12.0570-67025％24.5570-67029％37.2570-67034％410.0570-67042％52.8570-67026％63.7570-67028％72.6570-67028％83.6570-67031％由表1可見(jiàn)，實(shí)施例1-8中，CsPbX3量子點(diǎn)的粒徑分布于2.0-10.0nm之間，且隨著CsPbX3量子點(diǎn)制備溫度的升高(140℃-200℃)，CsPbX3量子點(diǎn)粒徑越大，量子點(diǎn)成長(zhǎng)速度越快，量子產(chǎn)率越高，量子點(diǎn)發(fā)光壽命越長(zhǎng)。另外，油酸作為碳酸銫的配體溶液，過(guò)量的油酸有利于碳酸銫的充分溶解，以及在CsPbX3量子點(diǎn)的制備過(guò)程中，有效吸附于CsPbX3量子點(diǎn)的表面，防止CsPbX3量子點(diǎn)成核速度過(guò)快，導(dǎo)致CsPbX3量子點(diǎn)表面缺陷增多。含有銫離子的油酸鹽的制備溫度的提升可進(jìn)一步促進(jìn)碳酸銫的有效溶解。因而，隨著碳酸銫和油酸的摩爾比和含有銫離子的油酸鹽的制備溫度的提升，CsPbX3量子點(diǎn)的粒徑和熒光量子產(chǎn)率均有所提高。本發(fā)明提供的CsPbX3量子點(diǎn)的制備方法制備的完全無(wú)機(jī)量子點(diǎn)鈣鈦礦CsPbX3(X＝Cl，Br，I)，具有尺寸分布窄，發(fā)射光譜窄以及量子效率高等優(yōu)點(diǎn)，且不需要?dú)咏Y(jié)構(gòu)。本量子點(diǎn)的發(fā)射光譜可覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光譜區(qū)，并且可通過(guò)控制反應(yīng)溫度等條件調(diào)整量子點(diǎn)的組成和晶體大小，合成溫度較低且合成方法簡(jiǎn)單。另外，本量子點(diǎn)不含有鎘元素，對(duì)環(huán)境友好，無(wú)污染。請(qǐng)參考圖4，所示為本發(fā)明提供的一種CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法的方法流程圖，實(shí)施例9-16均以圖4所示的方法流程圖為基礎(chǔ)。實(shí)施例9步驟S211：將摩爾比為1∶2.5的碳酸銫和油酸溶解于1-十八碳烯中，在150℃、氮?dú)鈿夥毡Ｗo(hù)的條件下反應(yīng)1-2h，制得含有銫離子的油酸鹽。步驟S212：將溴化鉛加入所述1-十八碳烯中形成混合物，將所述混合物加熱至120℃，制得預(yù)溶解的鹵化鉛鹽。步驟S213：向所述預(yù)溶解的溴化鉛中加入適量的油胺和油酸，繼續(xù)升高溫度至140℃，制得鹵化鉛鹽溶液。步驟S214：在140℃下，將所述鹵化鉛鹽溶液加入所述含有銫離子的油酸鹽中混合，制得反應(yīng)混合物。步驟S215：在所述反應(yīng)混合物反應(yīng)5-10秒后，將所述反應(yīng)混合物放入冰浴中冷卻，獲取CsPbX3量子點(diǎn)的油酸分散液。步驟S216：在所述CsPbX3量子點(diǎn)的油酸分散液中加入三氨丙基三乙氧基硅烷，緩慢水解后離心、60-80℃下干燥，制得CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)。其中，步驟S216中的緩慢水解可包括：步驟S2161：將包含有所述三氨丙基三乙氧基硅烷的油酸分散液暴露在空氣中12-48小時(shí)；步驟S2162：將暴露后的所述油酸分散液離心，取離心后的上清液，測(cè)試所述上清液中鹵素離子的含量；步驟S2163：若所述上清液中鹵素離子的含量大于含量閾值，則將包含有所述三氨丙基三乙氧基硅烷的油酸分散液繼續(xù)暴露在空氣中。請(qǐng)參考圖5，所示為本發(fā)明實(shí)施例9提供的一種CsPbBr3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖。由圖5可見(jiàn)，CsPbBr3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)包括CsPbBr3內(nèi)核和SiO2殼層，二氧化硅具有對(duì)環(huán)境穩(wěn)定、化學(xué)穩(wěn)定和良好的光學(xué)特性，可以較好的保證CsPbBr3內(nèi)核的穩(wěn)定性。另外，在SiO2殼層的表面還形成有硅烷支鏈結(jié)構(gòu)，有利于提高CsPbBr3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的穩(wěn)定性和分散性。硅烷支鏈結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)式如下：常見(jiàn)的鈣鈦礦量子點(diǎn)多利用PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，英文全稱：PolymethylMethacrylate)等有機(jī)樹(shù)脂進(jìn)行分散防護(hù)，防止不同鹵化物之間的陰離子發(fā)生交換而降低鈣鈦礦量子點(diǎn)的量子效率。但是，PMMA的穩(wěn)定較差，且具有相對(duì)較高的氧擴(kuò)散系數(shù)，容易使陰離子失去活性，無(wú)法很好的保護(hù)量子點(diǎn)。此外，PMMA容易受到鹵素原子交換電子的腐蝕，在電化學(xué)作用下降解失效。本發(fā)明在以上CsPbX3量子點(diǎn)制備方法的基礎(chǔ)上，采用三氨丙基三乙氧基硅烷作為CsPbX3量子點(diǎn)的覆蓋劑制成CsPbBr3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)，可對(duì)不同的CsPbX3量子點(diǎn)進(jìn)行隔離封裝，阻止不同鹵化物量子點(diǎn)之間的陰離子交換，從而提高CsPbX3量子點(diǎn)的量子效率、穩(wěn)定性。實(shí)施例10其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S213和步驟S214中的140℃改變?yōu)?60℃。實(shí)施例11其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S213和步驟S214中的140℃改變?yōu)?80℃。實(shí)施例12其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S213和步驟S214中的140℃改變?yōu)?00℃。實(shí)施例13其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S211中碳酸銫和油酸的摩爾比改為1∶3。實(shí)施例14其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S211中碳酸銫和油酸的摩爾比改為1∶4。實(shí)施例15其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S211中含有銫離子的油酸鹽的制備溫度改為170℃。實(shí)施例16其他步驟流程不變，將實(shí)施例1中步驟S211中含有銫離子的油酸鹽的制備溫度改為200℃。表2：實(shí)施例9-16制備的CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的粒徑分布、發(fā)射光譜范圍以及熒光量子產(chǎn)率。由表2可見(jiàn)，實(shí)施例9-16中，CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的粒徑分布于3.1-13.5nm之間，且隨著CsPbX3量子點(diǎn)制備溫度的升高(140℃-200℃)，CsPbX3量子點(diǎn)粒徑越大，量子點(diǎn)成長(zhǎng)速度越快，量子產(chǎn)率越高，量子點(diǎn)發(fā)光壽命越長(zhǎng)。此外，與CsPbX3量子點(diǎn)相比，本方法制備的CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)熒光量子產(chǎn)率大幅提升。此外，本方法制備的CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的發(fā)光功率為61.2lm/W左右，CIE(國(guó)際發(fā)光照明委員會(huì)，英文全稱：InternationalCommissiononIllumination)色坐標(biāo)在(0.291，0.299)左右，可滿足CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)在高色域背光模組的應(yīng)用需求。請(qǐng)參考圖6，所示為本發(fā)明提供的一種CsPbBr3量子點(diǎn)和CsPbBr3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的光致發(fā)光對(duì)比圖。由圖6可見(jiàn)，CsPbBr3量子點(diǎn)在接收落入其波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光照后可被激發(fā)為激發(fā)態(tài)，CsPbBr3量子點(diǎn)的光致發(fā)光吸收曲線的峰值為510；受激發(fā)后CsPbBr3量子點(diǎn)的光致發(fā)光激發(fā)曲線的峰值為610，光致發(fā)光激發(fā)曲線的半峰寬為31nm。CsPbBr3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的光致發(fā)光吸收曲線的峰值為520，半峰寬為27nm，；受激發(fā)后CsPbBr3量子點(diǎn)的光致發(fā)光激發(fā)曲線的峰值為625，光致發(fā)光激發(fā)曲線的半峰寬為30nm。由此可見(jiàn)，CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的光致發(fā)光激發(fā)曲線較CsPbBr3量子點(diǎn)的光致發(fā)光激發(fā)曲線發(fā)生紅移，且曲線的半峰寬更小，CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)受激發(fā)后發(fā)光的純度更高。CsPbBr3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)的半峰寬、熒光量子產(chǎn)率等性能可與常見(jiàn)的硒化鎘量子點(diǎn)相媲美。此外，將本發(fā)明制備的CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)與常用的CdSe/ZnS量子點(diǎn)在藍(lán)光激發(fā)的情況下曝露在空氣中進(jìn)行衰減試驗(yàn)，5天后CdSe/ZnS量子點(diǎn)亮度衰減百分比高達(dá)50％，本CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)衰減百分比在2％以內(nèi)。由此可見(jiàn)，本方法制備的CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)具有較強(qiáng)的穩(wěn)定性，可以在背光模組中長(zhǎng)期使用。本發(fā)明還提供一種以CsPbX3量子點(diǎn)或CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)作為光源的背光模組。CsPbX3量子點(diǎn)和CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)可通過(guò)UV固化方法制備成量子點(diǎn)膜，并配合導(dǎo)光板以及擴(kuò)散膜、棱鏡片和反射偏振片等光學(xué)膜片實(shí)現(xiàn)光線的發(fā)射與轉(zhuǎn)化，從而為液晶模組提供亮度充分的平面光。其中，UV固化方法制備成量子點(diǎn)膜具體可為：將CsPbX3量子點(diǎn)或CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)放置于紫外固化裝置內(nèi)，在波長(zhǎng)為280-315nm，強(qiáng)度為100-500w的紫外光照射下固化10-20s，即可獲得相應(yīng)的CsPbX3量子點(diǎn)膜或CsPbX3/SiO2復(fù)合量子點(diǎn)膜。以上所述的本發(fā)明實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。任何在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如“第一”和“第二”等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。以上所述僅是本發(fā)明的具體實(shí)施方式，使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解或?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3