技術(shù)特征：

1.非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，其包括如下步驟：

步驟一，制備與待轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的異性結(jié)構(gòu)件A形狀相同的金屬基體C；

步驟二，通過化學(xué)氣相沉積法在所述金屬基體C的表面沉積石墨烯薄膜；

步驟三，在所述金屬基體C具有石墨烯薄膜的一側(cè)涂覆一層剝離膠，并干燥固化；

步驟四，在所述金屬基體C具有所述剝離膠的一側(cè)沉積由硅膠前驅(qū)體經(jīng)干燥固化處理后形成的硅膠層；

步驟五，將步驟四中的所述金屬基體C置于刻蝕液中，除去所述金屬基體C后得到異形結(jié)構(gòu)件B；

步驟六，在真空負壓環(huán)境下，按照齒合形狀將所述異形結(jié)構(gòu)件B具有石墨烯薄膜的一側(cè)貼合于所述異形結(jié)構(gòu)件A上，在分離條件下，石墨烯薄膜與所述剝離膠分離，并移除所述剝離膠和所述硅膠層，使得異形結(jié)構(gòu)件A上貼覆有石墨烯薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述金屬基體C的材質(zhì)為銅或鎳。

3.如權(quán)利要求1所述的非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，在步驟二中，所述化學(xué)氣相沉積的方法為：以甲烷和氫氣作為工作氣體，在反應(yīng)溫度為1000～1050℃、負壓壓力為1～50Pa的條件下，反應(yīng)10～40min。

4.如權(quán)利要求1至3任一所述的非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，在步驟三中，所述剝離膠的涂覆厚度為10～100μm。

5.如權(quán)利要求4所述的非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述剝離膠為發(fā)泡膠或紫外膠。

6.如權(quán)利要求1所述的非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，在步驟四中，所述硅膠前驅(qū)體包括如下重量份數(shù)的下列組分：

7.如權(quán)利要求6所述的非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述抑制劑為1-乙炔基-1-環(huán)己醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇以及甲基乙烯基環(huán)四硅氧烷中的任意一種或幾種。

8.如權(quán)利要求6所述的非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述催化劑為鉑-乙烯基硅氧烷配合物、雙(炔基)(環(huán)二烯炔基)鉑配合物以及雙(炔基)雙(三苯基膦)鉑配合物中的任意一種或幾種。

9.如權(quán)利要求5所述的非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，在步驟六中，當所述剝離膠為發(fā)泡膠時，所述分離條件為在溫度范圍為120～150℃下進行加熱。

10.如權(quán)利要求5所述的非平面異形結(jié)構(gòu)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，在步驟六中，當所述剝離膠為紫外膠時，所述分離條件為在紫外線的輻射量為300～800mJ/cm²下進行輻射。