1.一種純化碳納米管薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
(1)將碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至目標基底；
(2)將碳納米管薄膜與目標基底一并放入加熱爐中，于280～320℃下進行退火處理，然后冷卻；
(3)將冷卻后的碳納米管薄膜與目標基底置于鹽酸中浸泡，然后洗滌吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)中所述碳納米管是通過化學氣相沉積法制備得到的碳納米管薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于地，步驟(1)中所述碳納米管薄膜的透過率為60～80％，方塊電阻為4～10kΩ。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，步驟(1)中所述目標基底為惰性基底；
優(yōu)選地，步驟(1)中所述目標基底為硅片和/或石英片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，步驟(1)中將碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至目標基底的過程為：
(a)將沉積有碳納米管薄膜的銅片裁剪成預定尺寸，置于氯化鐵溶液或marble試劑表面，靜置，使銅片被刻蝕，使碳納米管薄膜漂浮于溶液表面；
(b)用清水沖洗漂浮于液面的碳納米管薄膜，再用目標基底撈取碳納米管，吹干，完成碳納米管薄膜的轉(zhuǎn)移。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟(a)中所述氯化鐵溶液的濃度為0.3～1mol/L，進一步優(yōu)選為0.5mol/L；
優(yōu)選地，步驟(a)中所述靜置時間≥6h，進一步優(yōu)選為8～12h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，步驟(2)中所述加熱爐為管式爐；
優(yōu)選地，步驟(2)中所述退火處理在空氣中進行；
優(yōu)選地，步驟(2)中所述退火處理的溫度為300～320℃；
優(yōu)選地，步驟(2)中所述退火處理并保溫30～60min，進一步優(yōu)選為30～40min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的方法，其特征在于，步驟(3)中所述鹽酸的濃度為2～8mol/L，進一步優(yōu)選為6mol/L；
優(yōu)選地，步驟(3)中所述浸泡時間≥10h，進一步優(yōu)選為12～18h。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的方法，其特征在于，步驟(3)中所述純化后的碳納米管薄膜的透過率為80～95％，方塊電阻為1.0～2.5kΩ。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
(1)將沉積有碳納米管薄膜的銅片裁剪成預定尺寸，置于濃度為0.5mol/L氯化鐵溶液或marble試劑表面，靜置8～12h，使銅片被刻蝕，使碳納米管薄膜漂浮于溶液表面；用清水沖洗漂浮于液面的碳納米管薄膜，再用目標基底撈取碳納米管，吹干，使碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至目標基底；
(2)將碳納米管薄膜與目標基底一并放入加熱爐中，于300～320℃下進行退火處理并保溫30～40min，然后冷卻；
(3)將冷卻后的碳納米管薄膜與目標基底置于濃度為6mol/L的鹽酸中浸泡12～18h，然后洗滌吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。