本發(fā)明屬于碳納米管純化的處理工藝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種純化碳納米管薄膜的方法，尤其涉及一種以提高碳納米管薄膜透過率與電導(dǎo)率為目的純化碳納米管薄膜的方法。

背景技術(shù)：

碳納米管是由sp2雜化的碳原子以六角排列形成的一維管狀結(jié)構(gòu)，具有高的導(dǎo)電性、熱導(dǎo)率以及力學(xué)強(qiáng)度。由碳納米管以蜘蛛網(wǎng)絡(luò)形式搭接形成的碳納米管薄膜是一種應(yīng)用廣泛的透明導(dǎo)電材料。薄膜內(nèi)碳納米管之間彼此搭接形成了大量順暢的導(dǎo)電通路，保證了薄膜良好的導(dǎo)電性。在該薄膜中，碳納米管搭接產(chǎn)生的大量孔隙可以允許可見光的透過，保證了薄膜具有一定的透明度。兼具良好導(dǎo)電性和透明度的碳納米管網(wǎng)絡(luò)狀薄膜在許多光電器件(如光伏電池、光電探測器和觸摸屏)中作為透明電極，表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。

化學(xué)氣相沉積法是一種常用的制備碳納米管薄膜的方法，由該方法制備的碳納米管長度高，網(wǎng)絡(luò)搭接充分，具備更加優(yōu)異的導(dǎo)電性。然而在化學(xué)氣相沉積過程中，由于碳源的不充分分解，會(huì)導(dǎo)致游離石墨碳的產(chǎn)生，與催化劑分解產(chǎn)生的鐵單質(zhì)形成核-殼結(jié)構(gòu)顆粒嵌在碳納米管薄膜內(nèi)。雜質(zhì)顆粒的存在，會(huì)對入射光產(chǎn)生散射，從而降低了薄膜的透過率。此外，雜質(zhì)顆粒也會(huì)影響碳納米管之間的搭接，從而降低了薄膜的電導(dǎo)率。因此，雜質(zhì)顆粒的存在大大限制了碳納米管薄膜的應(yīng)用。

通過純化碳納米管薄膜，去除雜質(zhì)顆粒，可以有效提高碳納米管薄膜的光電性能。目前純化碳納米管薄膜的方法主要是先通過雙氧水浸泡刻蝕石墨碳外殼，再用濃鹽酸浸泡除掉內(nèi)部的鐵顆粒(Wei J,Ci L,Jiang B,Li Y,Zhang X,Zhu H,Xu C,Wu D.Journal of Materials Chemistry,2003,13(6):1340-1344)。但是這種純化方式耗時(shí)長，效率低，此外，長時(shí)間強(qiáng)氧化性試劑的浸泡也會(huì)在碳納米管表面引入許多官能團(tuán)和缺陷，從而降低了碳納米管薄膜的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有碳納米純化技術(shù)中存在的純化方式耗時(shí)長，效率低，以及長時(shí)間強(qiáng)氧化性試劑的浸泡會(huì)在碳納米管表面引入許多官能團(tuán)和缺陷，從而降低碳納米管薄膜的質(zhì)量等問題，本發(fā)明提供了一種以提高碳納米管薄膜透過率與電導(dǎo)率為目的純化碳納米管薄膜的方法。

本發(fā)明所述方法針對碳納米管薄膜中石墨碳外殼包裹鐵顆粒的雜質(zhì)結(jié)構(gòu)，首先對碳納米管薄膜樣品在空氣中高溫退火，由于鐵顆粒的催化作用，包裹在鐵顆粒表面的石墨碳相對于碳納米管優(yōu)先被氧化同時(shí)保護(hù)薄膜中的碳納米管，從而暴露出內(nèi)部鐵顆粒。進(jìn)一步采用鹽酸進(jìn)行浸泡，除掉鐵顆粒，最終達(dá)到去除雜質(zhì)，純化碳納米管薄膜的效果。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供了一種純化碳納米管薄膜的方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基底；

(2)將碳納米管薄膜與目標(biāo)基底一并放入加熱爐中，于280～320℃下進(jìn)行退火處理，然后冷卻；

(3)將冷卻后的碳納米管薄膜與目標(biāo)基底置于鹽酸中浸泡，然后洗滌吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。

其中，步驟(2)中所述退火處理溫度可為280℃、285℃、290℃、295℃、300℃、305℃、310℃、315℃或320℃等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

步驟(2)中所述冷卻為冷卻至室溫，例如15～25℃。

本發(fā)明中，所述碳納米管薄膜是由平面內(nèi)彼此無序搭接的碳納米管形成的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。所述碳納米管薄膜經(jīng)過純化處理，可以有效去除碳納米管薄膜中的非晶碳和鐵顆粒雜質(zhì)，并獲得整個(gè)薄膜透明度和導(dǎo)電性的提升。

本發(fā)明中，所述退火溫度需要控制在適當(dāng)范圍內(nèi)(即280～320℃)，若退火溫度小于280℃，會(huì)使碳?xì)さ难趸粔虺浞?；若退火溫度大?20℃，會(huì)使碳納米管也產(chǎn)生氧化，造成碳納米管的損失。

以下作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，但不作為本發(fā)明提供的技術(shù)方案的限制，通過以下技術(shù)方案，可以更好的達(dá)到和實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)目的和有益效果。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(1)中所述碳納米管是通過化學(xué)氣相沉積法制備得到的碳納米管薄膜。該化學(xué)氣相沉積法制得的碳納米管薄膜以銅片作為承接的基底，但并不僅限于銅片。

本發(fā)明所述的通過化學(xué)氣相沉積法制備得到的碳納米管薄膜具平面內(nèi)無序搭接結(jié)構(gòu)，其透明度和電導(dǎo)率可以通過調(diào)節(jié)生長時(shí)間來進(jìn)行控制。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(1)中所述碳納米管薄膜的透過率為60～80％，例如60％、63％、65％、67％、70％、73％、75％、77％或80％等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用；方塊電阻為4～10kΩ，例如4kΩ、5kΩ、6kΩ、7kΩ、8kΩ、9kΩ或10kΩ等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。更進(jìn)一步的，所述碳納米管薄膜的透過率為70～80％，方塊電阻為4～7kΩ。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(1)中所述目標(biāo)基底為惰性基底，該所述惰性基底可在300℃的溫度下以及在強(qiáng)酸條件下保持惰性。

優(yōu)選地，步驟(1)中所述目標(biāo)基底為硅片和/或石英片，但并不僅限于硅片和/或石英片。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(1)中將碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基底的過程為：

(a)將沉積有碳納米管薄膜的銅片裁剪成預(yù)定尺寸，置于氯化鐵溶液和/或marble試劑表面，靜置，使銅片被刻蝕，使碳納米管薄膜漂浮于溶液表面；

(b)用清水沖洗漂浮于液面的碳納米管薄膜，再用目標(biāo)基底撈取碳納米管，吹干，完成碳納米管薄膜的轉(zhuǎn)移。

其中，步驟(a)中在碳納米管轉(zhuǎn)移過程中將沉積有碳納米管薄膜的銅片置于氯化鐵溶液和/或marble試劑中，目的在于刻蝕銅基底，獲得獨(dú)立的碳納米管薄膜。

步驟(b)中用清水沖洗漂浮于液面的碳納米管薄膜目的在于去除殘留的氯化鐵。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(a)中所述氯化鐵溶液的濃度為0.3～1mol/L，例如0.3mol/L、0.4mol/L、0.5mol/L、0.6mol/L、0.7mol/L、0.8mol/L、0.9mol/L或1mol/L等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，進(jìn)一步優(yōu)選為0.5mol/L。

優(yōu)選地，步驟(a)中所述靜置時(shí)間≥6h，例如6h、8h、10h、12h、14h、16h、18h或20h等以及更長時(shí)間，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，進(jìn)一步優(yōu)選為8～12h。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(2)中所述加熱爐為管式爐。

優(yōu)選地，步驟(2)中所述退火處理在空氣中進(jìn)行。

優(yōu)選地，步驟(2)中所述退火處理的溫度為300～320℃。

優(yōu)選地，步驟(2)中所述退火處理并保溫30～60min，例如30min、35min、40min、45min、50min、55min或60min等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，進(jìn)一步優(yōu)選為30～40min。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(3)中所述鹽酸的濃度為2～8mol/L，例如2mol/L、2.5mol/L、3mol/L、3.5mol/L、4mol/L、4.5mol/L、5mol/L、5.5mol/L、6mol/L、6.5mol/L、7mol/L、7.5mol/L或8mol/L等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，進(jìn)一步優(yōu)選為6mol/L。

優(yōu)選地，步驟(3)中所述浸泡時(shí)間≥10h，例如10h、12h、14h、16h、18h、20h或22h等以及更長時(shí)間，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，進(jìn)一步優(yōu)選為12～18h。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(3)中所述純化后的碳納米管薄膜的透過率為80～95％，例如80％、83％、85％、87％、90％、93％或95％等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用；方塊電阻為1.0～2.5kΩ，例如1kΩ、1.3kΩ、1.5kΩ、1.7kΩ、2.0kΩ、2.3kΩ或2.5kΩ等等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述方法包括以下步驟：

(1)將沉積有碳納米管薄膜的銅片裁剪成預(yù)定尺寸，置于濃度為0.5mol/L氯化鐵溶液或marble試劑表面，靜置8～12h，使銅片被刻蝕，使碳納米管薄膜漂浮于溶液表面；用清水沖洗漂浮于液面的碳納米管薄膜，再用目標(biāo)基底撈取碳納米管，吹干，使碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基底；

(2)將碳納米管薄膜與目標(biāo)基底一并放入加熱爐中，于300～320℃下進(jìn)行退火處理并保溫30～40min，然后冷卻；

(3)將冷卻后的碳納米管薄膜與目標(biāo)基底置于濃度為6mol/L的鹽酸中浸泡12～18h，然后洗滌吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

(1)本發(fā)明所述純化過程中未引入強(qiáng)氧化劑試劑，進(jìn)而減少了處理過程中碳納米管薄膜表面官能團(tuán)的引入與結(jié)構(gòu)的破壞；

(2)本發(fā)明所述方法處理時(shí)間短，效率更高，與現(xiàn)有技術(shù)中將待處理的碳納米管薄膜在雙氧水和濃硝酸中處理共需花費(fèi)6天時(shí)間相比，本發(fā)明只需花費(fèi)最低18h左右(即退火處理在2h以內(nèi)，氯化鐵溶液浸泡最低6h左右，鹽酸浸泡最低10h)即可完成處理；

(3)本發(fā)明所述純化過程在碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基底后進(jìn)行，方便后續(xù)器件的加工，簡化工藝流程，降低成本；

(4)通過本發(fā)明所述的處理方法可以有效去除碳納米管薄膜中的非晶碳和鐵顆粒雜質(zhì)，并獲得整個(gè)薄膜透明度和導(dǎo)電性的提升。處理前透過率78％，方塊電阻7.26kΩ的碳納米管薄膜，經(jīng)過本處理方法后，其透過率可達(dá)95％，方塊電阻降低至1.88kΩ。

附圖說明

圖1是本發(fā)明所述純化碳納米管薄膜方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1中純化前后碳納米管薄膜的方塊電阻對比圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例1中純化前碳納米管薄膜的SEM照片；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例1中純化后碳納米管薄膜的SEM照片；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例5中純化前后碳納米管薄膜的光學(xué)照片；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例5中純化前后碳納米管薄膜的透過率對比圖；

其中，1-碳納米管，2-石墨碳?xì)ぃ?-鐵顆粒。

具體實(shí)施方式

為更好地說明本發(fā)明，便于理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。但下述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的簡易例子，并不代表或限制本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，本發(fā)明保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。

如圖1所示，本發(fā)明所述方法對碳納米管薄膜中石墨碳?xì)?包裹鐵顆粒3的雜質(zhì)結(jié)構(gòu)，首先對碳納米管薄膜樣品在空氣中高溫退火，由于鐵顆粒3的催化作用，包裹在鐵顆粒3表面的石墨碳2相對于碳納米管1優(yōu)先被氧化，從而暴露出內(nèi)部鐵顆粒3。進(jìn)一步采用鹽酸進(jìn)行浸泡，除掉鐵顆粒3，最終達(dá)到去除雜質(zhì)，純化碳納米管薄膜的效果。

本發(fā)明具體實(shí)施例部分提供了一種純化碳納米管薄膜的方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基底；

(2)將碳納米管薄膜與目標(biāo)基底一并放入加熱爐中，于280～320℃下進(jìn)行退火處理，然后冷卻；

(3)將冷卻后的碳納米管薄膜與目標(biāo)基底置于濃度2～8mol/L的鹽酸中浸泡，然后洗滌吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。

更進(jìn)一步的，本發(fā)明提供了一種純化碳納米管薄膜的方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將沉積有碳納米管薄膜的銅片裁剪成預(yù)定尺寸，置于濃度為0.5mol/L氯化鐵溶液表面，靜置＞6h，使銅片被刻蝕，使碳納米管薄膜漂浮于溶液表面；用清水沖洗漂浮于液面的碳納米管薄膜，再用目標(biāo)基底撈取碳納米管，吹干，使碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基底；

(2)將碳納米管薄膜與目標(biāo)基底一并放入加熱爐中，于280～320℃下進(jìn)行退火處理并保溫30～60min，然后冷卻；

(3)將冷卻后的碳納米管薄膜與目標(biāo)基底置于鹽酸中浸泡＞10h，然后洗滌吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。

其中，所述碳納米管薄膜是通過化學(xué)氣相沉積法合成，具有平面內(nèi)無序搭接結(jié)構(gòu)，初始透光率為60～80％，方塊電阻為4-10kΩ。

更進(jìn)一步的，所述碳納米管薄膜的初始透光率為70～80％，方塊電阻為4～7kΩ。

所述化學(xué)氣相沉積法(Li Z,Jia Y,Wei J,Wang K,Shu Q,Gui X,Zhu H,Cao A,Wu D.Journal of Materials Chemistry,2010,20(34):7236-7240)，具體包括以下步驟：

(1)配置二茂鐵濃度為0.36mol/L，硫粉濃度為0.036mol/L的二甲苯反應(yīng)溶液；

(2)在石英管尾端放置一塊10cm×20cm的銅片，用于承接所生長的碳納米管薄膜；

(3)向石英管中通入流量為1200sccm的氬氣和流量為300sccm的氫氣，90min內(nèi)將管式爐升至1060℃；

(4)開啟精密注射泵，將反應(yīng)溶液經(jīng)毛細(xì)管注入石英管，進(jìn)給速率為3～5μL/min，反應(yīng)時(shí)間為10～30mim；

(5)反應(yīng)達(dá)到預(yù)定時(shí)間后，停止碳源進(jìn)給并降溫，降到室溫后關(guān)閉氫氣和氬氣，取出覆有碳納米管薄膜的銅片。

本發(fā)明具體實(shí)施例部分純化前后碳納米管薄膜的方塊電阻的測試方法如下：

將目標(biāo)基底定為表面有285納米二氧化硅層的硅片，在碳納米管薄膜兩端涂上銀膠作為電極，自然風(fēng)干后，采用Keithley 4200半導(dǎo)體特性測試系統(tǒng)的源級和漏級分別連接兩端電極，對薄膜方塊電阻進(jìn)行記錄。

本發(fā)明具體實(shí)施例部分純化前后透過率的測試方法如下：

將目標(biāo)基底定為石英片，對同一片石英片進(jìn)行切割，一部分作為空白對照，另一部分轉(zhuǎn)移碳納米管薄膜。采用紫外-可見分光光度計(jì)對碳納米管薄膜透過率進(jìn)行測試。

以下為本發(fā)明典型但非限制性實(shí)施例：

實(shí)施例1：碳納米管薄膜電導(dǎo)率的提升

本實(shí)施例提供了一種純化碳納米管薄膜的方法，所述方法為：

(1)將方塊電阻為7.2kΩ的碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至表面有285納米二氧化硅層的硅片上，測量其方塊電阻；

(2)將覆有碳納米管薄膜的硅片放入管式爐中，升溫至300℃保溫30min，程序控制降溫至室溫；

(3)將冷卻后的硅片取出置于濃度為6mol/L的鹽酸中，浸泡10h，然后用清水洗滌2遍，用氣槍吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。

測試純化后的碳納米管薄膜的方塊電阻，與未純化的碳納米管薄膜的方塊電阻進(jìn)行對比，結(jié)果如圖2所示，可見經(jīng)過純化后的碳納米管薄膜的方塊電阻由7.266kΩ降至1.885kΩ。

純化前后的碳納米管薄膜的掃描電子顯微鏡(SEM)圖片如圖3和圖4所示，可見純化前的碳納米管薄膜的照片中亮點(diǎn)代表的催化劑顆粒在純化后幾乎全部消失。

實(shí)施例2：碳納米管薄膜電導(dǎo)率的提升

本實(shí)施例提供了一種純化碳納米管薄膜的方法，所述方法為：

(1)將方塊電阻為7.3kΩ的碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至表面有285納米二氧化硅層的硅片上，測量其方塊電阻；

(2)將覆有碳納米管薄膜的硅片放入管式爐中，升溫至280℃保溫30min，程序控制降溫至室溫；

(3)將冷卻后的硅片取出置于濃度為6mol/L的鹽酸中，浸泡10h，然后用清水洗滌2遍，用氣槍吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。

測試純化后的碳納米管薄膜的方塊電阻，與未純化的碳納米管薄膜的方塊電阻進(jìn)行對比，經(jīng)過純化后的碳納米管薄膜的方塊電阻降至2.1kΩ，經(jīng)掃描電子顯微鏡(SEM)圖片可以看出純化過程后催化劑顆粒幾乎全部消失。

實(shí)施例3：碳納米管薄膜電導(dǎo)率的提升

本實(shí)施例提供了一種純化碳納米管薄膜的方法，所述方法為：

(1)將方塊電阻為7.3kΩ的碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至表面有285納米二氧化硅層的硅片上，測量其方塊電阻；

(2)將覆有碳納米管薄膜的硅片放入管式爐中，升溫至300℃保溫60min，程序控制降溫至室溫；

(3)將冷卻后的硅片取出置于濃度為6mol/L的鹽酸中，浸泡10h，然后用清水洗滌2遍，用氣槍吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。

測試純化后的碳納米管薄膜的方塊電阻，與未純化的碳納米管薄膜的方塊電阻進(jìn)行對比，經(jīng)過純化后的碳納米管薄膜的方塊電阻降至2.2kΩ，經(jīng)掃描電子顯微鏡(SEM)圖片可以看出純化過程后催化劑顆粒幾乎全部消失。

實(shí)施例4：碳納米管薄膜電導(dǎo)率的提升

本實(shí)施例提供了一種純化碳納米管薄膜的方法，所述方法為：

(1)將方塊電阻為7.3kΩ的碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至表面有285納米二氧化硅層的硅片上，測量其方塊電阻；

(2)將覆有碳納米管薄膜的硅片放入管式爐中，升溫至320℃保溫30min，程序控制降溫至室溫；

(3)將冷卻后的硅片取出置于濃度為6mol/L的鹽酸中，浸泡10h，然后用清水洗滌2遍，用氣槍吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。

測試純化后的碳納米管薄膜的方塊電阻，與未純化的碳納米管薄膜的方塊電阻進(jìn)行對比，經(jīng)過純化后的碳納米管薄膜的方塊電阻降至2.4kΩ，經(jīng)掃描電子顯微鏡(SEM)圖片可以看出純化過程后催化劑顆粒幾乎全部消失。

實(shí)施例5：碳納米管薄膜透明度的提升

本實(shí)施例提供了一種純化碳納米管薄膜的方法，所述方法為：

(1)將透明度為78％的碳納米管薄膜轉(zhuǎn)移至石英片上，測量其透過率；

(2)(2)將覆有碳納米管薄膜的石英片放入管式爐中，升溫至300℃保溫30min，程序控制降溫至室溫；

(3)將冷卻后的硅片取出置于濃度為6mol/L的鹽酸中，浸泡10h，然后用清水洗滌2遍，用氣槍吹干，得到純化后的碳納米管薄膜。

純化前后的碳納米管薄膜的光學(xué)照片如圖5所示，從圖中可以看出，純化后碳納米管薄膜顏色明顯變淺。

測試純化后的碳納米管薄膜的透明度，與未純化的碳納米管薄膜的透明度進(jìn)行對比，結(jié)果如圖6所示，可以看出波長550nm處的薄膜透過率由78.26％上升到94.43％。

對比例1：

本對比例提供了一種純化碳納米管薄膜的方法，所述方法除了步驟(2)中加熱溫度為380℃(＞320℃)外，其他物料用量與處理過程均與實(shí)施例1中相同。

經(jīng)本對比例純化處理后的碳納米管薄膜的方塊電阻為10.2kΩ，透過率為95.68％。

綜合實(shí)施例1-5和對比例1中的結(jié)果可以看出，本發(fā)明所述的處理方法可以有效去除碳納米管薄膜中的非晶碳和鐵顆粒雜質(zhì)，并獲得整個(gè)薄膜透明度和導(dǎo)電性的提升，其透過率可達(dá)95％，方塊電阻降低至1.88kΩ。同時(shí)，本發(fā)明所述純化過程中未引入強(qiáng)氧化劑試劑，進(jìn)而減少了處理過程中碳納米管薄膜表面官能團(tuán)的引入與結(jié)構(gòu)的破壞。本發(fā)明方法處理時(shí)間短，效率更高，與現(xiàn)有技術(shù)中將待處理的碳納米管薄膜在雙氧水和濃硝酸中處理共需花費(fèi)6天時(shí)間相比，本發(fā)明只需花費(fèi)最低18h左右(即退火處理在2h以內(nèi)，氯化鐵浸泡最低6h左右，鹽酸浸泡最低10h左右)即可完成處理。

申請人聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)方法，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)方法，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)方法才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進(jìn)，對本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。