技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及材料科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種轉(zhuǎn)移石墨烯的方法。

背景技術(shù)：

2004年，英國(guó)曼徹斯特大學(xué)物理學(xué)家安德烈?海姆和康斯坦丁?諾沃肖洛夫在實(shí)驗(yàn)中成功獲得石墨烯以來(lái)，石墨烯就因其優(yōu)異性能引起了科學(xué)界的廣泛關(guān)注，成為當(dāng)今世界研究的熱門(mén)領(lǐng)域。人們首次成功分離出石墨烯是采用機(jī)械剝離法，這個(gè)方法通常需要將膠帶粘到石墨表面，再利用外力將附在膠帶上的石墨烯片層剝落；或是用另一種材料在石墨表面摩擦使石墨片層從塊體石墨上滑落。這種獲得石墨烯的方法具有過(guò)程簡(jiǎn)便和成本較低的優(yōu)點(diǎn)，使之成為制備石墨烯的常用方法。然而機(jī)械剝離法獲得的石墨烯尺寸小、層數(shù)不可控，且產(chǎn)物中通常含有難以去除的剝離媒介，導(dǎo)致獲得的石墨烯無(wú)法滿足諸多應(yīng)用的要求。

為獲得滿足應(yīng)用需求的石墨烯，目前最常用的制備方法是化學(xué)氣相沉積法。這種方法獲得的石墨烯面積較大，層數(shù)可控，但化學(xué)氣相沉積法制得的石墨烯多在金屬基底上，為了實(shí)現(xiàn)石墨烯的應(yīng)用，往往需要將石墨烯轉(zhuǎn)移到其他目標(biāo)基底上（如絕緣基底）。常用的轉(zhuǎn)移方法是在欲轉(zhuǎn)移的石墨烯上旋涂PMMA并使其固化，然后刻蝕掉金屬基底、用去離子水漂洗，最后轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底上，接著用丙酮除去PMMA膜。轉(zhuǎn)移后殘留在石墨烯上的PMMA及其他污染物會(huì)影響石墨烯的性能及應(yīng)用，而且耗時(shí)較長(zhǎng)，生長(zhǎng)基底不可重復(fù)使用。目前常用的轉(zhuǎn)移方法還有鼓泡法，但鼓泡法轉(zhuǎn)移的石墨烯也有聚合物的殘留。如何快速、無(wú)聚合物殘留地將石墨烯轉(zhuǎn)移到任意基底上是實(shí)現(xiàn)石墨烯廣泛應(yīng)用的一大挑戰(zhàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種轉(zhuǎn)移石墨烯的方法。該方法可快速實(shí)現(xiàn)石墨烯的轉(zhuǎn)移，且獲得的石墨烯無(wú)聚合物殘留，適用于任何材質(zhì)的目標(biāo)基底。

本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

一種轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，包括以下步驟：

（1）將較高熔點(diǎn)的金屬作為金屬基底，對(duì)其進(jìn)行預(yù)處理；

（2）將較低熔點(diǎn)的金屬或合金放置在經(jīng)步驟（1）預(yù)處理后的金屬基底上，以高于較低熔點(diǎn)的金屬或合金的熔點(diǎn)的溫度加熱，得粘附有較低熔點(diǎn)金屬或合金的金屬基底；

（3）在步驟（2）制備的粘附有較低熔點(diǎn)金屬或合金的金屬基底上生長(zhǎng)石墨烯，即得生長(zhǎng)有石墨烯的金屬基底；

（4）將步驟（3）制備的生長(zhǎng)有石墨烯的金屬基底放置在加熱臺(tái)上，在高于低熔點(diǎn)金屬或合金的熔點(diǎn)的溫度下加熱，把目標(biāo)基底放于待轉(zhuǎn)移的石墨烯上，將石墨烯滑移至目標(biāo)基底上。

上述方法還包括用鹽酸溶液沖洗轉(zhuǎn)移后的石墨烯。

所述步驟（1）中的較高熔點(diǎn)的金屬為鈷、鐵、鋁、金、銀、銅、鋅、鉬、鎢、鈦、釩、鉻、釕、銠、鉑、鈀、銥中的一種或幾種；

所述預(yù)處理為：將大小為1×1 cm²的金屬基底依次放入丙酮、乙醇、超純水中進(jìn)行超聲處理，所述超聲時(shí)間為20 min。

所述較高熔點(diǎn)的金屬為鎢或鉬。

所述步驟（2）中的低熔點(diǎn)金屬為鎵、銦或錫，所述合金為鎵、銦、錫中的兩種或三種組成的合金；其加入量為10~30 mg。

所述步驟（3）中生長(zhǎng)石墨烯的方法為化學(xué)氣相沉積法。

所述步驟（3）化學(xué)氣相沉積法的條件為：氣體氛圍：氫氣和惰性氣體，所述氫氣的流速為10~300 sccm，惰性氣體的流速為20~1000 sccm；加熱溫度為500~1200 °C，升溫時(shí)間為20~50 min；生長(zhǎng)時(shí)間為10~120 min；碳源氣體與氫氣的體積比為3 : 800~1 : 2，碳源為一氧化碳、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷、環(huán)己烷、乙烯、丙烯、丁二烯、戊烯、環(huán)戊二烯、乙炔、甲醇、乙醇、苯、甲苯、酞菁中的一種或幾種。

所述惰性氣體為氮?dú)?、氬氣中的一種或兩種，所述氫氣的流速為20 ~ 40 sccm，惰性氣體的流速為250~350 sccm；加熱溫度為800~1100，升溫時(shí)間為30~35 min；生長(zhǎng)時(shí)間為30~70 min，碳源氣體與氫氣的體積比為1 : 3~1 : 2，碳源為甲烷、乙醇、乙烯、環(huán)己烷中的一種或幾種。

所述惰性氣體為氬氣，所述惰性氣體的流速為300 sccm；所述氫氣的流速為30 sccm；所述碳源氣體與氫氣的體積比為1 : 3；所述碳源為甲烷。

所述步驟（4）中的目標(biāo)基底為硅片、石英片、塑料膜、云母片、氧化鉿片或氧化鈹；所述滑移速度為0.1~100 mm/s。

所述塑料膜為PET膜；所述滑移速度為1~10 mm/s。

本發(fā)明提供的一種轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，包括如下步驟：

1）生長(zhǎng)基底的前處理：剪切大小為1×1 cm²的金屬基底，分別在丙酮、乙醇、超純水中各超聲20 min。構(gòu)成所述金屬基底材料均選自鈷、鐵、鋁、金、銀、銅、鋅、鉬、鎢、鈦、釩、鉻、釕、銠、鉑、鈀和銥中的至少一種，優(yōu)選鎢作為金屬基底；所述步驟1）中在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)石墨烯之前要對(duì)生長(zhǎng)基底進(jìn)行前處理，洗去金屬基底表面的雜質(zhì)。

2）稱(chēng)取適量較低熔點(diǎn)金屬或其合金放置在步驟1）所述的金屬基底上，以高于較低熔點(diǎn)金屬或其合金的溫度加熱即可使較低熔點(diǎn)金屬或合金粘附在步驟1）所述金屬基底上。較低熔點(diǎn)金屬或其合金的含量為10~30 mg，低熔點(diǎn)金屬或合金均選自與鎵、銦、錫及各種配比的合金。

3）化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯?；瘜W(xué)沉積法的步驟為：在氫氣和惰性氣氛中，將步驟2）所述生長(zhǎng)基底由室溫升溫至生長(zhǎng)溫度，在通入碳源在生長(zhǎng)基底上催化生長(zhǎng)石墨烯。石墨烯生長(zhǎng)完后關(guān)閉碳源降溫到700 °C開(kāi)蓋，然后降溫到100 °C以下后收取石墨烯樣品做下一步轉(zhuǎn)移。由室溫升至生長(zhǎng)溫度時(shí)，時(shí)間為20~50 min，優(yōu)選30~35 min；所述氫氣的流速為10~300 sccm，優(yōu)選20 ~ 40 sccm；所述惰性氣體的流速為20~1000 sccm，優(yōu)選250~350 sccm，更優(yōu)選300sccm；所述惰性氣體選自氮?dú)夂蜌鍤庵械闹辽僖环N，優(yōu)選氬氣。在所述生長(zhǎng)步驟中生長(zhǎng)溫度為500~1200 °C，優(yōu)選800~1100 °C；生長(zhǎng)時(shí)間為10~120 min，優(yōu)選30~70 min；所述碳源與所述氫氣的體積比為3 : 800~1 : 2，優(yōu)選1 : 3~1 : 2，更優(yōu)選1 : 3。所述碳源選自一氧化碳、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷、環(huán)己烷、乙烯、丙烯、丁二烯、戊烯、環(huán)戊二烯、乙炔、甲醇、乙醇、苯、甲苯和酞菁中的至少一種，優(yōu)選甲烷、乙醇、乙烯和環(huán)己烷中的至少一種，最優(yōu)選甲烷。降溫階段的氫氣與惰性氣體與升溫階段一樣，且氣體流量也一樣。

4）石墨烯的滑移轉(zhuǎn)移。將所述步驟3）制備的石墨烯取出放置在熱臺(tái)上，熱臺(tái)的溫度只要在低熔點(diǎn)金屬或合金的熔點(diǎn)之上，即可實(shí)現(xiàn)石墨烯的快速滑移轉(zhuǎn)移，以鎵為例，熱臺(tái)的溫度在30 °C及以上即可實(shí)現(xiàn)石墨烯的快速滑移轉(zhuǎn)移。將目標(biāo)基底放在待轉(zhuǎn)移的石墨烯上，利用液態(tài)金屬的流動(dòng)性及液態(tài)金屬層間較弱的作用力，通過(guò)滑移轉(zhuǎn)移方法將石墨烯轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底上，滑移速度為0.1~100 mm/s，優(yōu)選1~10 mm/s，所選生長(zhǎng)基底的邊長(zhǎng)為1 cm，故可實(shí)現(xiàn)在10 s內(nèi)轉(zhuǎn)移石墨烯。所述目標(biāo)基底為硅片、石英、塑料膜（如PET膜）、云母、氧化鉿、氧化鈹?shù)热我饣?。所剝離的石墨烯上含有少量較低熔點(diǎn)金屬或合金，可通過(guò)鹽酸溶液快速?zèng)_洗掉。

本發(fā)明所述的金屬基底只是作為一種支撐基底，只要其在生長(zhǎng)溫度下不熔化，且低熔點(diǎn)金屬在上面可鋪展即可。

較低熔點(diǎn)的金屬或合金的熔點(diǎn)溫度一般是低于200℃，且這個(gè)溫度低于較高熔點(diǎn)的金屬的熔點(diǎn)的，而作為金屬基底的較高熔點(diǎn)金屬的熔點(diǎn)都很高，可以在高溫下生長(zhǎng)石墨烯，而金屬基底是不會(huì)熔化的。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果和優(yōu)點(diǎn)：

1、本發(fā)明利用了低熔點(diǎn)金屬及其合金的特性通過(guò)化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯并實(shí)現(xiàn)石墨烯的快速轉(zhuǎn)移，且獲得的石墨烯無(wú)聚合物殘留。

2、本發(fā)明方法具有普適性，石墨烯可轉(zhuǎn)移到硅片、石英、氧化鉿、氧化鈹、塑料膜等任意基底上。

3、本發(fā)明公開(kāi)的方法，革新性地改變了石墨烯的轉(zhuǎn)移現(xiàn)狀。相比石墨烯轉(zhuǎn)移的其他方法，克服了機(jī)械剝離法轉(zhuǎn)移石墨烯的不可控性，比聚合物輔助法更快更干凈，比鼓泡法更干凈。

4、本發(fā)明提供的石墨烯轉(zhuǎn)移方法，條件簡(jiǎn)單，無(wú)需低壓、高真空等苛刻條件。且轉(zhuǎn)移過(guò)后的生長(zhǎng)基底（金屬基底）可重復(fù)利用，特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)。

說(shuō)明書(shū)附圖

圖1為石墨烯滑移轉(zhuǎn)移過(guò)程圖。

圖2為將制備的石墨烯滑移轉(zhuǎn)移到帶有300 nm熱氧化層的硅基底上的照片圖。

圖3為將制備的石墨烯滑移轉(zhuǎn)移到帶有300 nm熱氧化層的硅基底上的拉曼光譜圖。

圖4為將制備的石墨烯滑移轉(zhuǎn)移到帶有300 nm熱氧化層的硅基底上的拉曼成像圖。

圖5為將制備的石墨烯滑移轉(zhuǎn)移到帶有300 nm熱氧化層的硅基底上的原子力顯微鏡圖。

圖6為將制備的石墨烯滑移轉(zhuǎn)移到石英基底上的拉曼光譜圖。

圖7為將制備的石墨烯滑移轉(zhuǎn)移到石英基底上的拉曼面掃描圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步闡述，但本發(fā)明并不限于以下實(shí)施例。

實(shí)施例1、快速滑移轉(zhuǎn)移石墨烯

1）選擇厚度為50 μm、大小為1×1 cm²的鎢片作為生長(zhǎng)基底（金屬基底），在丙酮、乙醇、超純水中各超聲20min。

2）在40 °C加熱的條件下將20 mg鎵放置于鎢片上并使其粘附在上面。

3）在氫氣（流速為30 sccm）和氬氣（流速為300 sccm）中，于管式爐中將步驟2）所得生長(zhǎng)基底由室溫經(jīng)35 min加熱至生長(zhǎng)溫度1020 °C，此時(shí)通入碳源甲烷（流速為10 sccm），生長(zhǎng)時(shí)間為70 min，然后自然降溫，當(dāng)溫度降至700 °C時(shí)，開(kāi)蓋自然降溫，當(dāng)溫度低于200 °C時(shí)關(guān)閉氫氣，當(dāng)溫度低于100 °C時(shí)關(guān)閉保護(hù)氣體氬氣，取出樣品，即在步驟2）所得生長(zhǎng)基底表面得到本發(fā)明提供的單層石墨烯。

4）將所述步驟3）制備的石墨烯取出放置在熱臺(tái)上，熱臺(tái)的溫度在40 °C。將目標(biāo)基底硅片放在待轉(zhuǎn)移的石墨烯上，利用液態(tài)金屬的流動(dòng)性及液態(tài)金屬層間較弱的作用力，通過(guò)滑移轉(zhuǎn)移方法將石墨烯轉(zhuǎn)移到帶有300 nm熱氧化層的硅基底上（所述氧化層是為了在光學(xué)顯微鏡下便于觀察），滑移速度為1 mm/s，可實(shí)現(xiàn)約10 s轉(zhuǎn)移石墨烯。所轉(zhuǎn)移的石墨烯上含有少量鎵，可通過(guò)鹽酸溶液快速?zèng)_洗掉。

石墨烯滑移轉(zhuǎn)移過(guò)程圖如圖1所示，將目標(biāo)基底硅片放在待轉(zhuǎn)移的石墨烯上（圖1a），利用液態(tài)金屬的流動(dòng)性及液態(tài)金屬層間較弱的作用力，通過(guò)滑移轉(zhuǎn)移方法將石墨烯轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底上，其轉(zhuǎn)移的過(guò)程如圖1b所示，轉(zhuǎn)移后的如圖1c所示。

圖2-5分別為石墨烯滑移轉(zhuǎn)移到帶有300 nm熱氧化層的硅基底上的照片圖、拉曼光譜圖、拉曼成像圖和原子力顯微鏡圖，從圖中可以看出，本發(fā)明的轉(zhuǎn)移方法是可行的，這種轉(zhuǎn)移方法簡(jiǎn)單快速，并且可以轉(zhuǎn)移出較大面積的石墨烯。

實(shí)施例2、快速滑移轉(zhuǎn)移石墨烯

1）選擇厚度為50μm、大小為1×1 cm²的鎢片作為生長(zhǎng)基底（金屬基底），在丙酮、乙醇、超純水中各超聲20min。

2）在40 °C加熱的條件下將20mg鎵放置于鎢片上并使其粘附在上面。

3）在氫氣（流速為30 sccm）和氬氣（流速為300 sccm）中，于管式爐中將步驟2）所得生長(zhǎng)基底由室溫經(jīng)35 min加熱至生長(zhǎng)溫度1020 °C，此時(shí)通入碳源甲烷（流速為10 sccm），生長(zhǎng)時(shí)間為70 min，然后自然降溫，當(dāng)溫度降至700 °C時(shí)，開(kāi)蓋自然降溫，當(dāng)溫度低于200 °C時(shí)關(guān)閉氫氣，當(dāng)溫度低于100 °C時(shí)關(guān)閉保護(hù)氣體氬氣，取出樣品，即在步驟2）所得生長(zhǎng)基底表面得到本發(fā)明提供的單層石墨烯。

4）將所述步驟3）制備的石墨烯快速取出放置在熱臺(tái)上，熱臺(tái)的溫度在40 °C。將目標(biāo)基底石英放在待轉(zhuǎn)移的石墨烯上，利用液態(tài)金屬的流動(dòng)性及液態(tài)金屬層間較弱的作用力，通過(guò)滑移轉(zhuǎn)移方法將石墨烯轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底石英上，滑移速度為1 mm/s，可實(shí)現(xiàn)約10 s轉(zhuǎn)移石墨烯。所轉(zhuǎn)移的石墨烯上含有少量鎵，可通過(guò)鹽酸溶液快速?zèng)_洗掉。

圖6-7分別為石墨烯滑移轉(zhuǎn)移到滑移轉(zhuǎn)移到石英基底上的拉曼光譜圖和拉曼面掃描圖，從圖中可以看出，本發(fā)明的轉(zhuǎn)移方法是可行的，這種轉(zhuǎn)移方法簡(jiǎn)單快速，并且可以轉(zhuǎn)移出較大面積的石墨烯。

實(shí)施例3、快速滑移轉(zhuǎn)移石墨烯

1）選擇厚度為50μm、大小為1×1 cm²的鉬箔作為生長(zhǎng)基底（金屬基底），在丙酮、乙醇、超純水中各超聲20min。

2）在40 °C加熱的條件下將10mg鎵放置于鉬箔上并使其粘附在上面。

3）在氫氣（流速為30 sccm）和氬氣（流速為250sccm）中，于管式爐中將步驟2）所得生長(zhǎng)基底由室溫經(jīng)35 min加熱至生長(zhǎng)溫度800 °C，此時(shí)通入碳源甲烷（流速為10 sccm），生長(zhǎng)時(shí)間為30 min，然后自然降溫，當(dāng)溫度降至700 °C時(shí)，開(kāi)蓋自然降溫，當(dāng)溫度低于200 °C時(shí)關(guān)閉氫氣，當(dāng)溫度低于100 °C時(shí)關(guān)閉保護(hù)氣體氬氣，取出樣品，即在步驟2）所得生長(zhǎng)基底表面得到本發(fā)明提供的單層石墨烯。

4）將所述步驟3）制備的石墨烯取出放置在熱臺(tái)上，熱臺(tái)的溫度在40 °C。將目標(biāo)基底氧化鉿放在待轉(zhuǎn)移的石墨烯上，利用液態(tài)金屬的流動(dòng)性及液態(tài)金屬層間較弱的作用力，通過(guò)滑移轉(zhuǎn)移方法將石墨烯轉(zhuǎn)移到氧化鉿上，滑移速度為1 mm/s，可實(shí)現(xiàn)約10 s轉(zhuǎn)移石墨烯。所轉(zhuǎn)移的石墨烯上含有少量鎵，可通過(guò)鹽酸溶液快速?zèng)_洗掉。

實(shí)施例4、快速滑移轉(zhuǎn)移石墨烯

1）選擇厚度為50μm、大小為1×1 cm²的重復(fù)生長(zhǎng)的鎢片作為生長(zhǎng)基底（金屬基底），在丙酮、乙醇、超純水中各超聲20min。

2）在40 °C加熱的條件下將30mg鎵放置于鎢片上并使其粘附在上面。

3）在氫氣（流速為30 sccm）和氬氣（流速為350sccm）中，于管式爐中將步驟2）所得生長(zhǎng)基底由室溫經(jīng)35 min加熱至生長(zhǎng)溫度1100 °C，此時(shí)通入碳源甲烷（流速為10 sccm），生長(zhǎng)時(shí)間為50min，然后自然降溫，當(dāng)溫度降至700 °C時(shí)，開(kāi)蓋自然降溫，當(dāng)溫度低于200 °C時(shí)關(guān)閉氫氣，當(dāng)溫度低于100 °C時(shí)關(guān)閉保護(hù)氣體氬氣，取出樣品，即在步驟2）所得生長(zhǎng)基底表面得到本發(fā)明提供的單層石墨烯。

4）將所述步驟3）制備的石墨烯取出放置在熱臺(tái)上，熱臺(tái)的溫度在40 °C。將目標(biāo)基底氧化鈹放在待轉(zhuǎn)移的石墨烯上，利用液態(tài)金屬的流動(dòng)性及液態(tài)金屬層間較弱的作用力，通過(guò)滑移轉(zhuǎn)移方法將石墨烯轉(zhuǎn)移到氧化鈹上，滑移速度為1 mm/s，可實(shí)現(xiàn)約10 s轉(zhuǎn)移石墨烯。所轉(zhuǎn)移的石墨烯上含有少量鎵，可通過(guò)鹽酸溶液快速?zèng)_洗掉。

實(shí)施例5、快速滑移轉(zhuǎn)移石墨烯

1）選擇厚度為50μm、大小為1×1 cm²的鎢片作為生長(zhǎng)基底（金屬基底），在丙酮、乙醇、超純水中各超聲20min。

2）在40°C加熱的條件下將10 mg鎵銦合金放置于鎢片上并使其粘附在上面。

3）在氫氣（流速為20sccm）和氬氣（流速為300 sccm）中，于管式爐中將步驟2）所得生長(zhǎng)基底由室溫經(jīng)30min加熱至生長(zhǎng)溫度1000 °C，此時(shí)通入碳源甲烷（流速為15 sccm），生長(zhǎng)時(shí)間為30 min，然后自然降溫，當(dāng)溫度降至700 °C時(shí)，開(kāi)蓋自然降溫，當(dāng)溫度低于200 °C時(shí)關(guān)閉氫氣，當(dāng)溫度低于100 °C時(shí)關(guān)閉保護(hù)氣體氬氣，取出樣品，即在步驟2）所得生長(zhǎng)基底表面得到本發(fā)明提供的單層石墨烯。

4）將所述步驟3）制備的石墨烯取出放置在熱臺(tái)上，熱臺(tái)的溫度在40°C。將目標(biāo)基底硅片放在待轉(zhuǎn)移的石墨烯上，利用液態(tài)金屬的流動(dòng)性及液態(tài)金屬層間較弱的作用力，通過(guò)滑移轉(zhuǎn)移方法將石墨烯轉(zhuǎn)移到帶有300 nm熱氧化層的硅基底上，滑移速度為10 mm/s，可實(shí)現(xiàn)約1 s轉(zhuǎn)移石墨烯。所轉(zhuǎn)移的石墨烯上含有少量鎵銦合金，可通過(guò)鹽酸溶液快速?zèng)_洗掉。

實(shí)施例6、快速滑移轉(zhuǎn)移石墨烯

1）選擇厚度為50 μm、大小為1×1 cm²的鎢片作為生長(zhǎng)基底（金屬基底），在丙酮、乙醇、超純水中各超聲20min。

2）在40 °C加熱的條件下將20 mg鎵銦錫合金放置于鎢片上并使其粘附在上面。

3）在氫氣（流速為40sccm）和氬氣（流速為300 sccm）中，于管式爐中將步驟2）所得生長(zhǎng)基底由室溫經(jīng)35 min加熱至生長(zhǎng)溫度1020 °C，此時(shí)通入碳源甲烷（流速為10 sccm），生長(zhǎng)時(shí)間為30 min，然后自然降溫，當(dāng)溫度降至700 °C時(shí)，開(kāi)蓋自然降溫，當(dāng)溫度低于200 °C時(shí)關(guān)閉氫氣，當(dāng)溫度低于100 °C時(shí)關(guān)閉保護(hù)氣體氬氣，取出樣品，即在步驟2）所得生長(zhǎng)基底表面得到本發(fā)明提供的單層石墨烯。

4）將所述步驟3）制備的石墨烯取出放置在熱臺(tái)上，熱臺(tái)的溫度在40 °C。將目標(biāo)基底PET膜放在待轉(zhuǎn)移的石墨烯上，利用液態(tài)金屬的流動(dòng)性及液態(tài)金屬層間較弱的作用力，通過(guò)滑移轉(zhuǎn)移方法將石墨烯轉(zhuǎn)移到PET膜上，滑移速度為5 mm/s，可實(shí)現(xiàn)約2 s轉(zhuǎn)移石墨烯。所轉(zhuǎn)移的石墨烯上含有少量鎵，可通過(guò)鹽酸溶液快速?zèng)_洗掉。

本發(fā)明并不僅限于以上實(shí)例，只要能夠在低熔點(diǎn)金屬上生長(zhǎng)出石墨烯，均可以用此法轉(zhuǎn)移。