專利名稱：一種多晶硅氫化爐用石墨底座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及冶煉裝備，具體是一種多晶硅氫化爐用石墨底座。
背景技術(shù)：
在多晶硅生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生劇毒的四氯化硅尾氣。為了處理這些尾氣可以將它們通入到氫化爐中，使四氯化硅與氫氣發(fā)生氫化反應(yīng)，再將生成的三氯氫硅返回到還原爐中作為原料使用。氫化爐采用石墨或者炭/炭復(fù)合材料作為發(fā)熱體，而石墨底座是用來將發(fā)熱體與外部供電設(shè)備連接起來的引電體。目前的石墨底座的兩個相鄰面夾角是直角，由于石墨底座與發(fā)熱體的熱膨脹系數(shù)不同，因此會導(dǎo)致發(fā)熱體與石墨底座之間產(chǎn)生縫隙，從而在直角處發(fā)生尖端放電。結(jié)果是發(fā)熱體與石墨底座上邊緣接觸的部位因尖端放電產(chǎn)生的高溫而損傷嚴(yán)重，并慢慢折斷，而發(fā)熱體暴露在爐內(nèi)的其他部位卻基本完好，導(dǎo)致發(fā)熱體使用壽命短，明顯增加了氫化爐的使用成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種多晶硅氫化爐用石墨底座，要解決目前的石墨底座與發(fā)熱體接觸邊緣會產(chǎn)生尖端放電，導(dǎo)致氫化爐使用成本高的問題。本實(shí)用新型的這種多晶硅氫化爐用石墨底座包括與發(fā)熱體接觸的上邊緣與下邊緣，將上邊緣設(shè)為圓角，將下邊緣設(shè)為圓角或者直角。本實(shí)用新型提供的這種多晶硅氫化爐用石墨底座由于將上邊緣與下邊緣倒成了圓角，便可極大地減弱在運(yùn)行過程中發(fā)熱體與石墨底座之間產(chǎn)生尖端放電，從而可以明顯延長發(fā)熱體的使用壽命，降低了氫化爐的使用成本。

圖1為目前的多晶硅氫化爐用石墨底座的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的多晶硅氫化爐用石墨底座的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.上邊緣，2.下邊緣。
具體實(shí)施方式
由圖1可知，目前的多晶硅氫化爐用石墨底座的兩個相鄰面夾角是直角，包括與發(fā)熱體接觸的上邊緣1與下邊緣2。再由圖2可知，本實(shí)用新型的多晶硅氫化爐用石墨底座包括與發(fā)熱體接觸的上邊緣1與下邊緣2，并將上邊緣1倒成圓角，下邊緣2則可以選擇性地倒成圓角或者直角。
權(quán)利要求1. 一種多晶硅氫化爐用石墨底座，包括與發(fā)熱體接觸的上邊緣(1)與下邊緣O)，其特征在于將上邊緣(1)設(shè)為圓角，將下邊緣(2)設(shè)為圓角或者直角。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多晶硅氫化爐用石墨底座，它是用來將發(fā)熱體與外部供電設(shè)備連接起來的引電體。該石墨底座包括與發(fā)熱體接觸的上邊緣與下邊緣，將上邊緣設(shè)為圓角，將下邊緣設(shè)為圓角或者直角。這種石墨底座可極大地減弱在運(yùn)行過程中發(fā)熱體與石墨底座之間產(chǎn)生尖端放電，從而可以明顯延長發(fā)熱體的使用壽命，降低了氫化爐的使用成本。
文檔編號C01B33/107GK202144456SQ20112029274
公開日2012年2月15日 申請日期2011年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者孫南岳, 王釗 申請人:孫南岳, 王釗