專利名稱：多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電極密封結(jié)構(gòu)，具體地，涉及多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前國內(nèi)外的主流多晶硅生產(chǎn)技術(shù)是改良西門子法，該法通過高溫條件下三氯氫硅和氫氣發(fā)生化學(xué)氣相沉積反應(yīng)得到高純多晶硅，同時產(chǎn)生大量的副產(chǎn)物四氯化硅需循環(huán)利用。在氫化工序中，將四氯化硅送至汽化裝置進(jìn)行汽化，并與氫氣按照一定比例進(jìn)行混合，在規(guī)定溫度和流量下送入氫化爐。在氫化爐內(nèi)，石墨加熱體直立固定在電極上，通過電極對加熱體通電加熱至1150°C以上，在高溫條件下，四氯化硅轉(zhuǎn)化為多晶硅生產(chǎn)所需原料三氯氫硅。氫化爐底盤上電極的密封對于生產(chǎn)的運行有重要的關(guān)系，現(xiàn)有技術(shù)中電極密封不好，會出現(xiàn)物料的泄漏或電氣絕緣的下降，導(dǎo)致生產(chǎn)無法運行。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)， 能夠?qū)﹄姌O進(jìn)行良好的密封，并且耐高溫，延長密封元件的使用壽命，使多晶硅氫化爐運行穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)，包括電極體，還包括氫化爐底盤、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、四氟套、銅墊圈、以及緊固件，其中，所述電極體放置在所述氫化爐底盤的電極孔中，所述電極體包括高出所述氫化爐底盤的電極上部和低于所述氫化爐底盤的電極下部，所述電極上部由所述金屬石墨纏繞墊和陶瓷環(huán)進(jìn)行密封，所述電極下部由所述四氟套和銅墊圈進(jìn)行密封，所述緊固件將所述電極體、氫化爐底盤、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、四氟套、以及銅墊圈夾緊連接。優(yōu)選地，所述電極上部由下往上依次嵌套有下層金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、以及上層金屬石墨纏繞墊，所述下層金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、以及上層金屬石墨纏繞墊對所述電極上部進(jìn)行密封。優(yōu)選地，所述電極下部由上往下依次嵌套有四氟套、以及銅墊圈，所述四氟套、以及銅墊圈對所述電極下部進(jìn)行密封。優(yōu)選地，所述電極體的上端設(shè)置有限位部，所述緊固件包括緊固螺母，其中，所述氫化爐底盤、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、四氟套、以及銅墊圈位于所述限位部與緊固螺母之間。優(yōu)選地，所述金屬石墨纏繞墊的內(nèi)側(cè)和外側(cè)分別設(shè)置有加強鋼圈。本發(fā)明包括電極體、金屬石墨纏繞墊、絕緣陶瓷環(huán)、四氟套、銅墊圈及緊固螺母。電極體放置在氫化爐底盤電極孔中，電極體需密封的包括高出底盤之上和低于底盤之下兩個部分，即電極上部和電極下部。在高于底盤上部，由上、下兩層金屬石墨纏繞墊與夾在中間的絕緣陶瓷環(huán)進(jìn)行密封，由于氫化爐內(nèi)溫度很高，陶瓷環(huán)及金屬石墨纏繞墊都耐高溫，使用壽命長，有助于氫化爐的穩(wěn)定運行。在低于氫化爐底盤下部由于溫度較低且有底盤冷卻水冷卻，所以使用聚四氟乙烯材質(zhì)的四氟套進(jìn)行密封，可以達(dá)到很好的密封效果。電極由最下端的緊固螺母進(jìn)行固定，將各密封元件壓緊。


通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、 目的和優(yōu)點將會變得更明顯
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)原理圖2示出根據(jù)本發(fā)明的多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)中金屬石墨纏繞墊的結(jié)構(gòu)原理圖。
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明提供的多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)，包括電極體1，還包括氫化爐底盤 7、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)3、四氟套4、銅墊圈5、以及緊固件，其中，所述電極體I放置在所述氫化爐底盤7的電極孔中，所述電極體I包括高出所述氫化爐底盤7的電極上部和低于所述氫化爐底盤7的電極下部，所述電極上部由所述金屬石墨纏繞墊和陶瓷環(huán)3進(jìn)行密封， 所述電極下部由所述四氟套4和銅墊圈5進(jìn)行密封，所述緊固件將所述電極體I、氫化爐底盤7、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)3、四氟套4、以及銅墊圈5夾緊連接。具體地，所述電極上部由下往上依次嵌套有下層金屬石墨纏繞墊21、陶瓷環(huán)3、以及上層金屬石墨纏繞墊22，所述下層金屬石墨纏繞墊21、陶瓷環(huán)3、以及上層金屬石墨纏繞墊22對所述電極上部進(jìn)行密封。所述電極下部由上往下依次嵌套有四氟套4、以及銅墊圈 5，所述四氟套4、以及銅墊圈5對所述電極下部進(jìn)行密封。更為具體地，所述電極體的上端設(shè)置有限位部10，所述緊固件包括緊固螺母6，其中，所述氫化爐底盤7、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)3、四氟套4、以及銅墊圈5位于所述限位部 10與緊固螺母6之間。優(yōu)選地，如圖2所示，所述金屬石墨纏繞墊的內(nèi)側(cè)和外側(cè)分別設(shè)置有加強鋼圈8，起密封作用的金屬石墨纏繞墊采用了內(nèi)、外鋼圈加強，中間為金屬石墨纏繞墊， 內(nèi)圈及外圈為不鎊鋼加強圈。本發(fā)明中電極上部由上、下兩層金屬石墨纏繞墊與中間的絕緣陶瓷環(huán)進(jìn)行密封， 耐高溫，使用壽命長，電極下部由聚四氟乙烯材質(zhì)的四氟套及銅墊圈進(jìn)行密封，密封形式簡單，可以達(dá)到良好的密封效果。以上對本發(fā)明的具體實施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種多晶娃氫化爐電極密封結(jié)構(gòu),包括電極體,其特征在于,還包括氫化爐底盤、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、四氟套、銅墊圈、以及緊固件，其中，所述電極體放置在所述氫化爐底盤的電極孔中，所述電極體包括高出所述氫化爐底盤的電極上部和低于所述氫化爐底盤的電極下部，所述電極上部由所述金屬石墨纏繞墊和陶瓷環(huán)進(jìn)行密封，所述電極下部由所述四氟套和銅墊圈進(jìn)行密封，所述緊固件將所述電極體、氫化爐底盤、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、四氟套、以及銅墊圈夾緊連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極上部由下往上依次嵌套有下層金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、以及上層金屬石墨纏繞墊，所述下層金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、以及上層金屬石墨纏繞墊對所述電極上部進(jìn)行密封。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極下部由上往下依次嵌套有四氟套、以及銅墊圈，所述四氟套、以及銅墊圈對所述電極下部進(jìn)行密封。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項所述的多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極體的上端設(shè)置有限位部，所述緊固件包括緊固螺母，其中，所述氫化爐底盤、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、四氟套、以及銅墊圈位于所述限位部與緊固螺母之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項所述的多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬石墨纏繞墊的內(nèi)側(cè)和外側(cè)分別設(shè)置有加強鋼圈。
全文摘要
本發(fā)明提供多晶硅氫化爐電極密封結(jié)構(gòu)，包括電極體，還包括氫化爐底盤、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、四氟套、銅墊圈、以及緊固件，其中，所述電極體放置在所述氫化爐底盤的電極孔中，所述電極體包括高出所述氫化爐底盤的電極上部和低于所述氫化爐底盤的電極下部，所述電極上部由所述金屬石墨纏繞墊和陶瓷環(huán)進(jìn)行密封，所述電極下部由所述四氟套和銅墊圈進(jìn)行密封，所述緊固件將所述電極體、氫化爐底盤、金屬石墨纏繞墊、陶瓷環(huán)、四氟套、以及銅墊圈夾緊連接。本發(fā)明中電極上部由上、下兩層金屬石墨纏繞墊與中間的絕緣陶瓷環(huán)進(jìn)行密封，耐高溫，使用壽命長，電極下部由聚四氟乙烯材質(zhì)的四氟套及銅墊圈進(jìn)行密封，密封形式簡單，可以達(dá)到良好的密封效果。
文檔編號C01B33/03GK102616783SQ201110331648
公開日2012年8月1日 申請日期2011年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者劉淑萍, 姜海明, 曹忠 申請人:內(nèi)蒙古神舟硅業(yè)有限責(zé)任公司