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三氯氫硅合成爐筒體裝置的制作方法

文檔序號(hào):3442584閱讀:473來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:三氯氫硅合成爐筒體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于氣固相反應(yīng)與化工技術(shù)領(lǐng)域,具體是涉及三氯氫硅合成反應(yīng)過(guò)程 中流化床的床層高度與分離段高度的關(guān)系。
背景技術(shù)
三氯氫硅合成爐筒體包括筒體法蘭、流化床層段、分離段。生產(chǎn)實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)筒體長(zhǎng) 度及長(zhǎng)徑比制約著硅粉的分離效果,當(dāng)硅粉在合成爐內(nèi)反應(yīng)時(shí),沸騰爐分離高度低,造成硅 粉分離效果差。通過(guò)進(jìn)一步研究,發(fā)現(xiàn)筒體長(zhǎng)徑比在10 20 1最佳,若筒體流化床層高度不變, 僅增加分離段高度,效果更好。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型旨在針對(duì)三氯氫硅合成爐筒體由于長(zhǎng)徑比小,造成硅粉分離效果差的 問(wèn)題,提供一種三氯氫硅合成爐筒體裝置,在流化床層高度不變情況下通過(guò)設(shè)置適當(dāng)?shù)姆?離段長(zhǎng)度達(dá)到提高硅粉分離效果的目的。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下三氯氫硅合成爐筒體裝置,其特征在于筒體長(zhǎng)徑比為10 20 :1。所述筒體的分離段高度與流化床層高度比為7 15 :1。所述三氯氫硅合成爐筒體直徑為800mm,高度為16000mm。所述三氯氫硅合成爐筒體直徑為800mm,高度為8000mm。所述三氯氫硅合成爐筒體分離段高度為15000mm,流化床層高度為1000mm。所述三氯氫硅合成爐筒體分離段高度為7000mm,流化床層高度為1000mm。本實(shí)用新型的有益效果表現(xiàn)在一、增大了流化床的分離段高度,增強(qiáng)了分離效果在流化床床層的總高度上,增加分離段的高度,分離效果增強(qiáng);二、沒(méi)有完全反應(yīng)的氣體在分離段繼續(xù)反應(yīng),增加了氯化氫單程反應(yīng)的收率。正確設(shè)計(jì)流化床的分離段高度,可以回收粒徑較大的硅粉顆粒,減少硅粉損 失,對(duì)三氯氫硅合成節(jié)能降耗是有利的。四、采用本實(shí)用新型的技術(shù)指標(biāo)三氯氫硅合成爐筒體長(zhǎng)度筒體直徑> 10 20 :1。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖圖中標(biāo)記1筒體法蘭、2流化床層段、3分離段。具體實(shí)施例實(shí)施例1三氯氫硅合成爐筒體直徑為800mm,高度為16000mm。實(shí)施例2三氯氫硅合成爐筒體直徑為800mm,高度為8000mm。實(shí)施例3三氯氫硅合成爐筒體分離段高度為15000mm,流化床層高度為1000mm。實(shí)施例4三氯氫硅合成爐筒體分離段高度為7000mm,流化床層高度為1000mm。
權(quán)利要求1.三氯氫硅合成爐筒體裝置,其特征在于筒體長(zhǎng)徑比為10 20:1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三氯氫硅合成爐筒體裝置,其特征在于所述筒體的分離段 高度與流化床層高度比為7 15 :1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的三氯氫硅合成爐筒體裝置,其特征在于所述三氯氫硅 合成爐筒體直徑為800mm,高度為16000mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的三氯氫硅合成爐筒體裝置,其特征在于所述三氯氫硅 合成爐筒體直徑為800mm,高度為8000mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的三氯氫硅合成爐筒體裝置,其特征在于所述三氯氫硅 合成爐筒體分離段高度為15000mm,流化床層高度為1000mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的三氯氫硅合成爐筒體裝置,其特征在于所述三氯氫硅 合成爐筒體分離段高度為7000mm,流化床層高度為1000mm。
專利摘要本實(shí)用新型旨在針對(duì)三氯氫硅合成爐筒體由于長(zhǎng)徑比小,造成硅粉分離效果差的問(wèn)題,提供一種三氯氫硅合成爐筒體裝置,具體的是筒體長(zhǎng)徑比為10~201。本實(shí)用新型在流化床層高度不變情況下通過(guò)設(shè)置適當(dāng)?shù)姆蛛x段長(zhǎng)度達(dá)到提高硅粉分離效果的目的。
文檔編號(hào)C01B33/107GK201850147SQ20102059416
公開(kāi)日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2010年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月5日
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