專(zhuān)利名稱(chēng)：制造和轉(zhuǎn)移大尺寸石墨烯的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)涉及制造大尺寸石墨烯層的方法和將大尺寸石墨烯層轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移基底上 的方法。
背景技術(shù)：
石墨烯(graphene)具有電、機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性，并具有相對(duì)高的導(dǎo)電率。因此，石 墨烯作為用于在電路中使用的基本材料而備受關(guān)注?？梢允褂没瘜W(xué)氣相沉積(CVD)或碳化 硅(SiC)基底的熱解來(lái)制造石墨烯?？梢詧?zhí)行濕蝕刻來(lái)從石墨烯去除基底。然而，對(duì)于大尺寸石墨烯層，濕蝕刻從大 尺寸石墨烯層的邊緣開(kāi)始，因此蝕刻到大尺寸石墨烯層的中心部分需要花費(fèi)相對(duì)長(zhǎng)的時(shí)間 段。還可以使用轉(zhuǎn)印(stamp)方法來(lái)轉(zhuǎn)移石墨烯層。轉(zhuǎn)印方法可以包括將石墨烯附 著到第一基底上；并將附著的石墨烯轉(zhuǎn)移到另一基底(例如，轉(zhuǎn)移基底)。然而，這樣的轉(zhuǎn) 移方法不利于轉(zhuǎn)移大尺寸石墨烯層。

發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施例涉及制造大尺寸石墨烯層的方法和將大尺寸石墨烯層轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移基 底的方法。這里將闡述其它方面，這些其它方面根據(jù)描述或通過(guò)非限制性實(shí)施例的實(shí)施可 以是顯然的。一種轉(zhuǎn)移大尺寸石墨烯層的方法可以包括在基底上形成石墨烯層；在所述石墨 烯層上形成保護(hù)層和粘合層；去除所述基底；將所述石墨烯層設(shè)置在轉(zhuǎn)移基底上；去除所 述粘合層和所述保護(hù)層。所述方法還可以包括在形成所述石墨烯層之前在所述基底上形成 催化劑層。所述催化劑層可以包括從由鎳(Ni)、鐵0 )、鈷(Co)、鉬(Pt)和釕(Ru)組成的 組中選擇的材料。所述保護(hù)層可以包括從由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、光致抗蝕劑(PR)、 電子抗蝕劑(ER) JiOjnAlOx組成的組中選擇的材料。所述粘合層可以包括從由粘合帶、 膠、環(huán)氧樹(shù)脂、熱分離帶和水溶性帶組成的組中選擇的材料。去除所述基底的步驟可以包括削弱所述催化劑層和所述基底之間的粘合；將所 述基底與所述催化劑層、所述石墨烯層、所述保護(hù)層和所述粘合層分離。削弱所述催化劑層 和所述基底之間的粘合的步驟可以包括使親水性液體透入到所述催化劑層和所述基底之 間的間隙中。所述方法還可以包括在去除所述基底之后去除所述催化劑層。設(shè)置所述石墨烯層的步驟可以包括將接觸溶液涂敷在所述轉(zhuǎn)移基底上；將所述 石墨烯層滑動(dòng)到所述轉(zhuǎn)移基底上。所述接觸溶液可以包括從由去離子水、異丙醇、乙醇、甲 醇和礦物油組成的組中選擇的材料。一種制造大尺寸石墨烯層的方法可以包括在多個(gè)基底上形成多個(gè)石墨烯層；在 所述多個(gè)石墨烯層的每個(gè)上形成保護(hù)層；將粘合帶附著到所述保護(hù)層上；削弱所述多個(gè)石 墨烯層和所述多個(gè)基底之間的粘合；去除所述多個(gè)基底。所述方法還可以包括將非粘合帶附著在所述粘合帶上，以覆蓋所述多個(gè)石墨烯層；將帶有所述多個(gè)石墨烯層的所述粘合 帶卷繞到輥上。一種制造大尺寸石墨烯層的另一方法可以包括在基底上形成石墨烯層；在所述 石墨烯層上形成保護(hù)層和粘合層；在所述石墨烯層上形成所述保護(hù)層和所述粘合層之后切 割所述基底的暴露表面，以形成切割線(xiàn)；使親水性液體接觸所述切割線(xiàn)；去除所述基底；去 除所述粘合層和所述保護(hù)層。


當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行以下描述時(shí)，示例實(shí)施例的以上和/或其它方面可以變得更加明 顯和易于理解，在附圖中圖1-圖7是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造和轉(zhuǎn)移大尺寸石墨烯層的方法的剖視 圖；圖8-圖13是示意性地示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造大尺寸石墨烯的另一方法的示 圖。
具體實(shí)施例方式應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)作在另一元件或?qū)印吧稀?，或者被稱(chēng)作“連接到”、 “結(jié)合到”或“覆蓋”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?、直接連接到、 直接結(jié)合到或直接覆蓋另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱(chēng) 作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中 間元件或中間層。如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列的項(xiàng)目的任意 組合和所有組合。應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述不同的元件、組 件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分并不受這些術(shù)語(yǔ)的限制。 這些術(shù)語(yǔ)僅是用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分 區(qū)分開(kāi)來(lái)。因此，在不脫離示例實(shí)施例的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、 層或部分可被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為了便于描述，在這里可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如“在...下面”、“在...下方”、“下 部的”、“在...上方”、“上部的”等來(lái)描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特 征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在 使用或操作中的不同方位。例如，如果在附圖中裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件或特征 “下方”或“下面”的元件隨后將被定位為“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ) “在...下方”可包括“在...上方”和“在...下方”兩種方位。所述裝置可被另外定位 (旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對(duì)描述符。這里使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述各種實(shí)施例的目的，而不意圖限制示例實(shí)施例。如 這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式的“一個(gè)(種)”和“所述(該)”也 意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，說(shuō) 明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它 特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
在此參照作為示例實(shí)施例的理想實(shí)施例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來(lái)描 述示例實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)這些圖形的形狀出現(xiàn)由例如制造技術(shù)和/或公差而引起的變化。 因此，示例實(shí)施例不應(yīng)該被理解為局限于在此示出的區(qū)域的形狀，而是應(yīng)該包括例如由制 造導(dǎo)致的形狀變形。除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。將進(jìn)一步理解，除非這里如此明確定義， 否則術(shù)語(yǔ)(包括在通用的字典中定義的術(shù)語(yǔ))應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它 們的意思一致的意思，而不是理想地或者過(guò)于僵化地解釋它們的意思。圖1-圖7是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造和轉(zhuǎn)移大尺寸石墨烯層的方法的剖視圖。 參照?qǐng)D1，可以在基底100上形成催化劑層110?；?00可以由硅形成，以具有大約650 μ m 的厚度。還可以在形成催化劑層110之前通過(guò)使基底100氧化而在基底100上形成厚度為 大約IOOnm至大約300nm的氧化硅層102。可以通過(guò)濺射從由鎳(Ni)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鉬(Pt)和釕(Ru)組成的組中選擇的 至少一種金屬在基底100上形成催化劑層110。催化劑層110可以被形成為具有大約IOOnm 至大約150nm的厚度。當(dāng)使用碳化硅(SiC)基底作為基底100進(jìn)行熱解來(lái)形成石墨烯時(shí)， 可以從基底100省去催化劑層110?？梢栽诖呋瘎?10上形成石墨烯層120。可以通過(guò)使用含碳源氣(CH4、C2H2、C2H4 或CO)利用一般化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)形成石墨烯層120。石墨烯層120可以是單層或多 層(例如，雙層)。石墨烯層120可以被形成為具有大約0. 3nm至大約2nm的厚度。參照?qǐng)D2，可以在石墨烯層120上形成保護(hù)層130。在隨后的制造工藝期間，可以使 用保護(hù)層130來(lái)保護(hù)石墨烯層120。保護(hù)層130可以使用從由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、 光致抗蝕劑(PR)、電子抗蝕劑(ER)、氧化硅(SiOx)和氧化鋁(AlOx)組成的組中選擇的至少 一種材料通過(guò)旋涂來(lái)形成，并可以具有大約200nm至大約10 μ m的厚度?？梢栽诒Ｗo(hù)層130上形成粘合層140。粘合層140可以通過(guò)使用從由粘合帶、膠、環(huán) 氧樹(shù)脂、熱分離帶和水溶性帶組成的組中選擇的至少一種材料形成為具有大約100 μ m至 大約200 μ m的厚度。如隨后將進(jìn)一步詳細(xì)描述的，當(dāng)將包括催化劑層110的石墨烯層120 與基底100物理地分離時(shí)，粘合層140可以用于支撐石墨烯層120。參照?qǐng)D3，可以將基底100與催化劑層110分離，以形成剝離層A。當(dāng)基底100由 硅形成時(shí)，可以使用刀具切割基底100的下表面，以形成切割線(xiàn)。例如，形成切割線(xiàn)，使切割 線(xiàn)到達(dá)基底100和催化劑層110之間的界面。可選地，可以去除基底100的邊緣，從而在催 化劑層110和基底100之間形成間隙。因此，當(dāng)親水性液體接觸切割線(xiàn)或者催化劑層110與基底100之間的間隙時(shí)，親水 性液體可以穿過(guò)切割線(xiàn)或該間隙，并削弱基底100和催化劑層110之間的粘合強(qiáng)度，從而有 助于基底100與催化劑層110的分離。親水性液體可以是水、醇和/或丙酮，但是示例實(shí)施 例不限于此。當(dāng)在基底100上形成氧化硅層102時(shí)，催化劑層110和氧化硅層102之間的 粘合強(qiáng)度會(huì)相對(duì)低。因此，可以相對(duì)容易地將包括氧化硅層102的基底100與催化劑層110 分離?？梢詫⒄澈蠈?40升高，以將催化劑層110與基底100分離?？蛇x地，可以通過(guò)離 子銑削直接去除基底100。另外，可以使用化學(xué)蝕刻去除基底100。根據(jù)基底100的材料，蝕刻劑可以是KOH、FeCl3> HCl、HF或反應(yīng)性離子蝕刻蝕刻劑。參照?qǐng)D4，可以通過(guò)濕蝕刻將催化劑層110從圖3的剝離層A去除。例如，剝離層 A可以暴露于i^eCl3、HCl和水的混合物，以去除催化劑層110?？蛇x地，可以通過(guò)使用反應(yīng) 性離子蝕刻或離子銑削來(lái)去除催化劑層110?？梢酝ㄟ^(guò)使用間苯二酸(IPA)或去離子(DI) 水來(lái)洗滌得到的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D5和圖6，可以將得到的結(jié)構(gòu)布置在轉(zhuǎn)移基底150上，使得石墨烯層120接 觸轉(zhuǎn)移基底150?？梢詫⒔佑|溶液152涂敷在轉(zhuǎn)移基底150上?？梢允褂脧挠扇ルx子水、異 丙醇、乙醇、甲醇和礦物油組成的組中選擇的至少一種作為接觸溶液152。可以通過(guò)在轉(zhuǎn)移 基底150上滑動(dòng)得到的結(jié)構(gòu)來(lái)對(duì)齊得到的結(jié)構(gòu)?？蛇x地，如果轉(zhuǎn)移基底150的表面具有疏水性能，則可以將接觸溶液152涂敷在石 墨烯層120上，并可以將轉(zhuǎn)移基底150布置在石墨烯層120上?？梢酝ㄟ^(guò)在石墨烯層120 上滑動(dòng)轉(zhuǎn)移基底150來(lái)對(duì)齊轉(zhuǎn)移基底150。可以將接觸溶液152從轉(zhuǎn)移基底150去除。例如，轉(zhuǎn)移基底150可以以大約60°C 熱處理大約6小時(shí)，從而去除接觸溶液152。參照?qǐng)D7，根據(jù)粘合層140和保護(hù)層130的材料，可以使用蝕刻、離子銑削和/或熱 處理順序地去除粘合層140和保護(hù)層130。蝕刻、離子銑削和/或熱處理可以是公知的工 藝。因此，為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，略去在這方面的詳細(xì)描述?？梢酝ㄟ^(guò)使用IPA或DI水洗滌石墨 烯層120，以從石墨烯層120去除化學(xué)殘留物。根據(jù)示例實(shí)施例，可以相對(duì)容易地將尺寸為大約6英寸或大于大約6英寸的大尺 寸石墨烯層轉(zhuǎn)移到尺寸等于或大于該大尺寸石墨烯層的轉(zhuǎn)移基底。另外，為了去除其上已 經(jīng)形成有石墨烯層的基底，可以切割該基底，并可以在切割線(xiàn)上引入親水性液體，從而將基 底和石墨烯層分離。圖8-圖13是示意性地示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造大尺寸石墨烯層的另一方法的 示圖。如上所述，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。因此，為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，下面將不再重復(fù)上面 已經(jīng)討論過(guò)的元件的詳細(xì)解釋。參照?qǐng)D8，可以在基底支撐件210上設(shè)置多個(gè)基底100?？梢栽诿總€(gè)基底100上順 序地形成氧化硅層102、催化劑層110、石墨烯層120和保護(hù)層130，從而形成堆250。可以 如在上面的非限制性實(shí)施例中所描述的方式來(lái)形成堆250。因此，為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，已經(jīng)略去 其詳細(xì)描述。在圖8中，可以在一個(gè)基底支撐件210上設(shè)置多個(gè)基底100。然而，示例實(shí)施 例不限于此，多個(gè)基底100中的每個(gè)可以設(shè)置在分離的基底支撐件(未示出)上。參照?qǐng)D9，可以將粘合帶240附著到設(shè)置在基底支撐件210上的保護(hù)層130。粘合 帶240可以在卷繞在第一輥221上的同時(shí)被抽出，并可以附著到第二輥222?？梢允沟谝惠?221和第二輥222降低，使得粘合帶240接觸保護(hù)層130。參照?qǐng)D10，在由粘合帶240支撐的同時(shí)，可以將第一輥221和第二輥222、堆250 與基底支撐件210分離。參照?qǐng)D11，可以切割硅基底100的下表面，從而形成切割線(xiàn)。因此，當(dāng)親水性液體 接觸切割線(xiàn)時(shí)，親水性液體可以穿過(guò)基底100的切割線(xiàn)，并有助于基底100與催化劑層110 的分離。親水性液體可以是水、醇和/或丙酮，但是示例實(shí)施例不限于此。可以將粘合帶240升高，以將催化劑層110與基底100分離。當(dāng)已經(jīng)在基底100上形成氧化硅層102時(shí)，因?yàn)榇呋瘎?10和氧化硅層102之間的粘合強(qiáng)度會(huì)相對(duì)低，所以 可以相對(duì)容易地將基底100和氧化硅層102與催化劑層110分離?？蛇x地，可以通過(guò)離子 銑削直接去除基底100。另外，可以通過(guò)使用化學(xué)蝕刻來(lái)去除基底100。根據(jù)基底100的材 料，蝕刻劑可以是K0H、FeCl3、HCl、HF或反應(yīng)性離子蝕刻蝕刻劑?？梢酝ㄟ^(guò)濕蝕刻來(lái)去除催化劑層110。例如，當(dāng)催化劑層110由Ni或Cu形成時(shí)， 可以使用FeCl3蝕刻催化劑層110?？蛇x地，可以通過(guò)使用反應(yīng)性離子蝕刻、離子銑削和/ 或拋光(ashing)來(lái)去除催化劑層110。參照?qǐng)D12，可以將非粘合帶沈0附著到粘合帶M0，以覆蓋石墨烯層120。非粘合 帶260可以從其上卷繞有非粘合帶260的輥(未示出)抽出，并可以與粘合帶240疊置。非 粘合帶260可以是一般的玻璃紙粘合帶，但是示例實(shí)施例不限于此。參照?qǐng)D13，可以將包括相應(yīng)的保護(hù)層130的多個(gè)石墨烯層120卷繞到第二輥222 上，并予以?xún)?chǔ)存。因此，可以根據(jù)需要以后使用儲(chǔ)存的石墨烯層120。在圖13中，應(yīng)當(dāng)理解 的是，已經(jīng)示意性地示出石墨烯層120、保護(hù)層130、粘合帶240和非粘合帶沈0。在非限制性的實(shí)施例中，可以將尺寸為大約6英寸或大于大約6英寸的多個(gè)大尺 寸石墨烯層卷繞在輥上，并予以?xún)?chǔ)存，如果需要，則可以在使用之前切割大尺寸石墨烯層。 如上所述，可以相對(duì)容易地將大尺寸石墨烯層與催化劑層分離，并予以?xún)?chǔ)存。在根據(jù)示例實(shí) 施例的轉(zhuǎn)移大尺寸石墨烯層的方法中，可以相對(duì)容易地將大尺寸石墨烯層轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移基底 上。雖然這里已經(jīng)公開(kāi)了示例實(shí)施例，但應(yīng)當(dāng)理解，可以做出其它改變。這些改變不應(yīng) 視為脫離本申請(qǐng)的示例實(shí)施例的精神和范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是明顯的所有這樣的修 改意圖包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種轉(zhuǎn)移大尺寸石墨烯的方法，所述方法包括 在基底上形成石墨烯層；在所述石墨烯層上形成保護(hù)層和粘合層； 去除所述基底；將所述石墨烯層設(shè)置在轉(zhuǎn)移基底上； 去除所述粘合層和所述保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括 在形成所述石墨烯層之前在所述基底上形成催化劑層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述保護(hù)層包括從由聚甲基丙烯酸甲酯、光致抗 蝕劑、電子抗蝕劑、氧化硅和氧化鋁組成的組中選擇的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述粘合層包括從由粘合帶、膠、環(huán)氧樹(shù)脂、熱分 離帶和水溶性帶組成的組中選擇的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，去除所述基底的步驟包括 削弱所述催化劑層和所述基底之間的粘合；將所述基底與所述催化劑層、所述石墨烯層、所述保護(hù)層和所述粘合層分離。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，削弱所述催化劑層和所述基底之間的粘合的步 驟包括使親水性液體透入到所述催化劑層和所述基底之間的間隙中。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，所述方法還包括 在去除所述基底之后去除所述催化劑層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除所述基底的步驟包括蝕刻所述基底。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述石墨烯層設(shè)置在轉(zhuǎn)移基底上的步驟包括 將接觸溶液涂敷在所述轉(zhuǎn)移基底上；將所述石墨烯層滑動(dòng)到所述轉(zhuǎn)移基底上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述接觸溶液包括從由去離子水、異丙醇、乙 醇、甲醇和礦物油組成的組中選擇的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述方法還包括 通過(guò)加熱所述轉(zhuǎn)移基底來(lái)蒸發(fā)所述接觸溶液。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在所述石墨烯層上形成所述保護(hù)層和所述粘合層之后，切割所述基底的暴露表面，以 形成切割線(xiàn)；使親水性液體接觸所述切割線(xiàn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括 在形成所述石墨烯層之前，在所述基底上形成催化劑層； 在去除所述基底之后去除所述催化劑層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述粘合層包括從由粘合帶、膠、環(huán)氧樹(shù)脂、熱 分離帶和水溶性帶組成的組中選擇的材料。
15.一種制造大尺寸石墨烯的方法，所述方法包括 在多個(gè)基底上形成多個(gè)石墨烯層；在所述多個(gè)石墨烯層的每個(gè)上形成保護(hù)層；將粘合帶附著到所述保護(hù)層上；削弱所述多個(gè)石墨烯層和所述多個(gè)基底之間的粘合；去除所述多個(gè)基底。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括在形成所述多個(gè)石墨烯層之前在所述多個(gè)基底中的每個(gè)上形成催化劑層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述保護(hù)層包括從由聚甲基丙烯酸甲酯、光致 抗蝕劑、電子抗蝕劑、氧化硅和氧化鋁組成的組中選擇的材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，削弱所述多個(gè)石墨烯層和所述多個(gè)基底之間 的粘合的步驟包括使親水性液體透入到所述催化劑層和所述多個(gè)基底之間的間隙中。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括在去除所述多個(gè)基底之后去除所 述催化劑層。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括 將非粘合帶附著在所述粘合帶上，以覆蓋所述多個(gè)石墨烯層； 將帶有所述多個(gè)石墨烯層的所述粘合帶卷繞到輥上。
全文摘要
示例實(shí)施例涉及制造和轉(zhuǎn)移大尺寸石墨烯層的方法。轉(zhuǎn)移大尺寸石墨烯層的方法可以包括在基底上形成石墨烯層、保護(hù)層和粘合層；去除所述基底?？梢酝ㄟ^(guò)將所述石墨烯層滑動(dòng)到轉(zhuǎn)移基底上來(lái)將所述石墨烯層設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移基底上。
文檔編號(hào)C01B31/04GK102060292SQ20101054191
公開(kāi)日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月12日
發(fā)明者姜世拉, 徐大衛(wèi), 徐順愛(ài), 禹輪成, 裴秀康, 許鎮(zhèn)盛, 鄭明姬, 鄭現(xiàn)鐘 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社, 成均館大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)