>[002引所述氧化劑為出化、KC1化或KN03中的一種。
[0026] 實施例1:
[0027] 堿性拋光液配比及低壓力下銅布線化學機械拋光工藝參數(shù)要求：
[002引配制堿性拋光液3340g;選用納米Si化磨料1200g，磨料濃度為20~80wt%，磨料粒 徑50皿，邊攬拌邊放入1800g去離子水，再分別取FA/0IV型馨合劑120g，F(xiàn)A/0I型非離子表面 活性劑lOOg和出化120g邊攬拌邊加入上述液體。調(diào)節(jié)pH值9~13,攬拌均勻后的3340g銅布線 堿性拋光液。
[0029] 拋光工藝參數(shù)為:壓力5.51服化，流量200血/1，轉(zhuǎn)速60巧111/111111，溫度22°(3，拋光時 間3min。
[0030] 拋光速率為856nm/min，速率非均勻性控制在0.08。
[0031 ] 實施例2:
[0032] 堿性拋光液配比及低壓力下銅布線化學機械拋光工藝參數(shù)要求：
[0033] 配制堿性拋光液3400g;選用納米Si化磨料1500g，磨料濃度為20~80wt%，磨料粒 徑70nm，邊攬拌邊放入1500g去離子水，再分別取FA/On型馨合劑150g，十二烷基酪聚氧乙 締酸lOOg和KCl〇3l50g邊攬拌邊加入上述液體。調(diào)節(jié)抑值9~13,攬拌均勻后的3400g銅布線 堿性拋光液。
[0034] 拋光工藝參數(shù)為:壓力4.827邸a，流量150血/L，轉(zhuǎn)速60rpm/min，溫度20°C，拋光時 間3min。
[0035] 拋光速率為915nm/min，速率非均勻性控制在0.06。
[0036] 實施例3:
[0037] 堿性拋光液配比及低壓力下銅布線化學機械拋光工藝參數(shù)要求：
[003引配制堿性拋光液3500g;選用納米Si02磨料2000g，磨料濃度為20~80wt %，磨料粒 徑120皿，邊攬拌邊放入lOOOg去離子水，再分別取FA/0IV型馨合劑和甘氨酸200g，F(xiàn)A/0I型 非離子表面活性劑和劑辛基酪聚氧乙締酸lOOg和此化200g邊攬拌邊加入上述液體。調(diào)節(jié)抑 值9~13,攬拌均勻后的3500g銅布線堿性拋光液。
[0039] 拋光工藝參數(shù)為：壓力4.137邸a，流量150血/L，轉(zhuǎn)速6虹pm/min，溫度25°C，拋光時 間3min。
[0040] 拋光速率為986nm/min，速率非均勻性控制在0.07。
[0041] 在銅布線化學機械拋光中使用酸性拋光液的相關(guān)廠商中，拋光工作壓力在10.34 ~20.69邸曰之間，得到的拋光速率也僅僅在800皿/1]1；[]1上下。其拋光壓力是本發(fā)明中得到相 同拋光速率使用拋光壓力的2~5倍，不僅造成能源浪費，而且過大的拋光壓力不利于生產(chǎn) 線的穩(wěn)定，降低了生產(chǎn)線的穩(wěn)定生產(chǎn)時間，影響生產(chǎn)效率。
[0042] 在銅布線化學機械拋光中使用堿性拋光液的相關(guān)廠商中，除了在低機械壓力的條 件（<6.895邸a)拋光速率難W滿足生產(chǎn)需要外，大粒徑的娃溶膠在其拋光液中不能穩(wěn)定存 在，只能使用粒徑在15~30nm的娃溶膠做為拋光磨料，磨料粒徑過小則拋光速率小，不能滿 足工業(yè)應(yīng)用。
[0043] 工作原理
[0044] 銅被拋光液中的氧化劑氧化后形成氧化銅，堿性條件下銅的氧化物水解出銅離 子，天津晶嶺電子材料科技有限公司銷售的FA/0型馨合劑含有多徑基多胺基的堿性大分 子，對溶液中的銅離子有極強的絡(luò)合作用，且其反應(yīng)產(chǎn)物穩(wěn)定存在且易溶于水，在低機械壓 力下，實現(xiàn)了對銅膜的高去除速率。反應(yīng)原理如下：
[0049]上述參照實施例對該一種堿性拋光液在低壓力下提高化SI銅布線銅膜去除速率 的應(yīng)用進行的詳細描述，是說明性的而不是限定性的，可按照所限定范圍列舉出若干個實 施例，因此在不脫離本發(fā)明總體構(gòu)思下的變化和修改，應(yīng)屬本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種堿性拋光液在低壓力下提高GLSI銅布線銅膜去除速率的應(yīng)用，主要由Si02磨料、 氧化劑、活性劑和螯合劑組成的堿性拋光液，其pH值9~13，其特征是:所述堿性拋光液的螯 合劑在低機械壓力下對銅膜的高去除速率的應(yīng)用。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的堿性拋光液在低壓力下提高GLSI銅布線銅膜去除速率的應(yīng) 用，其特征是:所述堿性拋光液將以下成分按重量％均勻混合制成， 納米Si〇2磨料5~80%，去離子水10~80% 氧化劑 0.5~6%活性劑：0.5~5% 螯合劑 3~6 %。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堿性拋光液在低壓力下提高GLSI銅布線銅膜去除速率的 應(yīng)用，其特征是:所述納米Si〇2磨料的濃度為20~80wt%、粒徑為50~120nm。4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堿性拋光液在低壓力下提高GLSI銅布線銅膜去除速率的 應(yīng)用，其特征是:所述螯合劑為FA/0 Π 型螯合劑、FA/OIV型螯合劑或甘氨酸中的一種或多種 混合。5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堿性拋光液在低壓力下提高GLSI銅布線銅膜去除速率的 應(yīng)用，其特征是:所述活性劑為FA/ΟΙ型非離子表面活性劑、十二烷基酚聚氧乙烯醚或辛基 酚聚氧乙烯醚中的一種或多種混合。6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堿性拋光液在低壓力下提高GLSI銅布線銅膜去除速率的 應(yīng)用，其特征是:所述氧化劑為H2〇2、KC10 3或kn〇3中的一種。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種堿性拋光液在低壓力下提高GLSI銅布線銅膜去除速率的應(yīng)用，主要由SiO2磨料、氧化劑、活性劑和螯合劑組成的堿性拋光液，其pH值9～13，其特征是：所述堿性拋光液的螯合劑在低機械壓力下對銅膜的高去除速率的應(yīng)用。有益效果：本發(fā)明的堿性拋光液利用FA/O型螯合劑含有多羥基多胺基的堿性大分子，對溶液中的銅離子有極強的絡(luò)合作用，其反應(yīng)產(chǎn)物穩(wěn)定存在且易溶于水，實現(xiàn)了在低機械壓力下對銅膜的高去除速率。
【IPC分類】C23F1/34, C23F3/04
【公開號】CN105506632
【申請?zhí)枴緾N201510997118
【發(fā)明人】劉玉嶺, 武鵬, 孫鳴
【申請人】天津晶嶺微電子材料有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月24日