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一種蒸鍍裝置的制作方法

文檔序號:12858406閱讀:286來源:國知局

本發(fā)明涉及一種蒸鍍裝置,用來實現(xiàn)薄膜在襯底上的蒸鍍,可廣泛應用于oled、半導體和led等領域。



背景技術:

蒸鍍是一種常見的薄膜材料淀積方法。在蒸鍍過程中,被蒸鍍材料在坩堝中被加熱至融化狀態(tài),在處于真空狀態(tài)下的蒸鍍室內(nèi),被蒸鍍材料通過蒸發(fā)被輸運到襯底表面,在襯底上沉積而形成薄膜。由于蒸鍍材料為液態(tài),為了防止蒸鍍材料流出,坩堝通常僅在上部開口,而襯底則被支撐著以待鍍面朝下被放置于坩堝的上方。

在oled的蒸鍍設備里,為了在蒸鍍時在襯底上僅獲得特定區(qū)域的鍍膜,而其他區(qū)域則被遮蔽,需要在襯底的下方放置精細金屬掩膜。該掩膜通過縷空的結構,使得蒸鍍材料僅在襯底的部分區(qū)域沉積。但是將精細金屬掩膜固定在襯底的下方非常近的距離是非常的困難的。為了防止固定裝置對沉積區(qū)域的干擾,可以用于固定金屬掩膜的裝置也受到了諸多限制。在重力的作用下,精細金屬掩膜會出現(xiàn)下垂等現(xiàn)象,嚴重的降低了蒸鍍圖形的質(zhì)量和精細度。

現(xiàn)有的一種真空蒸鍍裝置(cn103726020a),針對上述問題進行了改進。通過將蒸發(fā)源放于襯底的上方,避免了精細金屬掩膜下垂的問題。但是為了防止蒸發(fā)材料在重力的作用下溢出,該專利需要使用雙重蒸發(fā)加熱單元,這增加了系統(tǒng)的復雜程度和成本。同時由于該雙層蒸發(fā)加熱單元與蒸發(fā)室之間是相互連接的,蒸發(fā)源的壓力與蒸發(fā)室的壓力相同,蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率主要由蒸發(fā)源溫度決定,無法獨立調(diào)節(jié)蒸發(fā)源的壓力,這對于蒸發(fā)源溫度受限的場合是不利的。



技術實現(xiàn)要素:

為了克服現(xiàn)有技術的上述不足,本發(fā)明提供一種蒸鍍裝置,能夠防止蒸發(fā)材料液體在重力作用下流出,使蒸鍍圖形的質(zhì)量和精細度大大提高,可簡化系統(tǒng)設計,降低成本。

本發(fā)明解決其技術問題采用的技術方案是:包括蒸鍍室和安裝在蒸鍍室內(nèi)的蒸鍍源,襯底放置在蒸鍍源下方,所述蒸鍍源由原材料容器、加熱器和多孔部件構成,原材料容器內(nèi)盛裝蒸鍍材料,加熱器安裝在原材料容器的中部,在容器下部的部分區(qū)域安裝有多孔部件。

相比現(xiàn)有技術,本發(fā)明的一種蒸鍍裝置,其蒸發(fā)源被設置于襯底的下方,其中盛放蒸發(fā)材料的容器向下的部分還具有多孔部件,多孔部件能夠防止蒸發(fā)材料液體在重力作用下流出,同時蒸發(fā)材料的蒸汽可以通過多孔材料的空洞蒸發(fā)到蒸鍍腔,最終到達待蒸鍍襯底,使蒸鍍圖形的質(zhì)量和精細度大大提高,還簡化了系統(tǒng)設計,降低了成本。同時,多孔部件可以在蒸發(fā)室與蒸發(fā)液體之間建立一定的壓力差,蒸發(fā)速度可以通過調(diào)節(jié)壓力差或者蒸發(fā)源的溫度來調(diào)節(jié)。由于襯底也位于蒸發(fā)源的下方,一樣能避免精細金屬掩膜下垂等問題。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。

圖1是本發(fā)明一個實施例的結構示意圖。

圖中,1、原材料容器,2、加熱器,3、蒸鍍材料,4、多孔部件,5、精細金屬掩膜,6、襯底。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明的保護范圍。

圖1示出了本發(fā)明一個較佳的實施例的結構示意圖,圖中的一種蒸鍍裝置,包括蒸鍍室和安裝在蒸鍍室內(nèi)的蒸鍍源,襯底6如玻璃基板)放置在蒸鍍源下方,在襯底6上可以放置精細金屬掩膜5,通常二者的距離小于1mm,所述蒸鍍源由原材料容器1、加熱器2和多孔部件4構成,原材料容器1內(nèi)盛裝蒸鍍材料3,加熱器2安裝在原材料容器1的中部,在容器下部的部分區(qū)域安裝有多孔部件4,一般來說,多孔部件4的孔隙大小為0.5-500um。

加熱器2通過給原材料加熱,將原材料源源不斷的通過多孔部件4蒸發(fā)到反應腔中并沉積到襯底6上。

本實施例中,原材料容器1需要能夠在原材料熔點以上工作。其可以使用陶瓷,如氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硅等,也可以使用熔點較高的金屬,如鎢、鉬、高溫合金、不銹鋼等。多孔部件4的材料一樣也為陶瓷或金屬,并且多孔部件4可以使用和容器相同的材料,也可以使用不同的材料。

本發(fā)明由于在盛放蒸發(fā)材料的容器向下的部分設有多孔部件4,多孔部件4既能夠防止蒸發(fā)材料液體在重力作用下流出,同時蒸發(fā)材料的蒸汽還可以通過多孔材料的空洞蒸發(fā)到蒸鍍腔,最終到達待蒸鍍襯底6,使蒸鍍圖形的質(zhì)量和精細度大大提高。多孔部件4還可以在蒸發(fā)室與蒸發(fā)液體之間建立一定的壓力差,蒸發(fā)速度可以通過調(diào)節(jié)壓力差或者蒸發(fā)源的溫度來調(diào)節(jié)。又由于襯底6位于蒸發(fā)源的下方,也避免了精細金屬掩膜5下垂等問題。整體來看,簡化了系統(tǒng)設計,降低了成本。

以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例,并非對本發(fā)明做任何形式上的限制,凡是依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì),對以上實施例所做出任何簡單修改和同等變化,均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。



技術特征:

技術總結
一種蒸鍍裝置。包括蒸鍍室和安裝在蒸鍍室內(nèi)的蒸鍍源,襯底放置在蒸鍍源下方,所述蒸鍍源由原材料容器、加熱器和多孔部件構成,原材料容器內(nèi)盛裝蒸鍍材料,加熱器安裝在原材料容器的中部,在容器下部的部分區(qū)域安裝有多孔部件。本發(fā)明能夠防止蒸發(fā)材料液體在重力作用下流出,使蒸鍍圖形的質(zhì)量和精細度大大提高,可簡化系統(tǒng)設計,降低成本。

技術研發(fā)人員:黎子蘭;陳景升;黎靜;田青林;文龍
受保護的技術使用者:江蘇實為半導體科技有限公司
技術研發(fā)日:2017.07.24
技術公布日:2017.11.03
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