技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開的一種Ti3SiC2/Cu復合導電粉體的制備方法：其步驟為：步驟1、對Ti3SiC2粉體依次進行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干處理，得到預處理Ti3SiC2粉體；步驟2、利用CuSO4·5H2O、EDTANa2、NaOH及2?2'?聯(lián)吡啶配制出銅鍍液；步驟3、利用經(jīng)步驟2配制出的銅鍍液對經(jīng)步驟1得到的預處理Ti3SiC2粉體進行鍍覆處理；步驟4、經(jīng)步驟3后，對鍍覆處理后剩余的物質(zhì)進行過濾，對濾掉液體后剩余的部分進行烘干處理，得到Ti3SiC2/Cu復合導電粉體。利用本發(fā)明的制備方法得到的Ti3SiC2/Cu復合導電粉體具有較低的密度、良好的穩(wěn)定性以及高導電性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉毅;蘇曉磊;徐潔;王俊勃;賀辛亥;屈銀虎
受保護的技術(shù)使用者：西安工程大學
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.01
技術(shù)公布日：2017.08.08