技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種具有優(yōu)良場發(fā)射性能的石墨烯/金剛石復合膜及其制備方法，屬于光電子材料技術領域。其主要步驟為1）在襯底上生長非摻雜的金剛石薄膜；2）在金剛石薄膜襯底上生長一層厚度為100?600?nm的Ni薄膜；3）然后使薄膜在Ar?+H2混合氣氛中退火，金剛石膜中碳原子在Ni層中溶解；4）以0.5~1℃/s的速度降至室溫，碳原子析出到表面重結晶而形成石墨烯，即得所述石墨烯/金剛石復合膜。本發(fā)明直接利用金剛石膜作為石墨烯生長的前驅體，方法簡單，易于操作；所得復合膜中石墨烯與金剛石膜表面可實現原子鍵合，其結合性較強，穩(wěn)定性好。

技術研發(fā)人員：申艷艷;麻根旺;于盛旺;黑鴻君;賀志勇;唐賓;賈鈺欣;張一新
受保護的技術使用者：太原理工大學
技術研發(fā)日：2017.05.05
技術公布日：2017.09.22