技術(shù)編號(hào)：11279300
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有優(yōu)良場(chǎng)發(fā)射性能的石墨烯/金剛石復(fù)合膜及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)金剛石是典型的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，具有硬度高、化學(xué)穩(wěn)定性好、禁帶寬、電子和空穴遷移率高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、介電常數(shù)低等優(yōu)異的物理化學(xué)性能，是制備高可靠性、長(zhǎng)壽命場(chǎng)發(fā)射器件的理想陰極材料。然而，金剛石是寬禁帶半導(dǎo)體材料，金剛石薄膜電阻率非常高，電子在材料內(nèi)部傳輸困難，從而導(dǎo)帶中電子的補(bǔ)給困難，使得金剛石材料的場(chǎng)發(fā)射性能受到限制。近年來，國內(nèi)外研究者嘗試通過在生長(zhǎng)過程中或采用離子注入的方法，將P、N、O、Ag、Au等雜...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。