本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種OLED顯示器件制備工藝中的一種蒸鍍坩堝及蒸鍍裝置。

背景技術(shù)：

OLED(Organic Light Emitting Display，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件)具有超薄、響應(yīng)度高、對(duì)比度高、功耗低等優(yōu)勢(shì)，近幾年在顯示領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化速度突飛猛進(jìn)。

在OLED材料的蒸鍍過(guò)程中，在真空環(huán)境下，將OLED材料放置于蓋有坩堝蓋的坩堝中，用電阻絲加熱方式加熱坩堝，使得坩堝中的OLED材料受熱后由固態(tài)轉(zhuǎn)化為熔融態(tài)進(jìn)而蒸發(fā)。當(dāng)OLED材料的蒸發(fā)速率達(dá)到要求并穩(wěn)定后，打開坩堝蓋，OLED材料便以穩(wěn)定的蒸發(fā)速率進(jìn)行蒸鍍。其中，坩堝內(nèi)的OLED材料在蒸發(fā)速率穩(wěn)定前會(huì)在坩堝蓋內(nèi)表面集結(jié)。坩堝蓋上的OLED材料累積到一定厚度后，由于重力作用，會(huì)脫離坩堝蓋而落入坩堝中?，F(xiàn)有的坩堝蓋為光滑的圓弧蓋面，沉積于坩堝蓋上的OLED材料大多以大尺寸的薄片結(jié)構(gòu)脫離并落入坩堝中，大尺寸沉積材料極易覆蓋蒸發(fā)源，使得OLED材料無(wú)法蒸發(fā)，蒸鍍工藝無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行，這種情況下，只能開腔清理及重新進(jìn)行蒸鍍過(guò)程，嚴(yán)重影響到生產(chǎn)、實(shí)驗(yàn)進(jìn)度及器件性能。

因此，如何減少坩堝蓋上沉積的蒸發(fā)材料脫落至坩堝中，防止堵塞蒸發(fā)源，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問(wèn)題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)以上的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種蒸鍍坩堝及蒸鍍裝置，減少坩堝蓋上沉積的蒸發(fā)材料脫落至坩堝中，防止堵塞蒸發(fā)源。

為了解決背景技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種蒸鍍坩堝，包括坩堝本體及坩堝蓋，所述坩堝本體用于盛放蒸發(fā)材料，所述坩堝蓋設(shè)于所述坩堝本體上，并與所述坩堝本體相間隔，所述坩堝蓋內(nèi)設(shè)有多個(gè)相間隔設(shè)置的擋板，所述擋板一端固定于所述坩堝蓋，另一端朝向所述坩堝本體延伸，所述擋板及所述坩堝蓋用于承載所述蒸鍍坩堝中受熱蒸發(fā)的所述蒸發(fā)材料。

其中，所述坩堝蓋包括蓋面，所述蓋面朝向所述坩堝本體，所述擋板包括安裝部與承載部，所述安裝部可拆卸地固定于所述蓋面，以便于拆卸所述擋板，所述承載部朝向所述坩堝本體方向延伸，用于沉積所述蒸發(fā)材料。

其中，所述蓋面為圓弧形，包括中心區(qū)域和圍繞所述中心區(qū)域的周邊區(qū)域，多個(gè)所述擋板設(shè)于所述周邊區(qū)域，且設(shè)于所述中心區(qū)域的相對(duì)兩側(cè)。

其中，所述擋板在垂直方向的投影落入所述坩堝本體內(nèi)。

其中，多個(gè)所述擋板沿著所述蓋面的徑向相對(duì)設(shè)置，且所述承載部朝向所述坩堝本體的延伸方向與所述蓋面的軸向相交；沿著所述蓋面的所述中心區(qū)域至所述周邊區(qū)域的方向，所述承載部朝向所述坩堝本體的延伸方向與所述蓋面軸向的夾角值逐漸增大。

其中，沿著所述蓋面的所述中心區(qū)域至所述周邊區(qū)域的方向，所述擋板的所述承載部朝向所述坩堝本體的延伸長(zhǎng)度逐漸增加。

其中，所述擋板為弧形板，且所述擋板的承載部沿著所述蓋面的周向延伸，所述擋板與徑向相鄰的所述擋板及夾設(shè)于兩者之間的所述蓋面形成溝道，所述溝道沿著所述蓋面的周向延伸。

其中，所述擋板的承載部沿著所述蓋面的徑向延伸，所述擋板與相鄰的所述擋板及夾設(shè)于兩者之間的所述蓋面形成溝道，所述溝道沿著所述蓋面的徑向延伸。

本發(fā)明還提供了一種蒸鍍裝置，包括上述任一實(shí)施方式所述的蒸鍍坩堝。

本申請(qǐng)實(shí)施方式提供的一種蒸鍍坩堝及蒸鍍裝置，通過(guò)在坩堝蓋的蓋面上設(shè)置多個(gè)擋板，所述擋板和所述蓋面共同用于承載受熱蒸發(fā)的蒸發(fā)材料，這樣一方面可增加蒸發(fā)材料于蓋面上的沉積面積，減輕單位面積內(nèi)的沉積材料重量，從而減少蓋面上的沉積材料掉落至坩堝本體中；另一方面，多個(gè)擋板可將整個(gè)蓋面(大的沉積面)劃分為多個(gè)小的沉積面，以減小沉積材料集結(jié)成塊的尺寸，這樣使得掉落至坩堝本體中的沉積材料為小尺寸的塊體，從而避免沉積材料遮蓋蒸發(fā)源，影響蒸鍍工藝。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明提供的蒸鍍坩堝的截面圖。

圖2是圖1提供的坩堝蓋的局部放大圖。

圖3-1是本發(fā)明第一種實(shí)施例提供的坩堝蓋結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3-2是本發(fā)明第二種實(shí)施例提供的坩堝蓋結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3-3是本發(fā)明第三種實(shí)施例提供的坩堝蓋結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3-4是本發(fā)明第四種實(shí)施例提供的坩堝蓋結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4-1是本發(fā)明第五種實(shí)施例提供的蒸鍍坩堝的截面圖。

圖4-2是圖4-1提供的坩堝蓋的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4-3是圖4-2沿a方向的截面圖。

圖5-1是本發(fā)明第六種實(shí)施例提供的蒸鍍坩堝的截面圖。

圖5-2是圖5-1提供的坩堝蓋的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5-3是圖5-2沿b方向的截面圖。

圖6-1是本發(fā)明第七種實(shí)施例提供的蒸鍍坩堝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6-2是圖6-1提供的坩堝蓋的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍坩堝，放置于蒸鍍裝置中，用于盛放待蒸發(fā)材料(蒸發(fā)源)以便于蒸鍍裝置將待蒸發(fā)材料加熱并鍍?cè)诨迳稀Ｋ龃舭l(fā)材料可以為金屬、半導(dǎo)體、絕緣體、不同成分比的合金、化合物及有機(jī)聚合物等，所述基板可以為金屬、半導(dǎo)體、絕緣體、塑料等。

請(qǐng)一并參閱圖1和圖2，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍坩堝的截面圖，包括坩堝本體2及坩堝蓋1，所述坩堝本體2用于盛放蒸發(fā)材料3，所述坩堝蓋1設(shè)于所述坩堝本體2上，并與所述坩堝本體2相間隔。所述坩堝蓋1與所述坩堝本體2相間隔3～5mm。所述坩堝蓋1包括與所述坩堝本體2相對(duì)設(shè)置的蓋面11。所述坩堝蓋1內(nèi)設(shè)有多個(gè)相間隔設(shè)置的擋板12，所述擋板12一端固定于所述坩堝蓋1的蓋面11上，另一端朝向所述坩堝本體2延伸，所述擋板12及所述坩堝蓋1用于承載所述蒸鍍坩堝中受熱蒸發(fā)的所述蒸發(fā)材料3。具體而言，蒸發(fā)材料3受熱后蒸發(fā)并向上擴(kuò)散，擴(kuò)散的過(guò)程中遇到坩堝蓋1并在坩堝蓋1內(nèi)表面集結(jié)成固態(tài)，本實(shí)施例在坩堝蓋1內(nèi)設(shè)置擋板12，使得所述蒸發(fā)材料3可沉積于擋板12表面及坩堝蓋1的內(nèi)表面，從而增加了蒸發(fā)材料3的沉積面積。

本申請(qǐng)實(shí)施方式提供的一種蒸鍍坩堝，包括坩堝本體2和坩堝蓋1，所述坩堝蓋1在蒸發(fā)材料3的蒸發(fā)速度穩(wěn)定前設(shè)于所述坩堝本體2上并與所述坩堝本體2相間隔，以沉積蒸發(fā)材料3，當(dāng)蒸發(fā)速度穩(wěn)定后，從所述坩堝本體2移除坩堝蓋3，所述蒸發(fā)材料3將蒸鍍到所需蒸鍍的基板上。本申請(qǐng)通過(guò)在坩堝蓋1的蓋面11上設(shè)置多個(gè)擋板12，所述擋板12和所述蓋面11共同用于承載受熱蒸發(fā)的蒸發(fā)材料3，一方面可增加蒸發(fā)材料3于蓋面11上的沉積面積，減輕單位面積內(nèi)的沉積材料重量，從而減少蓋面11上的沉積材料掉落至坩堝本體2中；另一方面，擋板12將大的沉積面(整個(gè)蓋面)劃分為多個(gè)小的沉積面，以減小沉積材料集結(jié)成塊的尺寸，這樣使得掉落至坩堝本體2中的沉積材料為小尺寸的塊體，從而避免沉積材料遮蓋蒸發(fā)源3，影響蒸鍍工藝。

進(jìn)一步地，所述蓋面11可以為平面或弧面，優(yōu)選地，為了增加所述蒸發(fā)源3在所述蓋面11上的沉積面積，所述蓋面11可為弧形面。所述擋板12可以為長(zhǎng)條形、弧形、波浪形等形狀，在本申請(qǐng)中不做限制。所述擋板12之間可以相鄰并列排列于蓋面11上，也可無(wú)規(guī)則排列于蓋面11上，還可以蓋面11的中心為對(duì)稱中心環(huán)繞排列于蓋面11上，在本實(shí)施例中對(duì)于擋板12之間的排列方式不做限定。所述坩堝蓋1的材質(zhì)可以為陶瓷或者金屬或者合金等。所述擋板12的材質(zhì)可以與所述坩堝蓋1的材質(zhì)相同。

進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖1，所述擋板12在垂直方向的投影落入所述坩堝本體2內(nèi)，使得所述坩堝蓋1與所述坩堝本體2蓋合時(shí)，擋板12位于坩堝蓋1與坩堝本體2形成的收容空間內(nèi)。

請(qǐng)參閱圖2，所述擋板12包括安裝部121與承載部122，所述安裝部121可拆卸地固定于所述蓋面11，具體可以為螺接或者卡扣連接等可拆卸的連接方式，以便于從坩堝蓋1上拆卸所述擋板12，以清洗坩堝蓋1和擋板12。所述承載部122朝向所述坩堝本體2方向延伸，用于沉積所述蒸發(fā)材料3。

一種實(shí)施方式中，請(qǐng)參閱圖2，所述蓋面11為圓弧形，包括中心區(qū)域111和圍繞所述中心區(qū)域的周邊區(qū)域112，多個(gè)所述擋板12設(shè)于所述周邊區(qū)域112，且設(shè)于所述中心區(qū)域111的相對(duì)兩側(cè)。

進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖2，沿著所述蓋面11的所述中心區(qū)域111至所述周邊區(qū)域112的方向(即圖2中A的指向)，所述擋板12的所述承載部122朝向所述坩堝本體2的延伸長(zhǎng)度逐漸增加。即從所述周邊區(qū)域112到所述蓋面11的所述中心區(qū)域111的方向上(即圖2中A的指向的反向)，所述擋板12的所述承載部122朝向所述坩堝本體2的延伸長(zhǎng)度逐漸減小。這樣沿著所述蓋面11的軸向形成了分層的擋板結(jié)構(gòu)，上層的擋板面積小，下層的擋板面積大。當(dāng)氣態(tài)的蒸發(fā)材料越接近坩堝蓋面，越會(huì)向蓋面的軸中心集中，所述擋板12的所述承載部122朝向所述坩堝本體2的延伸長(zhǎng)度逐漸減小，一方面可減少擋板12對(duì)由下至上擴(kuò)散的蒸發(fā)材料3的阻礙，便于更多的蒸發(fā)材料3沉積于蓋面中心區(qū)域111和靠近蓋面中心區(qū)域111的擋板12上；另一方面，上層的擋板面積小，下層的擋板面積大的擋板結(jié)構(gòu)，使得被蓋面反射的蒸發(fā)材料可由上至下落到較大面積的底層擋板結(jié)構(gòu)上，這樣可增加蒸發(fā)材料的沉積面積，同時(shí)防止被蓋面反射的蒸發(fā)材料阻礙下層蒸發(fā)材料的蒸鍍過(guò)程。

進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖2，沿著所述蓋面11的徑向方向A，多個(gè)所述擋板12相對(duì)設(shè)置，且所述承載部122朝向所述坩堝本體2的延伸方向B與所述蓋面11的軸向C相交。沿著所述蓋面11的所述中心區(qū)域111至所述周邊區(qū)域112的方向上(即圖2中A的指向)，所述承載部122朝向所述坩堝本體2的延伸方向與所述蓋面11軸向的夾角值逐漸增大。具體為，沿著A的指向方向，所述承載部122朝向所述坩堝本體2的延伸方向分別為B、B1、B2、B3，其中B、B1、B2、B3與所述蓋面11軸向C的夾角逐漸增大。這是因?yàn)檫@樣的設(shè)計(jì)可使得擋板沿著軸向C的投影面積較大，可承載更多的由下至上或由上至下流動(dòng)的氣態(tài)蒸發(fā)材料。

第一種實(shí)施方式中，請(qǐng)參閱圖3-1，所述擋板12可以為長(zhǎng)條形板，設(shè)于蓋面11的中心區(qū)域111的相對(duì)兩側(cè)。

第二種實(shí)施方式中，請(qǐng)一并參閱圖2和圖3-2，所述擋板12可以為弧形板，且所述擋板12的承載部122沿著所述蓋面11的周向D延伸，所述擋板12與徑向相鄰的所述擋板12及夾設(shè)于兩者之間的所述蓋面11形成溝道123，所述溝道123沿著所述蓋面11的周向D延伸。本實(shí)施方式相對(duì)于第一種實(shí)施方式而言，所述弧形擋板12可以與所述蓋面的弧度相匹配，這樣在所述蓋面上可以設(shè)置更多的擋板結(jié)構(gòu)。

在蓋面11一個(gè)周向上，還可以多個(gè)所述擋板12相間隔設(shè)置，并不限于上述實(shí)施方式中的在蓋面一個(gè)周向上，兩個(gè)所述擋板12相對(duì)設(shè)置。

請(qǐng)參閱圖3-1到圖3-4，沿著所述蓋面的周向D，所述擋板12可以為連續(xù)或者間斷結(jié)構(gòu)，所述連續(xù)的擋板12結(jié)構(gòu)如圖3-1和圖3-2所示，所述間斷的擋板結(jié)構(gòu)如圖3-3和圖3-4所示。

第三種實(shí)施方式中，圖3-3中所示的所述擋板12為環(huán)形板。

第四種實(shí)施方式中，圖3-4中所示的所述擋板12為回形板。連續(xù)的擋板結(jié)構(gòu)相較于間斷的擋板結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)單，安裝和拆卸更方便。

第五種實(shí)施方式中，請(qǐng)一并參閱圖4-1、圖4-2及圖4-3，在所述蓋面11上安裝多個(gè)擋板12，所述擋板12的承載部122沿著所述蓋面11的徑向A延伸。所述擋板12的截面可以為矩形或波浪形或V形或U形或梯形等。多個(gè)所述擋板12相鄰設(shè)置，所述擋板12可以有間隔地相鄰設(shè)置，可以無(wú)間隔地相鄰設(shè)置。所述擋12與相鄰的所述擋板12及夾設(shè)于兩者之間的所述蓋面11形成溝道123，所述溝道123沿著所述蓋面11的徑向A延伸。一種實(shí)施方式中，所述擋板12包括相交的第一檔面124和第二檔面125，所述擋板的第一檔面與所述相鄰擋板的第二檔面形成溝道123。多個(gè)所述擋板12可以相連或者不相連，在不相連接的情況下，所述第一檔面、所述相鄰擋板的第二檔面及兩者之間的部分蓋面形成溝道123。第一檔面124和第二檔面125都增加了蓋面的沉積面積和將整個(gè)蓋面分割成了多個(gè)小的沉積面，以減小沉積材料集結(jié)成塊的尺寸，使得掉落至坩堝本體中的沉積材料為小尺寸的塊體，從而避免沉積材料遮蓋蒸發(fā)源。

第六種實(shí)施方式中，請(qǐng)一并參閱圖5-1和圖5-2，所述蓋面11可設(shè)有多個(gè)溝槽13，即溝槽13凹設(shè)于所述蓋面11上，所述溝槽13的截面可以為V形、U形、梯形等。所述溝槽13相鄰設(shè)置，且沿著所述蓋面11的徑向延伸。所述溝槽13可以有間隔地相鄰設(shè)置，可以無(wú)間隔地相鄰設(shè)置。所述蓋面11的徑向是以弧形面中心為中心向弧形面邊緣延伸的方向。具體地，蓋面11的一個(gè)徑向可以設(shè)置一個(gè)溝槽13，也可以地，多個(gè)所述溝槽并列設(shè)置于一條徑向上。本實(shí)施例中，蓋面11的一個(gè)徑向上設(shè)置一個(gè)溝槽13，以便于清離坩堝蓋2上的沉積材料。所述溝槽13可以增加蒸發(fā)源3在坩堝蓋1上的沉積面積，進(jìn)而減少沉積厚度，減輕單位面積內(nèi)坩堝蓋1上的沉積重量，從而可有效地減少沉積材料脫離坩堝蓋1掉落于坩堝本體2中的幾率。此外，多個(gè)溝槽13將原本為一個(gè)整體的蓋面11劃分為多個(gè)區(qū)域，即將一個(gè)大的沉積面劃分為多個(gè)小的沉積面，蒸發(fā)材料沉積于較小沉積面則以較小尺寸集結(jié)成塊，進(jìn)而防止沉積材料以大尺寸形式脫落，并遮蓋住蒸發(fā)源3，阻礙蒸鍍工藝。

可理解地，本實(shí)施例中對(duì)于溝槽13的形狀、分布、數(shù)量、制造工藝等沒有限定，只需滿足在蓋面11上設(shè)置溝槽13，增加沉積面積及將大尺寸的沉積面劃分為小尺寸的沉積面的要求即可。

第七種實(shí)施方式中，請(qǐng)一并參閱圖6-1和圖6-2，所述溝槽13可以為弧形面。所述溝槽13與所述蓋面11之間無(wú)夾縫，便于蒸鍍后清洗蓋面11，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于制造。

本申請(qǐng)還提供了一種蒸鍍裝置，包括上述任一種實(shí)施方式所述的蒸鍍坩堝。

本申請(qǐng)實(shí)施方式提供的一種蒸鍍坩堝及蒸鍍裝置，通過(guò)在坩堝蓋1的蓋面11上設(shè)置多個(gè)擋板12，一方面，擋板的設(shè)置及上層面積小于下層面積的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可增加蒸發(fā)材料3于蓋面11上的沉積面積，減輕單位面積內(nèi)的沉積材料重量，從而減少蓋面11上的沉積材料掉落至坩堝本體2中，同時(shí)可減少被蓋面反射的蒸鍍材料阻礙下層蒸鍍過(guò)程，提高蒸鍍速率；另一方面，擋板12將大的沉積面劃分為多個(gè)小的沉積面，以減小沉積材料集結(jié)成塊的尺寸，這樣使得掉落至坩堝本體2中的沉積材料為小尺寸的塊體，從而避免沉積材料遮蓋蒸發(fā)源3，影響蒸鍍工藝。此外，擋板12與蓋面11可拆卸連接，便于后期清洗坩堝蓋1，減少坩堝蓋1上殘余蒸發(fā)材料，增加坩堝蓋1的使用壽命，節(jié)約成本。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，該領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。