技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于核技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域，具體涉及核物理實(shí)驗(yàn)所需的一種質(zhì)量厚度為400～2000μg/cm2自支撐Ir靶的制備工藝。該工藝主要包括以下五個(gè)步驟：(1)用聚焦重離子濺射法在銅基襯上濺射沉積質(zhì)量厚度為100～250μg/cm2的Ir沉積層，得到銅基Ir膜；(2)將銅基Ir膜放置在硝酸溶液表面，待銅基被硝酸腐蝕溶解完全后，得到與銅基襯分離的Ir沉積層；(3)利用載玻片將Ir沉積層轉(zhuǎn)移至去離子水表面以清洗Ir沉積層表面的硝酸溶液；(4)將上述清洗過的Ir沉積層利用靶框固定；(5)以步驟(4)得到的Ir沉積層作為基襯，再次利用聚焦重離子濺射沉積法在該基襯上濺射沉積Ir，直至得到所需質(zhì)量厚度的自支撐Ir靶。該制備工藝具有平整性好、厚度均勻性好的有益效果。

技術(shù)研發(fā)人員：樊啟文;胡躍明;王華;張榕
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國原子能科學(xué)研究院
文檔號(hào)碼：201710001108
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.03
技術(shù)公布日：2017.06.20