技術(shù)特征：

1.一種質(zhì)量厚度為400～2000μg/cm²自支撐Ir靶的制備工藝，其特征在于，該工藝主要包括以下五個(gè)步驟：

(1)以銅箔為基襯，用聚焦重離子濺射法在該基襯上濺射沉積質(zhì)量厚度為100～250μg/cm²的Ir沉積層，得到銅基Ir膜；

(2)將步驟(1)得到的銅基Ir膜放置在硝酸溶液表面，其中銅基面直接接觸硝酸溶液，待銅基被硝酸腐蝕溶解完全后，得到與銅基襯分離的Ir沉積層；

(3)利用載玻片將步驟(2)得到的Ir沉積層轉(zhuǎn)移至去離子水表面以清洗Ir沉積層表面的硝酸溶液；

(4)將上述清洗過(guò)的Ir沉積層利用靶框固定；

(5)以步驟(4)得到的Ir沉積層作為基襯，再次利用聚焦重離子濺射沉積法在該基襯上濺射沉積Ir，直至得到所需質(zhì)量厚度的自支撐Ir靶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種質(zhì)量厚度為400～2000μg/cm²自支撐Ir靶的制備工藝，其特征在于，步驟(1)中所述Ir沉積層的質(zhì)量厚度為250μg/cm²。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種質(zhì)量厚度為400～2000μg/cm²自支撐Ir靶的制備工藝，其特征在于，步驟(1)中所述銅箔的厚度為15～20μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種質(zhì)量厚度為400～2000μg/cm²自支撐Ir靶的制備工藝，其特征在于，步驟(2)中所述硝酸溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種質(zhì)量厚度為400～2000μg/cm²自支撐Ir靶的制備工藝，其特征在于，步驟(1)、步驟(5)中所述重離子濺射法所采用的工藝參數(shù)為濺射離子類型為Ar⁺，加速電壓為-8500V，聚焦電壓為-500V，放電電壓為-800V，磁場(chǎng)電壓為9.1V，放電氣壓為5.6Pa，真空室真空度為1×10^-3Pa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種質(zhì)量厚度為400～2000μg/cm²自支撐Ir靶的制備工藝，其特征在于，步驟(4)中所述的靶框?yàn)殂~環(huán)。