技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及材料沉積技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及磁控濺射鍍膜源及其裝置。磁控濺射鍍膜源包括相對(duì)設(shè)置的位于工件同側(cè)的柱形第一鍍膜組件，第二鍍膜組件和分別設(shè)置于其內(nèi)部的磁力產(chǎn)生件，所述第一鍍膜組件中心軸線與第二鍍膜組件中心軸線平行且相對(duì)于工件等高，在第一鍍膜組件內(nèi)的磁力產(chǎn)生件朝向其中心軸線的為第一磁極，在第二鍍膜組件內(nèi)的磁力產(chǎn)生件朝向其中心軸線的為第二磁極，所述第一磁極與第二磁極相反。磁控濺射鍍膜裝置采用磁控鍍膜濺射源，能將過(guò)熱的電子或其他攜帶能量的負(fù)離子被磁場(chǎng)束縛在兩個(gè)鍍膜組件之間，從而大大減少轟擊工件的機(jī)會(huì)，并能有效地抑制工藝溫度上升，實(shí)現(xiàn)低溫鍍膜。

技術(shù)研發(fā)人員：王開(kāi)安
受保護(hù)的技術(shù)使用者：王開(kāi)安
文檔號(hào)碼：201621442621
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.10.13