1.一種磁控濺射鍍膜源，用于為工件鍍膜，其特征在于：其包括相對設(shè)置的位于工件同側(cè)的柱形第一鍍膜組件，第二鍍膜組件和分別設(shè)置于其內(nèi)部的磁力產(chǎn)生件，所述第一鍍膜組件中心軸線與第二鍍膜組件中心軸線平行且相對于工件等高，在第一鍍膜組件內(nèi)的磁力產(chǎn)生件朝向其中心軸線的為第一磁極，在第二鍍膜組件內(nèi)的磁力產(chǎn)生件朝向其中心軸線的為第二磁極，所述第一磁極與第二磁極相反。
2.如權(quán)利要求1中所述的磁控濺射鍍膜源，其特征在于：所述每一鍍膜組件包括多個磁力產(chǎn)生件，多個磁力產(chǎn)生件朝向該鍍膜組件的中心軸線的極性相同，且形成平行于該鍍膜組件中心軸線的兩排。
3.如權(quán)利要求1中所述的磁控濺射鍍膜源，其特征在于：所述每一鍍膜組件包括多個磁力產(chǎn)生件，多個磁力產(chǎn)生件朝向該鍍膜組件的中心軸線的極性相同，且多個磁力產(chǎn)生件形成閉合環(huán)狀體或者每一鍍膜組件內(nèi)的磁力產(chǎn)生件為一個環(huán)狀體磁力產(chǎn)生件。
4.如權(quán)利要求3中所述的磁控濺射鍍膜源，其特征在于：所述每一鍍膜組件內(nèi)的環(huán)狀體的中心軸線與鍍膜組件的中心軸線垂直。
5.如權(quán)利要求1中所述的磁控濺射鍍膜源，其特征在于：所述第一鍍膜組件內(nèi)的磁力產(chǎn)生件設(shè)置于靠近第二鍍膜組件一側(cè)區(qū)域，第二鍍膜組件內(nèi)的磁力產(chǎn)生件設(shè)置于靠近第一鍍膜組件一側(cè)區(qū)域。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的磁控濺射鍍膜源，其特征在于：所述每一鍍膜組件包括濺射靶座，所述磁力產(chǎn)生件設(shè)置于濺射靶座內(nèi)，所述磁力產(chǎn)生件不轉(zhuǎn)動，所述濺射靶座可繞鍍膜組件的中心軸線旋轉(zhuǎn)。
7.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的磁控濺射鍍膜源，其特征在于：所述每一鍍膜組件徑向橫截面形狀為橢圓形或多邊形。
8.一種磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：其包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的磁控濺射鍍膜源。
9.如權(quán)利要求8中所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述磁控濺射鍍膜裝置包括多個磁控濺射鍍膜源及載物臺，所述多個磁控濺射鍍膜源設(shè)置于載物臺的同一側(cè)，所述載物臺可以相對鍍膜組件運(yùn)動，且運(yùn)動方向垂直于多個鍍膜組件的中心軸線。
10.如權(quán)利要求9中所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述磁控濺射鍍膜裝置還包括輔助電極，所述輔助電極設(shè)置于磁控濺射鍍膜源外側(cè)。