技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開雙閉環(huán)磁控濺射陰極，包括相互平行設(shè)置的靶材與磁靴，以及設(shè)于靶材與磁靴之間的磁體裝置，磁體裝置包含一個(gè)中間磁體、兩個(gè)端部磁體以及兩組輔助磁體對(duì)，每組輔助磁體對(duì)都由兩個(gè)相吸附的輔助磁體構(gòu)成，兩個(gè)輔助磁體的磁極方向相反；所述中間磁體位于磁靴中央，兩個(gè)端部磁體分別位于磁靴的兩端，兩組輔助磁體對(duì)分別位于中間磁體與端部磁體之間的磁靴上；每個(gè)磁體兩個(gè)磁極的連線均垂直于靶材；所有相鄰磁體之間的磁極方向均相反；通過(guò)增加輔助磁體對(duì)，使靶材表面增加了兩對(duì)雙閉環(huán)的磁場(chǎng)，從而使磁場(chǎng)強(qiáng)度分布更加均勻，靶材表面的刻蝕區(qū)寬度更寬，同時(shí)還可以利用導(dǎo)磁片調(diào)節(jié)靶材表面平行磁場(chǎng)分量的大小，從而有效提高了靶材的利用率。

技術(shù)研發(fā)人員：彭壽;吳以軍;劉小雨;王寶玉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：凱盛光伏材料有限公司
文檔號(hào)碼：201621123627
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.15
技術(shù)公布日：2017.03.22