技術編號：12101562
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及磁控濺射技術領域，具體是一種能夠提高靶材利用率與靶材磁場均勻性的雙閉環(huán)磁控濺射陰極。背景技術物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition，簡稱PVD)，是一種利用物理方式在基材上沉積薄膜的技術。磁控濺射鍍膜技術是物理氣相沉積技術的一種，在磁控濺射鍍膜技術中，高能離子轟擊靶材表面，靶材表面離子或原子與入射的高能離子交換能量后從靶材表面飛濺出來，并在基材上沉積成膜。目前，在磁控濺射鍍膜技術應用領域，廣泛使用的是平面磁控濺射陰極?，F有的平面磁控濺射陰極一般包括靶材、磁體裝...
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