本實(shí)用新型涉及一種拋光墊修整裝置，屬于拋光修整技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

現(xiàn)今技術(shù)的拋光墊修整器都是用“磨粒(例如:鉆石)”作為加工刀具以移除拋光墊(Pad)材料。請參閱圖1所示，拋光墊修整器Q的上方布滿磨粒d。加工拋光墊的制程中，磨粒d加工是以磨削的方式移除拋光墊上的材料。

然而，由于拋光墊修整器Q上的磨粒d，其切削刃的形狀不規(guī)則，且通常磨粒d會以較大的負(fù)斜角擠入被加工材料中，屬于多點(diǎn)磨削的加工機(jī)制，因而在材料表面留下粗糙的犁切痕跡(ploughing)。

如果為了讓表面粗糙度降低，則必須使用較高密度且較細(xì)的磨粒d加工，以降低粗糙的加工痕跡。但是，修整器的制造過程中，較小顆粒的磨粒d不易與基材結(jié)合固定。反倒會因?yàn)槟チ容易脫落而刮傷晶圓，因此對磨粒d的大小有一定的限制(目前使用常用的顆粒大小約0.1毫米(millimeter，mm)至0.3毫米之間)，而難以有效率地降低拋光墊的表面粗糙度。

目前業(yè)界半導(dǎo)體的技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入7奈米(nanometer，nm)制程，所使用的拋光墊材料已經(jīng)不是以往的硬式拋光墊，拋光墊表面所需要的表面粗糙度值也相對要求更低。故，如何通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以改良拋光墊修整器，有效的加工拋光墊并控制良好的表面粗糙度，來克服上述的缺失，已成為該項(xiàng)事業(yè)所欲解決的重要課題 之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種拋光墊修整裝置。

為了解決上述的技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采用的其中一技術(shù)方案是，

一種拋光墊修整裝置，其包括：

一基座；

至少一切削件，所述切削件設(shè)置在所述基座上；以及

至少一定位件，所述定位件設(shè)置在所述基座上，并且凸出于所述基座的上表面。

本實(shí)用新型所采用另外一技術(shù)方案是，提供一種拋光墊修整裝置，其包括一基座以及至少一切削件。所述切削件設(shè)置在所述基座上，所述切削件的一頂端具有一刀刃部以及一抵靠部。

本實(shí)用新型所采用的再一技術(shù)方案是，提供一種拋光墊修整裝置其包括一基座、至少一切削件以及至少一定位結(jié)構(gòu)。所述切削件設(shè)置在所述基座上，其中所述切削件具有一刀刃部。所述定位結(jié)構(gòu)形成在所述切削件上或所述基座上。

一種拋光墊修整裝置，包括：一基座；

至少一切削件，所述切削件設(shè)置在所述基座上，其中所述切削件具有一刀刃部；以及

至少一定位結(jié)構(gòu)，所述定位結(jié)構(gòu)形成在所述切削件上或所述基座上，其中所述定位結(jié)構(gòu)的高度低于或等于所述刀刃部的高度。

綜上所述，本實(shí)用新型的其中一有益效果在于，本實(shí)用新型 實(shí)施例所提供的拋光墊修整裝置，其可通過“所述定位結(jié)構(gòu)形成在所述切削件上或所述基座上＂的技術(shù)手段，可以將拋光墊上多余的材料切削而不會產(chǎn)生隆起，使得拋光墊的拋光面能夠較為平坦，以有效控制拋光墊的表面粗糙度。

為使能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明與附圖，然而所提供的附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本實(shí)用新型加以限制者。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過參照下面的詳細(xì)描述，能夠更完整更好地理解本實(shí)用新型以及容易得知其中許多伴隨的優(yōu)點(diǎn)，但此處所說明的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定，如圖其中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的拋光墊修整裝置的立體示意圖。

圖2A為本實(shí)用新型其中一切削件與拋光墊接觸的示意圖。

圖2B為本實(shí)用新型另外一切削件與拋光墊接觸的示意圖。

圖2C為本實(shí)用新型再一切削件與拋光墊接觸的示意圖。

圖2D為本實(shí)用新型又一切削件的刀刃部與拋光墊接觸的示意圖。

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1的拋光墊修整裝置的立體組合圖。

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例2的拋光墊修整裝置的立體分解圖。

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例2的修整組件的立體圖。

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例2的修整組件具有一個(gè)第一前刀面 的側(cè)視圖。

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例2的修整組件具有兩個(gè)第一前刀面的側(cè)視圖。

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例2的修整組件具有第一前刀面以及第一抵靠部的側(cè)視圖。

圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例3的修整組件的立體圖。

圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例3的修整組件的側(cè)視圖。

圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例4的修整組件的立體圖。

圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例4的修整組件的另外一側(cè)視示意圖。

圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例5的修整組件的立體圖。

圖14為本實(shí)用新型實(shí)施例5的拋光墊修整裝置的立體組合圖。

圖15為本實(shí)用新型實(shí)施例6的拋光墊修整裝置的立體組合圖。

圖16為本實(shí)用新型實(shí)施例7的修整組件的立體圖。

圖17為本實(shí)用新型實(shí)施例的設(shè)置于定位結(jié)構(gòu)上的微結(jié)構(gòu)層的示意圖。

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。

具體實(shí)施方式

顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員基于本實(shí)用新型的宗旨所做的許多修改和變化屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除非特意聲明，這里使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”、“所述”和“該”也可包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)該進(jìn)一步理解的是，本說明書中使用的措辭“包括”是指存在所述特征、整數(shù)、步驟、 操作、組件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、組件、組件和/或它們的組。應(yīng)該理解，當(dāng)稱組件、組件被“連接”到另一組件、組件時(shí)，它可以直接連接到其它組件或者組件，或者也可以存在中間組件或者組件。這里使用的措辭“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)的任一單元和全部組合。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除非另外定義，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員的一般理解相同的意義。還應(yīng)該理解的是，諸如通用字典中定義的那些術(shù)語應(yīng)該被理解為具有與現(xiàn)有技術(shù)的上下文中的意義一致的意義，并且除非像這里一樣定義，不會用理想化或過于正式的含義來解釋。

為便于對本實(shí)用新型實(shí)施例的理解，下面將做進(jìn)一步的解釋說明，且各個(gè)實(shí)施例并不構(gòu)成對本實(shí)用新型實(shí)施例的限定。

一種通過第一切削件以有效控制拋光墊的表面粗糙度的拋光墊修整裝置。

以下是通過特定的具體實(shí)施例來說明本實(shí)用新型所公開有關(guān)“拋光墊修整裝置＂的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所公開的內(nèi)容了解本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)與效果。本實(shí)用新型可通過其它不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。另外，本實(shí)用新型的附圖僅為簡單示意說明，并非依實(shí)際尺寸的描繪，予以聲明。以下的實(shí)施方式將進(jìn)一步詳細(xì)說明本實(shí)用新型的相關(guān)技術(shù)內(nèi)容，但所公開的內(nèi)容并非用以限制本實(shí)用新型的技術(shù)范圍。

應(yīng)理解，雖然本文中可能使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種組件或信號等，但這些組件或信號不應(yīng)受這些術(shù)語限制。 這些術(shù)語乃用以區(qū)分一組件與另一組件，或者一信號與另一信號。另外，如本文中所使用，術(shù)語“或”視實(shí)際情況可能包括相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)目中的任一個(gè)或者多個(gè)的所有組合。

首先，請參閱圖2A、圖2B、圖2C以及圖2D所示，本實(shí)用新型提供一種拋光墊修整裝置，其提供一切削件(例如第一切削件22或第二切削件23)用以修整拋光墊E上的材料。舉例來說，切削件可為一片狀切削件。以下先以第一切削件22進(jìn)行說明。第一切削件22的一頂端具有一刀刃部K以及一抵靠部223(請參閱圖2D所示，例如第一抵靠部223或第二抵靠部233)。刀刃部K位于第一切削件22的頂端的一前緣處，抵靠部223與刀刃部K相鄰且并列延伸。另外，抵靠部223可為一平面或一弧面。再者，刀刃部K具有一朝向基座1(請參閱圖3所示)方向延伸的前刀面(例如第一前刀面222或第二前刀面232)以及一朝向所述頂端的方向延伸的后刀面(例如第一后刀面221或第二后刀面231)，且后刀面與前刀面之間可以形成一介于30～75度之間的夾角。刀刃部K的長度可介于1～20毫米(mm)之間。須說明的是，以下先以第一切削件22的第一后刀面221及第一前刀面222進(jìn)行說明。

請復(fù)參閱圖2A、圖2B、圖2C以及圖2D以說明當(dāng)?shù)谝磺邢骷?2的刀刃部接觸于拋光墊E的待切削面之情形。圖2A為本實(shí)用新型其中一切削件與拋光墊接觸的示意圖。第一切削件22的刀刃部K與拋光墊E接觸時(shí)，第一前刀面222與垂直于拋光墊E的垂直線之間形成一正斜角(rake angle)θ1而第一后刀面221與拋光墊E的待切削面完全接觸。藉此在切削過程中，拋光墊E上被移除的材料(切屑chip)會沿著第一前刀面222滑移至一排屑通道。附帶一提，正斜角θ1可以介于0度至60度之間，更 佳的是介于30～45度之間，最佳的為45度(shear angle)。藉此，通過45度的正斜角θ1，使得第一切削件22具有最佳移除材料的剪切角，且剪切力最小。另外，正斜角θ1的角度愈大，刀刃愈鋒利，愈容易移除拋光墊上的材料，但刀具強(qiáng)度也相對變?nèi)酢?/p>

請參閱圖2B，圖2B為本實(shí)用新型另外一切削件與拋光墊接觸的示意圖。第一切削件22的刀刃部K與拋光墊接觸時(shí)，第一前刀面222與垂直于拋光墊E的垂直線之間形成一正斜角θ1而后刀面221與拋光墊的待切削面之間形成一逃讓角(clearance or relief angle)θ2。舉例來說：逃讓角θ2可以大于0度，更甚至逃讓角θ2的角度介于0度至15度之間，而最佳的是逃讓角θ2介于3度至7度之間。藉此，在切削過程中，逃讓角θ2可以減少第一后刀面221與拋光墊E的接觸而影響拋光墊E上已加工的部份，同時(shí)通過逃讓角θ2也避免切削件22與拋光墊E的接觸面積過大而降低切削力。

請參閱圖2C，圖2C為本實(shí)用新型再一切削件與拋光墊接觸的示意圖。本實(shí)施例中第一切削件22具有一第一后刀面221、一第一前刀面222以及一連接于第一后刀面221與第一前刀面222之間的第一抵靠部223。當(dāng)?shù)谝磺邢骷?2的刀刃部K與拋光墊E接觸時(shí)，第一抵靠部223與拋光墊E的待切削面接觸，且第一前刀面222與垂直于拋光墊E的垂直線之間形成一正斜角θ1而第一后刀面221與拋光墊E的待切削面之間形成一逃讓角θ2。因此，當(dāng)?shù)谝磺邢骷?2切削拋光墊E上的材料時(shí)，第一抵靠部223會先對具有彈性的拋光墊E造成部分隆起以定義出需要去除的材料。接著，第一前刀面222將隆起的材料移除。藉此， 第一抵靠部223的設(shè)計(jì)可以避免過度移除拋光墊E上的材料及增加第一切削件22的磨耗壽命。另外值得一提的是，第一抵靠部223還可以設(shè)計(jì)成具有一圓弧的切面。換句話說，第一抵靠部223可以作為一定位結(jié)構(gòu)，且該定位結(jié)構(gòu)形成或設(shè)置在第一切削件22上。然而，須說明的是，在其它實(shí)施方式中，定位結(jié)構(gòu)也可以形成或設(shè)置在基座1上，且凸出于基座的1上表面(請參閱實(shí)施例2，定位結(jié)構(gòu)可為圖11所示的定位件24)，本實(shí)用新型不以此為限。值得注意的是，定位結(jié)構(gòu)可用于限位第一切削件22相對于拋光墊E之間的高度，因此，定位結(jié)構(gòu)(例如第一抵靠部223或定位件24)的高度可低于或等于第一切削件22的高度。又或者是，定位結(jié)構(gòu)(例如第一抵靠部223或定位件24)的高度可低于或等于刀刃部K的高度，然本實(shí)用新型不以此為限。

請參閱圖2D，圖2D為本實(shí)用新型又一切削件的刀刃部與拋光墊接觸的示意圖。刀刃部K具有一后刀面221、一前刀面222，且后刀面221與前刀面222之間還可以具有一倒角R(edge radius)，且倒角的半徑介于0.01～300微米(micrometer,m)之間。其中倒角R的設(shè)計(jì)可以用以輔助第一后刀面221推切拋光墊E上多余的材料。須特別說明的是，如圖2A、2B以及2C所示的第一切削件22的刀刃部K上也可以具該倒角R。本領(lǐng)域具有通常知識者應(yīng)可依據(jù)自身的需求調(diào)整改變第一切削件22的刀刃部K，將正斜角θ1的角度、逃讓角θ2的角度以及倒角R的半徑選擇性的設(shè)計(jì)于第一切削件22上，本實(shí)用新型與此不再多加贅述。

然而，拋光墊修整裝置可以具有多種不同的變化態(tài)樣。舉例來說，第一切削件22可以具有不同的刀刃部K?；蛘?，第一切 削件22上可以具有多個(gè)刀刃部K。又或者，拋光墊修整裝置可以具有不同的排列形式。以下將通過不同的實(shí)施例一一介紹變化態(tài)樣。

實(shí)施例1：

首先，請參閱圖3并配合前述圖2A至圖2D所示，圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1的第一切削件的立體示意圖。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種拋光墊修整裝置Z，其包括:一基座1以及第一切削件22。第一切削件22頂端具有一刀刃部K以及一抵靠部223(請參閱圖2C及圖2D)，刀刃部K位于第一切削件22的頂端的前緣處，刀刃部K具有一朝向基座1方向延伸的第一前刀面222以及一朝向所述頂端的方向延伸的第一后刀面221。其中第一后刀面221會與拋光墊E接觸，且通過第一前刀面222切削移除拋光墊E上的材料。于此實(shí)施例中，刀刃部K具有介于0度至60度的正斜角θ1，以及具有介于0度至15度θ2之間的逃讓角。于其它實(shí)施例中，第一切削件也可以具有如圖2D所示的倒角R結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型在此不做任何限制。

承上述，本實(shí)施例中第一切削件22可以通過黏貼的方式直接設(shè)置在基座1上。于其它實(shí)施例中，第一切削件22也可以通過嵌入或者通過卡固的方式設(shè)置在基座1上。本領(lǐng)域具有通常知識者應(yīng)可自行簡單變化將第一切削件22設(shè)置在基座1上，本實(shí)用新型不以此為限。

實(shí)施例2：

請參閱圖4，圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例2的拋光墊修整裝置的立體分解圖。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種拋光墊修整裝置Z，其包括:一基座1以及多個(gè)修整組件2。每一個(gè)修整組件2包括 一設(shè)置在基座1上的承載組件21以及一設(shè)置在承載組件21上的第一切削件22，第一切削件22與承載組件21的間形成一排屑通道g。

承接上述，基座1上具有多個(gè)容置凹槽11，且多個(gè)修整組件2分別設(shè)置在多個(gè)容置凹槽11內(nèi)。舉例來說，修整組件2可以用卡合、黏合、卡固、嵌入、黏貼、螺設(shè)等不同方式讓修整組件2設(shè)置于容置凹槽11之中。因此，每一個(gè)修整組件2可拆卸地設(shè)置在相對應(yīng)的容置凹槽11內(nèi)。附帶一提，修整組件2可以成對的設(shè)置在基座1上，以保持整個(gè)基座1的平衡，避免高速旋轉(zhuǎn)時(shí)所產(chǎn)生的震動(dòng)。

請參閱圖5，圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例2的修整組件的立體圖。每一個(gè)修整組件2包括承載組件21以及第一切削件22。承載組件21具有一第一凸部211以及一與第一凸部211彼此分離的第二凸部212，且排屑通道g設(shè)置在第一凸部211以及第二凸部212之間。并且，第一切削件22跨設(shè)于排屑通道g上，且設(shè)置于第一凸部211以及第二凸部212上。再者，第一切削件22還可以設(shè)計(jì)成可拆卸地設(shè)置在承載組件21上。詳言之，第一切削件22的頂端的前緣處具有一刀刃部K，刀刃部K具有一朝向所述頂端的方向延伸的第一后刀面221以及一朝向承載組件21方向延伸的第一前刀面222。其中第一后刀面221會與拋光墊E接觸，且通過第一前刀面222切削移除拋光墊E上的材料。藉此，第一前刀面222整面移除拋光墊E上的材料使得拋光墊E更平坦，且切削后的材料可以通過排屑通道g排出。附帶一提，第一切削件22的長度D1可以為1毫米(mm)～20毫米(mm)之間，且刀刃部K的長度可以與第一切削件22的長度完全相同，或者小 于第一切削件22，本實(shí)用新型并不以此為限制。并且，第一切削件22的刀刃部K的材料可以選用為單晶鉆石、聚晶鉆石(Polycrystalline Diamond,PCD)、CVD鉆石(chemical vapor deposition diamond(化學(xué)氣相沈積鉆石法))、硬質(zhì)合金切削件結(jié)合鍍CVD鉆石膜、(PCD)聚晶鉆石切削件結(jié)合鍍CVD鉆石膜、陶瓷材料結(jié)合鍍CVD鉆石膜或者其它材料鍍CVD鉆石，本實(shí)用新型并不以此為限制。

須特別說明的是，于本實(shí)施例中的第一切削件的刀刃部K設(shè)計(jì)如圖2B所示的結(jié)構(gòu)，具有角度介于0度至15度之間或1度至15度之間的逃讓角θ2。然而，于其它實(shí)施例中第一切削件22的刀刃部K的設(shè)計(jì)可以如圖2A或圖2C所示，或者是第一切削件22的刀刃部K也可以設(shè)計(jì)為具有如2D所示的倒角R結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域具有通常知識者應(yīng)可依實(shí)際情況自行變化，在此不再多加贅述。

接續(xù)上述，修整組件2可以有多種不同的變化態(tài)樣以提升切削移除拋光墊E上材料的效率，以及增加拋光墊修整裝置的應(yīng)用廣度。舉例來說，請一并配合圖5，并參閱圖6、圖7以及圖8，圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例2的修整組件具有一個(gè)第一前刀面的側(cè)視圖。圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例2的修整組件具有兩個(gè)第一前刀面的側(cè)視圖。圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例2的修整組件具有第一前刀面以及第一抵靠部的側(cè)視圖。

如圖6所示，第一切削件22具有一個(gè)刀刃部K，且刀刃部K上具有一第一前刀面222，且第一前刀面222由刀刃部K的頂端延伸至承載組件21上。同樣地，圖6所示的實(shí)施例中的第一切削件22具有角度介于0度至15度之間的逃讓角θ2。于其它實(shí) 施例中，第一切削件22也可以設(shè)計(jì)成不具有逃讓角θ2，或者第一切削件22的刀刃部K可以設(shè)計(jì)具有半徑介于0.01～300微米的倒角R結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型對于第一切削件22的設(shè)計(jì)可有任意變化，于此不再多加贅述。

如圖7所示，第一切削件22具有兩個(gè)刀刃部K，且每一個(gè)刀刃部K上都具有第一前刀面222。兩個(gè)第一前刀面222分別由第一后刀面221延伸至承載組件21上。于本實(shí)施例中，兩個(gè)第一前刀面222分別與承載組件21所形成的角度θ3相同。于其它實(shí)施例中，兩個(gè)第一前刀面222分別與承載組件21所形成的角度θ3也可以有所不同。

如圖8所示，修整組件2上只有一個(gè)第一切削件22，且第一切削件22具有一第一前刀面222。以圖8的實(shí)施例而言，定位結(jié)構(gòu)可形成在修整組件2上，進(jìn)一步來說，定位結(jié)構(gòu)可形成在第一切削件22上，以下以定位結(jié)構(gòu)為第一抵靠部223進(jìn)行說明。詳細(xì)來說，第一切削件22的頂端具有至少一第一抵靠部223(定位結(jié)構(gòu))，且至少一第一抵靠部223與至少一第一前刀面222彼此相連，且第一抵靠部223的高度低于或等于刀刃部K的高度。再者，第一抵靠部223連接于第一后刀面221與第一前刀面222之間。附帶一提，圖8所示的第一切削件22上也可以如同圖7所示的第一切削件22般具有兩個(gè)第一前刀面222，且兩個(gè)第一前刀面222都各別具有第一抵靠部223，其可結(jié)合圖4以及圖5以完成，于此不再多加贅述。圖8所示的實(shí)施例中的第一切削件22還可以設(shè)計(jì)具有角度介于0度至15度之間的逃讓角θ2?；蛘?，第一切削件22的刀刃部K可以設(shè)計(jì)具有半徑介于0.01～300微米的倒角R結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型對于第一切削件22的設(shè)計(jì)可有 任意變化，于此不再多加贅述。

實(shí)施例3：

請參閱圖9以及圖10，圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例3的修整組件的立體圖。圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例3的修整組件的側(cè)視圖。每一個(gè)修整組件2還包括一第二切削件23，且第二切削件23與第一切削件22彼此相鄰設(shè)置。同樣地，第二切削件23跨設(shè)于排屑通道g上，且設(shè)置于第一凸部211以及第二凸部212上。再者，第二切削件23也可以設(shè)計(jì)成可拆卸地設(shè)置在承載組件21上。并且，修整組件2的第一切削件22可以具有至少一第一前刀面222，第二切削件23具有至少一第二前刀面232。另外，須說明的是，在其它實(shí)施方式中也可以不用設(shè)置排屑通道g，而是直接將第一切削件22及第二切削件23設(shè)置于承載組件21上。

承接上述，于實(shí)施例3中第一切削件22與第二切削件23可以具有完全相同的結(jié)構(gòu)。第二切削件23的結(jié)構(gòu)可參考前述針對第一切削件22的多種態(tài)樣(如圖6至圖8所示)。舉例來說，復(fù)請參閱圖7，第一切削件22的頂端具有至少一第一抵靠部223，至少一第一抵靠部223與至少一第一前刀面222彼此相連，第二切削件23的頂端具有至少一第二抵靠部233，且至少一第二抵靠部233與至少一第二前刀面232彼此相連。又或者，于其它實(shí)施例中第一切削件22與第二切削件23可以具有不相同的結(jié)構(gòu)。舉例來說，第一切削件22設(shè)計(jì)如圖6所示而第二切削件設(shè)計(jì)如圖7所示。本領(lǐng)域具有通常知識者可依實(shí)際上需求調(diào)整設(shè)計(jì)第一切削件22與第二切削件23的結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型并不以此為限制。

實(shí)施例4：

請參閱圖11以及圖12，圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例4的修整 組件的立體圖。圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例4的修整組件的其中一側(cè)視示意圖。于實(shí)施例4中，修整組件2具有一第一切削件22以及一定位結(jié)構(gòu)，以圖11及圖12的實(shí)施例而言，定位結(jié)構(gòu)可形成在修整組件2上，進(jìn)一步來說，定位結(jié)構(gòu)可形成在承載組件21上，以下以定位結(jié)構(gòu)為定位件24進(jìn)行說明。詳細(xì)來說，定位件24(定位結(jié)構(gòu))的高度可低于或等于第一切削件22的高度，定位件24與第一切削件22并列設(shè)置在承載組件21上，用以控制第一切削件22相對于定位件24的高度差，并限制第一切削件22凸出定位件24的切削深度。更詳細(xì)的來說，定位件24設(shè)置在第一切削件22的前方，因此當(dāng)修整組件2與研磨墊接觸時(shí)，定位件24會先接觸研磨墊的待切削面，以壓平凹凸不均的待切削面。接著，第一切削件22會進(jìn)行切削定位件24所限制的高度差，藉以控制第一切削件22凸出于定位件24的切削深度。值得說明的是，在其它實(shí)施方式中，定位結(jié)構(gòu)(定位件24)也可以具有一切削結(jié)構(gòu)C，該切削結(jié)構(gòu)C具有與第一切削件22的刀刃部K相同移除材料的效果。

接續(xù)上述，可以通過改變第一切削件22和承載組件21之間的高度與定位件24和承載組件21之間的高度以控制待切削的深度。舉例來說，第一切削件22的頂端與承載組件21之間的距離為第一距離h1，定位件24的一頂面241與承載組件21之間的距離為第二距離h2，其中如圖12所示，第一距離h1可大于第二距離h2。然而，于其它實(shí)施例中第一距離h1與第二距離h2可以相同或是第一距離h1略低于第二距離h2。因此，通過第一距離h1與第二距離h2之差值，第一切削件22的切削深度可以設(shè)定為該差值。第一距離h1與第二距離h2的差值可以介于0 微米至100微米(micrometer,m)之間，較佳地，第一距離h1與第二距離h2的差值可以介于20微米至50微米之間，換句話說，定位結(jié)構(gòu)(定位件24或第一抵靠部223)的高度可低于第一切削件22的頂面0微米至100微米之間，或可低于第一切削件22的頂面20微米至50微米之間。附帶一提，通過定位件24還可以以避免修整組件2的第一切削件22刺入拋光墊E過深，移除過多拋光墊E上的材料。另外，值得說明的是，定位件24的一頂面241可為一平面或是一弧面，本實(shí)用新型不以此為限。

另外，請先參閱圖17所示，定位件24(定位結(jié)構(gòu))也可以具有一微結(jié)構(gòu)層U，舉例來說，微結(jié)構(gòu)層U可以是一磨削微結(jié)構(gòu)，，且通過定位件24上的磨削微結(jié)構(gòu)與拋光墊E的待切削面接觸，可以使得待切削面上多余的材料被定位件24所梳立。接著，第一切削件22將拋光墊E上被梳立的材料切除。值得說明的是，前述抵靠部223也可以具有一微結(jié)構(gòu)層U，以達(dá)到上述效果。藉此，通過磨削的機(jī)制可產(chǎn)生犁切作用。微結(jié)構(gòu)層U是一梳狀結(jié)構(gòu)。值得說明的是，微結(jié)構(gòu)層U也可以是一呈粗糙狀的微結(jié)構(gòu)、呈顆粒狀的微結(jié)構(gòu)、呈數(shù)組狀的微結(jié)構(gòu)、呈鋸齒型狀的微結(jié)構(gòu)、呈金字塔狀的微結(jié)構(gòu)或者是呈不規(guī)則狀的微結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型不以此為限。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，以上所述只是拋光墊修整裝置一典型實(shí)施態(tài)樣而已，本實(shí)用新型的后續(xù)應(yīng)用可以在不同的實(shí)施態(tài)樣上具有各種的變化。

實(shí)施例5：

舉例來說，請參閱圖13以及圖14，圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例5的修整組件的立體圖。圖14為本實(shí)用新型實(shí)施例5的拋光 墊修整裝置的立體組合圖。如圖13所示，修整組件2’具有一承載組件21’以及一設(shè)置于承載組件21’上的第一切削件22’。承載組件21’具有一平坦部213’以及一相鄰于平坦部213’的第一凸部211’。平坦部213’上具有至少一鎖孔214’，藉由鎖孔214’用以將修整組件2’螺固于基座上。以實(shí)施例5而言，鎖孔214’可包括一第一鎖孔2141’、一第二鎖孔2142’以及一第三鎖孔2143’。藉此，使得承載組件21’具有并列的第一鎖孔2141’、一第二鎖孔2142’以及一第三鎖孔2143’，以用以將第一切削件22’固設(shè)在基座1’上。舉例來說，可先利用一固定件(螺鎖件)穿過第二鎖孔2142’后將第一切削件22’固設(shè)在基座1’上。接著，再利用另外兩個(gè)固定件穿過第一鎖孔2141’及第三鎖孔2143’，以調(diào)整第一切削件22’的水平高度。須說名的是，每一個(gè)設(shè)置于基座1’上的第一切削件22’優(yōu)選為保持在同一水平高度上。另外，第一切削件22’設(shè)置于第一凸部211’上，第一切削件22’具有一刀刃部K’設(shè)計(jì)成一半徑介于10～100毫米(millimeter，mm)之間的圓弧邊緣T。刀刃部K’具有第一后刀面221’以及第一前刀面222’，且第一后刀面221’與第二前刀面222’連接以形成一弧形刀刃部K。通過第一后刀面221’與拋光墊E的待切削面接觸，第二前刀面222’可以切削多余的材料，且切削可以順著第一凸部211’上的一斜切面215’滑移。值得一提的是，第二前刀面222’與斜切面215’可以具有相同的斜率并相互連接。又或者，第二前刀面222’與斜切面215’可以具有不同的斜率。其中承載組件21’還具有一排削切面216’，排削切面216’連接于斜切面215’與第一凸部211’之間。當(dāng)?shù)谝磺邢骷?2’切削拋光墊E多于材質(zhì)時(shí)，藉 由排削切面216’以及斜切面215’可以輔助切削經(jīng)由排削切面216’以及斜切面215’滑動(dòng)排除。

請參閱圖14所示，拋光墊修整裝置Z’具有兩兩對稱排列的修整組件2’，且每一個(gè)修整組件2’的前方都分別具有一定位結(jié)構(gòu)，以下以定位結(jié)構(gòu)為定位件3’進(jìn)行說明。詳細(xì)來說，以圖14的實(shí)施例來說，定位件3’(定位結(jié)構(gòu))可形成在基座1’上，且定位件3’的高度可低于或等于刀刃部K’的高度。修整組件2’可通過一螺絲(圖中未標(biāo)號)螺固于鎖孔214’內(nèi)，以螺合修整組件2’與基座1’。附帶一提，定位件3’與修整組件2’之間具有一預(yù)定距離，使得第一前刀面222’、斜切面215’和定位件3’之間會形成一空間。因此當(dāng)?shù)谝磺暗睹?22’所切削后的材料可以滑移至定位件3’與修整組件2’所形成的空間中，使得此預(yù)定距離類似于前述實(shí)施例中的排屑通道g。另外，值得說明的是，定位件3’(定位結(jié)構(gòu))的一頂面(圖中未標(biāo)號)可為一平面或一弧面。進(jìn)一步來說，定位件3’的位置也非得如圖式所示的設(shè)置于修整組件2’前端，在其它實(shí)施方式中定位件3”也可以設(shè)置于兩個(gè)修整組件2’之間，或是將定位件3”’設(shè)置于基座1’的中間。須注意的是，定位件3’、定位件3”、定位件3”’可以擇一設(shè)置或是依需求而選擇性的設(shè)置。值得說明的是，在其它實(shí)施方式中，定位結(jié)構(gòu)(定位件3’,3”,3”’)也可以具有一切削結(jié)構(gòu)C(圖14中未示出，請參閱圖12所示)，該切削結(jié)構(gòu)C具有與第一切削件22的刀刃部K相同的切削效果。需注意的是，定位件3’也可以設(shè)置有如同前述實(shí)施例所述的微結(jié)構(gòu)層U。

實(shí)施例6：

再者，拋光墊修整裝置Z上的修整組件還可以有不同的排列方式以加強(qiáng)加工拋光墊的效率。請參閱圖15，圖15為本實(shí)用新型實(shí)施例6的拋光墊修整裝置的立體組合圖。修整組件2可以排列成放射狀的設(shè)置在基座1上，例如:順時(shí)針或逆時(shí)針。于本實(shí)施例中，將修整組件2呈逆時(shí)針的設(shè)置于基座1上，可以使得拋光墊修整裝置M于拋光墊上旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過切線運(yùn)動(dòng)將切屑排出。于其它實(shí)施例中，修整組件2也可以通過其它的排列方式設(shè)置在基座1上，以增加加工拋光墊時(shí)候的效率。本領(lǐng)域具有通常知識者可依實(shí)際上的需求調(diào)整設(shè)計(jì)修整組件2的排列方式，只要修整組件2呈現(xiàn)對稱方式或平均分布在基座上面以避免震動(dòng)即可，本實(shí)用新型并不以此為限制。

實(shí)施例7：

請參閱圖16所示，圖16為本實(shí)用新型實(shí)施例7的修整組件的立體圖。修整組件2”具有一第一切削件22”，第一切削件22”具有一刀刃部K”、一第一后刀面221”及一第一前刀面222”，刀刃部K”、第一后刀面221”及第一前刀面222”的特征如同前述實(shí)施例所述，在此容不再贅述。值得注意的是，第一切削件22”的材質(zhì)可選自金屬(例如但不限于：鉬(Molybdenum,Mo)、鐵(Fe)或釩(Vanadium,V))、合金(例如但不限于：碳化鎢(Tungsten Carbide,WC))、聚晶鉆石(Polycrystalline Diamond,PCD)、陶瓷(例如但不限于：碳化硅(Silicon carbide,SiC)或氧化鋁(Al₂O₃))。再者，第一切削件22”上還可設(shè)置有一薄膜層P，舉例來說，該薄膜層P可以為一鉆石膜，且鉆石膜可以是CVD鉆石、多晶鉆石或奈米鉆石等，本實(shí)用新型不以此為限。值得注意的是，薄膜層P也可以完全包 覆拋光墊修整裝置Z或覆蓋第一切削件22”，本實(shí)用新型不以薄膜層P是否完全包覆第一切削件22”或僅覆蓋刀刃部K”為限。換句話說，拋光墊修整裝置Z的整體外表面可以鍍上一層薄膜層P。

值得說明的是，第一切削件22”還包括一平坦部224，且平坦部224上具有至少一鎖孔225，通過鎖孔225的設(shè)置可用以將修整組件2”螺固于基座上。以實(shí)施例7而言，鎖孔225可包括一第一鎖孔2251、一第二鎖孔2252以及一第三鎖孔2253。藉此，以用以將第一切削件22”固設(shè)在基座上，也可以調(diào)整高度水平。

本實(shí)用新型的其中一有益效果在于，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的拋光墊修整裝置，其可通過“所述定位結(jié)構(gòu)(第一抵靠部223、定位件24或定位件3’)形成在所述切削件(第一切削件22或第二切削件23)上或所述基座(1,1’)上，其中所述定位結(jié)構(gòu)的高度低于或等于所述切削件的刀刃部(k,K’,K”)的高度＂的技術(shù)手段，可以將拋光墊E上多余的材料切削而不會產(chǎn)生隆起，使得拋光墊E的拋光面能夠較為平坦，以有效控制拋光墊E的表面粗糙度。

【符號說明】

拋光墊修整Q、Z、Z’

裝置

基座 1、1’ 容置凹槽 11

修整組件 2、2’、 承載組件 21、21’2”

第一凸部211 211、211’

第二凸部212 212

平坦部 213’

鎖孔 214’

第一鎖孔 2141’

第二鎖孔 2142’

第三鎖孔 2143’

斜切面 215’

第一切削件 22、22’、22”

第一后刀面 221、221’、221”

第一前刀面 222、222’、222”

第一抵靠部 223

平坦部 224

鎖孔 225

第一鎖孔 2251

第二鎖孔 2252

第三鎖孔 2253

第二切削件 23

第二后刀面 231

第二前刀面 232

第二抵靠部 233

定位件 24

頂面 241

定位件 3’, 3”,3”’

刀刃部 K、K’、K”

薄膜層 P

長度 D1

排屑通道 g

正斜角 θ1

逃讓角 θ2

角度 θ3

第一距離 h1

第二距離 h2

磨粒 d

拋光墊 E

倒角 R

圓弧邊緣 T

切削結(jié)構(gòu) C

微結(jié)構(gòu)層 U

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳可行實(shí)施例，非因此局限本實(shí)用新型的專利范圍，故舉凡運(yùn)用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所做的等效技術(shù)變化，均包含于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。