技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，先在銅箔上采用磁控濺射技術(shù)沉積一定厚度的ITO薄膜，然后在ITO薄膜的表面噴涂一定厚度的環(huán)氧樹脂AB膠，同時將噴涂了環(huán)氧樹脂AB膠的面與PET膜通過輥壓方式進行貼合，并在一定溫度下加熱一定時間使環(huán)氧樹脂AB膠固化，最后放入硝酸鐵刻蝕液去除銅箔，并用去離子水清洗后烘干，得到轉(zhuǎn)移的ITO薄膜。本發(fā)明解決了高溫沉積ITO薄膜向柔性襯底的轉(zhuǎn)移，有效提高PET柔性襯底ITO薄膜的光電性能，克服已有技術(shù)不能直接通過高溫沉積在柔性襯底上實現(xiàn)結(jié)晶態(tài)，或通過改進沉積工藝或薄膜制備方法的途徑對柔性襯底ITO薄膜結(jié)晶性能的提升也并不明顯的技術(shù)問題。

技術(shù)研發(fā)人員：朱歸勝;徐華蕊;陳一達(dá);俞兆喆;趙昀云;顏東亮
受保護的技術(shù)使用者：桂林電子科技大學(xué)
文檔號碼：201611166575
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.16
技術(shù)公布日：2017.05.17