本發(fā)明屬于ITO透明導(dǎo)電薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法。

背景技術(shù)：

ITO薄膜是一種典型的半導(dǎo)體透明導(dǎo)電氧化物薄膜材料，由于其具有高的可見光透率、低紅外發(fā)射率、優(yōu)良的導(dǎo)電性、環(huán)境適應(yīng)性和應(yīng)用加工性，已廣泛應(yīng)用于平板顯示、觸控屏、太陽能薄膜電池、OLED等行業(yè)。

當(dāng)前，隨著有機(jī)光電器件的快速發(fā)展，小型化和輕便化已成為重要的發(fā)展趨勢(shì)，柔性襯底ITO薄膜材料已受到研究者和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。但是，當(dāng)前在PET膜上沉積ITO薄膜時(shí)，一般采用低溫沉積技術(shù)。由于在低溫沉積條件下制備的ITO薄膜一般是呈現(xiàn)非晶態(tài)，因而ITO透明導(dǎo)電薄膜具有導(dǎo)電的熱穩(wěn)定性差、可見光透過率低、使用壽命短、易磨損等缺點(diǎn)，其光電等理化性能已難以滿足柔性平板顯示器件精細(xì)化發(fā)展的要求，迫切需要發(fā)展具有高度結(jié)晶性能的ITO柔性襯底薄膜材料。

由于柔性襯底一般所能耐受的溫度不超過200℃，而結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜材料制備一般需要400℃的加熱溫度，因此直接通過高溫沉積在柔性襯底上實(shí)現(xiàn)結(jié)晶態(tài)的方式難以實(shí)現(xiàn)，而通過改進(jìn)沉積工藝或薄膜制備方法的途徑對(duì)柔性襯底ITO薄膜結(jié)晶性能的提升也并不明顯。因此，現(xiàn)實(shí)的方法是先在其它襯底上通過高溫沉積結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜，然后再轉(zhuǎn)移至PET膜上實(shí)現(xiàn)具有結(jié)晶態(tài)ITO薄膜在柔性襯底的制備。

在背景中部分公開的上述信息僅僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解，因此上述信息可以包含不構(gòu)成本國(guó)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的旨在提供一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，通過該方法可以實(shí)現(xiàn)結(jié)晶態(tài)ITO薄膜材料到PET柔性襯底材料的轉(zhuǎn)移，對(duì)提高柔性襯底ITO薄膜的光電性能具有十分積極的作用。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案是：

一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，包括如下步驟：

步驟1：在銅箔上采用磁控濺射制備一定厚度的結(jié)晶態(tài)ITO薄膜；

步驟2：采用噴涂技術(shù)在ITO薄膜的表面噴涂一定厚度的AB膠；

步驟3：將噴涂了AB膠的面與PET薄通過輥壓方式貼合；

步驟4：將貼合后的膜放置在一定溫度的加熱臺(tái)上烘烤一定時(shí)間，使AB膠固化；

步驟5：放入硝酸鐵溶液將銅箔刻蝕；

步驟6：用去離子水超聲清洗3次～4次，然后烘干。

進(jìn)一步地，步驟1中所述銅箔的厚度為16μm～30μm。

進(jìn)一步地，步驟1中所述的結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜是指XRD測(cè)試結(jié)果具有222或400主晶相的結(jié)晶態(tài)薄膜。

進(jìn)一步地，步驟1中所述磁控濺射包括直流磁控濺射和射頻磁控濺射，其濺射的工藝為：背底真空度為8.0×10^-4Pa，濺射氣壓為0.5Pa～3Pa，氧氣體積比含量為0.5%～20%，襯底加熱溫度為350℃～500℃，靶基距為8cm～10cm，濺射功率為50W～200W。

進(jìn)一步地，以上步驟1中所述一定厚度是控制ITO薄膜的厚度為100nm～800nm。

進(jìn)一步地，以上步驟2中所述一定厚度AB膠是控制其膠厚度為5μm～20μm。

進(jìn)一步地，以上所述AB膠是由環(huán)氧樹脂為基的雙組分耐高溫膠粘劑，為市售產(chǎn)品。

進(jìn)一步地，以上步驟4中所述一定溫度為75℃～80℃，所述一定時(shí)間為30分鐘～120分鐘。

進(jìn)一步地，以上步驟5中所述硝酸鐵溶液的重量百分比濃度為10%，所述刻蝕的時(shí)間為2小時(shí)～10小時(shí)。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果：

1、本發(fā)明通過以銅箔為襯底材料，通過高溫沉積具有結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜，然后再通過轉(zhuǎn)移的方式將結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜轉(zhuǎn)移到PET柔性襯底上，實(shí)現(xiàn)了在PET柔性襯底上結(jié)晶態(tài)ITO薄膜的制備，可有效提高PET柔性襯底ITO薄膜的熱穩(wěn)定性，可見光透過率高，使用壽命長(zhǎng)，耐磨等光電理化性能，滿足柔性平板顯示器件精細(xì)化的要求。

2、本發(fā)明克服已有技術(shù)由于柔性襯底一般所能耐受的溫度不超過200℃，而結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜材料制備一般需要400℃的加熱溫度，不能直接通過高溫沉積在柔性襯底上實(shí)現(xiàn)結(jié)晶態(tài)，或通過改進(jìn)沉積工藝或薄膜制備方法的途徑對(duì)柔性襯底ITO薄膜結(jié)晶性能的提升也并不明顯的技術(shù)問題，現(xiàn)實(shí)了先在其它襯底上通過高溫沉積結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜，然后再轉(zhuǎn)移至PET膜上實(shí)現(xiàn)具有結(jié)晶態(tài)ITO薄膜在柔性襯底的制備。

附圖說明

圖1是本發(fā)明專利制備的轉(zhuǎn)移ITO薄膜與直接在PET上低溫沉積ITO薄膜的XRD對(duì)比圖譜；

圖2是本發(fā)明專利制備的轉(zhuǎn)移ITO薄膜與直接在PET上低溫沉積ITO薄膜的可見光透過率圖譜。

圖中標(biāo)識(shí)：①為PET膜上溫沉積的ITO薄膜；

②為轉(zhuǎn)移到PET膜上的ITO薄膜。

具體實(shí)施方式

為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合實(shí)施例進(jìn)一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，以優(yōu)化實(shí)施例意在具體說明本發(fā)明的思路，本發(fā)明之實(shí)施，并不限于優(yōu)化實(shí)施例所公開的方式，凡基于本發(fā)明的涉及思路，進(jìn)行簡(jiǎn)單推演與替換，得到的具體的金屬或非金屬薄膜的圖案，都屬于本發(fā)明的實(shí)施。

實(shí)施例1

一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，具體實(shí)施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用直流磁控濺射制備結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜：以20μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調(diào)節(jié)襯底加熱溫度為400℃，靶基距為8cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為5%，并調(diào)節(jié)濺射的總氣壓為1.5Pa，啟動(dòng)濺射電源，在50W的濺射功率下沉積100nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術(shù)，在ITO薄膜的表面均勻噴涂10μm厚度的環(huán)氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環(huán)氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對(duì)齊，然后同時(shí)經(jīng)過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜放置在溫度為76℃的加熱臺(tái)上烘烤60分鐘，使環(huán)氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡4小時(shí)，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗3次后烘干。

本實(shí)施例產(chǎn)品經(jīng)XRD測(cè)試結(jié)果具有222主晶相的結(jié)晶態(tài)薄膜，平均可見光透過率為91.3%。

實(shí)施例2

一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，具體實(shí)施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用直流磁控濺射制備結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜：以16μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調(diào)節(jié)襯底加熱溫度為500℃，靶基距為10cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為20%，并調(diào)節(jié)濺射的總氣壓為0.5Pa，啟動(dòng)濺射電源，在150W的濺射功率下沉積400nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術(shù)，在ITO薄膜的表面均勻噴涂5μm厚度的環(huán)氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環(huán)氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對(duì)齊，然后同時(shí)經(jīng)過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜放置在溫度為80℃的加熱臺(tái)上烘烤30分鐘，使環(huán)氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡2小時(shí)，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗4次后烘干。

本實(shí)施例產(chǎn)品經(jīng)XRD測(cè)試結(jié)果具有222主晶相的結(jié)晶態(tài)薄膜，平均可見光透過率為89.2%。

實(shí)施例3

一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，具體實(shí)施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用直流磁控濺射制備結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜：以22μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調(diào)節(jié)襯底加熱溫度為450℃，靶基距為9cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為6%，并調(diào)節(jié)濺射的總氣壓為1.5Pa，啟動(dòng)濺射電源，在150W的濺射功率下沉積800nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術(shù)，在ITO薄膜的表面均勻噴涂15μm厚度的環(huán)氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環(huán)氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對(duì)齊，然后同時(shí)經(jīng)過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜放置在溫度為80℃的加熱臺(tái)上烘烤60分鐘，使環(huán)氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡5小時(shí)，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗3次后烘干。

本實(shí)施例產(chǎn)品經(jīng)XRD測(cè)試結(jié)果具有222主晶相的結(jié)晶態(tài)薄膜，平均可見光透過率為84.6%。

實(shí)施例4

一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，具體實(shí)施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用射頻磁控濺射制備結(jié)晶態(tài)的一定厚度的ITO薄膜：以30μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調(diào)節(jié)襯底加熱溫度為350℃，靶基距為8cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為0.5%，并調(diào)節(jié)濺射的總氣壓為3.0Pa，啟動(dòng)濺射電源，在200W的濺射功率下沉積150nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術(shù)，在ITO薄膜的表面均勻噴涂20μm厚度的環(huán)氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環(huán)氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對(duì)齊，然后同時(shí)經(jīng)過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜放置在溫度為75℃的加熱臺(tái)上烘烤120分鐘，使環(huán)氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡10小時(shí)，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗3次后烘干。

本實(shí)施例產(chǎn)品經(jīng)XRD測(cè)試結(jié)果具有400主晶相的結(jié)晶態(tài)薄膜，平均可見光透過率為90.4%。

實(shí)施例5

一種轉(zhuǎn)移ITO薄膜的方法，具體實(shí)施步驟如下：

步驟1：在銅箔上采用射頻磁控濺射制備結(jié)晶態(tài)的ITO薄膜：以22μm厚的銅箔為襯底材料，將真空室抽真空度至8.0×10^-4Pa，調(diào)節(jié)襯底加熱溫度為420℃，靶基距為8cm，通入氬氣和氧氣，其中氧氣占總氣體的體積為10%，并調(diào)節(jié)濺射的總氣壓為2.0Pa，啟動(dòng)濺射電源，在180W的濺射功率下沉積280nm厚度的ITO薄膜。

步驟2：采用噴涂技術(shù)，在ITO薄膜的表面均勻噴涂15μm厚度的環(huán)氧樹脂AB膠溶液。

步驟3：將噴涂了環(huán)氧樹脂AB膠溶液的面先與PET膜對(duì)齊，然后同時(shí)經(jīng)過膠輥輥壓貼合，形成銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜。

步驟4：將貼合后的銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜放置在溫度為80℃的加熱臺(tái)上烘烤80分鐘，使環(huán)氧樹脂AB膠固化。

步驟5：將銅箔/ITO/環(huán)氧樹脂AB膠/PET的復(fù)合膜層有銅箔的一面懸浮在濃度為10%（重量百分比）的硝酸鐵刻蝕液，浸泡6小時(shí)，將銅箔去除。

步驟6：用去離子水超聲清洗3次后烘干。

本實(shí)施例產(chǎn)品經(jīng)XRD測(cè)試結(jié)果具有222主晶相的結(jié)晶態(tài)薄膜，平均可見光透過率為87.7%。