技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種提高離子束反應(yīng)濺射法制備碳化鍺薄膜牢固度的方法，其包括以下步驟：S1：基片清洗；S2：預(yù)濺射，將清洗后的基片放入離子束濺射鍍膜機(jī)內(nèi)，以Ge作為靶材，CH4作為反應(yīng)氣體，用離子源對(duì)Ge靶材進(jìn)行預(yù)濺射；S3：輔助離子源預(yù)轟擊基片；S4：離子束反應(yīng)濺射淀積Ge1?xCx薄膜，開啟主離子源，向真空室通入反應(yīng)氣體CH4，進(jìn)行Ge1?xCx薄膜淀積。本發(fā)明使用輔助離子源對(duì)基底進(jìn)行預(yù)轟擊，可以有效提高Ge1?xCx薄膜與基底之間的附著力，該工藝過程簡(jiǎn)單、有效、可靠。

技術(shù)研發(fā)人員：孫鵬;張鋒;季一勤;劉華松;冷健;尚鵬;楊霄;楊明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津津航技術(shù)物理研究所
文檔號(hào)碼：201610959060
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.03
技術(shù)公布日：2017.03.15