技術(shù)特征：

1.一種提高離子束反應(yīng)濺射法制備碳化鍺薄膜牢固度的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：基片清洗

S2：預(yù)濺射

將清洗后的基片放入離子束濺射鍍膜機(jī)內(nèi)，以Ge作為靶材，CH₄作為反應(yīng)氣體，用離子源對Ge靶材進(jìn)行預(yù)濺射；

S3：輔助離子源預(yù)轟擊基片

S4：離子束反應(yīng)濺射淀積Ge_1-xC_x薄膜

開啟主離子源，向真空室通入反應(yīng)氣體CH₄，進(jìn)行Ge_1-xC_x薄膜淀積。

2.如權(quán)利要求1所述的提高離子束反應(yīng)濺射法制備碳化鍺薄膜牢固度的方法，其特征在于，所述步驟S1中，基片清洗包括以下過程：

首先用蘸有體積比為1:1的無水乙醇和乙醚的混合液的脫脂紗布初步擦拭凈基片，隨后用脫脂紗布蘸拋光液對基片進(jìn)行拋光，然后依次用蘸有體積比為1:1的無水乙醇和乙醚的混合液的脫脂紗布和脫脂棉布擦拭基片表面，直至擦拭干凈為止。

3.如權(quán)利要求1所述的提高離子束反應(yīng)濺射法制備碳化鍺薄膜牢固度的方法，其特征在于，所述步驟S2中，預(yù)濺射時，Ar作為離子源工作氣體。

4.如權(quán)利要求3所述的提高離子束反應(yīng)濺射法制備碳化鍺薄膜牢固度的方法，其特征在于，所述步驟S2中，打開真空泵抽真空，當(dāng)真空室內(nèi)壓強(qiáng)降至10^-3Pa以下時，向主離子源和中和器內(nèi)充入Ar，流量控制在30sccm-55sccm之間，啟動中和器和離子源，用離子源對Ge靶材進(jìn)行預(yù)濺射。

5.如權(quán)利要求4所述的提高離子束反應(yīng)濺射法制備碳化鍺薄膜牢固度的方法，其特征在于，所述步驟S2中，預(yù)濺射時，離子源束壓控制在500V-1000V，束流控制在300mA以內(nèi)，時間為2min-5min。

6.如權(quán)利要求4所述的提高離子束反應(yīng)濺射法制備碳化鍺薄膜牢固度的方法，其特征在于，所述步驟S3中，預(yù)轟擊基片時，向輔助離子源和中和器內(nèi)充入Ar，流量控制在24sccm-55sccm之間，啟動中和器和離子源，將基底轉(zhuǎn)動到鍍膜位置，用輔助離子源對基片進(jìn)行鍍膜前預(yù)轟擊。

7.如權(quán)利要求6所述的提高離子束反應(yīng)濺射法制備碳化鍺薄膜牢固度的方法，其特征在于，所述步驟S3中，預(yù)轟擊基片時，輔助離子源束壓控制在150V-600V；束流控制在300mA以內(nèi)；時間為2min-15min。

8.如權(quán)利要求7所述的提高離子束反應(yīng)濺射法制備碳化鍺薄膜牢固度的方法，其特征在于，所述步驟S4中，Ge_1-xC_x薄膜淀積時，調(diào)節(jié)主離子源束壓為300V-1000V，束流為150mA-300mA，向真空室通入反應(yīng)氣體CH₄，流量在0sccm-80sccm之間，真空室壓強(qiáng)在8×10^-2Pa以下，進(jìn)行Ge_1-xC_x薄膜淀積，時間不少于1小時。