展示高導(dǎo)電性與高透明度的膜用作包括例如觸摸屏顯示器和光伏電池的各種電子應(yīng)用中的電極或涂層很有價值。這些應(yīng)用的當(dāng)前技術(shù)涉及使用經(jīng)物理氣相沉積法沉積的含有摻雜錫的氧化銦(ITO)的膜。物理氣相沉積法的高資金成本致使需要尋找替代的透明導(dǎo)電材料和涂布方法。使用如滲濾網(wǎng)絡(luò)般分散的銀納米線作為含ITO膜的有前景的替代方案出現(xiàn)。使用銀納米線潛在地提供可使用輥對輥技術(shù)處理的優(yōu)勢。因此，銀納米線提供透明度和導(dǎo)電性可能比常規(guī)含ITO膜高但制造成本低的優(yōu)勢。已披露“多元醇法”用于制造銀納米結(jié)構(gòu)。多元醇法在銀納米線制造中使用乙二醇(或替代二醇)作為溶劑和還原劑兩個。然而，使用乙二醇具有若干固有缺點。具體來說，使用乙二醇作為還原劑和溶劑導(dǎo)致對反應(yīng)的控制降低，因為主要還原劑物質(zhì)(乙醇醛)就地產(chǎn)生并且其存在和濃度視對于氧氣的暴露程度而定。此外，使用二醇使得可在用以產(chǎn)生銀納米線的反應(yīng)器的頂部空間中形成可燃二醇/空氣混合物。最終，使用大體積二醇會造成處置問題，逐漸增加此類操作的商業(yè)化成本。Miyagishima等人已在美國專利申請公開案第20100078197號中披露制造銀納米線的多元醇方法的一種替代方法。Miyagishima等人披露一種制造金屬納米線的方法，包含：向含有至少一種鹵化物和還原劑的水溶劑中添加金屬絡(luò)合物溶液，并且在150℃或更低的溫度下加熱所得混合物，其中金屬納米線包含以相對于總金屬粒子的金屬量計50質(zhì)量％或更多的量的直徑為50nm或更小并且主軸長度為5μm或更大的金屬納米線。Lunn等人已在美國專利申請公開案第20130283974號中披露制造銀納米線的多元醇法的另一替代方法。Lunn等人披露一種制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法，其中回收的銀納米線展示平均直徑為25到80nm并且平均長度為10到100μm；并且其中在所述方法期間總乙二醇濃度始終<0.001重量％。盡管制造所要高縱橫比銀納米線，但Lunn等人所述的制造方法也導(dǎo)致形成寬直徑分布的銀納米線群，這可能導(dǎo)致所產(chǎn)生的膜的電特性不均勻。因此，仍需要替代銀納米線制造方法。具體來說，對于不涉及使用二醇的制造經(jīng)過濾的銀納米線的方法，其中所產(chǎn)生的經(jīng)過濾的銀納米線展現(xiàn)低銀納米粒子含量。本發(fā)明提供一種制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法，其包含：提供容器；提供初始體積的水；提供初始還原糖；提供初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，其中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)可分成初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分；提供初始銅(II)離子源；提供初始鹵離子源；提供初始銀離子源，其中所提供的初始銀離子源可分成初始銀離子源的第一部分和初始銀離子源的第二部分；向容器中添加初始體積的水、初始還原糖、初始銅(II)離子源和初始鹵離子源形成組合；將所述組合加熱到110到160℃；混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分與初始銀離子源的第一部分形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源；將混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源添加到容器中的組合中形成產(chǎn)物混合物；接著，在延遲時段之后，將初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始銀離子源的第二部分添加到容器中形成生長混合物；將生長混合物維持在110到160℃持續(xù)2到30小時的保持時間段以制造原料，其中容器中的總二醇濃度<0.001重量％；其中所制造的原料包含母液和銀固體；其中母液包含初始體積的水；并且其中原料中的銀固體包括高縱橫比銀納米線和低縱橫比銀粒子；提供動態(tài)過濾裝置，其中動態(tài)過濾裝置包含：外殼，其包含：具有第一側(cè)和第二側(cè)的空腔；其中存在至少一個到空腔的第一側(cè)的入口、至少一個來自空腔的第一側(cè)的產(chǎn)物出口和至少一個來自空腔的第二側(cè)的滲透物出口；以及安置于空腔內(nèi)的多孔性元件；安置于空腔內(nèi)的湍流誘發(fā)元件；以及壓力源；其中多孔性元件插入空腔的第一側(cè)與空腔的第二側(cè)之間；其中多孔性元件具有從空腔的第一側(cè)穿到空腔的第二側(cè)的多個通道；其中多個通道足夠大以允許轉(zhuǎn)移母液和低縱橫比銀粒子并且足夠小以阻斷高縱橫比銀納米線的轉(zhuǎn)移；其中多孔性元件和湍流誘發(fā)元件協(xié)作形成過濾間隙FG；以及其中多孔性元件和湍流誘發(fā)元件中的至少一個可移動；提供傳輸流體，其中傳輸流體包含補充體積的水和補充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；將原料通過到所述空腔的第一側(cè)的至少一個入口轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置；將一定體積的傳輸流體通過到空腔的第一側(cè)的至少一個入口轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置；其中過濾間隙FG被水填充；其中安置于空腔內(nèi)的多孔性元件和湍流誘發(fā)元件都與水接觸；使用壓力源加壓空腔的第一側(cè)在空腔的第一側(cè)產(chǎn)生第一側(cè)壓力FSP；其中第一側(cè)壓力FSP高于空腔的第二側(cè)的第二側(cè)壓力SSP，由此跨越多孔性元件從空腔的第一側(cè)到空腔的第二側(cè)產(chǎn)生壓降(PEΔ)；其中壓力源提供誘發(fā)從空腔的第一側(cè)通過多孔性元件到空腔的第二側(cè)流動以提供滲透物的主要動力；移動多孔性元件和湍流誘發(fā)元件中的至少一個，由此在過濾間隙FG中的水中產(chǎn)生剪應(yīng)力；其中過濾間隙FG中的水中產(chǎn)生的剪應(yīng)力操作以減少多孔性元件的積垢；從來自空腔的第二側(cè)的至少一個滲透物出口抽出滲透物，其中滲透物包含母液的第二餾分和銀固體的第二部分；其中銀固體的第二部分富含低縱橫比銀粒子；以及從來自空腔的第一側(cè)的至少一個產(chǎn)物出口抽出產(chǎn)物，其中產(chǎn)物包含母液的第一餾分和銀固體的第一部分；其中銀固體的第一部分耗盡低縱橫比銀粒子；以及其中過濾間隙FG中的水中產(chǎn)生的剪應(yīng)力和跨越多孔性元件從空腔的第一側(cè)到空腔的第二側(cè)的壓降(PEΔ)解耦。附圖說明圖1為本發(fā)明的動態(tài)過濾裝置的描繪。圖2為沿圖1中的線A-A所取的截面視圖的描繪。圖3為安置于本發(fā)明的動態(tài)過濾裝置內(nèi)的多孔性元件的透視圖的描繪。圖4為具有關(guān)聯(lián)滲透物容器的本發(fā)明的動態(tài)過濾裝置的描繪。具體實施方式已發(fā)現(xiàn)一種制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法，其出人意料地提供存在于原料中的低縱橫比銀粒子與銀固體的有效分離而不顯著損失所需高縱橫比銀納米線或產(chǎn)物中回收的銀納米線的平均長度的顯著減小。已發(fā)現(xiàn)分離方法中所用的傳輸流體的組成對于提供具有高純度的高縱橫比銀納米線的高縱橫比銀納米線產(chǎn)物是至關(guān)重要的，其中納米線分率NWF≥0.9。還觀察到可以通過明智選擇傳輸流體的組分含量使傳輸流體到過濾裝置的總輸送量降到最低。最終，已觀察到明智選擇傳輸流體的組分含量賦予回收的高縱橫比銀納米線產(chǎn)物穩(wěn)定性。舉例來說，從本發(fā)明的方法回收的高縱橫比銀納米線產(chǎn)物有助于形成光學(xué)質(zhì)量提高并且具有較少線纏結(jié)和可見缺陷的光學(xué)膜。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“總二醇濃度”的意思是容器中存在的所有二醇(例如乙二醇、丙二醇、丁二醇、聚(乙二醇)、聚(丙二醇))的組合總濃度。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“高縱橫比銀納米線”是指銀固體的縱橫比>3。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“低縱橫比銀粒子”是指銀固體的縱橫比≤3。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“原料重量分率”或“WF原料”意思是原料中的高縱橫比銀納米線的重量除以原料中所含的銀固體的總重量。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“滲透物重量分率”或“WF滲透物”意思是滲透物中的高縱橫比銀納米線的重量除以滲透物中所含的銀固體的總重量。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“產(chǎn)物重量分率”或“WF產(chǎn)物”意思是產(chǎn)物中的高縱橫比銀納米線的重量除以產(chǎn)物中所含的銀固體的總重量。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“第一側(cè)壓力”或“FSP”意思是相對于外殼(20)外部上的大氣壓的空腔(30)的第一側(cè)(35)中測量的壓力。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“第二側(cè)壓力”或“SSP”意思是相對于外殼(20)外部上的大氣壓的空腔(30)的所述第二側(cè)(45)中測量的壓力。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“跨越多孔性元件的壓降”或“PEΔ”意思是第一側(cè)壓力FSP與第二側(cè)壓力SSP之間的差異，即PEΔ＝FSP-SSP關(guān)于貫穿多孔性元件(50)的通道(55)的橫截面積X面積的如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“大體上恒定”意思是通過垂直于貫穿多孔性元件(55)的厚度T的滲透物流的給定通道展現(xiàn)的最大橫截面積LX面積在通過通道展現(xiàn)的最小此類橫截面積SX面積的20％內(nèi)。關(guān)于貫穿多孔性元件(50)的通道(55)的對稱軸軸sym的如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“大體上垂直的”意思是對稱軸軸sym以85到95°的角γ與多孔性元件(50)的頂表面(52)相交。如本文中和所附權(quán)利要求書中所用的術(shù)語“高縱橫比銀納米線分率”或“NWF”為使用本文在實例中所述的方法根據(jù)以下等式測定的銀納米線樣品的銀納米線分率：NWF＝NWA/TA其中TA為指定安置的銀固體樣品遮擋的襯底的總表面積；并且NWA為安置的銀固體樣品中高縱橫比銀納米線造成的總遮擋表面積的部分。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法包含：提供容器；提供初始體積的水；提供初始還原糖；提供初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，其中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)可分成初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分；提供初始銅(II)離子源；提供初始鹵離子源；提供初始銀離子源，其中所提供的初始銀離子源可分成初始銀離子源的第一部分和初始銀離子源的第二部分；向容器中添加初始體積的水、初始還原糖、初始銅(II)離子源和初始鹵離子源形成組合；將所述組合加熱到110到160℃；混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分與初始銀離子源的第一部分形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源；將混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源添加到容器中的組合中形成產(chǎn)物混合物；接著，在延遲時段之后，將初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始銀離子源的第二部分添加到容器中形成生長混合物；將生長混合物維持在110到160℃持續(xù)2到30小時的保持時間段以制造原料(5)，其中容器中的總二醇濃度<0.001重量％；其中所制造的原料包含母液和銀固體；其中母液包含初始體積的水；并且其中原料(5)中的銀固體包括高縱橫比銀納米線和低縱橫比銀粒子(優(yōu)選地，其中原料具有原料重量分率WF原料)；提供動態(tài)過濾裝置(10)，其中動態(tài)過濾裝置(10)包含：外殼(20)，其包含：具有第一側(cè)(35)和第二側(cè)(45)的空腔(30)；其中存在至少一個到空腔(30)的第一側(cè)(35)的入口(32)、至少一個來自空腔(30)的第一側(cè)(35)的產(chǎn)物出口(37)和至少一個來自空腔(30)的第二側(cè)(45)的滲透物出口(47)；以及安置于空腔(30)內(nèi)的多孔性元件(50)；安置于空腔(30)內(nèi)的湍流誘發(fā)元件(60)；以及壓力源(70)；其中多孔性元件(50)插入空腔(30)的第一側(cè)(35)與空腔(30)的第二側(cè)(45)之間；其中多孔性元件(50)具有從空腔(30)的第一側(cè)(35)穿到空腔(30)的第二側(cè)(45)的多個通道(55)；其中多個通道(55)足夠大以允許轉(zhuǎn)移母液和低縱橫比銀粒子并且足夠小以阻斷高縱橫比銀納米線的轉(zhuǎn)移；其中多孔性元件(50)和湍流誘發(fā)元件(60)協(xié)作形成過濾間隙FG；以及其中多孔性元件(50)和湍流誘發(fā)元件(60)中的至少一個可移動；提供傳輸流體，其中傳輸流體包含補充體積的水和補充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；(優(yōu)選地，其中原料包含容器的全部內(nèi)容物；優(yōu)選地，其中原料具有原料重量分率WF原料)；將原料(5)通過到所述空腔(30)的第一側(cè)(35)的至少一個入口(32)轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置(10)；將一定體積的傳輸流體通過到空腔(30)的第一側(cè)(35)的至少一個入口(30)轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置(10)；其中過濾間隙FG被水填充；其中安置于空腔(30)內(nèi)的多孔性元件(50)和湍流誘發(fā)元件(60)都與水接觸；使用壓力源(70)加壓空腔(30)的第一側(cè)(35)在空腔(30)的第一側(cè)(35)產(chǎn)生第一側(cè)壓力FSP；其中第一側(cè)壓力FSP高于空腔(30)的第二側(cè)(45)的第二側(cè)壓力SSP，由此跨越多孔性元件(50)從空腔(30)的第一側(cè)(35)到空腔(30)的第二側(cè)(45)產(chǎn)生壓降(PEΔ)；其中壓力源(70)提供誘發(fā)從空腔(30)的第一側(cè)(35)通過多孔性元件(50)到空腔(30)的第二側(cè)(45)流動以提供滲透物的主要動力；移動(優(yōu)選聯(lián)系移動)多孔性元件(50)和湍流誘發(fā)元件(60)中的至少一個，由此在過濾間隙FG中的水中產(chǎn)生剪應(yīng)力；其中過濾間隙FG中的水中產(chǎn)生的剪應(yīng)力操作以減少多孔性元件(50)的積垢；從來自空腔(30)的第二側(cè)(45)的至少一個滲透物出口(47)抽出滲透物，其中滲透物包含母液的第二餾分和銀固體的第二部分；其中銀固體的第二部分富含低縱橫比銀粒子(優(yōu)選地，其中滲透物具有滲透物重量分率WF滲透物；優(yōu)選地，其中WF原料>WF滲透物；更優(yōu)選地，其中WF原料>WF滲透物≤0.05；更優(yōu)選地，其中WF原料>WF滲透物≤0.01；最優(yōu)選地，WF原料>WF滲透物≤0.001)；以及從來自空腔(30)的第一側(cè)(35)的至少一個產(chǎn)物出口(37)抽出產(chǎn)物，其中產(chǎn)物包含母液的第一餾分和銀固體的第一部分；其中銀固體的第一部分耗盡低縱橫比銀粒子(優(yōu)選地，其中產(chǎn)物具有產(chǎn)物重量分率WF產(chǎn)物；優(yōu)選地，其中WF原料<WF產(chǎn)物；更優(yōu)選地，其中WF原料<WF產(chǎn)物≥0.8；更優(yōu)選地，其中WF原料<WF產(chǎn)物≥0.85；最優(yōu)選地，其中WF原料<WF產(chǎn)物≥0.9)；以及其中過濾間隙FG中的水中產(chǎn)生的剪應(yīng)力和跨越多孔性元件(50)從空腔(30)的第一側(cè)(35)到空腔(30)的第二側(cè)(45)的壓降(PEΔ)解耦(即可獨立控制)。(參看圖1)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分成初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分；以及所提供的初始銀離子源分成初始銀離子源的第一部分和初始銀離子源的第二部分；其中初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分與初始銀離子源的第一部分混合形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源；其中剩余初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分；以及其中剩余初始銀離子源為初始銀離子源的第二部分。優(yōu)選地，初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分為所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的10到40重量％(優(yōu)選地10到30重量％；更優(yōu)選地15到25重量％；最優(yōu)選地20重量％)；并且初始銀離子源的第一部分為所提供的初始銀離子源的10到40重量％(優(yōu)選地10到30重量％；更優(yōu)選地15到25重量％；最優(yōu)選地20重量％)。優(yōu)選地，經(jīng)10秒到10分鐘(更優(yōu)選地30秒到5分鐘；最優(yōu)選地30到90秒)的裝填時間將混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源添加到容器中的組合中。優(yōu)選地，經(jīng)1到60分鐘(更優(yōu)選地1到30分鐘；最優(yōu)選地1到15分鐘)的饋入時間將初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始銀離子源的第二部分添加到容器中。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分成第一部分和第二部分并且所提供的初始銀離子源分成第一部分和第二部分；其中混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始銀離子源的第一部分形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源。優(yōu)選地，混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始銀離子源的第一部分持續(xù)0.5秒到4小時(優(yōu)選地0.5秒到1小時；更優(yōu)選地1分鐘到1小時；最優(yōu)選地5分鐘到1小時)的預(yù)混合時段形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源。使用所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任何方法將初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始銀離子源的第一部分混合持續(xù)預(yù)混合時段。優(yōu)選地，通過在閉合容器(優(yōu)選地在惰性氣氛(例如氮氣)下)中混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始銀離子源的第一部分；以及同時將初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始銀離子源的第一部分通過共同管道轉(zhuǎn)移到容器中的組合中的至少一個，混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始銀離子源的第一部分。當(dāng)初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始銀離子源的第一部分在共同管道中的滯留時間等于預(yù)混合時段時，預(yù)混合時段優(yōu)選為2到30秒；更優(yōu)選2到15秒；最優(yōu)選2到10秒。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，依序、以獨立饋料形式同時、以混合饋料形式同時或其一些組合(例如一些依序、一些以獨立饋料形式同時并且一些以混合饋料形式同時)向容器內(nèi)容物中添加初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始銀離子源的第二部分。優(yōu)選地，將初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始銀離子源的第二部分中的至少一個在容器中組合的表面以下的點添加到容器中。更優(yōu)選地，將銀離子源的至少第二部分在容器中組合的表面以下的點添加到容器中。優(yōu)選地，以獨立饋料形式同時、以混合饋料形式同時或其一些組合(例如一些以獨立饋料形式同時并且一些以混合饋料形式同時)向容器中添加初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始銀離子源的第二部分。最優(yōu)選地，初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始銀離子源的第二部分以混合饋料的形式添加到容器中。優(yōu)選地，將混合饋料在容器中組合的表面以下的點添加到組合中?；旌橡伭峡砂磁c如針對形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源所述相同的方式形成，其中所用的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始銀離子源的第二部分混合持續(xù)0.5秒到4小時的混合時段(優(yōu)選0.5秒到2小時；更優(yōu)選5分鐘到1.5小時；最優(yōu)選5分鐘到1小時)以形成混合饋料。優(yōu)選地，混合時段≥預(yù)混合時段。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾典高縱橫比銀納米線的方法中，原料(5)包含：母液和銀固體；其中母液包含初始體積的水；并且其中原料中的銀固體(5)包括高縱橫比銀納米線和低縱橫比銀粒子。優(yōu)選地，原料包含保持時段之后的全部容器內(nèi)容物。優(yōu)選地，將銀固體懸浮于母液中。優(yōu)選地，原料含有≤2重量％銀固體。更優(yōu)選地，原料含有0.01到1重量％(更優(yōu)選地，0.05到0.75重量％；最優(yōu)選地，0.1到0.5重量％)銀固體。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，原料中所含的銀固體包括高縱橫比銀納米線和低縱橫比銀粒子。優(yōu)選地，其中原料具有高縱橫比銀納米線比低縱橫比銀粒子的原料重量分率WF原料。優(yōu)選地，原料重量分率WF原料經(jīng)用于合成高縱橫比銀納米線的方法最大化。盡管如此，高縱橫比銀納米線的合成總是產(chǎn)生一定量的非所需低縱橫比銀粒子，合意地將其去除以使得產(chǎn)物重量分率WF產(chǎn)物>WF原料。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法，所提供的傳輸流體包含：補充體積的水和補充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。更優(yōu)選地，所提供的傳輸流體包含：補充體積的水；補充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；以及補充還原糖、補充鹵離子源、補充銅(II)離子源和補充銀離子源中的至少一個。更優(yōu)選地，所提供的傳輸流體包含：清潔滲透物，其中已從滲透物去除銀固體。所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員將知道選擇適當(dāng)方法從滲透物去除銀固體以提供清潔的滲透物。優(yōu)選地，使用過濾和離心中的至少一個從滲透物去除銀固體提供清潔的滲透物。最優(yōu)選地，所提供的傳輸流體包含：補充體積的水、補充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和補充鹵離子源。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法，所提供的傳輸流體的pH為2到5(更優(yōu)選地2.5到4.5；最優(yōu)選地3到4)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，所提供的傳輸流體通過到空腔的第一側(cè)的至少一個入口轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置。優(yōu)選地，一定體積的傳輸流體可使用選自單次發(fā)射、多次發(fā)射(其中所述發(fā)射可含有相同量或不同量的傳輸流體)和持續(xù)中的至少一種的方式轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法包含：將一定體積的傳輸流體通過到空腔的第一側(cè)的至少一個入口轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置；其中通過調(diào)整轉(zhuǎn)移到空腔的第一側(cè)的傳輸流體的體積控制空腔的第一側(cè)中銀固體的濃度。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法包含：將一定體積的傳輸流體通過到空腔的第一側(cè)的至少一個入口轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置；其中空腔的第一側(cè)中的銀固體的濃度保持≤2重量％。更優(yōu)選地，控制轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置的傳輸流體的體積以使得空腔的第一側(cè)中的銀固體的濃度維持在0.01到1重量％(更優(yōu)選地，0.05到0.75重量％；最優(yōu)選地，0.1到0.5重量％)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，使用流體移動器(80)將原料(5)轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置。所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠選擇適用于原料的適當(dāng)流體移動器(80)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，用于將原料(5)轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置(10)的流體移動器(80)與用于誘發(fā)跨越多孔性元件(50)從動態(tài)過濾裝置(10)中空腔(30)的第一側(cè)(35)到空腔(30)的第二側(cè)(45)的壓降(PEΔ)的驅(qū)動力解耦。更優(yōu)選地，原料使用低剪切流體移動器(80)，例如蠕動泵或系統(tǒng)水頭壓力(例如重力或惰性氣體壓力)轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置(10)。優(yōu)選地，當(dāng)系統(tǒng)水頭壓力用作流體移動器(80)以促進原料(5)向動態(tài)過濾裝置(40)轉(zhuǎn)移時，流體移動器(80)進一步包含流體閥(85)(優(yōu)選地流體控制閥)以調(diào)節(jié)原料(5)轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置(10)的速率。(參看圖1)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：提供液位感測器(90)和控制電路(95)，其中液位感測器(90)和控制電路(95)與動態(tài)過濾裝置(10)和流體移動器(80)(優(yōu)選地，與控制閥(85)耦合的蠕動泵或系統(tǒng)水頭壓力)整合以維持外殼(20)中的穩(wěn)定液位(100)，使得過濾間隙(FG)保持被水填充。(參看圖1)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，使用液體移動器(140)將傳輸流體的體積(150)轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置(10)。所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠選擇適用于傳輸流體的適當(dāng)液體移動器(140)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法中，用于將傳輸流體的體積(150)轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置(10)的液體移動器(140)與用于誘發(fā)跨越多孔性元件(50)從動態(tài)過濾裝置(10)中的空腔(30)的第一側(cè)(35)到空腔(30)的第二側(cè)(45)的壓降(PEΔ)的驅(qū)動力解耦。更優(yōu)選地，使用泵或系統(tǒng)水頭壓力(例如重力或惰性氣體壓力)將一定體積的傳輸流體轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置(10)。優(yōu)選地，動態(tài)過濾裝置(10)進一步包含液體閥(145)(優(yōu)選地液體控制閥(145))以調(diào)節(jié)傳輸流體向動態(tài)過濾裝置(10)的轉(zhuǎn)移。(參看圖4)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：提供液位感測器(90)和控制電路(95)，其中液位感測器(90)和控制電路(95)(優(yōu)選地，其中控制電路包括可編程邏輯控制器)與動態(tài)過濾裝置(10)、流體移動器(80)(優(yōu)選地，與流體控制閥(85)耦合的蠕動泵或系統(tǒng)水頭壓力)和液體控制閥(145)整合以維持外殼(20)中的穩(wěn)定液位(100)，使得過濾間隙(FG)保持被母液填充。(參看圖4)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，用于動態(tài)過濾裝置(10)中的多孔性元件(50)具有從空腔(30)的第一側(cè)(35)橫穿到空腔(30)的第二側(cè)(45)的多個通道(55)；其中多個通道(55)足夠大以允許母液和低縱橫比銀粒子的轉(zhuǎn)移并且足夠小以阻斷高縱橫比銀納米線的轉(zhuǎn)移。更優(yōu)選地，多個通道(55)中的每一個通道(55)具有垂直于通過多孔性元件(50)的厚度T的滲透物流的橫截面積X面積；其中橫截面積X面積跨越多孔性元件(50)的厚度T大體上恒定。優(yōu)選地，多孔性元件(50)具有額定為1到10μm(更優(yōu)選地，2到8μm；更優(yōu)選地，2到5μm；最優(yōu)選地，2.5到3.5μm)的孔徑。優(yōu)選地，多孔性元件選自彎曲多孔性元件和平坦多孔性元件。更優(yōu)選地，多孔性元件為平坦多孔性元件。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法中，用于動態(tài)過濾裝置(10)中的多孔性元件(50)為多孔性膜。更優(yōu)選地，多孔性元件(50)為徑跡蝕刻聚碳酸酯(PCTE)膜。(參看圖1-3)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，在存在于過濾間隙FG中的水中產(chǎn)生剪應(yīng)力；其中剪應(yīng)力在水中誘發(fā)足夠的與多孔性元件(50)的頂表面(52)相切的運動以減少或防止多孔性元件的堵塞或積垢。剪應(yīng)力通過與過濾間隙FG相鄰的多孔性元件(50)與湍流誘發(fā)元件(60)之間的相對運動產(chǎn)生。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，其中多孔性元件(50)相對于空腔(30)靜止，湍流誘發(fā)元件(60)相對于多孔性元件(50)移動。優(yōu)選地，當(dāng)多孔性元件(50)為靜止且平坦的多孔性元件時，湍流誘發(fā)元件(60)在接近多孔性元件(50)的頂表面(52)的平面中旋轉(zhuǎn)。更優(yōu)選地，當(dāng)多孔性元件(50)為平坦多孔性膜時；湍流誘發(fā)元件(60)為攪拌器。優(yōu)選地，攪拌器選自由以下組成的群組：攪拌棒、依靠軸且固定到軸(或與其整合)的攪拌棒和安裝到軸的葉輪。優(yōu)選地，多孔性膜為平坦的并且具有頂表面(52)和底表面(54)；其中頂表面(52)和底表面(54)平行；其中多孔性膜具有沿垂直于頂表面(52)的線(A)從頂表面(52)到底表面(54)測量的厚度T；且其中頂表面(52)面向湍流誘發(fā)元件(60)。優(yōu)選地，配備有平坦多孔性膜的湍流誘發(fā)元件(60)為具有葉輪的攪拌器；其中葉輪在安置于空腔(30)的第一側(cè)(32)中的平面中持續(xù)旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，過濾間隙由葉輪持續(xù)旋轉(zhuǎn)的平面和接近于葉輪的多孔性元件(50)的頂表面(52)(更優(yōu)選地，其中平面平行于多孔性元件的頂表面)界定。(參看圖1-3)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，湍流誘發(fā)元件具有可滲透表面。更優(yōu)選地，當(dāng)湍流誘發(fā)元件具有可滲透表面時，可滲透表面插入在空腔的第一側(cè)與空腔的第二側(cè)之間并且從動態(tài)過濾裝置抽取的至少一些滲透物從空腔的第一側(cè)穿過湍流誘發(fā)元件的可滲透表面到達空腔的第二側(cè)。優(yōu)選地，當(dāng)湍流誘發(fā)元件具有可滲透表面時，湍流誘發(fā)元件的可滲透表面面向多孔性元件的多個通道。優(yōu)選地，當(dāng)湍流誘發(fā)元件具有可滲透表面時，可滲透表面為彎曲的且安置在旋轉(zhuǎn)中心軸周圍；其中湍流誘發(fā)元件圍繞中心軸旋轉(zhuǎn)。更優(yōu)選地，當(dāng)湍流誘發(fā)元件具有安置在旋轉(zhuǎn)中心軸周圍的彎曲可滲透表面時；其中湍流誘發(fā)元件圍繞中心軸旋轉(zhuǎn)；多孔性元件也具有安置在旋轉(zhuǎn)中心軸周圍的曲面；其中多孔性元件曲面具有從空腔的第一側(cè)橫穿到空腔的第二側(cè)的多個通道；其中多孔性元件繞其中心軸旋轉(zhuǎn)；其中湍流誘發(fā)元件彎曲可滲透表面面向多孔性元件曲面；其中插入在湍流誘發(fā)元件彎曲可滲透表面與多孔性元件曲面之間的空間界定過濾間隙FG。優(yōu)選地，湍流誘發(fā)元件的旋轉(zhuǎn)中心軸與多孔性元件的旋轉(zhuǎn)中心軸平行。優(yōu)選地，湍流誘發(fā)元件和多孔性元件在相同方向中旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，湍流誘發(fā)元件和多孔性元件相對旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，過濾間隙FG安置于過濾器外殼中并且插入空腔(30)的第一側(cè)(35)與空腔(30)的第二側(cè)(45)之間；其中過濾間隙FG由兩個對置表面界定；其中對置表面中的至少一個可移動；以及其中多孔性元件(50)提供對置表面中的至少一個。過濾間隙FG通常形成于相對安置的對向表面之間，所述對向表面以1到25mm(優(yōu)選地，1到20mm；更優(yōu)選地，1到15mm；最優(yōu)選地，1到10mm)的距離間隔開。優(yōu)選地，過濾間隙FG的尺寸跨越多孔性元件(50)提供的對置表面大體上恒定(即其中對置表面之間的最大過濾間隙尺寸FGSL和最小過濾間隙尺寸FGSS的關(guān)系如下：0.9FGSL≤FGSS≤FGSL)。(參看圖1和4)。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，多孔性元件(50)和湍流誘發(fā)元件(60)中的至少一個相對于彼此移動，在多孔性元件(50)和湍流誘發(fā)元件(60)的對置表面之間的過濾間隙FG中的水中產(chǎn)生剪應(yīng)力。更優(yōu)選地，多孔性元件(50)和湍流誘發(fā)元件(60)中的至少一個相對于其它持續(xù)移動，在多孔性元件(50)和湍流誘發(fā)元件(60)的對置表面之間的過濾間隙FG中的水中產(chǎn)生剪應(yīng)力。優(yōu)選地，產(chǎn)生于過濾間隙FG中的剪應(yīng)力在水中誘發(fā)足夠的與面向空腔(30)的第一側(cè)(35)的多孔性元件的表面相切的運動以減少或防止多孔性元件的堵塞或積垢。優(yōu)選地，多孔性元件(50)和湍流誘發(fā)元件(60)以0.4到1.5m/s(更優(yōu)選地，0.6到1.3m/s；最優(yōu)選地，0.9到1.1m/s)的相對速度相對于彼此移動。優(yōu)選地，產(chǎn)生于安置在過濾間隙FG內(nèi)的水中的剪應(yīng)力和跨越多孔性元件從空腔的第一側(cè)到空腔的第二側(cè)的壓降經(jīng)解耦。最優(yōu)選地，可獨立地控制產(chǎn)生于安置在過濾間隙FG內(nèi)的水中的剪應(yīng)力和跨越多孔性元件從空腔的第一側(cè)到空腔的第二側(cè)的壓降。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，壓力源提供滲透物穿過多孔性元件到達空腔的第二側(cè)的主要動力。優(yōu)選地，壓力源為施加于空腔的第一側(cè)上的氣體壓力。更優(yōu)選地，施加于空腔的第一側(cè)上的氣體壓力為惰性氣體。最優(yōu)選地，施加于空腔的第一側(cè)上的氣體壓力為氮氣。氣體壓力可以空腔中的液位上方的氣態(tài)頂空形式施加到空腔的第一側(cè)?；蛘?，提供的空腔的第一側(cè)可進一步包含氣囊；其中氣囊用氣體加壓。優(yōu)選地，壓力源誘發(fā)5到70kPA(優(yōu)選地，10到55kPa；更優(yōu)選地，15到40kPa；最優(yōu)選地，20到35kPa)的跨越多孔性元件的壓降。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：周期性提供通過多孔性元件(50)從空腔(30)的第二側(cè)(45)到空腔(30)的第一側(cè)(35)的逆向流。所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員將知道選擇用于提供逆向流的適當(dāng)構(gòu)件。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：周期性地提供通過多孔性元件(50)從空腔(30)的第二側(cè)(45)流到空腔(30)的第一側(cè)(35)的逆向流；其中每10到60秒(更優(yōu)選地，15到40秒；最優(yōu)選地，20到30秒)提供逆向流持續(xù)1到10秒(更優(yōu)選地，2.5到7.5秒；最優(yōu)選地，3到5秒)的時段。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：提供用于將滲透物從來自空腔(30)的第二側(cè)(45)的至少一個出口(47)轉(zhuǎn)移到容器(125)的管道(120)(優(yōu)選地，其中在管道(120)與容器(125)之間存在氣隙(130))。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：提供用于將滲透物從來自空腔(30)的第二側(cè)(45)的至少一個出口(47)轉(zhuǎn)移到容器(125)的管道(120)(優(yōu)選地，其中管道(120)與容器(125)之間存在氣隙(130))；并且通過解除壓力源(70)(例如使空腔的第一側(cè)與大氣通氣)對空腔(30)的第一側(cè)(35)周期性地瞬時減壓；其中管道(120)保持高度高于動態(tài)過濾裝置(10)中的液位(100)的體積的滲透物(優(yōu)選地，其中滲透物的體積是以高于頭部為20到500mm(更優(yōu)選地，100到375mm；最優(yōu)選地，150到300mm)的液位(100)的高度，使得當(dāng)對空腔(30)的第一側(cè)(35)周期性地瞬時減壓時，存在通過多孔性元件(50)從空腔(30)的第二側(cè)(45)到空腔(30)的第一側(cè)(35)的流向逆轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，每10到60秒(更優(yōu)選地，15到40秒；最優(yōu)選地，20到30秒)的加壓持續(xù)1到10秒(更優(yōu)選地，2.5到7.5秒；最優(yōu)選地，3到5秒)的時段提供周期性瞬時減壓。(參看圖4)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：提供振動能源；以及將來自振動能源的振動能量周期性地施加到多孔性元件。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：提供超聲波能源；并且將來自超聲波能源的超聲波能量周期性地施加到多孔性元件。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：從滲透物去除銀固體提供清潔的滲透物；以及使清潔的滲透物通過到空腔的第一側(cè)的至少一個入口再循環(huán)到動態(tài)過濾裝置。優(yōu)選地，使用所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任何適合方法從滲透物去除銀固體提供清潔的滲透物。更優(yōu)選地，使用過濾和離心中的至少一個去除銀固體獲得清潔的滲透物。最優(yōu)選地，傳輸流體包含清潔的滲透物。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法提供20到1,000L/m2·小時(更優(yōu)選地，140到540L/m2·小時；最優(yōu)選地，280到360L/m2·小時)體積通量的通過多孔性元件的滲透物。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始體積的水和補充水各獨立地進行去離子和蒸餾中的至少一個以限制附帶的雜質(zhì)。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始體積的水和補充水各自都經(jīng)去離子和蒸餾。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始體積的水和補充水各自為滿足或超過根據(jù)ASTMD1193-99e1(試劑水的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格)的1型水要求的超純水。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始還原糖和補充還原糖(如果存在)獨立地選自由以下組成的群組：醛糖(例如葡萄糖、甘油醛、半乳糖、甘露糖)；具有游離半縮醛單元的雙醣(例如乳糖和麥芽糖)；以及攜帶酮的糖(例如果糖)中的至少一個。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始還原糖和補充還原糖(如果存在)獨立地選自由以下組成的群組：醛醣、乳糖、麥芽糖和果糖中的至少一個。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始還原糖和補充還原糖(如果存在)獨立地選自由以下組成的群組：葡萄糖、甘油醛、半乳糖、甘露糖、乳糖、果糖和麥芽糖中的至少一個。優(yōu)選地，所提供的初始還原糖和補充還原糖(如果存在)是相同的。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始還原糖和補充還原糖(如果存在)各自都是D-葡萄糖。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和補充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)各自具有20,000到300,000道爾頓的重量平均分子量MW。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和補充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)(如果存在)各自具有30,000到200,000道爾頓的重量平均分子量MW。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和補充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)(如果存在)各自具有40,000到60,000道爾頓的重量平均分子量MW。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始銅(II)離子源和補充銅(II)離子(如果存在)獨立地選自由以下組成的群組：CuCl2和Cu(NO3)2中的至少一個。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始銅(II)離子源和補充銅(II)離子(如果存在)獨立地選自由以下組成的群組：CuCl2和Cu(NO3)2。優(yōu)選地，所提供的初始銅(II)離子源和補充銅(II)離子(如果存在)是相同的。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始銅(II)離子源和補充銅(II)離子(如果存在)各自為CuCl2，其中CuCl2為二水合氯化銅(II)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始鹵離子源和補充鹵離子源(如果存在)獨立地選自由以下組成的群組：氯離子源、氟離子源、溴離子源和碘離子源中的至少一個。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始鹵離子源和補充鹵離子源(如果存在)獨立地選自由以下組成的群組：氯離子源和氟離子源中的至少一個。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始鹵離子源和補充鹵離子源(如果存在)各自為氯離子源。優(yōu)選地，所提供的初始鹵離子源和補充鹵離子源(如果存在)是相同的。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始鹵離子源和補充鹵離子源(如果存在)各自為氯離子源，其中氯離子源為堿金屬氯化物。優(yōu)選地，堿金屬氯化物選自由以下組成的群組：氯化鈉、氯化鉀以及氯化鋰中的至少一個。更優(yōu)選地，堿金屬氯化物選自由以下組成的群組：氯化鈉和氯化鉀中的至少一個。最優(yōu)選地，堿金屬氯化物為氯化鈉。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始銀離子源和補充銀離子源(如果存在)各自為銀絡(luò)合物。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始銀離子源和補充銀離子源(如果存在)各自為銀絡(luò)合物；其中銀復(fù)合物選自由以下組成的群組：硝酸銀(AgNO3)和乙酸銀(AgC2H3O2)中的至少一個。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始銀離子源和補充銀離子源(如果存在)各自為硝酸銀(AgNO3)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中所提供的初始銀離子源和補充銀離子源(如果存在)各自具有0.005到1摩爾(M)(更優(yōu)選地0.01到0.1M；最優(yōu)選地0.015到0.05M)的銀濃度。優(yōu)選地，將初始體積的水、初始還原糖、初始銅(II)離子源、初始鹵離子源以及pH調(diào)整劑(如果存在)以任何順序以個別工序(即一次一種)、同時(即一次性所有)或半同時(即一些個別地一次一種，一些一次性或以子組合形式同時)添加到容器中。更優(yōu)選地，初始體積的水、初始還原糖、初始銅(II)離子源、初始鹵離子源和pH調(diào)整劑中的至少兩個在添加到容器之前混合在一起形成子組合。優(yōu)選地，初始體積的水分成多個體積(優(yōu)選地，至少兩個體積的水；更優(yōu)選地，至少三個體積的水；最優(yōu)選地，至少五個體積的水)，其接著在添加到容器之前與初始還原糖、初始銅(II)離子源、初始鹵離子源、pH調(diào)整劑、所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和所提供的銀離子源中的一個或多個混合形成多種包括水的子組合。舉例來說，初始體積的水優(yōu)選分成至少五個體積，其中第一體積的水與初始還原糖組合形成含有還原糖的子組合，其中第二體積的水與初始銅(II)離子源組合形成含有銅(II)離子的子組合，其中第三體積的水與初始鹵離子源組合形成含有鹵離子的子組合；其中第四體積的水與所提供的銀離子源組合形成含有銀離子的子組合(優(yōu)選地，其中含有銀離子的子組合分成第一部分和第二部分)；以及第五體積的水與所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)組合形成含有聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的子組合(優(yōu)選地，含有聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的子組合分成第一部分和第二部分)。接著以與本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法的先前論述中的單組分類似的方式處理這些子組合。本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法優(yōu)選地進一步包含：提供還原劑；以及將還原劑添加到產(chǎn)物混合物中。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中提供的還原劑選自由以下組成的群組：抗壞血酸、硼氫化鈉(NaBH4)、肼、肼鹽、對苯二酚、C1-5烷基醛以及苯甲醛。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中提供的還原劑選自由以下組成的群組：抗壞血酸、硼氫化鈉(NaBH4)、肼、肼鹽、對苯二酚、乙醛、丙醛以及苯甲醛。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中提供的還原劑選自由以下組成的群組：抗壞血酸和硼氫化鈉。本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法優(yōu)選進一步包含：提供pH調(diào)整劑；以及將pH調(diào)整劑添加到容器中。pH調(diào)整劑可在將混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源添加到容器中之前添加到容器中。優(yōu)選地，當(dāng)pH調(diào)整劑在添加混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源之前添加到組合中時；其中在將混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源添加到容器中之前，組合的pH為2.0到4.0(優(yōu)選地2.0到3.5；更優(yōu)選地2.4到3.3；最優(yōu)選地2.4到2.6)。pH調(diào)整劑可與混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源同步添加到容器中。優(yōu)選地，當(dāng)pH調(diào)整劑與混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源同步添加時，將pH調(diào)整劑添加到聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分中，隨后與銀離子源的第一部分混合形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源，其中聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分的pH為2.0到4.0(優(yōu)選地2.0到3.5；更優(yōu)選地2.3到3.3；最優(yōu)選地3.1到3.3)。優(yōu)選地，當(dāng)pH調(diào)整劑與混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源同時添加時，也將pH調(diào)整劑添加到聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分中，其中聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分的pH值為2.0到4.0(優(yōu)選地2.0到3.5；更優(yōu)選地2.3到3.3；最優(yōu)選地3.1到3.3)。優(yōu)選地，在將所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分成第一部分和第二部分之前，向所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)添加pH調(diào)整劑，其中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的pH為2.0到4.0(優(yōu)選地，2.0到3.5；更優(yōu)選地，2.3到3.3；最優(yōu)選地，3.1到3.3)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH調(diào)整劑為酸。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH調(diào)整劑為酸，其中酸選自由以下組成的群組：無機酸(例如硝酸、硫酸、鹽酸、氟硫酸、磷酸、氟銻酸)和有機酸(例如甲烷磺酸、乙烷磺酸、苯磺酸、乙酸、氟乙酸、氯乙酸、檸檬酸、葡糖酸、乳酸)中的至少一個。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH調(diào)整劑的pH<2.0。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH調(diào)整劑包括硝酸。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH調(diào)整劑為硝酸水溶液。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：吹掃容器中與組合接觸的容器蒸氣空間以在容器蒸氣空間中提供降低的氧氣濃度。優(yōu)選地，吹掃容器中與組合接觸的容器蒸氣空間以在容器蒸氣空間中提供降低的氧氣濃度的步驟包括：(i)使容器蒸氣空間與容器外部的周圍氣氛分離；(ii)接著用惰性氣體(優(yōu)選地，其中惰性氣體選自由以下組成的群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮氣(更優(yōu)選地，氬氣、氦氣以及氮氣；更優(yōu)選地，氬氣和氮氣；最優(yōu)選地，氮氣))對容器蒸氣空間加壓；以及(iii)接著吹掃容器蒸氣空間以在容器蒸氣空間中提供降低的氧氣濃度。優(yōu)選地，使容器蒸氣空間吹掃到容器壓力大于周圍氣氛的大氣壓力以在容器蒸氣空間中提供降低的氧氣濃度。優(yōu)選地，降低的氧氣濃度≤2,000ppm(更優(yōu)選地≤400ppm；最優(yōu)選地≤20ppm)。更優(yōu)選地，吹掃容器中與組合接觸的容器蒸氣空間以在容器蒸氣空間中提供降低的氧氣濃度的步驟包括：(i)使容器蒸氣空間與容器外部的周圍氣氛分離；(ii)接著用惰性氣體(優(yōu)選地，其中惰性氣體選自由以下組成的群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮氣(更優(yōu)選地，氬氣、氦氣以及氮氣；更優(yōu)選地，氬氣和氮氣；最優(yōu)選地，氮氣))對容器蒸氣空間加壓；以及(iii)接著吹掃容器蒸氣空間以在容器蒸氣空間中提供降低的氧氣濃度(優(yōu)選地，其中容器蒸氣空間吹掃到容器壓力大于容器外部周圍氣氛的大氣壓力)；以及(iv)重復(fù)步驟(ii)和(iii)至少三次以在容器蒸氣空間中提供降低的氧氣濃度(優(yōu)選地，其中降低的氧氣濃度≤2,000ppm(更優(yōu)選地≤400ppm；最優(yōu)選地≤20ppm))。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：在混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源添加期間、在生長混合物形成期間以及在保持時段期間維持容器蒸氣空間中的降低的氧氣濃度。優(yōu)選地，本發(fā)明的用于制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：用惰性氣體噴灑所提供的初始銀離子源以從初始銀離子源提取夾帶的氧氣并且在與初始銀離子源接觸的銀離子蒸氣空間中提供低氧氣濃度。優(yōu)選地，用惰性氣體噴灑所提供的初始銀離子源的步驟包含(優(yōu)選地由以下組成)：用惰性氣體(優(yōu)選地，其中惰性氣體選自由以下組成的群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮氣(更優(yōu)選地，氬氣、氦氣以及氮氣；更優(yōu)選地，氬氣以及氮氣；最優(yōu)選地，氮氣))噴灑所提供的初始銀離子源持續(xù)≥5分鐘(更優(yōu)選地5分鐘到2小時；最優(yōu)選地，5分鐘到1.5小時)的噴灑時間，隨后添加到容器以從所提供的初始銀離子源提取夾帶的氧氣并且在銀離子蒸氣空間中提供低氧氣濃度。優(yōu)選地，銀離子蒸氣空間中的低氧氣濃度≤10,000ppm(優(yōu)選地≤1,000ppm；更優(yōu)選地≤400ppm；最優(yōu)選地≤20ppm)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：維持銀離子蒸氣空間中的低氧氣濃度直到向容器添加所提供的初始銀離子源。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：吹掃與所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)接觸的PVP蒸氣空間以在PVP蒸氣空間中提供稀氧氣濃度。優(yōu)選地，吹掃PVP蒸氣空間以在PVP蒸氣空間中提供稀氧氣濃度的步驟包括：(i)分離所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；(ii)接著用惰性氣體(優(yōu)選地，其中惰性氣體選自由以下組成的群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮氣(更優(yōu)選地，氬氣、氦氣以及氮氣；更優(yōu)選地，氬氣和氮氣；最優(yōu)選地，氮氣))對PVP蒸氣空間加壓；以及(iii)接著吹掃PVP蒸氣空間以在PVP蒸氣空間中提供稀氧氣濃度。優(yōu)選地，PVP蒸氣空間吹掃到壓力大于周圍氣氛的大氣壓力以在PVP蒸氣空間中提供稀氧氣濃度。更優(yōu)選地，吹掃PVP蒸氣空間以在PVP蒸氣空間中提供稀氧氣濃度的步驟包括：(i)分離所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；(ii)接著用惰性氣體(優(yōu)選地，其中惰性氣體選自由以下組成的群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮氣(更優(yōu)選地，氬氣、氦氣以及氮氣；更優(yōu)選地，氬氣和氮氣；最優(yōu)選地，氮氣))對PVP蒸氣空間加壓；(iii)接著吹掃PVP蒸氣空間以在PVP蒸氣空間中提供稀氧氣濃度(優(yōu)選地，其中PVP蒸氣空間吹掃到大于大氣壓力的惰性氣體壓力)；以及(iv)重復(fù)步驟(ii)和(iii)至少三次以在PVP蒸氣空間中提供稀氧氣濃度。優(yōu)選地，PVP蒸氣空間中的稀氧氣濃度≤10,000ppm(優(yōu)選地≤1,000ppm；更優(yōu)選地≤400ppm；最優(yōu)選地≤20ppm)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：維持PVP蒸氣空間中的稀氧氣濃度直到向容器添加所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。優(yōu)選地，本發(fā)明的用于制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法進一步包含：吹掃容器中與組合接觸的容器蒸氣空間以在容器蒸氣空間中提供降低的氧氣濃度；用惰性氣體噴灑所提供的初始銀離子源以從所提供的初始銀離子源提取夾帶的氧氣并且在于所提供的初始銀離子源接觸的銀離子蒸氣空間中提供低氧氣濃度；吹掃與所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)接觸的PVP蒸氣空間以在PVP蒸氣空間中提供稀氧氣濃度；維持銀離子蒸氣空間中的低氧氣濃度和PVP蒸氣空間中的稀氧氣濃度；以及在添加混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子源期間、在形成生長混合物期間以及在保持時段期間維持容器蒸氣空間中降低的氧氣濃度。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，在所述方法期間容器中的總二醇濃度始終<0.001重量％。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和初始銀離子源以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)比銀離子4:1到10:1(更優(yōu)選地，5:1到8:1；最優(yōu)選地，6:1到7:1)的重量比添加到容器中。優(yōu)選地，在本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法中，初始鹵離子源和初始銅(II)離子源以鹵離子比銅(II)離子1:1到5:1(更優(yōu)選地，2:1到4:1；最優(yōu)選地，2.5:1到3.5:1)的重量比添加到容器中。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造經(jīng)過濾的高縱橫比銀納米線的方法提供產(chǎn)物，其中WF原料<WF產(chǎn)物。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法提供產(chǎn)物，其中WF原料<WF產(chǎn)物≥0.8。更優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法提供產(chǎn)物，其中WF原料<WF產(chǎn)物≥0.85。最優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法提供產(chǎn)物，其中WF原料<WF產(chǎn)物≥0.9。本發(fā)明的一些實施例現(xiàn)將詳細地描述于以下實例中。以下實例中所用的水使用具有安置于水純化單元下游的0.2μm孔徑中空纖維過濾器的ThermoScientificBarnsteadNANOPure純化系統(tǒng)獲得。實例S1：鹵離子子組合通過將氯化鈉(0.2104g；購自西格瑪奧瑞奇(SigmaAldrich))溶解于水(900mL)中來制備本文在某些實例中所用的鹵離子子組合。實例S2：銅(II)離子子組合通過將二水合氯化銅(II)(0.6137g；購自西格瑪奧瑞奇)溶解于水(900mL)中來制備本文在某些實例中所用的銅(II)離子子組合。實例S3：還原糖/銅(II)離子/鹵離子子組合通過在燒瓶中將13.5gD-葡萄糖添加到水(2159mL)中來制備本文在某些實例中所用的還原糖/銅(II)離子/鹵離子子組合。接著將21.3mL根據(jù)實例S1制備的鹵離子子組合添加到燒瓶中。接著將21.3mL根據(jù)實例S2制備的銅(II)離子子組合添加到燒瓶中。實例S4：聚乙烯吡咯烷酮(PVP)子組合通過將聚乙烯吡咯烷酮(52.2g；重量平均分子量為50,000g/mol，K30P，購自巴斯夫(BASF))添加到燒瓶中的水(381mL)中并且接著用水(203mL)沖洗轉(zhuǎn)移設(shè)備到燒瓶中來制備本文在某些實例中所用的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)子組合。實例S5：銀離子子組合通過將AgNO3(12.7g；ACS試劑級，≥99.0％，購自西格瑪奧瑞奇)添加到燒瓶中的水(152mL)中來制備本文在某些實例中所用的銀離子子組合。實例S6：混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子子組合通過在1L錐形底容器中組合根據(jù)實例S4制備的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)子組合與根據(jù)實例S5制備的銀離子子組合，并且接著用水(102mL)依序沖洗含有聚乙烯吡咯烷酮(PVP)子組合的燒瓶和含有銀離子子組合的燒瓶到錐形底容器中，來制備本文某些實例中所用的混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子子組合。接著用氮氣溫和地連續(xù)吹掃錐形底容器中所含的混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子子組合直到轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。實例1和2：制備銀納米線使用8L不銹鋼壓力反應(yīng)器，其配備有三葉螺旋槳式攪拌器、具有外部電阻加熱套和內(nèi)部冷卻管的溫度控制單元以促進溫度控制。向反應(yīng)器中添加根據(jù)實例S3制備的還原糖/銅(II)離子/鹵離子子組合。轉(zhuǎn)移設(shè)備接著用水(152mL)沖洗到反應(yīng)器中。接著關(guān)閉反應(yīng)器并且以200rpm接入攪拌器。接著用>90psig的氮氣吹掃反應(yīng)器中的蒸氣空間四次達到壓力>60psig，每一次吹掃在壓力下保持三分鐘。反應(yīng)器在最后一次吹掃之后留下16.1psig的氮氣層。接著將溫度控制單元的設(shè)定點設(shè)定為150℃。當(dāng)反應(yīng)器的內(nèi)容物達到150℃的溫度時，將根據(jù)實例S6制備的1/5混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子子組合在其制備的預(yù)混合時段(如表1中所標(biāo)注)之后經(jīng)1分鐘裝料時間在反應(yīng)器中組合的表面以下的點處轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中，形成產(chǎn)物混合物。在20分鐘的延遲時段之后，接著經(jīng)10分鐘饋入時間將剩余4/5混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子子組合在產(chǎn)物混合物表面以下的點處轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中，形成生長混合物。在延遲時段期間，溫度控制器的設(shè)定點由150℃線性緩降到130℃，其中斜坡起始10分鐘進入延遲時段并且在延遲時段終止。接著攪拌生長混合物持續(xù)如表1中所標(biāo)注的保持時間以形成原料。接著使原料冷卻到室溫。解除攪拌器。接著將反應(yīng)器通氣以解除容器中積聚的任何壓力。接著將反應(yīng)器內(nèi)容物轉(zhuǎn)移到動態(tài)過濾裝置作為原料。表1實例編號預(yù)混合時段(分鐘)保持時間(小時)1<6082<6018實例3-4在實例3-4中的每一個中，將硝酸添加到反應(yīng)器中的組合中以將組合的pH調(diào)整到表2中所標(biāo)注的pH。接著，將根據(jù)實例S6制備的1/5混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子子組合在其制備的預(yù)混合時段(如表2中所標(biāo)注)之后，經(jīng)1分鐘裝料時間在反應(yīng)器中組合的表面以下的點處轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中，形成產(chǎn)物混合物。在20分鐘的延遲時段之后，接著經(jīng)10分鐘饋入時間將剩余4/5混合的聚乙烯吡咯烷酮/銀離子子組合在產(chǎn)物混合物表面以下的點處轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中，形成生長混合物。在延遲時段期間，溫度控制器的設(shè)定點由150℃線性緩降到表2中提到的溫度，其中斜坡起始10分鐘進入延遲時段并且在延遲時段終止。接著攪拌生長混合物持續(xù)如表2中所標(biāo)注的保持時間以形成原料。接著使原料冷卻到室溫。解除攪拌器。接著將反應(yīng)器通氣以解除容器中積聚的任何壓力。表2實例編號pH預(yù)混合時段(分鐘)溫度(℃)保持時間(小時)32.5<60130842.5<601308實例5-8：過濾在實例5-8中，將根據(jù)合成實例如表3中所標(biāo)注制備的含有包括高縱橫比銀納米線和低縱橫比銀粒子兩個的銀固體的原料使用Advantec/MFSUHP150型攪拌槽過濾器外殼過濾，所述外殼具有162cm2的過濾面積并且配備有磁力圓柱形棒葉輪。過濾器外殼置于MettlerSB32001DR型平衡/磁力攪拌設(shè)備上。所用的多孔性介質(zhì)為支撐于過濾器外殼的底部中的3μm親水性聚碳酸酯徑跡蝕刻(PCTE)過濾膜。氮氣壓力用于提供動力以產(chǎn)生跨越多孔性介質(zhì)的壓降。氮氣供應(yīng)到過濾器外殼中的頂部空間。使用Cole-Parmer68075-16型壓力轉(zhuǎn)換器測量頂部空間中的壓力。饋入過濾器外殼的氮氣穿過安裝在過濾器外殼頂部上的三通球閥。三通閥使氮氣流能夠周期性暫停并且過濾器外殼的頂部空間中的壓力能夠向大氣周期性解除。這使濾液材料從排出管線返回過濾器外殼中并且向上穿過過濾膜的重力誘導(dǎo)的反向流動。三通閥使用Camille過程控制計算機控制，使得每隔25秒，向過濾器外殼的氮氣供應(yīng)暫停并且過濾器外殼與大氣通氣5秒，隨后重新建立氮氣供應(yīng)。將如表3中針對實例5-8中每一個鑒別的原料倒入過濾器外殼中。接著使用具有數(shù)字驅(qū)動和尺寸16C-Flex軟管的Masterflex77800-16型Easy-Load3蠕動泵將組成如表3針對實例5-8中每一個標(biāo)注的傳輸流體供應(yīng)到過濾器外殼。轉(zhuǎn)移到過濾器外殼的傳輸流體的體積經(jīng)手動控制以在整個過濾過程中維持過濾器外殼中的穩(wěn)定水平。離開過濾器外殼底部的濾液向上穿過4.1mmID柔性塑料管進入開頂容器頂部中。濾液管中的流體壓頭提供當(dāng)頂部空間用三通閥周期性地向大氣打開時回流到過濾器外殼中的驅(qū)動力?；厥债a(chǎn)物濾液中的銀固體。表3實例原料傳輸流體5實例1的產(chǎn)物具有0.15重量％PVP的水溶液6實例2的產(chǎn)物具有1.5重量％D-葡萄糖的水溶液7實例3的產(chǎn)物純化反應(yīng)母液58實例4的產(chǎn)物具有140mMPVP和25μMNaCl的水溶液銀固體分析使用FEINovaNanoSEM場發(fā)射電子槍掃描電子顯微鏡(SEM)使用FEI自動圖像采集(AIA)程序分析來自實例1-8的銀固體。從UV/Vis比色杯獲取一滴清潔分散液并且滴落涂布于包覆二氧化硅晶片的SEM端頭上，隨后真空干燥。使用FEINovaNanoSEM場發(fā)射電子槍掃描電子顯微鏡收集背向散射電子圖像。使用FEI自動圖像采集(AIA)程序移動工作臺、聚焦并且收集圖像。在6μm水平場寬度下獲取每一樣品的十八個圖像。使用ImageJ軟件的半自動化圖像分析基于縱橫比3將目標(biāo)分類為線與粒子。自動測量圖像中的線寬以及線的總面積。針對圖像中粒子的個別尺寸和總面積將粒子列表。又使用ImageJ軟件測定表4中的銀納米線直徑。針對直徑分析獲得的SEM圖像觀測到銀納米線的平均長度超過20μm。使用ImageJ軟件分析來自實例1-8中每一個的產(chǎn)物銀納米線的SEM圖像，提供樣品中縱橫比>3的銀納米線的相對測量。用于這一測量的統(tǒng)計為根據(jù)以下表達式確定的納米線分率NWF：NWF＝NWA/TA；其中TA為指定安置的銀固體樣品遮擋的襯底的總表面積；并且NWA為縱橫比>3的銀納米線造成的總遮擋表面積的部分。表4當(dāng)前第1頁1 2 3