本發(fā)明關(guān)于蒸鍍掩膜及蒸鍍掩膜的制造方法。

背景技術(shù)：

近年，平板顯示器在各式商品或領(lǐng)域中被活用，持續(xù)追求平板顯示器進(jìn)一步大型化、高畫質(zhì)化、低耗電量化。

在這樣的狀況下，具備有利用有機(jī)材料或無機(jī)材料的電致發(fā)光(electroluminescence，以下記載為「el」)的el元件的el顯示裝置，作為全固態(tài)型且低電壓驅(qū)動(dòng)、高速響應(yīng)性、自發(fā)光性等優(yōu)異特點(diǎn)的平板顯示器，引起高度關(guān)注。

el顯示裝置，為了實(shí)現(xiàn)全彩顯示，具備對(duì)應(yīng)于構(gòu)成像素的多個(gè)子像素射出所期望的色的光的發(fā)光層。

發(fā)光層，于蒸鍍工序，使用設(shè)有高精度的開口部的高精細(xì)金屬掩膜(fmm)作為蒸鍍掩膜，通過使互相不同的蒸鍍粒子蒸鍍分散在被成膜基板上的各區(qū)域以形成蒸鍍膜。

為了使蒸鍍粒子高精度地蒸鍍分散在被成膜基板上，在蒸鍍掩膜被要求尺寸精度高、與蒸鍍時(shí)的輻射熱造成的形狀變化(熱延伸)的抑制。

為了抑制蒸鍍時(shí)的輻射熱造成的熱延伸，一直以來，使用通過熱膨脹系數(shù)小的不變鋼形成的蒸鍍掩膜。不變鋼，由于鐵(fe)、與鎳(ni)之間磁性變形的極大化導(dǎo)致的熱收縮應(yīng)力作用，被認(rèn)為是熱膨脹系數(shù)小于一般的金屬材料。

在專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2記載關(guān)于蒸鍍用金屬掩膜，所述蒸鍍用金屬掩膜具備以不變鋼形成的開孔形成層及支撐層、與被夾入在開孔形成層與支撐層且與開孔形成層及支撐層蝕刻特性不同的接合層。

專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2的金屬掩膜，使用不變鋼因此熱膨脹系數(shù)小，可以抑制蒸鍍時(shí)的輻射熱造成的形狀變化。

再者，專利文獻(xiàn)1的金屬掩膜，使用于開孔形成層及支撐層的不變鋼的結(jié)晶為定向成使(111)、(200)、(311)、(220)的主方位之中(200)的定向度成為60～99％。由此，可以使用以形成開口部的蝕刻速度提升，生產(chǎn)性提升。

專利文獻(xiàn)1：日本專利公報(bào)「專利第3975439號(hào)公報(bào)(2007年6月29日登錄)」。

專利文獻(xiàn)2：日本專利公報(bào)「專利第4126648號(hào)公報(bào)(2008年5月23日登錄)」。

非專利文獻(xiàn)1：中間一夫和其他四人，＂冷拔及退火條件對(duì)于fe-36mass％ni合金的熱膨脹的影響＂，日本金屬學(xué)會(huì)志，第77卷第11號(hào)(2013)537-542。

發(fā)明摘要

然而，不變鋼的熱膨脹系數(shù)，對(duì)應(yīng)于形狀而有偏差，例如在12mm板材為9～13×10^-6/℃，在圓柱形狀的塊材為1×10^-6/℃

另外，使用專利文獻(xiàn)1的金屬掩膜進(jìn)行蒸鍍的情況，為了防止金屬掩膜的彎曲，在對(duì)金屬掩膜施加張力且粘貼在掩膜框的狀態(tài)下進(jìn)行蒸鍍。然而，例如，薄的箔狀(例如，厚度50μm)的金屬掩膜，通過施加張力、或壓延，構(gòu)成金屬掩膜含有的不變鋼的結(jié)晶的結(jié)晶方位成為異向性，磁性的方向一致。其結(jié)果，由于不變鋼的熱收縮的方向一致，因此使金屬掩膜的熱膨脹系數(shù)增大。

如此，金屬掩膜的熱膨脹系數(shù)，因?yàn)樵谡翦児ば蛑械竭_(dá)最終利用狀態(tài)的加工制程的影響而變化，因此并非直接反映不變鋼的固有的物理性質(zhì)。

因此，實(shí)際的蒸鍍工序中，即使輻射熱例如未滿100℃，也會(huì)有金屬掩膜熱延伸，且蒸鍍膜的上色劃分精度降低的情況。

專利文獻(xiàn)1中，通過濕式制程于金屬掩膜形成開口部后，將金屬掩膜固定于掩膜框之際，沒有考慮關(guān)于將金屬掩膜施加張力所產(chǎn)生的熱膨脹系數(shù)的增大。即，專利文獻(xiàn)1中，沒有考慮關(guān)于施加張力固定在掩膜框的狀態(tài)下之金屬掩膜的熱膨脹系數(shù)。

于蒸鍍工序使用的金屬掩膜，通過施加張力固定在掩膜框而助長(zhǎng)結(jié)晶方位的異向性，成為其熱膨脹系數(shù)大于施加張力前的熱膨脹系數(shù)的狀態(tài)。因此，在現(xiàn)有的金屬掩膜，不易實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

本發(fā)明是有鑒于所述課題而構(gòu)成，其目的在于提供可以實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案的蒸鍍掩膜、蒸鍍裝置、及蒸鍍掩膜的制造方法。

為了解決所述的課題，本發(fā)明的一種方式的蒸鍍掩膜的制造方法，所述蒸鍍掩膜具有形成有用以在被成膜基板上將蒸鍍材料成膜的開口部的掩膜部、及掩膜框，所述掩膜部具備含有鐵及鎳的合金；所述蒸鍍掩膜的制造方法，其特征在于，包含：在對(duì)所述掩膜部施加張力以將所述掩膜部的端部固定于所述掩膜框的狀態(tài)下，對(duì)所述掩膜部進(jìn)行熱處理的熱處理工序。

為了解決所述的課題，本發(fā)明的一種方式的蒸鍍掩膜，具有形成有用以在被成膜基板上將蒸鍍材料成膜的開口部的掩膜部、及掩膜框，所述蒸鍍掩膜，其特征在于，所述掩膜部，其端部在施加張力的狀態(tài)下固定于所述掩膜框；所述掩膜部，其具備含有鐵及鎳的合金；構(gòu)成所述合金的結(jié)晶等向的配向。

根據(jù)本發(fā)明的一種方式，可提供可以實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案的蒸鍍掩膜及蒸鍍掩膜的制造方法。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施方式1的蒸鍍裝置的主要部位的構(gòu)成的示意剖面圖。

圖2是于非專利文獻(xiàn)1記載的不變鋼的衍射角度的x射線衍射的光學(xué)頻譜。

圖3是于非專利文獻(xiàn)1記載的不變鋼的退火溫度對(duì)平均熱膨脹系數(shù)給予的影響的示意圖表。

圖4的(a)～(e)，是本發(fā)明實(shí)施方式1的蒸鍍掩膜的制造工序以工序順序示意的剖面圖。

圖5的(a)是通過施加張力熔接的不變鋼的結(jié)晶粒的結(jié)晶定向的變化示意圖，(b)是通過熱燒成的不變鋼的結(jié)晶粒的結(jié)晶定向的變化示意圖。

圖6是本發(fā)明實(shí)施方式2的蒸鍍裝置的主要部位的構(gòu)成的示意剖面圖。

圖7的(a)～(d)，是本發(fā)明實(shí)施方式2的蒸鍍掩膜的制造工序以工序順序示意的剖面圖。

圖8是本發(fā)明實(shí)施方式3的蒸鍍裝置的主要部位的構(gòu)成的示意剖面圖。

圖9(a)～(e)，是本發(fā)明實(shí)施方式3的蒸鍍掩膜的制造工序以工序順序示意的剖面圖。

具體實(shí)施方式

[實(shí)施方式1]

關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施的一種方式若是基于圖1～圖5的(a)、(b)說明如下述。

＜蒸鍍裝置＞

圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的蒸鍍裝置1的主要部位的構(gòu)成的示意剖面圖。

蒸鍍裝置1，是用以于被成膜基板10的成膜區(qū)域形成由蒸鍍材料構(gòu)成的蒸鍍膜的裝置。蒸鍍裝置1，作為蒸鍍膜，例如可以形成el顯示裝置的發(fā)光層。

如圖1所示，蒸鍍裝置1，具備蒸鍍掩膜2、與經(jīng)由蒸鍍掩膜2將蒸鍍材料披覆于被成膜基板10的蒸鍍?cè)?1。

蒸鍍掩膜2，具備平行平板狀的掩膜部3、與保持掩膜部3的端部的掩膜框4。在掩膜部3，形成有至少一個(gè)開口部5。開口部5，具有與形成于被成膜基板10的表面的蒸鍍膜圖案相同(實(shí)質(zhì)上地相同)或者對(duì)應(yīng)于所述蒸鍍膜圖案的至少一部分的形狀。例如，在掩膜部3形成有多個(gè)開口部5，各個(gè)開口部5，于俯視下分別為矩形狀，且排列成矩陣狀。

掩膜框4，具有中央被開口的框形狀。掩膜部3的端部(周緣部分)在施加與表面平行的方向的張力的狀態(tài)下被固定于掩膜框4。

蒸鍍掩膜2，是用以于被成膜基板10上所期望的位置形成蒸鍍膜的掩膜，在蒸鍍時(shí)被配置成與被成膜基板10對(duì)向。

蒸鍍?cè)?1，夾著蒸鍍掩膜2在與被成膜基板10的反對(duì)側(cè)，與蒸鍍掩膜2對(duì)向配置。蒸鍍?cè)?1，是在內(nèi)部收容蒸鍍材料的容器。此外，蒸鍍?cè)?1，可以是在內(nèi)部直接收容蒸鍍材料的容器，也可以是形成為具有加載互鎖式的配管以從外部供給蒸鍍材料。

蒸鍍?cè)?1，在其上面(即，與所述蒸鍍掩膜2的對(duì)向面)側(cè)，具有將蒸鍍材料作為蒸鍍粒子13射出的射出口12。

蒸鍍?cè)?1，通過使蒸鍍材料加熱蒸發(fā)(蒸鍍材料為液體的情況)或升華(蒸鍍材料為固體材料的情況)產(chǎn)生氣體狀的蒸鍍粒子13。蒸鍍?cè)?1，將如此的氣體化的蒸鍍材料作為蒸鍍粒子13，從射出口12向著蒸鍍掩膜2射出。

在蒸鍍裝置1使用的蒸鍍方法(蒸鍍工序)，例如，使蒸鍍掩膜2與被成膜基板10互相對(duì)向，在如圖1所示使蒸鍍掩膜2與被成膜基板10互相密合(接觸)的狀態(tài)下，將蒸鍍材料經(jīng)由蒸鍍掩膜2的開口部5披覆于被成膜基板10。由此，在被成膜基板10的成膜區(qū)域可以形成已定的圖案的蒸鍍膜。

但是，使用蒸鍍裝置1的蒸鍍方法，不限定于如此的蒸鍍掩膜2與被成膜基板10以接觸狀態(tài)下固定的進(jìn)行蒸鍍的固定蒸鍍。

在使用蒸鍍裝置1的蒸鍍工序，可以是通過使蒸鍍掩膜2與被成膜基板10相對(duì)地移動(dòng)進(jìn)行掃描蒸鍍，也可以是進(jìn)行階段蒸鍍，所述階段蒸鍍，在蒸鍍掩膜2與被成膜基板10對(duì)準(zhǔn)進(jìn)行一次蒸鍍后，相對(duì)于被成膜基板10錯(cuò)開蒸鍍掩膜2的位置再次進(jìn)行蒸鍍。

因此，在所述的說明中，雖然可以舉出開口部5配置成矩陣狀(簡(jiǎn)言之，二維狀)的情況作為一例子，但開口部5的形狀及配置，例如對(duì)應(yīng)于應(yīng)對(duì)蒸鍍膜的種類的用途或蒸鍍方法等以獲得所期望的蒸鍍膜，適宜設(shè)定即可，不限定于所述形狀及配置。

開口部5，也可以是例如俯視為狹縫狀或者槽狀等。另外，開口部5，設(shè)置至少一個(gè)即可，可以是俯視只在一維方向排列，也可以是只設(shè)置一個(gè)。

＜蒸鍍掩膜＞

蒸鍍掩膜2的掩膜部3，具有依照開孔形成層31、接合層32、與支撐層33這樣的順序被層疊的三層結(jié)構(gòu)。

在開孔形成層31形成有貫通孔51(第一貫通孔)，在接合層32形成有貫通孔52，在支撐層33形成有貫通孔53(第二貫通孔)。通過貫通孔51、貫通孔52、及貫通孔53，構(gòu)成將掩膜部3的表面背面貫通的貫通孔即開口部5。貫通孔51的開口寬度小于貫通孔53的開口寬度，掩膜部3的開口部5的開口寬度根據(jù)貫通孔51的開口寬度而被規(guī)定。

開孔形成層31，蒸鍍工序中構(gòu)成與被成膜基板10接觸側(cè)的面，支撐層33，構(gòu)成與蒸鍍?cè)?1對(duì)向側(cè)的面。為了降低蒸鍍陰影的影響，開孔形成層31優(yōu)選為薄，例如被設(shè)定成10μm以下。

支撐層33，是比開孔形成層31厚的層，是支撐開孔形成層31用以防止開孔形成層31彎曲的層。通過設(shè)置支撐層33，可以抑制掩膜部3整體彎曲。為了抑制掩膜部3的彎曲，支撐層33優(yōu)選為厚，于支撐層33被設(shè)置的貫通孔53優(yōu)選為小。另一方面，為使蒸鍍陰影的影響變小，支撐層33優(yōu)選為薄，貫通孔53的開口寬度優(yōu)選為大。

支撐層33的厚度，優(yōu)選為與開口部5的最小長(zhǎng)度同程度或在其以下，例如設(shè)定成30～100μm程度。

開孔形成層31及支撐層33的厚度、與開孔形成層31及于支撐層33形成的貫通孔的大小，優(yōu)選為考慮對(duì)應(yīng)于掩膜部3的大小可能產(chǎn)生的彎曲、與對(duì)應(yīng)于蒸鍍?cè)?1及射出口12的設(shè)計(jì)可能產(chǎn)生的蒸鍍陰影而被設(shè)計(jì)。

開孔形成層31及支撐層33，是由含有鐵(fe)及鎳(ni)的合金構(gòu)成的層，可以使用不變鋼(不變合金)或者柯華鋼(柯華合金)作為含有鐵及鎳的合金。

不變鋼是指，對(duì)鐵混合以36％～50％的鎳的合金(fe-36％ni～fe-50％ni)，包含例如錳(mn)及碳(c)作為微量成份。此外，被知道特別是對(duì)鐵加入36％的鎳的不變鋼(fe-36％ni)，熱膨脹系數(shù)小。

柯華鋼是指，對(duì)鐵例如混合以29％的鎳及17％的鈷(co)的合金(29ni-17co-fe)，含有例如錳及硅(si)作為微量成份。

通過使用含有不變鋼或者柯華鋼等，鐵及鎳且熱膨脹系數(shù)小的合金形成開孔形成層31及支撐層33，可以抑制因?yàn)檎翦儠r(shí)的輻射熱導(dǎo)致的掩膜部3的變形。

另外，通過使用不變鋼等的磁性體形成開孔形成層31及支撐層33，以在被成膜基板10的背面配置有磁鐵，通過磁力可以使蒸鍍掩膜2與被成膜基板10更確實(shí)地密合。

此外，也可以使用包含鐵及鉑(pt)的合金(fe-pt合金)或包含鐵及鈀(pd)的合金(fe-pd合金)，取代不變鋼及柯華鋼來形成開孔形成層31及支撐層33。

接合層32，是用以接合開孔形成層31與支撐層33的層。接合層32，優(yōu)選為熔點(diǎn)比鐵低，富有化學(xué)安定性的材料?？梢允褂免?ti)、金(au)、銀(ag)、或銅(cu)等作為如此的材料。

另外，接合層32也可以是使用與構(gòu)成開孔形成層31及支撐層33的材料具有不同蝕刻特性的材料構(gòu)成?？梢允褂美珏a(sn)、銀(ag)等作為如此的材料。若是通過所述的構(gòu)成，通過蝕刻對(duì)支撐層33形成貫通孔53的工序中，可防止貫通孔形成于開孔形成層31，且支撐層33的貫通孔53與開孔形成層31的貫通孔51可以通過分別的工序形成。由此，可以于各層分別形成不同大小的貫通孔。

此外，接合層32的厚度，只要確保作為蝕刻障礙，需要的厚度即可，若有1μm程度的厚度就足夠。

掩膜部3，以充分施加張力的狀態(tài)下，將其周緣部分以例如通過激光等熔接于掩膜框4、或通過涂上接著劑等其他的方法接著，固定于掩膜框4。由此，可以抑制掩膜部3的彎曲，且可以抑制蒸鍍時(shí)的掩膜部3來自被成膜基板10的浮起。

＜掩膜部的結(jié)晶定向＞

蒸鍍掩膜2中，構(gòu)成掩膜部3的開孔形成層31及支撐層33的結(jié)晶，等向地定向。

例如，通過不變鋼形成開孔形成層31及支撐層33的情況，于構(gòu)成開孔形成層31及支撐層33含有的不變鋼的結(jié)晶，結(jié)晶面為定向成使(111)、(200)、(220)、及(311)，任一結(jié)晶面的定向度都不超過60％。特別是，(200)的定向度為50％以下。

在此，結(jié)晶面的定向度是指，構(gòu)成不變鋼的全部的結(jié)晶數(shù)之中，在該結(jié)晶面定向的結(jié)晶數(shù)的比率。

由此，不變鋼的熱收縮的方向成為等向的，其結(jié)果，如同后述可以使熱膨脹系數(shù)降低。由此，可以抑制蒸鍍工序中的掩膜部3(或蒸鍍掩膜2)的熱延伸，可以實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

＜不變鋼的結(jié)晶方位＞

以下，引用非專利文獻(xiàn)1，說明關(guān)于不變鋼的結(jié)晶方位。圖2是于非專利文獻(xiàn)1記載的不變鋼的x射線衍射的光學(xué)頻譜。

圖2(a)的光學(xué)頻譜，是將50kg的不變鋼的鑄錠于1150℃鍛造成直徑40mm的棒材，以1000℃、30分鐘保持后，水冷獲得的固溶處理材料的x射線衍射的光學(xué)頻譜。

圖2(b)的光學(xué)頻譜，是所述的不變鋼的固溶處理材料以車床加工成38mm的棒材后，通過冷拔加工加工獲得成直徑27mm的拉拔材料中與拉拔方向平行的方向的面的x射線衍射的光學(xué)頻譜。

圖2(c)的光學(xué)頻譜，是所述的不變鋼的固溶處理材料以車床加工成38mm的棒材后，通過冷拔加工加工獲得成直徑27mm的拉拔材料中與半徑方向平行的方向的面的x射線衍射的光學(xué)頻譜。

圖2(d)的光學(xué)頻譜，是所述的拉拔材料以550℃、2小時(shí)退火后的拉拔材料中與拉拔方向平行的方向的面的x射線衍射的光學(xué)頻譜。

圖2(e)的光學(xué)頻譜，是所述的拉拔材料以550℃、2小時(shí)退火后的拉拔材料中與半徑方向平行的方向的面的x射線衍射的光學(xué)頻譜。

圖2(f)的光學(xué)頻譜，是所述的拉拔材料以650℃、2小時(shí)退火后的拉拔材料中與拉拔方向平行的方向的面的x射線衍射的光學(xué)頻譜。

圖2(g)的光學(xué)頻譜，是所述的拉拔材料以650℃、2小時(shí)退火后的拉拔材料中與半徑方向平行的方向的面的x射線衍射的光學(xué)頻譜。

如圖2(a)所示，在固溶處理材料，從(111)面的衍射峰值最高，具有大略等向的結(jié)晶方位。

如圖2(b)所示，所述的拉拔材料，在與拉拔方向平行的方向的面中，相較于(111)面及(200)面從(220)的衍射峰值較高。在另一方面，如圖2(c)所示，在所述的拉拔材料之與半徑方向平行的方向的面，來自(220)的衍射峰值極小，來自(111)的衍射峰值最高。由此，被知道通過拉拔加工產(chǎn)生結(jié)晶方位的異向性，發(fā)展成平行于拉拔方向的剖面具有(011)面的組織、及于拉拔方向具有＜011＞方向的組織。

另外，如圖2(d)所示，以550℃、2小時(shí)退火后的所述的拉拔材料，在與拉拔方向平行的方向的面中，相較于(111)面及(200)面從(220)的衍射的峰值較高。另一方面，如圖2(e)所示，以550℃、2小時(shí)退火后所述的拉拔材料，在與半徑方向平行的方向的面中，來自(220)的衍射峰值極小，來自(111)的衍射峰值最高。由此，被知道即使在施加以550℃、2小時(shí)退火后仍保有通過拉拔加工產(chǎn)生的結(jié)晶方位的異向性。

另外，如圖2(f)及(g)所示，以650℃、2小時(shí)退火后的所述的拉拔材料，在與拉拔方向平行的方向的面及與半徑方向平行的方向的面中，來自(220)面的衍射峰值低，成為與所述的固溶處理材料的光學(xué)頻譜相同的光學(xué)頻譜。這是表示，通過以650℃、2小時(shí)退火后所述的拉拔材料的結(jié)晶方位的等向性變高。此外，為使不變鋼以650℃開始再結(jié)晶，通過以650℃、2小時(shí)退火開始再結(jié)晶，因?yàn)楫a(chǎn)生新的結(jié)晶粒所以使結(jié)晶方位的等向性變高。

所述的特性，是在各種組成的不變鋼的共通特性。再者，不變鋼等的含有鐵或鎳的合金也是，具備與所述的不變鋼的特性相同的特性。

＜不變鋼的熱膨脹系數(shù)＞

以下，引用非專利文獻(xiàn)1的記載，說明關(guān)于不變鋼的退火溫度對(duì)平均熱膨脹系數(shù)給予的影響。

圖3是，于非專利文獻(xiàn)1記載的不變鋼的退火溫度對(duì)平均熱膨脹系數(shù)給予的影響的示意圖表。圖3中，縱軸表示，參照?qǐng)D2說明的使不變鋼的所述固溶處理材料及所述拉拔材料的溫度從50℃變化到150℃時(shí)的平均熱膨脹系數(shù)。

如圖3所示，所述固溶處理材料的平均熱膨脹系數(shù)，為約1.6×10^-6/℃。相對(duì)于此，所述拉拔材料的平均熱膨脹系數(shù)，為約1.2×10^-6/℃。這是表示，使用棒材等的實(shí)心棒(塊體狀)的不變鋼作為試驗(yàn)片的情況，通過施加拉拔加工，試驗(yàn)片的熱膨脹系數(shù)降低。

然而，試驗(yàn)片為薄的箔狀或箔試料(箔狀)的情況，通過壓延或拉伸使試驗(yàn)片的熱膨脹系數(shù)增大。具體而言，試驗(yàn)片為箔狀的不變鋼的情況，被知道通過壓延使平均熱膨脹系數(shù)上升到9～13×10^-6/℃。這被認(rèn)為是，試驗(yàn)片薄的情況，因?yàn)樵诤穸确较蛑薪Y(jié)晶定向的自由度降低使結(jié)晶方位的異向性增大，不變鋼的熱收縮效果降低，因此熱膨脹系數(shù)增大。因此，如蒸鍍掩膜2的掩膜部3的各層般的厚度在10μm～50μm程度的薄的不變鋼的情況，通過壓延或施加張力使熱膨脹系數(shù)增大。

另外，如圖3所示，以500℃、2小時(shí)退火后的不變鋼的平均熱膨脹系數(shù)，為約2.5×10^-6/℃，大于固溶處理材料的熱膨脹系數(shù)。相對(duì)于此，以650℃、2小時(shí)退火后的不變鋼的平均熱膨脹系數(shù)，為約1.6×10^-6/℃。

因此，通過退火溫度650℃，可以使不變鋼的平均熱膨脹系數(shù)有效果地降低。另外，若是一并考慮參照?qǐng)D2說明與不變鋼的結(jié)晶方位，不變鋼通過650℃退火使結(jié)晶定向(結(jié)晶方位)的等向性變高，由此，被認(rèn)為平均熱膨脹系數(shù)降低。

所述的特性，是在各種組成的不變鋼的共通特性。再者，柯華鋼等的含有鐵或鎳的合金也是具備與所述的不變鋼的特性相同的特性。

如所述，本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜2，構(gòu)成掩膜部3的開孔形成層31及支撐層33的結(jié)晶被等向地定位。因此，蒸鍍掩膜2的熱膨脹系數(shù)低，可以抑制蒸鍍工序的掩膜部3(或蒸鍍掩膜2)的熱延伸，可以實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

＜蒸鍍掩膜的制造方法＞

基于圖4的(a)～(d)，說明關(guān)于蒸鍍掩膜2的制造方法。圖4的(a)～(d)，是本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜2的制造工序以工序順序示意的剖面圖。

在以下，說明關(guān)于使用不變鋼形成的開孔形成層31及支撐層33，使用鈦形成接合層32的情況的蒸鍍掩膜2的制造方法。

蒸鍍掩膜2的制造工序中，第一，如圖4的(a)所示，作為成為掩膜部3的板材，準(zhǔn)備依照開孔形成層31、接合層32、與支撐層33這樣的順序被層迭的三層結(jié)構(gòu)的片狀的板材34。

例如，也可以是開孔形成層31的厚度為10μm、接合層32的厚度為10μm、支撐層33的厚度為50μm。另外，優(yōu)選為構(gòu)成板材34的開孔形成層31及支撐層33的結(jié)晶是等向地定向。

接著，如圖4的(b)所示，通過蝕刻，于支撐層33形成(濕式制程)貫通孔53(第二貫通孔)。雖然支撐層33及開孔形成層31都是由不變鋼構(gòu)成的層，但由于在中間設(shè)置鈦構(gòu)成的接合層32，于開孔形成層31及接合層32不形成貫通孔，而是只有支撐層33可以形成貫通孔53。此外，接合層32，只要通過將開孔形成層31化學(xué)性地阻擋，防止往支撐層33的蝕刻工序中于開孔形成層31形成貫通孔即可，其厚度優(yōu)選為薄者。

接著，如圖4的(c)所示，也可以將板材34施加張力以對(duì)板材34施加張力狀態(tài)下，將板材34的端部固定(施加張力固定)于掩膜框4。例如，也可以通過熔接，將板材34的端部固定(施加張力熔接)于掩膜框4。

接著，如圖4的(d)所示，將施加張力固定于掩膜框4的板材34進(jìn)行熱處理(退火、加熱、冷卻)(熱處理工序)。具體而言，在惰性環(huán)境下施加以650℃以上的熱來壓延后，進(jìn)行冷卻。

此外，以往通過薄板鋼板一邊以輥運(yùn)送或線運(yùn)送一邊加工制造蒸鍍掩膜。因此，現(xiàn)有的蒸鍍掩膜的制造工序中，薄板鋼板以軟化溫度以上的溫度熱處理的時(shí)候，無法維持加熱前的形狀。具體而言，一邊以輥運(yùn)送薄板鋼板一邊熱處理后的狀況，薄板鋼板的軟化且張力和緩，另外，一邊以線運(yùn)送薄板鋼板一邊熱處理后的狀況，薄板鋼板軟化且產(chǎn)生膨脹。其結(jié)果，在運(yùn)送中運(yùn)送速度變成不均一，導(dǎo)致制造出蒸鍍掩膜的形狀(厚度)變成不均一的問題產(chǎn)生。

在本實(shí)施方式，在熱處理時(shí)，施加張力固定于掩膜框4的板材34以650℃熱燒成，板材34會(huì)軟化。這是主要被認(rèn)為是，ni成份超過居里溫度且磁性平衡崩潰，使熱膨脹系數(shù)急遽地增加為主要原因。然而，在本實(shí)施方式，熱燒成后，以板材34固定于掩膜框4的狀態(tài)下，因?yàn)橐贿吘S持板材34的形狀一邊冷卻，所以如所述熱處理之際，即使以軟化溫度以上的溫度加熱板材34，也可以維持加熱前的形狀。

圖5的(a)是，通過施加張力熔接的不變鋼的結(jié)晶粒的結(jié)晶定向的變化示意圖，圖5的(b)是，通過熱燒成的不變鋼的結(jié)晶粒的結(jié)晶定向的變化示意圖。圖5的(a)、(b)中，實(shí)線箭頭是表示于各結(jié)晶粒6中含有的結(jié)晶面7的面方位，虛線箭頭是表示結(jié)晶面7排列方向即結(jié)晶方位。

通過于板材34施加張力，構(gòu)成板材34的結(jié)晶，厚度方向的自由度變小。其結(jié)果，圖5的(a)的壓延/施加張力熔接后的如圖所示的各結(jié)晶粒6的結(jié)晶方向一致，結(jié)晶方位成為異向的。通過使結(jié)晶方位成為異向的，熱膨脹系數(shù)變高。

然而，以對(duì)板材34施加張力，其端部固定于掩膜框4的狀態(tài)下，通過進(jìn)行針對(duì)板材34進(jìn)行熱處理的熱處理工序，如圖5的(b)的熱燒成后的圖所示，掩膜部3含有的構(gòu)成不變鋼的結(jié)晶的結(jié)晶方位成為等向的。通過構(gòu)成不變鋼的結(jié)晶的結(jié)晶方位成為等向的，掩膜部3的熱膨脹系數(shù)降低。

此外，將板材34熱燒成之際，優(yōu)選為將板材34載置于由耐熱性的sus材或者石英板等構(gòu)成的支撐臺(tái)上的狀態(tài)下熱燒成。由此，可以抑制將板材34熱燒成之際導(dǎo)致板材34的形狀變化。

接著，如圖4的(e)所示，通過激光加工，于開孔形成層31形成有貫通孔51(第一貫通孔)，于接合層32形成有貫通孔52(開口部形成工序)。由貫通孔51、貫通孔52、與貫通孔53，形成掩膜部3的貫通孔(開口部5)。

通過以上的工序，可以制造由掩膜部3及掩膜框4構(gòu)成的蒸鍍掩膜2。通過激光加工，由不變鋼構(gòu)成的開孔形成層31、相對(duì)于由鈦構(gòu)成的接合層32，以單一工序可以形成貫通孔51及貫通孔52。另外，使用于激光加工的激光，優(yōu)選為以極短時(shí)間的脈沖激光。通過使用極短時(shí)間脈沖激光來激光加工不變鋼等的熱傳導(dǎo)性高的合金，比起使用通常的連續(xù)震蕩激光來激光加工的情況，可以形成尺寸精度高的貫通孔。

貫通孔51及貫通孔52的開口寬度，是小于貫通孔53的開口寬度。由此，蒸鍍掩膜2的開口部5的開口寬度，不是根據(jù)貫通孔53來規(guī)定，而是根據(jù)貫通孔51規(guī)定。因此，圖4的(b)所示通過蝕刻工序形成的貫通孔53的開口寬度，對(duì)蒸鍍圖案的精度給予的影響小。

在現(xiàn)有的蒸鍍掩膜的制造方法，通過將薄的不變鋼的箔壓延(或拉伸)且化學(xué)蝕刻于箔形成開口部后，向掩膜框黏貼進(jìn)行熔接。箔經(jīng)過以機(jī)械性處理及化學(xué)性處理，磁性平衡大幅變化。特別是，經(jīng)過以機(jī)械性處理，不變鋼中的結(jié)晶粒受到向特定方向的拉伸，因此結(jié)晶方位向特定方向?qū)R，磁性波動(dòng)降低。其結(jié)果造成，熱收縮應(yīng)力降低，熱膨脹系數(shù)增大。

相對(duì)于此，若是根據(jù)本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜2的制造方法，包含對(duì)由不變鋼等的合金構(gòu)成的板材34(掩膜部3)施加張力且其端部固定于掩膜框4的狀態(tài)下，對(duì)板材34進(jìn)行熱處理的熱處理工序。

由此，通過所述的制造方法制造的蒸鍍掩膜2，熱膨脹系數(shù)小，可以抑制蒸鍍工序中的熱膨脹，可以實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

即，掩膜部3，作為蒸鍍掩膜2可以利用的狀態(tài)(最終利用狀態(tài))中，比起現(xiàn)有的蒸鍍掩膜的掩膜部熱膨脹系數(shù)小。由此，通過使用本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜2進(jìn)行蒸鍍，可以實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

另外，在本實(shí)施方式，對(duì)板材34施加張力且其端部固定于掩膜框4后，通過激光加工，于開孔形成層31及接合層32分別形成貫通孔51、52。因此，若是根據(jù)本實(shí)施方式，與使用記載于專利文獻(xiàn)1、2的金屬掩膜進(jìn)行蒸鍍的情況，為了防止金屬掩膜的彎曲，將形成開口部的金屬掩膜施加張力黏貼于掩膜框進(jìn)行蒸鍍的情況比較，可以使規(guī)定開口部5的尺寸的開孔形成層31及接合層32的尺寸精度及位置精度提升。

＜變形例＞

此外，在所述的說明，在將板材34熱燒成后，作為通過激光加工形成貫通孔51及貫通孔52者，不限定于本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜2的制造方法，至少，如圖4的(c)所示將板材34施加張力固定于掩膜框4后，如圖4的(d)所示將板材34熱處理即可。

因此，例如，在蒸鍍掩膜2的制造工序中，也可以將圖4的(d)所示的熱處理工序、與圖4的(e)所示的開口部形成工序?qū)㈨樞蛱鎿Q后實(shí)施。即，也可以如圖4的(e)所示通過激光加工形成貫通孔51及貫通孔52后，如圖4的(d)所示將板材34熱處理。

即使如以上的變形例，包含對(duì)板材34施加張力且其端部固定于掩膜框4的狀態(tài)下，對(duì)板材34進(jìn)行熱處理的熱處理工序。另外，即使在本變形例，也對(duì)板材34施加張力且其端部固定于掩膜框4后，通過激光加工，于開孔形成層31及接合層32分別形成貫通孔51、52。因此，即使本變形例，可以獲得與所述的效果相同的效果。

[實(shí)施方式2]

基于圖6及圖7的(a)～(d)說明關(guān)于本發(fā)明其他的實(shí)施方式，如以下所述。此外，為了說明的便利性，關(guān)于與在前述實(shí)施方式1說明過的部件具有同樣功能的部件，以相同符號(hào)標(biāo)注，且省略其說明。

圖6是，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置101的主要部位的構(gòu)成的示意剖面圖。

如圖6所示，蒸鍍裝置101，除了蒸鍍掩膜102的掩膜部103為開孔形成層31構(gòu)成的單層構(gòu)造這點(diǎn)之外，與實(shí)施方式1的蒸鍍裝置1具有相同的構(gòu)成。

在蒸鍍掩膜102，通過貫通孔51，構(gòu)成貫通掩膜部103的表面背面的貫通孔即開口部5。

與實(shí)施方式1的蒸鍍掩膜2的掩膜部3相同，掩膜部103含有的構(gòu)成合金的結(jié)晶，等向的定向。

蒸鍍掩膜102，與實(shí)施方式1的蒸鍍掩膜2不同，由于在掩膜部103沒有設(shè)置支撐層33及接合層32，與蒸鍍掩膜2的掩膜部3相比，掩膜部103可以變薄。由此，可以降低蒸鍍陰影的影響。

＜蒸鍍掩膜的制造方法＞

基于圖7說明關(guān)于蒸鍍掩膜102的制造方法。圖7的(a)～(c)，是本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜102的制造工序以工序順序示意的剖面圖。

在以下，說明關(guān)于使用不變鋼形成開孔形成層31情況下的蒸鍍掩膜102的制造方法。

在蒸鍍掩膜102的制造工序，第一，如圖7的(a)所示，準(zhǔn)備作為成為掩膜部103的板材的由開孔形成層31構(gòu)成的單層構(gòu)造的片狀的板材134。

接著，如圖7的(b)所示，對(duì)板材134施加張力以在板材134施加張力的狀態(tài)下，將板材134的端部固定于掩膜框4(施加張力固定)。例如，也可以通過熔接，將板材134的端部固定于掩膜框4(施加張力熔接)。

接著，如圖7的(c)所示，將施加張力固定于掩膜框4的板材134進(jìn)行熱處理(退火、加熱、冷卻)。具體而言，在惰性環(huán)境下施加以650℃以上的熱來熱燒成后，進(jìn)行冷卻。由此，可以使包含于掩膜部103的構(gòu)成不變鋼的結(jié)晶方位的等向性變高，熱膨脹系數(shù)降低。

接著，如圖7的(d)所示，通過激光加工，于開孔形成層31形成貫通孔51(開口部形成工序)。由此，在掩膜部103形成開口部5，可以制造由掩膜部103及掩膜框4構(gòu)成的蒸鍍掩膜102。另外，使用于激光加工的激光，優(yōu)選為極短時(shí)間的脈沖激光。通過使用極短時(shí)間脈沖激光來激光加工不變鋼等的熱傳導(dǎo)性高的合金，比起使用通常的連續(xù)震蕩激光來激光加工的情況，可以形成尺寸精度高的貫通孔。

根據(jù)本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜102的制造方法，包含在對(duì)由不變鋼等的合金構(gòu)成的板材134(掩膜部103)施加張力將其端部固定于掩膜框4的狀態(tài)下，對(duì)板材134進(jìn)行熱處理的熱處理工序。

對(duì)板材134施加張力且其端部固定于掩膜框4的狀態(tài)下，通過進(jìn)行針對(duì)板材34進(jìn)行熱處理的熱處理工序，如圖5的(b)所示，于掩膜部103含有的構(gòu)成不變鋼的結(jié)晶的結(jié)晶方位成為等向的。通過構(gòu)成不變鋼的結(jié)晶的結(jié)晶方位成為等向的，掩膜部103的熱膨脹系數(shù)降低。

因此，通過所述的制造方法制造的蒸鍍掩膜102，熱膨脹系數(shù)小、蒸鍍工序中可以抑制熱膨脹，可以實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

＜變形例＞

此外，在所述的說明，在將板材134熱燒成后，通過激光加工作為形成貫通孔51，但本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜102的制造方法并不限于此，至少，只要如圖7的(b)所示將板材134施加張力固定于掩膜框4后，如圖7的(c)所示將板材134進(jìn)行熱處理即可。

因此，例如，蒸鍍掩膜102的制造工序中，也可以將如圖7的(c)所示的熱處理工序，與如圖7的(d)所示的開口部形成工序順序替換后實(shí)施。即，也可以如圖7的(d)所示通過激光加工形成貫通孔51后，如圖7的(c)所示將板材134熱處理(即，熱燒成及冷卻)。

在本變形例，也包含對(duì)板材134施加張力且其端部固定于掩膜框4的狀態(tài)下，對(duì)板材134進(jìn)行熱處理的熱處理工序。另外，在本變形例，也對(duì)板材134施加張力且其端部固定于掩膜框4后，通過激光加工，于開孔形成層31形成貫通孔51。因此，在本變形例，也可以得到與所述效果相同的效果。

[實(shí)施方式3]

基于圖8及圖9的(a)～(e)說明關(guān)于本發(fā)明其他的實(shí)施方式，如以下所述。此外，為了說明的便利性，關(guān)于與在前述實(shí)施方式1說明過的部件具有同樣功能的部件，以相同符號(hào)標(biāo)注，且省略其說明。

圖8是，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置201的主要部位的構(gòu)成的示意剖面圖。

如圖8所示，蒸鍍裝置201，是除了蒸鍍掩膜202的掩膜部203為通過開孔形成膜231及支撐層33所構(gòu)成的這點(diǎn)之外，與實(shí)施方式1的蒸鍍裝置1具有相同的構(gòu)成。

蒸鍍掩膜202的掩膜部203，具有由開孔形成膜231(開孔形成層)及支撐層33構(gòu)成的兩層構(gòu)造。于開孔形成膜231形成有貫通孔251(第一貫通孔)、支撐層33形成有貫通孔53(第二貫通孔)。通過貫通孔251及貫通孔53，構(gòu)成將掩膜部203的表面背面貫通的貫通孔即開口部5。

開孔形成膜231，是使用薄膜形成技術(shù)形成在支撐層33表面的薄膜。開孔形成膜231，是由鎳(ni)構(gòu)成的薄膜，或由含有鐵(fe)及鎳(ni)的合金構(gòu)成的薄膜，其厚度優(yōu)選為5μm以下。

作為用以形成開孔形成膜231的薄膜形成技術(shù)，可以適用電鍍法、濺鍍法、或各種蒸鍍等的薄膜形成技術(shù)。

支撐層33，與實(shí)施方式1的蒸鍍掩膜2的支撐層33相同，是由含有鐵(fe)及鎳(ni)的合金構(gòu)成的層，優(yōu)選為由不變鋼構(gòu)成的層。

另外，與實(shí)施方式1的蒸鍍掩膜2的掩膜部3相同，掩膜部203含有的構(gòu)成合金的結(jié)晶，等向的定向。

蒸鍍掩膜202，與實(shí)施方式1的蒸鍍掩膜2不同，在掩膜部203，設(shè)有支撐層33、與由支撐層33表面涂布的薄膜構(gòu)成的開孔形成膜231。因此，與蒸鍍掩膜2的掩膜部3相比，掩膜部203可以較薄。由此，可以降低蒸鍍陰影的影響。

＜蒸鍍掩膜的制造方法＞

基于圖9說明關(guān)于蒸鍍掩膜202的制造方法。圖9的(a)～(e)，是本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜202的制造工序以工序順序示意的剖面圖。

在以下，說明關(guān)于使用鎳形成開孔形成膜231，且使用不變鋼形成支撐層33的情況下蒸鍍掩膜202的制造方法。

在蒸鍍掩膜202的制造工序，第一，如圖9的(a)所示，準(zhǔn)備作為成為掩膜部203的板材的由支撐層33、與在支撐層33的表面形成的開孔形成膜231構(gòu)成的兩層構(gòu)造的片狀的板材234。

開孔形成膜231的厚度也可以為5μm，支撐層33的厚度也可以為50μm。另外，構(gòu)成開孔形成膜231及支撐層33的結(jié)晶，優(yōu)選為等向地定向。

接著，如圖9的(b)所示，通過蝕刻，在支撐層33形成貫通孔53(第二貫通孔)。

接著，如圖9的(c)所示，將板材234施加張力以對(duì)板材234施加張力的狀態(tài)下，將板材234的端部固定于掩膜框4(施加張力固定)。例如，也可以通過熔接，將板材234的端部固定于掩膜框4(施加張力熔接)。

接著，如圖9的(d)所示，將施加張力固定于掩膜框4的板材234進(jìn)行熱處理(退火、加熱、冷卻)。具體而言，在惰性環(huán)境下施加以650℃以上的熱來熱燒成后，進(jìn)行冷卻。由此，可以使包含于掩膜部203的構(gòu)成不變鋼的結(jié)晶方位的等向性變高，熱膨脹系數(shù)降低。

接著，如圖9的(e)所示，通過激光加工，于開孔形成膜231形成(開口部形成工序)貫通孔251(第一貫通孔)。由此，可以于掩膜部203形成開口部5，且制造由掩膜部203及掩膜框4構(gòu)成的蒸鍍掩膜202。

根據(jù)本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜202的制造方法，包含在對(duì)由不變鋼等的合金構(gòu)成的板材234(掩膜部203)施加張力且其端部固定于掩膜框4的狀態(tài)下，對(duì)板材34進(jìn)行熱處理的熱處理工序。

將板材234施加張力且其端部固定于掩膜框4的狀態(tài)下，通過進(jìn)行對(duì)板材234進(jìn)行熱處理的熱處理工序，如圖5的(b)所示，掩膜部203含有的構(gòu)成不變鋼的結(jié)晶的結(jié)晶方位成為等向的。因?yàn)闃?gòu)成不變鋼的結(jié)晶的結(jié)晶方位成為等向的，所以掩膜部203的熱膨脹系數(shù)降低。另外，作為開孔形成膜231，將鎳以濺鍍形成的情況，雖然鎳的結(jié)晶向(111)面定向且有容易成為異向地定向的傾向，但是通過進(jìn)行熱處理工序，于開孔形成膜231含有的鎳的結(jié)晶方位成為等向的。

因此，通過所述的制造方法制造的蒸鍍掩膜202，熱膨脹系數(shù)小，可以抑制蒸鍍工序中的熱膨脹，可以實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

＜變形例＞

此外，在所述的說明，在將板材234熱燒成后，通過激光加工作為形成貫通孔251，但本實(shí)施方式的蒸鍍掩膜202的制造方法并不限于此，至少，只要如圖9的(c)所示將板材234施加張力固定于掩膜框4后，如圖9的(d)所示將板材234進(jìn)行熱處理即可。

因此，例如，蒸鍍掩膜202的制造工序中，也可以將如圖9的(d)所示的熱處理工序，與如圖9的(e)所示的開口部形成工序順序替換后實(shí)施。即，也可以如圖9的(e)所示通過激光加工形成貫通孔251后，如圖9的(d)所示將板材234熱處理(即，熱燒成及冷卻)。

在本變形例，也包含對(duì)板材234施加張力且其端部固定于掩膜框4的狀態(tài)下，對(duì)板材234進(jìn)行熱處理的熱處理工序。另外，在本變形例，也對(duì)板材234施加張力且其端部固定于掩膜框4后，通過激光加工，于開孔形成膜231形成貫通孔251。因此，在本變形例，也可以得到與所述效果相同的效果。

[總結(jié)]

本發(fā)明的方式1的蒸鍍掩膜的制造方法，所述蒸鍍掩膜(2)具有形成有用以在被成膜基板(10)上將蒸鍍材料(13)成膜的開口部(5)的掩膜部(3)、及掩膜框(4)，所述掩膜部具備含有鐵及鎳的合金；所述蒸鍍掩膜的制造方法，其特征在于，包含：在對(duì)所述掩膜部施加張力以將所述掩膜部的端部固定于所述掩膜框的狀態(tài)下，對(duì)所述掩膜部進(jìn)行熱處理的熱處理工序。

根據(jù)所述的制造方法，通過掩膜部以施加張力的狀態(tài)下進(jìn)行熱處理，掩膜部的構(gòu)成合金的結(jié)晶的定向的等向性可以變高。由此，可以使熱膨脹系數(shù)降低，抑制蒸鍍時(shí)的蒸鍍掩膜的熱延伸，可以實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

本發(fā)明的方式2的蒸鍍掩膜的制造方法，也可以在所述方式1中，所述合金具有多個(gè)結(jié)晶面；在所述熱處理工序，進(jìn)行熱處理以使任何結(jié)晶面的定向度都不超過60％。

根據(jù)所述的制造方法，掩膜部含有的合金的結(jié)晶方位都不超過60％，結(jié)晶方位的等向性高。由此，合金的熱收縮方向成為更等向的，可以使熱膨脹系數(shù)更降低。其結(jié)果可制造抑制因蒸鍍時(shí)的輻射熱導(dǎo)致的熱延伸的蒸鍍掩膜。

本發(fā)明的方式3的蒸鍍掩膜的制造方法，也可以于所述方式1或2中，在所述熱處理工序，所述合金以再結(jié)晶溫度退火。

根據(jù)所述的制造方法，通過合金的再結(jié)晶產(chǎn)生新的結(jié)晶粒，其結(jié)果可制造合金的結(jié)晶方位的等向性變高，且熱膨脹系數(shù)降低的蒸鍍掩膜。

本發(fā)明的方式4的蒸鍍掩膜的制造方法，也可以于所述方式3中，在所述熱處理工序，所述掩膜部以650℃以上退火。

根據(jù)所述的制造方法，可以使構(gòu)成掩膜部的合金的結(jié)晶等向的配向，可以使掩膜部的熱膨脹系數(shù)降低。

本發(fā)明的方式5的蒸鍍掩膜的制造方法，也可以于所述方式1至4任一項(xiàng)中，還包含對(duì)所述掩膜部形成開口部的開口部形成工序，在所述開口部形成工序之后，進(jìn)行所述熱處理工序。

本發(fā)明的方式6的蒸鍍掩膜的制造方法，也可以于所述方式1至4任一項(xiàng)中，還包含對(duì)所述掩膜部形成開口部的開口部形成工序，在所述熱處理工序之后，進(jìn)行所述開口部形成工序。

本發(fā)明的方式7的蒸鍍掩膜的制造方法，也可以于所述方式5或6中，在所述開口部形成工序，通過使用脈沖激光的激光加工，對(duì)所述掩膜部形成所述開口部。

根據(jù)所述的制造方法，可以在掩膜部形成尺寸精度高的開口部。

本發(fā)明的方式8的蒸鍍掩膜的制造方法，也可以于所述方式1至7任一項(xiàng)中，所述合金為不變鋼。

本發(fā)明的方式9的蒸鍍掩膜的制造方法，也可以于所述方式1至7任一項(xiàng)中，所述合金為柯華鋼。

本發(fā)明的方式10的蒸鍍掩膜，所述蒸鍍掩膜具有形成有用以在被成膜基板上將蒸鍍材料成膜的開口部的掩膜部、及掩膜框，所述掩膜部，端部在施加張力的狀態(tài)下固定于所述掩膜框；所述掩膜部，具備含有鐵及鎳的合金；構(gòu)成所述合金的結(jié)晶，等向的配向。

根據(jù)所述的構(gòu)成，為使掩膜部在施加張力的狀態(tài)下固定于所述掩膜框，可以降低蒸鍍時(shí)的掩膜部的彎曲。由此，可以抑制掩膜部從被成膜基板浮起，實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

另外，掩膜部含有的構(gòu)成合金的結(jié)晶，等向的定向。由此，可以使合金的熱收縮方向成為等向的，且熱膨脹系數(shù)降低。其結(jié)果可以抑制蒸鍍時(shí)因輻射熱導(dǎo)致的掩膜的熱延伸，實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

本發(fā)明的方式11的蒸鍍掩膜，也可以于所述方式10中，所述合金具有多個(gè)結(jié)晶面(7)；任何結(jié)晶面的定向度都不超過60％。

根據(jù)所述的構(gòu)成，掩膜部含有的合金的任一結(jié)晶方位都不超過60％，結(jié)晶方位的等向性高。由此，合金的熱收縮方向成為更等向的，使熱膨脹系數(shù)更降低。其結(jié)果可以抑制蒸鍍時(shí)因輻射熱導(dǎo)致的掩膜的熱延伸，實(shí)現(xiàn)高精度的蒸鍍圖案。

本發(fā)明的方式12的蒸鍍掩膜，也可以于所述方式10或11中，所述掩膜部，具備開孔形成層(31、開孔形成膜321)與比所述開孔形成層厚的支撐層(33)；在所述開孔形成層，設(shè)置對(duì)應(yīng)于所述開口部的第一貫通孔(貫通孔51、251)；在所述支撐層，設(shè)置對(duì)應(yīng)于所述開口部的第二貫通孔(貫通孔53)；所述開口部的開口寬度，根據(jù)所述第一貫通孔的開口寬度被規(guī)定。

根據(jù)所述的構(gòu)成，通過具備與規(guī)定掩膜部的開口部的開孔形成層不同，比開孔形成層更厚的支撐層，可以提升蒸鍍掩膜的強(qiáng)度，且抑制彎曲。

再者，蒸鍍掩膜的開口部，由于是根據(jù)在比支持層更薄的開孔形成層設(shè)有的第一貫通孔而被規(guī)定，可以降低蒸鍍陰影的影響。

本發(fā)明的方式13的蒸鍍掩膜，也可以于所述方式10至12任一項(xiàng)中，所述合金為不變鋼。

本發(fā)明的方式14的蒸鍍掩膜，也可以于所述方式10至12任一項(xiàng)中，所述合金為柯華鋼。

本發(fā)明的方式15的蒸鍍裝置，也可以是具備：所述方式10至14任一項(xiàng)的蒸鍍掩膜；以及經(jīng)由所述蒸鍍掩膜的所述開口部將所述蒸鍍材料披覆在所述被成膜基板的蒸鍍?cè)?11)的構(gòu)成。

本發(fā)明不限定于所述各實(shí)施方式，在權(quán)利要求所示范圍可進(jìn)行各種變更，關(guān)于將不同實(shí)施方式分別揭露的技術(shù)性手段適宜組合所得的實(shí)施方式也包含于本發(fā)明的技術(shù)性范圍。再者，通過組合于各實(shí)施方式分別揭露的技術(shù)性手段，可以形成新的技術(shù)性特征。

本發(fā)明可以合適地利用于有機(jī)el元件及無機(jī)el元件、以及具備所述有機(jī)el元件的有機(jī)el顯示裝置、具備所述無機(jī)el元件的無機(jī)el顯示裝置等的制造。

附圖標(biāo)記的說明

1、101、201蒸鍍裝置

2、102、202蒸鍍掩膜

3、103、203掩膜部

4掩膜框

5開口部

6結(jié)晶粒

7結(jié)晶面

10被成膜基板

11蒸鍍?cè)?/p>

31開孔形成部

231開孔形成膜

33支撐層

51、251貫通孔(第一貫通孔)

53貫通孔(第二貫通孔)