用于升華型oled材料蒸鍍的坩堝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，包括本體部(1)及連接于所述本體部(1)的上蓋部(2)，所述上蓋部(2)的頂端中心設有一出氣孔(21)，所述本體部(1)的內表面具有錐度，且所述本體部(1)靠近上蓋部(2)一側的內徑大于本體部(1)遠離上蓋部(2)一側的內徑。本發(fā)明通過將坩堝的內壁設計成具有一定的錐度，使OLED材料升華后，剩余的OLED材料在重力作用下下沉，繼續(xù)保持與坩堝內壁的充分接觸，從而使其受熱更充分，同時保證蒸鍍速率的穩(wěn)定。
【專利說明】用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及OLED制程領域，尤其涉及一種用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝。

【背景技術】
[0002]OLED是一種極具發(fā)展前景的平板顯示技術，它具有十分優(yōu)異的顯示性能，具有自發(fā)光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗及可實現(xiàn)柔性顯示等特性，被譽為“夢幻顯示器”。再加上其生產(chǎn)設備投資遠小于TFT-1XD，得到了各大顯示器廠家的青睞，已成為顯示【技術領域】中第三代顯示器件的主力軍。目前OLED已處于大規(guī)模量產(chǎn)的前夜，隨著研究的進一步深入，新技術的不斷涌現(xiàn)，OLED顯示器件必將有一個突破性的發(fā)展。
[0003]OLED有機材料的薄膜制備有兩種工藝路線。對于高分子OLED材料，采用溶液成膜方式，這種工藝目前還處于試驗室研究階段。對于小分子OLED材料，目前普遍采用真空熱蒸鍍的成膜方式，這種工藝路線被平板顯示行業(yè)的大多數(shù)工廠采用，比如三星、LG等。真空熱蒸鍍技術是在低于5x KT5Pa的真空環(huán)境下，通過加熱的方式將材料由固態(tài)變?yōu)檎魵鉅顟B(tài)，高速運動的氣態(tài)分子到達玻璃基板并在基板上沉積固化，再變回為OLED材料的固體薄膜。對于熔融型材料，其受熱后，會由固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)，最后變?yōu)闅鈶B(tài)分子，這類型材料對于坩堝內部的形狀并沒有太高的要求，因為液態(tài)物質會到處流動，可以保持與坩堝內壁的充分接觸。而對于升華型材料，其受熱后，會直接由固態(tài)轉化為氣態(tài)分子。而現(xiàn)有用于OLED材料蒸鍍的坩堝如圖1所示，包括本體部100、連接于本體部100的上蓋部200、及設于上蓋部200中心的出氣孔210，并且用于容納OLED材料300的本體部100的內壁為圓柱狀，由于固態(tài)物質缺乏流動性，所以在材料受熱升華的過程中極有可能發(fā)生如圖2所示的情況，OLED材料受熱后，與坩堝內壁接觸的OLED材料首先升華，變成氣態(tài)分子跑掉，剩下的固態(tài)OLED材料無法流動，從而剩余的OLED材料無法與坩堝內壁充分接觸，導致升華的速率不穩(wěn)。如果設備運行在速率固定模式下，為保持升華速率，設備會不斷加熱以提高溫度，這樣極有可能超過OLED材料的裂解溫度，導致OLED材料變質。


【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，通過將坩堝的內壁設計成具有一定的錐度，使OLED材料升華后，剩余的固態(tài)OLED材料在重力作用下下沉，繼續(xù)保持與坩堝內壁的充分接觸，從而使其受熱更充分，同時保證蒸鍍速率的穩(wěn)定。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，包括本體部及連接于所述本體部的上蓋部，所述上蓋部的頂端中心設有一出氣孔，所述本體部的內表面具有錐度，且所述本體部靠近上蓋部一側的內徑大于本體部遠離上蓋部一側的內徑。
[0006]所述本體部的內表面與豎直方向的夾角為O?65度。
[0007]所述本體部的內表面與豎直方向的夾角優(yōu)選為5?25度。
[0008]所述坩堝的材料為不銹鋼、鈦或鋁。
[0009]所述坩堝內壁的表面粗糙度為Ra.0?Ra.15。
[0010]所述上蓋部包括一基部及連接于所述基部的出氣部，所述出氣孔設于出氣部的中心；所述基部的外表面呈圓柱狀，所述出氣部的外表面呈圓臺狀，所述本體部的外表面呈圓柱狀。
[0011]所述基部的外徑大于本體部的外徑，所述本體部的外徑大于出氣部的外徑。
[0012]所述出氣部靠近基部一側的外徑大于出氣部遠離基部一側的外徑。
[0013]所述基部的內徑大于本體部的內徑，所述本體部的內徑大于出氣孔的直徑。
[0014]所述出氣孔靠近基部一側的直徑大于出氣孔遠離基部一側的直徑。
[0015]所述升華型OLED材料為用于成膜OLED有機層的有機材料或用于成膜OLED金屬陰極及LiF等無機材料。
[0016]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，通過將坩堝的內壁設計成具有一定的錐度，使OLED材料升華后，剩余的固態(tài)OLED材料在重力作用下下沉，繼續(xù)保持與坩堝內壁的充分接觸，從而使其受熱更充分，同時保證蒸鍍速率的穩(wěn)定。
[0017]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]下面結合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0019]附圖中，
[0020]圖1為一種現(xiàn)有用于OLED材料蒸鍍的坩堝的剖面示意圖；
[0021]圖2為使用如圖1所示的坩堝進行蒸鍍的示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝的剖面示意圖；
[0023]圖4為使用如圖3所示的坩堝進行蒸鍍的示意圖。

【具體實施方式】
[0024]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0025]請參閱圖3，本發(fā)明提供一種用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，包括本體部I及連接于所述本體部I的上蓋部2，所述上蓋部2的頂端中心設有一出氣孔21，所述本體部I的內表面具有錐度，且所述本體部I靠近上蓋部2 —側的內徑大于本體部I遠離上蓋部2 —側的內徑。本發(fā)明中針對固態(tài)的升華型OLED材料，將坩堝的內壁設計成具有一定的錐度，以保證OLED材料升華后，剩余的固態(tài)OLED材料在重力作用下會下沉，繼續(xù)保持與坩堝內壁的充分接觸。
[0026]如圖3所示，所述本體部I的內表面與豎直方向的夾角Θ控制在O?65度之間，優(yōu)選的，所述夾角為5?25度。
[0027]所述坩堝的材料可以為不銹鋼、鈦或鋁等其他金屬材料。
[0028]所述坩堝內壁的表面粗糙度為Ra.0?Ra.15，以增大內表面與材料的接觸面積，從而使OLED材料3受熱均勻，保證蒸鍍速率的穩(wěn)定。
[0029]進一步的，如圖3所示，所述上蓋部2包括一基部22及連接于所述基部22的出氣部23，所述出氣孔21設于出氣部23的中心；所述基部22的外表面呈圓柱狀，所述出氣部23的外表面呈圓臺狀，所述本體部I的外表面呈圓柱狀。
[0030]基部22的內側下端邊緣與本體部I的外側上端邊緣連接。所述基部22的外徑大于本體部I的外徑，所述本體部I的外徑大于出氣部23的外徑。所述出氣部23靠近基部
22一側的外徑大于出氣部23遠離基部22 —側的外徑。所述基部22的內徑大于本體部I的內徑，所述本體部I的內徑大于出氣孔21的直徑。所述出氣孔21靠近基部22 —側的直徑大于出氣孔21遠離基部22 —側的直徑。
[0031]所述升華型OLED材料可以是用于成膜OLED有機層的有機材料或用于成膜OLED金屬陰極及LiF等無機材料。
[0032]請參閱圖4，當使用本發(fā)明的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝進行蒸鍍制程時，容納于本體部I處的OLED材料3受熱后，其與坩堝內表面相接處位置的OLED材料31首先受熱升華，并由出氣孔21揮發(fā)出去，而由于坩堝內壁傾斜角Θ的設置，剩余的OLED材料在重力作用下會下沉，繼續(xù)保持與坩堝內壁的充分接觸，從而使其受熱更充分，同時保證蒸鍍速率的穩(wěn)定。
[0033]值得一提的是，該坩堝可應用于OLED材料的真空熱蒸鍍，包括有機材料、金屬陰極以及LiF等無機材料，同時也可以應用于其他真空熱蒸鍍領域。
[0034]綜上所述，本發(fā)明提供一種用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，通過將坩堝的內壁設計成具有一定的錐度，使OLED材料升華后，剩余的固態(tài)OLED材料在重力作用下下沉，繼續(xù)保持與坩堝內壁的充分接觸，從而使其受熱更充分，同時保證蒸鍍速率的穩(wěn)定。
[0035]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
【權利要求】
1.一種用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，包括本體部(I)及連接于所述本體部(I)的上蓋部(2)，所述上蓋部(2)的頂端中心設有一出氣孔(21)，其特征在于，所述本體部(I)的內表面具有錐度，且所述本體部(I)靠近上蓋部(2) —側的內徑大于本體部(I)遠離上蓋部⑵一側的內徑。
2.如權利要求1所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述本體部(I)的內表面與豎直方向的夾角為O?65度。
3.如權利要求1所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述本體部(1)的內表面與豎直方向的夾角優(yōu)選為5?25度。
4.如權利要求1所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述坩堝的材料為不銹鋼、鈦或鋁。
5.如權利要求1所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述坩堝內壁的表面粗糙度為Ra.0?Ra.15。
6.如權利要求1所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述上蓋部(2)包括一基部(22)及連接于所述基部(22)的出氣部(23)，所述出氣孔(21)設于出氣部(23)的中心；所述基部(22)的外表面呈圓柱狀，所述出氣部(23)的外表面呈圓臺狀，所述本體部(I)的外表面呈圓柱狀。
7.如權利要求6所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述基部(22)的外徑大于本體部(I)的外徑，所述本體部(I)的外徑大于出氣部(23)的外徑。
8.如權利要求7所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述出氣部(23)靠近基部(22) —側的外徑大于出氣部(23)遠離基部(22) —側的外徑。
9.如權利要求8所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述基部(22)的內徑大于本體部⑴的內徑，所述本體部⑴的內徑大于出氣孔(21)的直徑。
10.如權利要求9所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述出氣孔(21)靠近基部(22) —側的直徑大于出氣孔(21)遠離基部(22) —側的直徑。
11.如權利要求1所述的用于升華型OLED材料蒸鍍的坩堝，其特征在于，所述升華型OLED材料為用于成膜OLED有機層的有機材料或用于成膜OLED金屬陰極及LiF無機材料。
【文檔編號】C23C14/24GK104404450SQ201410593595
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年10月28日 優(yōu)先權日:2014年10月28日
【發(fā)明者】劉亞偉 申請人:深圳市華星光電技術有限公司