專利名稱：一種雙坩堝感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于單晶生長技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置。
背景技術(shù)：
感應(yīng)加熱物理氣相傳輸法生長單晶時，需要使用高熔點材料(例如高純石墨、金屬鉭、鎢等)制作坩堝，用來盛裝料源(放在堝底)和籽晶(裝在堝蓋內(nèi)表面)。目前一般都是用一個坩堝(以下簡稱為“單坩堝”)，既作發(fā)熱體、又作生長腔，結(jié)構(gòu)比較簡單。但是，為了滿足發(fā)熱和溫場的要求，單坩堝的尺寸需要做得比單純裝料所需的坩堝尺寸大很多，而取出 生成的單晶時，一般只能破壞坩堝。因此，單坩堝只能一次性使用，這導(dǎo)致高熔點坩堝材料消耗大、坩堝成本高。另外，單坩堝每次出爐的時容易蹭掉一些緊貼其外壁的保溫材料，再次裝爐時需要補充，甚至重新加工保溫筒。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有單坩堝造成的坩堝一次性使用、成本高的缺陷，提供了一種雙坩堝裝置，其中的外坩堝可多次使用，操作方便、成本降低。為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了如下的技術(shù)方案一種雙坩堝感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置，包括保溫筒，在所述保溫筒內(nèi)設(shè)有外坩堝，在所述外坩堝內(nèi)設(shè)有內(nèi)坩堝，單晶原料與籽晶位于內(nèi)坩堝內(nèi)。所述內(nèi)坩堝設(shè)有用于放置籽晶的堝蓋。本實用新型適用于所有感應(yīng)加熱物理氣相傳輸法生長單晶的方法，包括但不限于碳化硅、氮化鋁。本實用新型裝置是這樣實現(xiàn)其功能的感應(yīng)加熱物理氣相傳輸法生長單晶時，使用內(nèi)外兩套同軸的高熔點材料坩堝(簡稱“雙坩堝”)，外坩堝用以滿足發(fā)熱和溫場的要求，尺寸較大；內(nèi)坩堝只用來盛裝原料(放在堝底)和籽晶(裝在堝蓋內(nèi)表面)，尺寸較小。內(nèi)坩堝同軸地放在外坩堝底部，兩個坩堝各自都有堝蓋可以密封，或者外坩堝也可以不加堝蓋，以便于取出內(nèi)坩堝。生長結(jié)束之后，從外坩堝中取出內(nèi)坩禍，打開內(nèi)坩堝、取出晶錠；而外坩堝不動，可以多次使用。與使用單坩堝的現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型不但可以大大減少高熔點坩堝材料的消耗，而且內(nèi)坩堝取出時不會蹭掉保溫材料，從而延長了保溫材料的使用壽命?？傊?，本實用新型裝置可以簡化工藝、降低成本。

附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的限制。在附圖中圖I是本實用新型雙坩堝裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型的優(yōu)選實施例進行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。圖I所不，一種雙樹禍感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置，包括感應(yīng)圈4和保溫筒1，在保溫筒I內(nèi)設(shè)有外坩堝2，在外坩堝2內(nèi)設(shè)有內(nèi)坩堝3，單晶原料5 (放在堝底)與籽晶6 (裝在堝蓋內(nèi)表面)位于內(nèi)坩堝3內(nèi)。其中，內(nèi)外坩堝各自都有堝蓋可以密封，或者外坩堝也可以不加堝蓋(圖I所示)，以便于取出內(nèi)坩堝。實施例I :使用本實用新型裝置和感應(yīng)加熱物理氣相傳輸法生長6英寸直徑的碳化硅單晶。使用內(nèi)外兩套同軸的高純石墨坩堝(簡稱“雙坩堝”)，外坩堝內(nèi)徑200毫米、外徑250毫米、外部高300毫米、內(nèi)腔高250毫米；內(nèi)坩堝只用來盛裝原料(放在堝底)和籽晶(裝在堝蓋內(nèi) 表面)，內(nèi)徑160毫米、外徑180毫米、外部高160毫米、內(nèi)腔高120毫米。內(nèi)坩堝同軸地放在外坩堝底部，內(nèi)坩堝有堝蓋密封，而外坩堝不加堝蓋，以便于取出內(nèi)坩堝。生長結(jié)束之后，從外坩堝中取出內(nèi)坩堝，鋸開內(nèi)坩堝、取出6英寸直徑的碳化硅晶錠；而外坩堝不動，可以循環(huán)使用。實施例2:使用本實用新型裝置和感應(yīng)加熱物理氣相傳輸法生長I英寸直徑的氮化鋁單晶。使用內(nèi)外兩套同軸的鉭坩堝(簡稱“雙坩堝”)，外坩堝內(nèi)徑41毫米、外徑80毫米、外部高80毫米、內(nèi)腔高60毫米；內(nèi)坩堝只用來盛裝原料(放在堝底)和籽晶(裝在堝蓋內(nèi)表面)，內(nèi)徑為30暈米、外徑40暈米、夕卜部聞50暈米、內(nèi)腔聞40暈米。內(nèi)i甘禍同軸地放在外i甘禍底部，內(nèi)外坩堝都有堝蓋密封。生長結(jié)束之后，打開外坩堝蓋、從外坩堝中取出內(nèi)坩堝，鋸開內(nèi)坩堝、取出I英寸直徑的氮化鋁單晶錠；而外坩堝不動，可以循環(huán)使用。最后應(yīng)說明的是以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種雙坩堝感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置，包括保溫筒，其特征在于在所述保溫筒內(nèi)設(shè)有外坩堝，在所述外坩堝內(nèi)設(shè)有內(nèi)坩堝，內(nèi)外坩堝同軸，單晶原料與籽晶位于內(nèi)坩堝內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙坩堝感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置，其特征在于所述內(nèi)坩堝設(shè)有用于放置籽晶的堝蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的雙坩堝感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置，其特征在于所述的雙坩堝感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置適用于碳化硅或氮化鋁。
專利摘要一種雙坩堝感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置，屬于單晶生長技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置。包括保溫筒，在所述保溫筒內(nèi)設(shè)有外坩堝，在所述外坩堝內(nèi)設(shè)有內(nèi)坩堝，單晶原料與籽晶位于內(nèi)坩堝內(nèi)。與使用單坩堝的現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型不但可以大大減少高熔點坩堝材料的消耗，而且內(nèi)坩堝取出時不會蹭掉保溫材料，從而延長了保溫材料的使用壽命。
文檔編號C30B23/00GK202643904SQ20122013477
公開日2013年1月2日 申請日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者倪代秦, 吳星, 趙巖, 何麗娟, 王雷, 楊巍, 馬曉亮, 李晉 申請人:北京華進創(chuàng)威電子有限公司