技術(shù)編號：8161258
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實用新型屬于單晶生長技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及感應(yīng)加熱物理氣相傳輸生長單晶的裝置。背景技術(shù)感應(yīng)加熱物理氣相傳輸法生長單晶時，需要使用高熔點材料(例如高純石墨、金屬鉭、鎢等)制作坩堝，用來盛裝料源(放在堝底)和籽晶(裝在堝蓋內(nèi)表面)。目前一般都是用一個坩堝(以下簡稱為“單坩堝”)，既作發(fā)熱體、又作生長腔，結(jié)構(gòu)比較簡單。但是，為了滿足發(fā)熱和溫場的要求，單坩堝的尺寸需要做得比單純裝料所需的坩堝尺寸大很多，而取出 生成的單晶時，一般只能破壞坩堝。因此，單坩堝只能一次性使用，這導(dǎo)致高熔點坩堝材料消耗大、坩堝成本高。另外，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。