專(zhuān)利名稱(chēng)：坩堝及具有該坩堝的蒸鍍?cè)O(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種坩堝及具有該坩堝的蒸鍍?cè)O(shè)備，尤其涉及一種盛放柱狀膜料且可以連續(xù)更新膜料的坩堝及具有該坩堝的蒸鍍?cè)O(shè)備。
背景技術(shù)：
光學(xué)薄膜一般采用蒸鍍法(Evaporation Deposition)、離子輔助蒸鍍法 (IonAssisted deposition, IAD) , ^!!!!! (Ion Beam Sputtering Deposition, IBSD) 進(jìn)行鍍制。離子輔助蒸鍍具有獨(dú)立的離子源，安裝簡(jiǎn)單，對(duì)原系統(tǒng)的影響低，且離子束的范圍大，分布均勻，擁有良好的動(dòng)能，可以較輕易地將膜層壓緊，得到附著力良好的膜層等優(yōu)點(diǎn)， 其采用程度較高。離子輔助蒸鍍系統(tǒng)通常利用金屬坩堝來(lái)盛放顆粒狀膜料，并利用電子槍產(chǎn)生的高能電子束對(duì)盛放于坩堝內(nèi)的顆粒狀膜料進(jìn)行加熱，使顆粒狀膜料受熱蒸發(fā)附著于鍍膜表面形成所需的膜層。但是，利用傳統(tǒng)的坩堝盛放顆粒狀的膜料進(jìn)行蒸鍍加工時(shí)，易存在如下問(wèn)題其一，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的蒸鍍加工使得坩堝內(nèi)的膜料被消耗完一部分后，膜料表面將會(huì)因蒸發(fā)而產(chǎn)生大小不一的坑洞，通常需要人工進(jìn)行重新平整并加料，以盡量使坩堝內(nèi)的膜料表面與坩堝的開(kāi)口相平，便于膜料在受熱過(guò)程中蒸發(fā)，由此，將耗費(fèi)較多的人力及工時(shí)以進(jìn)行膜料的更新。其二，傳統(tǒng)坩堝盛放的顆粒狀膜料中膜料一般大小不一，加熱時(shí)易因不同顆粒之間受熱不均而造成膜料蒸發(fā)速率不一致，影響膜層形成的質(zhì)量。其三，頻繁地進(jìn)行人工加料更新時(shí)，易使顆粒狀的膜料中混雜一些雜質(zhì)，當(dāng)這些雜質(zhì)受熱蒸發(fā)而附著于鍍膜表面時(shí)，極易影響鍍膜表面所需膜層的品質(zhì)。其四，采用傳統(tǒng)的坩堝盛放顆粒狀的膜料鍍制多層膜時(shí)， 需要人工反復(fù)平整并加料，由此需要反復(fù)地對(duì)蒸鍍腔進(jìn)行破真空與抽真空的操作，直接造成加工工時(shí)的浪費(fèi)，而且頻繁地破真空與抽真空，較易影響真空泵的壽命及工作效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種易于實(shí)現(xiàn)的、可有效解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題的坩堝及具有該坩堝的蒸鍍?cè)O(shè)備。一種坩堝包括一個(gè)主體，一個(gè)頂桿，及一個(gè)驅(qū)動(dòng)器。所述主體具有一個(gè)用于盛放柱狀蒸鍍膜料的收容孔，所述收容孔的底部開(kāi)設(shè)有一個(gè)頂桿孔，所述頂桿孔與所述收容孔相貫通。所述頂桿設(shè)置于所述收容孔的底部且與所述頂桿孔相配合。所述驅(qū)動(dòng)器與所述頂桿相連接，所述驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述頂桿沿所述頂桿孔朝向或背離所述收容孔運(yùn)動(dòng)，使得盛放于所述收容孔內(nèi)的柱狀膜料相對(duì)于所述收容孔的底部被所述頂桿升起或降低?！N蒸鍍?cè)O(shè)備，所述蒸鍍膜設(shè)備包括腔體及設(shè)置在所述腔體內(nèi)的坩堝。所述坩堝包括一個(gè)主體，一個(gè)頂桿，及一個(gè)驅(qū)動(dòng)器。所述主體具有一個(gè)用于盛放柱狀蒸鍍膜料的收容孔，所述收容孔的底部開(kāi)設(shè)有一個(gè)頂桿孔，所述頂桿孔與所述收容孔相貫通。所述頂桿設(shè)置于所述收容孔的底部且與所述頂桿孔相配合。所述驅(qū)動(dòng)器與所述頂桿相連接，所述驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述頂桿沿所述頂桿孔朝向或背離所述收容孔運(yùn)動(dòng)，使得盛放于所述收容孔內(nèi)的柱狀膜料相對(duì)于所述收容孔的底部被所述頂桿升起或降低。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的坩堝具有如下優(yōu)點(diǎn)其一，所述坩堝利用驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)頂桿來(lái)升降盛放于坩堝內(nèi)的柱狀膜料，由此，對(duì)消耗完一部分的膜料的表面進(jìn)行平整后，可以通過(guò)控制驅(qū)動(dòng)器自動(dòng)使坩堝內(nèi)的膜料表面與坩堝的開(kāi)口相平，而無(wú)需通過(guò)人工進(jìn)行膜料更新。其二，所述坩堝盛放柱狀膜料進(jìn)行蒸鍍加工，可較好的避免加熱時(shí)因受熱不均而造成膜料蒸發(fā)速率不一致，影響膜層形成的質(zhì)量。其三，采用所述坩堝盛放柱狀膜料進(jìn)行蒸鍍加工時(shí)，可以持續(xù)進(jìn)行多次膜料更新，無(wú)需頻繁地進(jìn)行人工加料更新，可避免使膜料混雜雜質(zhì)， 確保鍍膜表面所需膜層的品質(zhì)。其四，采用所述坩堝盛放柱狀的膜料鍍制多層膜時(shí)，無(wú)需人工反復(fù)平整并加料，由此可避免反復(fù)地對(duì)蒸鍍腔進(jìn)行破真空與抽真空的操作，節(jié)省了相應(yīng)的工時(shí)，而且可以避免因頻繁地破真空與抽真空而影響真空泵的壽命及工作效率。其五， 采用具有所述坩堝的蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行蒸鍍加工，有利于實(shí)現(xiàn)鍍膜加工的自動(dòng)化或半自動(dòng)化操作，有利于提高蒸鍍效率。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的坩堝的示意圖，所述坩堝包括一個(gè)主體。圖2是圖1所示的坩堝的分解示意圖。圖3是圖1所示的坩堝的剖視圖。圖4是圖1所示的坩堝盛放柱狀膜料的示意圖。圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的具有圖1所示的坩堝的蒸鍍?cè)O(shè)備的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明主體環(huán)形蓋體基體螺釘外部冷卻管頂桿驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)軸柱狀膜料坩堝收容孔頂桿孔內(nèi)螺紋第一通孔第一螺紋孔中心孔環(huán)形壁環(huán)形槽
10 11 13 17
19
20
30
31 40 100 101 103 105 111 113 131 133 135
第二螺紋孔137
環(huán)形通道139
外螺紋201
蒸鍍?cè)O(shè)備300
腔體310
傘架320
離子源330
加熱系統(tǒng)340
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)一并參閱圖1至圖3，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種坩堝100，其包括一個(gè)主體10， 一個(gè)頂桿20，及一個(gè)驅(qū)動(dòng)器30。所述主體10具有一個(gè)收容孔101，所述收容孔101用于盛放柱狀蒸鍍膜料。所述收容孔101的底部開(kāi)設(shè)有一個(gè)頂桿孔103。所述頂桿孔103與所述收容孔101相貫通。本實(shí)施例中，所述主體10包括一個(gè)環(huán)形蓋體11，及一個(gè)基體13。所述環(huán)形蓋體11的中央?yún)^(qū)域開(kāi)設(shè)有一個(gè)第一通孔111。所述基體13為圓柱體結(jié)構(gòu)，所述基體13具有一個(gè)開(kāi)設(shè)于其中央?yún)^(qū)域的中心孔131，一個(gè)環(huán)繞于所述中心孔131外圍的環(huán)形壁133，及一個(gè)環(huán)繞于所述環(huán)形壁133外圍的環(huán)形槽135。所述環(huán)形蓋體11與所述基體13相配合組成所述主體10，所述第一通孔111與所述中心孔131組成所述坩堝100的收容孔101，所述環(huán)形槽135與所述收容孔101相通且由所述環(huán)形壁133所間隔，所述頂桿孔103開(kāi)設(shè)于所述中心孔131的底部。所述環(huán)形槽135形成圍繞所述收容孔101的空腔，由此，對(duì)所述坩堝100進(jìn)行加熱時(shí)， 可以使所述坩堝100的主體10內(nèi)的熱量較為均勻地分布，有利于盛放于所述收容孔101內(nèi)的膜料較均勻受熱。優(yōu)選地，所述第一通孔111、所述中心孔131、所述收容孔101及所述頂桿孔103均為圓形孔，即所述第一通孔111、所述中心孔131、所述收容孔101及所述頂桿孔103的橫截面均為圓形。而且，所述第一通孔111、所述中心孔131、所述收容孔101及所述頂桿孔103 的中心軸同軸。進(jìn)一步地，所述環(huán)形蓋體11的外圍對(duì)稱(chēng)地開(kāi)設(shè)有多個(gè)第一螺紋孔113，所述基體 13的外圍開(kāi)設(shè)有多個(gè)與所述第一螺紋孔113 —一對(duì)應(yīng)的第二螺紋孔137。所述多個(gè)第一螺紋孔113及所述多個(gè)第二螺紋孔137與多個(gè)螺釘(或螺栓)17 一一對(duì)應(yīng)配合，使所述環(huán)形蓋體11與所述基體13相配合組成所述主體10。本實(shí)施例中，所述環(huán)形蓋體11以其中心為對(duì)稱(chēng)中心開(kāi)設(shè)有四個(gè)所述第一螺紋孔113，對(duì)應(yīng)地，所述基體13開(kāi)設(shè)有四個(gè)所述第二螺紋孔137，所述四個(gè)第一螺紋孔113及所述四個(gè)第二螺紋孔137與四個(gè)所述螺釘17 —一對(duì)應(yīng)配合。優(yōu)選地，所述環(huán)形蓋體11與所述基體13均由金屬銅、鉬或者鎢制成，由此可以增強(qiáng)所述坩堝100受熱時(shí)的熱傳導(dǎo)性，且可以承受較高的蒸鍍溫度。進(jìn)一步地，所述基體13的環(huán)形壁133的內(nèi)部開(kāi)設(shè)有一個(gè)環(huán)形通道139，所述環(huán)形通道139與外部冷卻管19相連通。由此，根據(jù)加工過(guò)程的使用需要，通過(guò)外部冷卻系統(tǒng)(圖未示)，即可將冷卻液，如水或混合液體，經(jīng)由所述外部冷卻管19通入所述環(huán)形通道139內(nèi)， 對(duì)所述坩堝100進(jìn)行冷卻，便于后續(xù)加工。所述頂桿20設(shè)置于所述收容孔101的底部且與所述頂桿孔103相配合，所述頂桿 20可以在所述頂桿孔103內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)或移動(dòng)，以沿所述頂桿孔103進(jìn)入與所述頂桿孔103相貫通的所述收容孔101內(nèi)。本實(shí)施例中，所述頂桿20為圓柱結(jié)構(gòu)，其與圓形的所述頂桿孔103
相配合。進(jìn)一步地，所述頂桿孔103的內(nèi)周面開(kāi)設(shè)有內(nèi)螺紋105，所述頂桿20的外周面開(kāi)設(shè)有與所述內(nèi)螺紋105相配合的外螺紋201。由此，所述頂桿20可以在所述頂桿孔103內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)沿所述頂桿孔103進(jìn)入所述收容孔101內(nèi)。所述驅(qū)動(dòng)器30與所述頂桿20相連接，所述驅(qū)動(dòng)器30驅(qū)動(dòng)所述頂桿20沿所述頂桿孔103朝向或背離所述收容孔101運(yùn)動(dòng)，使得盛放于所述收容孔101內(nèi)的柱狀膜料(圖未示)相對(duì)于所述收容孔101的底部被所述頂桿20升起或降低。本實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)器 30為一個(gè)電動(dòng)馬達(dá)，其具有一個(gè)驅(qū)動(dòng)軸31，所述驅(qū)動(dòng)軸31的直徑小于所述頂桿孔103的直徑，所述驅(qū)動(dòng)軸31與所述頂桿20相連接且其兩者同軸。由此，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)器30，即可驅(qū)動(dòng)所述頂桿20沿所述頂桿孔103自動(dòng)地朝向或背離所述收容孔101運(yùn)動(dòng)。優(yōu)選地，所述頂桿20在所述驅(qū)動(dòng)器30的驅(qū)動(dòng)下沿著所述頂桿孔103的中心軸朝向或背離所述收容孔101運(yùn)動(dòng)。請(qǐng)參閱圖4，為所述坩堝100盛放柱狀膜料40的示意圖。將所述坩堝100設(shè)置于蒸鍍系統(tǒng)(圖未示)內(nèi)，進(jìn)行蒸鍍加工時(shí)，利用電子槍產(chǎn)生的高能電子束對(duì)所述坩堝100內(nèi)的柱狀膜料40進(jìn)行加熱，使所述柱狀膜料40表面蒸發(fā)并形成膜層于鍍膜表面。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的鍍膜加工使得所述坩堝100內(nèi)的柱狀膜料40被消耗完一部分后，所述柱狀膜料40 表面因蒸發(fā)形成一些大小不一的坑洞，此時(shí)需要對(duì)所述柱狀膜料40表面進(jìn)行平整，以確保蒸鍍加工過(guò)程獲得穩(wěn)定的蒸鍍速率，在鍍膜表面形成質(zhì)量較佳的膜層。由于所述柱狀膜料 40的消耗，平整完后所述柱狀膜料40的表面將會(huì)低陷于所述收容孔101，即所述柱狀膜料 40的表面低于所述收容孔101的開(kāi)口，為了有利于柱狀膜料40在受熱過(guò)程中蒸發(fā)，需要使所述柱狀膜料40的表面與所述收容孔101的開(kāi)口相平。此時(shí)，啟動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)器30，驅(qū)動(dòng)所述頂桿20，即可調(diào)節(jié)所述柱狀膜料40的表面與所述收容孔101的開(kāi)口的相對(duì)位置關(guān)系，確保柱狀膜料40可以較好地受熱蒸發(fā)。請(qǐng)參閱圖5，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備300，其包括一個(gè)腔體310，一個(gè)傘架320，一個(gè)離子源330，一個(gè)加熱系統(tǒng)340，及一個(gè)坩堝100。所述腔體310為真空腔體，其通過(guò)相連通的真空泵(圖未示)來(lái)獲得內(nèi)部的真空環(huán)境。所述傘架320、所述離子源330、所述加熱系統(tǒng)340及所述坩堝100均設(shè)置于所述腔體310的內(nèi)部。所述傘架320用于承載待鍍膜元件，并使待鍍膜元件的待鍍表面朝向膜料(即靶材)。本實(shí)施例中，所述加熱系統(tǒng)340為電子槍?zhuān)溆糜诋a(chǎn)生加熱蒸鍍膜料的高能電子束，以在鍍膜加工時(shí)使膜料蒸發(fā)形成膜料粒子。所述離子源330為等離子體離子源，其用于形成蒸鍍所需的等離子體，等離子體在真空環(huán)境中與膜料粒子相碰撞，使膜料粒子獲得額外能量，膜料粒子撞向待鍍表面后將附著于待鍍表面，形成所需的膜層。
本實(shí)施例中，所述傘架320設(shè)置于所述腔體310的上部，所述離子源330朝向所述傘架320，所述坩堝100的收容孔101 (圖未標(biāo)示)朝向所述傘架320，所述加熱系統(tǒng)340位于所述坩堝100的一側(cè)，所述加熱系統(tǒng)340產(chǎn)生的高能電子束在磁場(chǎng)(圖未示)的影響下射向盛放于所述坩堝100內(nèi)的膜料，由此對(duì)所述坩堝100內(nèi)的膜料進(jìn)行加熱使膜料蒸發(fā)形成膜料粒子。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的坩堝具有如下優(yōu)點(diǎn)其一，所述坩堝利用驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)頂桿來(lái)升降盛放于坩堝內(nèi)的柱狀膜料，由此，對(duì)消耗完一部分的膜料的表面進(jìn)行平整后，可以通過(guò)控制驅(qū)動(dòng)器自動(dòng)使坩堝內(nèi)的膜料表面與坩堝的開(kāi)口相平，而無(wú)需通過(guò)人工進(jìn)行膜料更新。其二，所述坩堝盛放柱狀膜料進(jìn)行蒸鍍加工，可較好的避免加熱時(shí)因受熱不均而造成膜料蒸發(fā)速率不一致，影響膜層形成的質(zhì)量。其三，采用所述坩堝盛放柱狀膜料進(jìn)行蒸鍍加工時(shí)，可以持續(xù)進(jìn)行多次膜料更新，無(wú)需頻繁地進(jìn)行人工加料更新，可避免使膜料混雜雜質(zhì)， 確保鍍膜表面所需膜層的品質(zhì)。其四，采用所述坩堝盛放柱狀的膜料鍍制多層膜時(shí)，無(wú)需人工反復(fù)平整并加料，由此可避免反復(fù)地對(duì)蒸鍍腔進(jìn)行破真空與抽真空的操作，節(jié)省了相應(yīng)的工時(shí)，而且可以避免因頻繁地破真空與抽真空而影響真空泵的壽命及工作效率。其五， 采用具有所述坩堝的蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行蒸鍍加工，有利于實(shí)現(xiàn)鍍膜加工的自動(dòng)化或半自動(dòng)化操作，有利于提高蒸鍍效率。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種坩堝，其包括一個(gè)主體，所述主體具有一個(gè)用于盛放柱狀蒸鍍膜料的收容孔，所述收容孔的底部開(kāi)設(shè)有一個(gè)頂桿孔，所述頂桿孔與所述收容孔相貫通；一個(gè)頂桿，所述頂桿設(shè)置于所述收容孔的底部且與所述頂桿孔相配合；及一個(gè)驅(qū)動(dòng)器，所述驅(qū)動(dòng)器與所述頂桿相連接，所述驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述頂桿沿所述頂桿孔朝向或背離所述收容孔運(yùn)動(dòng)，使得盛放于所述收容孔內(nèi)的柱狀膜料相對(duì)于所述收容孔的底部被所述頂桿升起或降低。
2.如權(quán)利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述主體包括一個(gè)環(huán)形蓋體，及一個(gè)基體； 所述環(huán)形蓋體的中央?yún)^(qū)域開(kāi)設(shè)有一個(gè)第一通孔，所述基體為圓柱體結(jié)構(gòu)，所述基體具有一個(gè)開(kāi)設(shè)于其中央?yún)^(qū)域的中心孔，一個(gè)環(huán)繞于所述中心孔外圍的環(huán)形壁，及一個(gè)環(huán)繞于所述環(huán)形壁外圍的環(huán)形槽；所述環(huán)形蓋體與所述基體相配合組成所述主體，所述第一通孔與所述中心孔組成所述坩堝的收容孔，所述環(huán)形槽形成圍繞所述收容孔的空腔，所述環(huán)形槽與所述收容孔相通且由所述環(huán)形壁所間隔，所述頂桿孔開(kāi)設(shè)于所述中心孔的底部。
3.如權(quán)利要求2所述的坩堝，其特征在于，所述第一通孔、所述中心孔、所述收容孔及所述頂桿孔均為圓形孔，所述頂桿為圓柱結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的坩堝，其特征在于，所述第一通孔、所述中心孔、所述收容孔及所述頂桿孔的中心軸同軸，所述頂桿在所述驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)下沿著所述頂桿孔的中心軸朝向或背離所述收容孔運(yùn)動(dòng)。
5.如權(quán)利要求3所述的坩堝，其特征在于，所述頂桿孔的內(nèi)周面進(jìn)一步開(kāi)設(shè)有內(nèi)螺紋， 所述頂桿的外周面進(jìn)一步開(kāi)設(shè)有與所述內(nèi)螺紋相配合的外螺紋。
6.如權(quán)利要求3所述的坩堝，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器為一個(gè)電動(dòng)馬達(dá)，其具有一個(gè)驅(qū)動(dòng)軸，所述驅(qū)動(dòng)軸的直徑小于所述頂桿孔的直徑，所述驅(qū)動(dòng)軸與所述頂桿相連接且其兩者同軸。
7.如權(quán)利要求2所述的坩堝，其特征在于，所述環(huán)形壁的內(nèi)部進(jìn)一步開(kāi)設(shè)有一個(gè)環(huán)形通道，所述環(huán)形通道與外部冷卻管相連通。
8.如權(quán)利要求2所述的坩堝，其特征在于，所述環(huán)形蓋體的外圍對(duì)稱(chēng)地開(kāi)設(shè)有多個(gè)第一螺紋孔，所述基體的外圍開(kāi)設(shè)有多個(gè)與所述第一螺紋孔一一對(duì)應(yīng)的第二螺紋孔，所述多個(gè)第一螺紋孔及所述多個(gè)第二螺紋孔與多個(gè)螺釘或螺栓一一對(duì)應(yīng)配合，使所述環(huán)形蓋體與所述基體相配合組成所述主體。
9.如權(quán)利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述環(huán)形蓋體與所述基體由金屬銅、鉬或者鎢制成。
10.一種蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述蒸鍍膜設(shè)備包括腔體及設(shè)置在所述腔體內(nèi)的如權(quán)利要求1 9任一項(xiàng)所述的坩堝。
全文摘要
一種坩堝包括一個(gè)主體，一個(gè)頂桿，及一個(gè)驅(qū)動(dòng)器。所述主體具有一個(gè)用于盛放柱狀蒸鍍膜料的收容孔，所述收容孔的底部開(kāi)設(shè)有一個(gè)頂桿孔，所述頂桿孔與所述收容孔相貫通。所述頂桿設(shè)置于所述收容孔的底部且與所述頂桿孔相配合。所述驅(qū)動(dòng)器與所述頂桿相連接，所述驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述頂桿沿所述頂桿孔朝向或背離所述收容孔運(yùn)動(dòng)，使得盛放于所述收容孔內(nèi)的柱狀膜料相對(duì)于所述收容孔的底部被所述頂桿升起或降低。本發(fā)明另外提供一種具有所述坩堝的蒸鍍?cè)O(shè)備。
文檔編號(hào)C23C14/24GK102373420SQ201010261279
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月24日
發(fā)明者裴紹凱 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司